一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置製造方法
2023-08-11 09:18:16
一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，屬於恆壓裝置，其結構包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋Ⅰ、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器Ⅱ、整流橋Ⅱ、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器Ⅱ，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。本實用新型滿足電磁兼容、能源認證要求，同時具有功率因數矯正功能。
【專利說明】—種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種恆壓裝置，具體地說是一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置。
【背景技術】
[0002]隨著科技的發展，各類電子產品在各行各業得到了飛速的發展，尤其是小功率消費類電子更是以輕薄為發展目標。
[0003]我國消費類電子產品是指用於個人和家庭與廣播、電視有關的音頻和視頻產品。主要包括:電視機、影碟機(V⑶、SV⑶、DVD)、錄像機、攝錄機、收音機、收錄機、組合音響、電唱機、雷射唱機(CD)等。
[0004]這就對產品提出了更為苛刻的設計要求，電子產品上市必須要滿足各國的電磁兼容、安規以及能源認證要求，因此設計上必須要採用一種創新的方式來滿足以上求。
實用新型內容
[0005]本實用新型的技術任務是針對以上不足之處，提供一種滿足電磁兼容、安規、能源認證要求，同時具有功率因數矯正功能的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置。
[0006]本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是:包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器，EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
[0007]EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
[0008]80V?264V交流電從交流輸入端輸入，然後通過EMI濾波器濾波，EMI濾波器的差模單級濾波器針對差模噪聲濾波，EMI濾波器的共模單級濾波器針對共模噪聲濾波，抑制幹擾信號通過，輸入滿足電磁兼容要求的交流電至整流橋I整流，整流橋I將交流電正選波整流後變成高壓直流電，整流橋I將高壓直流電輸出給恆流控制晶片和變壓器，變壓器轉換成低壓直流電通過濾波器II 二次濾波後進入整流橋II 二次整流，通過直流輸出端輸出恆壓直流電，恆壓直流電通過精準穩壓晶片再通過光耦合器隔離反饋到恆流控制晶片。恆流控制晶片本身集成MOSFET和功率因數矯正功能。
[0009]恆流控制晶片可採用型號為MT7838或型號為PL3590或型號為SM2087或型號為MT7930或型號為BP2822的恆流控制晶片。
[0010]精準穩壓晶片米用型號為lm7812或型號為lm336或型號為lm385的精準穩壓晶片。
[0011]功率因數矯正,英文全稱Power Factor Correction,簡稱為PFC。功率因數指的是有效功率與總耗電量(視在功率)之間的關係，也就是有效功率除以總耗電量(視在功率)的比值。基本上功率因素可以衡量電力被有效利用的程度，當功率因素值越大,代表其電力利用率越高。
[0012]恆流控制晶片:帶有高精度的電流取樣電路，同時採用了恆流控制技術，實現高精度的恆流輸出和優異的線性調整率。晶片工作在電感電流臨界模式，系統輸出電流不隨電感量和工作電壓的變化而變化，實現優異的負載調整率。
[0013]EMI濾波器為防電磁幹擾的低通濾波器，是包括串聯電抗器和並聯電容器的低通濾波器，其作用是允許設備正常工作時的頻率信號進入設備，而對高頻的幹擾信號有較大的阻礙作用。
[0014]精準穩壓晶片:對輸出電壓進行實時採樣，並以採樣電壓進行負反饋，來調節輸出管的動態電阻和壓降而使輸出電壓保持穩定。
[0015]本實用新型的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置和現有技術相比，具有以下優點:
[0016]1、儘可能節省空閒，以便為內置電源的小型化小功率恆壓設備供電；
[0017]2、同時又滿足各國對電磁兼容、安規以及能源認證要求；
[0018]3、具有功率因子矯正功能；因而，具有很好的推廣使用價值。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]下面結合附圖對本實用新型進一步說明。
[0020]附圖1為一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置的結構框圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。
[0022]實施例1:
[0023]本實用新型的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其結構包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器，EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
[0024]EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
[0025]80V?264V交流電從交流輸入端輸入，然後通過EMI濾波器濾波，EMI濾波器的差模單級濾波器針對差模噪聲濾波，EMI濾波器的共模單級濾波器針對共模噪聲濾波，抑制幹擾信號通過，輸入滿足電磁兼容要求的交流電至整流橋I整流，整流橋I將交流電正選波整流後變成高壓直流電，整流橋I將高壓直流電輸出給恆流控制晶片和變壓器，變壓器轉換成低壓直流電通過濾波器II 二次濾波後進入整流橋II 二次整流，通過直流輸出端輸出恆壓直流電，恆壓直流電通過精準穩壓晶片再通過光耦合器隔離反饋到恆流控制晶片。恆流控制晶片本身集成MOSFET和功率因數矯正功能。
[0026]實施例2:
[0027]本實用新型的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其結構包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器，EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
[0028]EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
[0029]80V?264V交流電從交流輸入端輸入，然後通過EMI濾波器濾波，EMI濾波器的差模單級濾波器針對差模噪聲濾波，EMI濾波器的共模單級濾波器針對共模噪聲濾波，抑制幹擾信號通過，輸入滿足電磁兼容要求的交流電至整流橋I整流，整流橋I將交流電正選波整流後變成高壓直流電，整流橋I將高壓直流電輸出給恆流控制晶片和變壓器，變壓器轉換成低壓直流電通過濾波器II 二次濾波後進入整流橋II 二次整流，通過直流輸出端輸出恆壓直流電，恆壓直流電通過精準穩壓晶片再通過光耦合器隔離反饋到恆流控制晶片。恆流控制晶片本身集成MOSFET和功率因數矯正功能。
[0030]恆流控制晶片可採用型號為MT7838的恆流控制晶片。
[0031]精準穩壓晶片採用型號為lm7812的精準穩壓晶片。
[0032]實施例3:
[0033]本實用新型的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其結構包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器，EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
[0034]EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
[0035]80V?264V交流電從交流輸入端輸入，然後通過EMI濾波器濾波，EMI濾波器的差模單級濾波器針對差模噪聲濾波，EMI濾波器的共模單級濾波器針對共模噪聲濾波，抑制幹擾信號通過，輸入滿足電磁兼容要求的交流電至整流橋I整流，整流橋I將交流電正選波整流後變成高壓直流電，整流橋I將高壓直流電輸出給恆流控制晶片和變壓器，變壓器轉換成低壓直流電通過濾波器II 二次濾波後進入整流橋II 二次整流，通過直流輸出端輸出恆壓直流電，恆壓直流電通過精準穩壓晶片再通過光耦合器隔離反饋到恆流控制晶片。恆流控制晶片本身集成MOSFET和功率因數矯正功能。
[0036]恆流控制晶片可採用型號為PL3590的恆流控制晶片。
[0037]精準穩壓晶片採用型號為lm336的精準穩壓晶片。[0038]實施例4:
[0039]本實用新型的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其結構包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器，EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
[0040]EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
[0041]80V?264V交流電從交流輸入端輸入，然後通過EMI濾波器濾波，EMI濾波器的差模單級濾波器針對差模噪聲濾波，EMI濾波器的共模單級濾波器針對共模噪聲濾波，抑制幹擾信號通過，輸入滿足電磁兼容要求的交流電至整流橋I整流，整流橋I將交流電正選波整流後變成高壓直流電，整流橋I將高壓直流電輸出給恆流控制晶片和變壓器，變壓器轉換成低壓直流電通過濾波器II 二次濾波後進入整流橋II 二次整流，通過直流輸出端輸出恆壓直流電，恆壓直流電通過精準穩壓晶片再通過光耦合器隔離反饋到恆流控制晶片。恆流控制晶片本身集成MOSFET和功率因數矯正功能。
[0042]恆流控制晶片可採用型號為MT7838或型號為PL3590或型號為SM2087或型號為MT7930或型號為BP2822的恆流控制晶片。上述型號任選其一。
[0043]精準穩壓晶片米用型號為lm7812或型號為lm336或型號為lm385的精準穩壓芯
片。上述型號任選其一。
[0044]通過上面【具體實施方式】，所述【技術領域】的技術人員可容易的實現本實用新型。但是應當理解，本實用新型並不限於上述的四種【具體實施方式】。在公開的實施方式的基礎上，所述【技術領域】的技術人員可任意組合不同的技術特徵，從而實現不同的技術方案。
[0045]除說明書所述的技術特徵外，均為本專業技術人員的已知技術。
【權利要求】
1.一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其特徵在於包括交流輸入部分、高壓直流輸出部分、低壓直流輸出部分；交流輸入部分為交流輸入端串聯至EMI濾波器；高壓直流輸出部分包括恆流控制晶片、整流橋1、變壓器，交流輸入部分的EMI濾波器連接整流橋，整流橋連接至變壓器和恆流控制晶片，恆流控制晶片採用集成MOSFET和功率因數矯正功能的恆流控制晶片；低壓直流輸出部分包括依次串聯的濾波器I1、整流橋I1、直流輸出端、精準穩壓晶片、光耦合器，高壓直流輸出部分的變壓器連接至濾波器II，光耦合器連接至高壓直流輸出部分的恆流控制晶片。
2.根據權利要求1所述的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其特徵在於EMI濾波器採用差模單級濾波器與共模單級濾波器方式。
3.根據權利要求1所述的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其特徵在於恆流控制晶片可採用型號為MT7838或型號為PL3590或型號為SM2087或型號為MT7930或型號為BP2822的恆流控制晶片。
4.根據權利要求1所述的一種實現功率因數矯正功能的恆壓裝置，其特徵在於精準穩壓晶片採用型號為lm7812或型號為lm336或型號為lm385的精準穩壓晶片。
【文檔編號】H02M7/217GK203554320SQ201320768731
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優先權日:2013年11月29日
【發明者】徐成焱, 於治樓, 翟西斌 申請人:浪潮電子信息產業股份有限公司