Mems聲換能器、mems麥克風、mems微型揚聲器、揚聲器陣列以及用於製造聲換能器的方法

2023-08-11 03:18:21

Mems聲換能器、mems麥克風、mems微型揚聲器、揚聲器陣列以及用於製造聲換能器的方法
【專利摘要】一種MEMS聲換能器，包括具有從中穿過的空腔，以及包括多個在襯底空腔上方進行延伸的傳導穿孔背板部分的傳導背板單元。布置在相鄰的傳導穿孔背板部分之間的背板單元上的電介質間隔體，以及由電介質間隔體所支撐並且在傳導穿孔背板部分上進行延伸的一個或多個石墨烯薄膜。
【專利說明】MEMS聲換能器、MEMS麥克風、MEMS微型揚聲器、揚聲器陣列以及用於製造聲換能器的方法

【技術領域】
[0001]本發明的實施例涉及MEMS (MEMS=微電子機械系統)聲換能器、MEMS麥克風、MEMS微型揚聲器、揚聲器陣列以及用於製造聲換能器的方法，尤其涉及包括石墨烯薄膜的MEMS聲換能器、MEMS麥克風和微型揚聲器。

【背景技術】
[0002]使用MEMS技術實施的麥克風和微型揚聲器通常使用矽來實現。MEMS麥克風/微型揚聲器可以通過提供具有被矽質薄膜所覆蓋的空腔的矽質襯底來實現。在MEMS麥克風中，小幅薄膜位移相對基準電極而被電容地感應，並且在MEMS微型揚聲器中，該薄膜通過例如用於提供大行程位移的兩個定子之間的靜電驅動而被靜電地驅動。


【發明內容】

[0003]一種MEMS聲換能器，包括具有從中穿過的空腔的襯底，包括多個在襯底空腔上方進行延伸的傳導穿孔背板部分的傳導背板單元，布置在相鄰的傳導穿孔背板部分之間的該背板單元上的電介質間隔體，以及被該電介質間隔體所支撐並且在該傳導穿孔背板部分上進行延伸的一個或多個石墨烯薄膜。
[0004]—種MEMS微型揚聲器,包括傳導襯底,其包括在該襯底前側形成的多個空腔，以及在該多個空腔上進行延伸並且由該襯底以及該空腔周圍的襯底部分以電絕緣方式所支撐的一個或多個石墨烯薄膜。
[0005]一種揚聲器陣列，包括襯底，該襯底包括在該襯底前側形成的多個空腔以及多個微型揚聲器，其中每個微型揚聲器包括在該多個空腔中的一個或多個上進行延伸並且由該襯底以及該空腔周圍的襯底部分以電絕緣方式所支撐的一個或多個石墨烯薄膜。
[0006]一種用於製造聲換能器的方法，包括將石墨烯薄膜沉積在襯底上，並且構造一個或多個MEMS結構。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1示出了指示石墨烯在與矽進行比較時的機械屬性的表格；
[0008]圖2示出了在頂部包括石墨烯薄膜的麥克風的實施例；
[0009]圖3不出了在底部具有石墨稀薄I旲的麥克風的另一個實施例；
[0010]圖4示出了具有雙背板結構的麥克風的另一個實施例，該雙背板結構包括具有被包夾在其間的薄膜的兩個背板；
[0011]圖5示出了在頂部包括多薄膜麥克風結構的MEMS麥克風的另一個實施例；
[0012]圖6示出了在底部包括多薄膜麥克風結構的MEMS麥克風；
[0013]圖7示出了包括多薄膜麥克風結構的MEMS麥克風，該多薄膜麥克風結構具有雙背板結構，該結構包括具有被包夾在其間的薄膜的兩個背板；
[0014]圖8以頂部視圖示出了蜂巢結構的背板的示例；
[0015]圖9示出了包括石墨烯薄膜的微型揚聲器的實施例；
[0016]圖10，包括圖10 (a)和10 (b)，示出了具有不同形狀的空腔的示例，其中圖10(a)示出了具有階梯形橫截面的空腔，並且其中圖10 (b)示出了具有傾斜空腔壁的空腔的示例；
[0017]圖11示出了包括允許薄膜的對稱驅動的石墨烯薄膜的微型揚聲器的另一個實施例；
[0018]圖12不出了依據一個實施例的揚聲器陣列的不意性表不形式；
[0019]圖13 (a)示出了如關於圖2所描述的實施例中的「多部分」薄膜的示例；
[0020]圖13 (b)示出了如關於圖9所描述的實施例中的「多部分」薄膜的示例；
[0021]圖14，包括圖14 (a)至14 (d)，示出了用於實現石墨烯薄膜的各種選擇，其中圖14 (a)示出了單層石墨烯材料，圖14 (b)示出了多層石墨烯材料，圖14 (c)示出了化學官能化的單層石墨烯，而圖14 Cd)示出了純石墨烯層和化學官能化的石墨烯層的合成物；
[0022]圖15示出了針對石墨烯薄膜指示薄膜順應度對比薄膜厚度的表格；
[0023]圖16示出了依據本發明實施例的表面微加工的壓力傳感器，其使用石墨烯薄膜和阱部電極作為壓力敏感元件；
[0024]圖17示出了依據本發明實施例的表面微加工的壓力傳感器，其使用石墨烯薄膜作為壓力敏感元件並被集成到金屬疊層BEOL中；
[0025]圖18 (a)至18 (k)示出了用於製造與圖3相類似的在底部具有其石墨烯薄膜的聲換能器的實施例；
[0026]圖19 (a)和19 (b)示出了用於製造與圖18相類似(只是該過程開始於不同襯底)的聲換能器的實施例；
[0027]圖20 Ca)至20 Cf)示出了用於製造與圖9相類似的聲換能器的實施例；
[0028]圖21示出了用於獲得圖11所示的設備的第二晶片或襯底；和
[0029]圖22示出了用於製造與圖21相類似(只是使用了不同的襯底)的聲換能器的實施例。

【具體實施方式】
[0030]在下文中，將以進一步的細節對本發明的實施例進行描述。相應附圖中所示出的具有相同或相似功能的要素將具有與之相關聯的相同附圖標記。
[0031]傳統上,MSMS麥克風/微型揚聲器以娃技術進行製造。娃微加工的麥克風是包括在聲場中移動的柔性薄膜以及被稱作背板的靜態穿孔電極的電容換能器。在壓力過度的情況下，該薄膜會經受到高達1bar的壓力差。在該情況下，通常的薄膜會由於其斷裂強度過低而失效。
[0032]反向換能器是需要被驅動從而實現大行程位移的微型揚聲器，例如通過電容驅動以驅動大幅空氣位移並因此驅動可接受的聲壓。
[0033]為了解決矽麥克風薄膜中的壓力過度的問題，可能在麥克風前部插入阻尼墊圈，然而這引入了額外的不期望出現的噪聲。這還可能增加麥克風的前部體積，然而這增加了包括該麥克風的應用中所需的空間。解決壓力過度問題的另外的可能方式是經由彈簧支撐的薄膜或者通過提供排氣通道來提供透氣，然而這需要特殊的設計以及結構的低應力梯度。用於實施透氣的另一種可能方式是通過薄膜中在壓力下打開的副翼實施透氣，然而這需要附加的設計面積並且應力梯度也是關鍵所在。
[0034]在矽微型揚聲器中，例如能夠通過提供曲折定子揚聲器由包括吸合(pull-1n)結構的多晶娃薄膜生成大的聲壓。
[0035]因此，需要提供一種有所改進的MEMS麥克風/微型揚聲器。
[0036]本發明的實施例提供了一種包括由石墨烯所製成的薄膜(而不是矽薄膜或多晶矽薄膜)的MEMS麥克風/MEMS揚聲器。石墨烯的機械特性對於生產非常高柔度和大斷裂強度的麥克風薄膜而言是有利的，由此允許設計相對任何大行程位移均具有魯棒性的高度敏感的麥克風。另一方面，微型揚聲器可以從高柔度所獲得的益處在於，可以減少用於獲得高行程的驅動電壓，同時高的斷裂強度降低了故障風險並且實現了高耐久性。依據實施例，可以通過形成兩個或更多單層石墨烯膜或層的疊層而增大石墨烯薄膜的強度。
[0037]石墨烯是表現出高疏水性的純碳化合物，其對於防止薄膜在包括潤溼法工藝的製造過程期間被刺破是有利的，並且還避免了在完成設備中被刺破。疏水性可以例如通過氟化作用而對石墨烯進行部分或完全的化學官能化而改變，其中完全氟化導致了所謂的疏水性有所增大的氟化石墨烯(flurographene)。而且,可以執行氫化作用並且完全氫化導致了親水性適當升高的石墨烯。此外，氧化是可能的，並且完全的氧化導致石墨烯氧化物具有大幅減小的疏水性。還可以依據實施例使用經化學修改的單層石墨烯膜或者由被包夾在經化學修改的石墨烯膜之間的石墨烯所構成的複合膜。
[0038]圖1示出了指示石墨烯在與矽進行比較時的機械屬性的表格。可以看出，在其楊氏模量、斷裂強度、泊松比(Poisson rat1)和密度的數值方面，石墨烯勝過矽。因此，出於以上所概述的原因，在以MEMS技術實現麥克風/微型揚聲器時使用石墨烯作為薄膜材料是有利的。
[0039]圖2示出了在頂部具有薄膜的包括石墨烯薄膜的麥克風的實施例。麥克風100包括例如矽襯底的襯底102，其具有形成於其中的空腔104。空腔104從襯底102上的第一表面106延伸至襯底上與第一表面相對的第二表面108。第一表面106也被稱作襯底102的前側，而第二表面108也被稱作襯底102的背側。在襯底的前側106上布置有電介質間隔體層110。電介質間隔體層110被布置在襯底102的前側106上以便包圍空腔104並且從空腔向襯底102的外圍112進行延伸。電介質間隔體層110可以始終向外圍112延伸，或者如圖2右手部分所示出的，可以被布置為使得其在襯底的具體部分從外圍112凹進。麥克風100進一步包括傳導穿孔背板114，其包括外圍區114a和穿孔區114b。背板114可以由多晶矽形成，並且穿孔區114b包括多個通過背板114延伸的空腔114c。背板114被布置為使得其穿孔區114b被布置為在襯底102的空腔104上延伸或者跨過其進行延伸，並且背板114的外圍區114a被布置在電介質間隔體層110上。麥克風100包括形成在背板114的外圍區114a上的另外的電介質間隔體層116。依據實施例，電介質間隔體層116並不延伸到空腔104上方的區域中並且至少部分覆蓋背板114的外圍區114a。該麥克風包括在背板上方被間隔體116所支撐的石墨烯薄膜120。石墨烯薄膜120以在空腔104上方延伸並且還在傳導穿孔背板114上方延伸的方式被布置在襯底102上。該麥克風包括與背板114的外圍區114a相接觸的第一電極122。此外，第二電極與石墨烯薄膜120相接觸。在圖2的實施例中，第二電極124被布置在與石墨烯薄膜120相接觸的電介質間隔體上。如箭頭126所描繪的，石墨烯薄膜120可根據壓力變化而在垂直方向偏離。利用可以由相應金屬墊所形成的電極122和124，可以檢測薄膜的垂直位移。
[0040]此外，可以通過提供從背板縮進在背板114和薄膜120之間的空隙128的防刺穿凸塊或者通過為背板設置如SAMS塗層或OTS塗層的防刺穿塗層而對圖2中所描繪的MEMS結構進行保護以防止刺穿。
[0041]在下文中，將給出用於製造圖2所描繪的麥克風100的示例。該工藝流程以在其上沉積例如500nm厚度的阻止氧化層的襯底102作為開始。厚度大約為I μ m的多晶矽層連同例如具有10nm厚度的SiN層一起被沉積在氧化層上。這種層結構定義了背板114。在沉積了用於背板114的材料之後，執行背板構建工藝以便在背板114的穿孔區114b中打開空腔114c。在背板構建之後，具有大約I至5μπι厚度的電介質材料被沉積在背板上並且被構建形成圖2中所描繪的另外的電介質間隔體116。在構建間隔體116之後，形成了金屬焊盤122、124。在此之後，對襯底102執行背側空腔蝕刻，即從襯底的背側108向其前側蝕刻出空腔104而使得空腔104到達提供在前側上的阻止氧化層。通過進一步的蝕刻工藝去除空腔區域中的阻止氧化層。在此之後，通過將石墨烯材料傳輸至間隔體116和焊盤124而提供石墨烯薄膜120。依據實施例，石墨烯在輸送晶片上進行構建並且在與包括麥克風結構的其餘元件的目標晶片對準時完成傳輸。
[0042]依據可替換的工藝，襯底102、背板114、間隔體116和金屬焊盤122、124如以上所描述地形成，然而並不構建間隔體116。在此之後，執行背板空腔蝕刻以便從襯底102的背側108形成空腔104而並不從前側去除阻止氧化層。隨後，執行石墨烯傳輸處理以及使用常規的照相平板印刷工藝構建出石墨烯層。在此之後，從襯底背側通過阻止氧化層和穿孔開孔114c執行犧牲氧化蝕刻，由此去除穿孔區114b和石墨烯薄膜120之間的區域中的電介質間隔體116而因此定義出空氣間隙128。
[0043]圖3示出了具有石墨烯薄膜的麥克風的另一個實施例，其與圖2的不同之處在於示出了在底部具有薄膜的麥克風。如可以從圖3所看到的，該結構基本上對應於圖2的結構，區別在於薄膜120現在由在襯底102上所形成的電介質間隔體110所支撐，並且具有在背板114和薄膜120之間布置的附加間隔體116的背板114被接合到薄膜120上，更具體地是接合到包圍空腔104的襯底區域所支撐的薄膜的外圍部分120a。石墨烯薄膜120進一步具有在空腔104上方延伸的中心區120b。該中心區120b進一步利用在薄膜120和背板114之間的空氣間隙128與穿孔區114b相對布置。因此，在圖3中，薄膜120被包夾在襯底和背板之間。當提供非傳導性襯底102時，薄膜120可以被直接安裝到襯底，即可以省略層110。
[0044]圖3中所描繪的麥克風可以通過提供襯底102被製造，該襯底102可以設置有定義出層110的阻止氧化層。然而，如以上所提到的，在其它情況下這並非是必需的，而且對於處理步驟而言，由於矽襯底102的蝕刻將在石墨烯層120上停止，所以這也並非是必須的。石墨烯被沉積到襯底102上或者被傳輸到包括要被製造的多個麥克風結構的整個晶片上，隨後進行石墨烯構建步驟，除非石墨烯已經在傳輸層上進行過構建。在此之後，如以上所描述的，沉積間隔體116並且在間隔體116上沉積背板114並對其進行構建。隨後形成焊盤122和124。在此之後，依據第一種可能性，從背側蝕刻出空腔104並且通過用於形成空氣間隙128的犧牲氧化蝕刻工藝去除部分電介質間隔體116。此外，可以將防刺穿塗層應用於背板。可替換地，該蝕刻工藝可以以用於去除部分層116以便定義空氣間隙128的犧牲氧化蝕刻作為開始，隨後進行用於定義空腔104的背側蝕刻，其可以包括附加的阻止氧化蝕刻，假設這樣的附加氧化層110已經被布置在襯底表面上。隨後，可以將防刺穿塗層應用於背板。
[0045]圖4示出了作為圖2和3中所描繪的實施例的組合的麥克風100的另一個實施例，其中提供了包括具有被包夾在其間的薄膜的兩個背板的雙背板結構。已經關於圖2和3進行了描述的要素已經在圖4中被指定以相同的附圖標記並且省略對其新的描述。當與圖2相比較時，圖4中所描繪的麥克風100包括布置在薄膜120的外圍120a上的附加電介質間隔體130。間隔體130支撐與背板114相類似的另外的背板132，其中其包括包圍穿孔區132b的外圍區132a，該穿孔區132b包括多個空腔或開口 132c。以以上所描述的方式布置背板132在薄膜120的中心區120b中在石墨烯薄膜120的上表面與背板132之間導致了空氣間隙134。另外的背板132以外圍區132a和穿孔區132與背板114的相應分區相對準並且開口 /空腔132c也與開口 114c相對準的方式進行布置和構建。此外，另外的背板132在其外圍區132a上設置有另外的電極136。
[0046]圖4所描繪的麥克風100可以通過將以上關於圖2和3所定義的工藝步驟進行合併來製造。
[0047]圖5示出了包括多薄膜麥克風結構的MEMS麥克風的另一個實施例。當與關於圖2至4所描述的實施例相比較時，背板114和電介質間隔體116有所修改。更具體地，背板114包括多個穿孔區IHb1UHb2和 114b3，其中每個穿孔區包括相應的開口 /空腔114Cl、11如2和114c3。最外側的穿孔區IHb1和114b3與背板114的外圍區114a相鄰並且通過分別布置在第一和第二穿孔區IHb1和114b2之間以及第二和第三穿孔區114b2和114b3之間的中間區IHd1和114d2而彼此分離。
[0048]電介質層116被構建為使得其包括布置在背板114的外圍區114a上的外圍區116a。另外,層116被構建為使得形成第一柱體I^b1和第二柱體116b2,其中第一柱體I^b1形成在背板114的第一中間區IHd1上，並且第二柱體116b2形成在第二中間區114d2上。
[0049]石墨烯薄膜120由電介質間隔體116所支撐，更具體地，其被形成為使得其外圍部分120a由間隔體116的外圍部分116b所支撐。薄膜120包括在襯底102的空腔104上方延伸的可偏轉區域UOb1至120b3。薄膜120進一步被柱體IWb1和116b2所支撐，由此定義了利用設置於其間的相應空氣間隙US1至1283而與背板114的相應穿孔區IHb1至IHb3相對布置的相應可偏轉薄膜部分UOb1至120b3。因此，當與圖2至4的實施例相比較時，在圖5的實施例中，薄膜120被分為多個薄膜，也就是均利用間隔體116的外圍區116a和/或柱體Iieb1Uieb2所單獨懸浮的薄膜部分UOb1至i20b3。
[0050]圖5的配置是有利的，因為通過提供多薄膜麥克風，由於石墨烯材料的順應性非常高，所以使用多個懸浮薄膜由於允許獲得整體MEMS設備高的總體順應性而會是有益的。由小薄膜1201^至120b3所獲得的信號被線性相加，從而例如當提供9個薄膜時，敏感度相對於單個薄膜增大9倍。另外，噪聲如下相加IsumO1isei2)1/2,由此在與單個薄膜相比時產生了 1/3的噪聲(例如，-9.5dB)。
[0051]圖5的實施例示出了如圖2那樣在頂部具有多個薄膜的多薄膜麥克風，然而以與以上關於圖3所描述的相類似的方式，背板114可以被提供在頂部，由此提供如圖6中進一步詳細示出的使得其薄膜處於底部的多薄膜麥克風。而且，還可以在圖5的實施例中提供如關於圖4所描述的附加背板，由此提供如圖7中進一步詳細示出的具有被包夾在相應背板之間的多薄膜的雙背板多薄膜麥克風。當與圖5相比時，圖7所描繪的麥克風100包括附加的電介質間隔體130，其外圍區130a處於薄膜120的外圍120a上。間隔體130包括柱體1301^130?並且支撐與背板114相類似的另外的背板132,其包括外圍區132a和穿孔區1321^至132b3，其中每個穿孔區包括多個空腔或開口 132(^至132c3。背板132還包括支撐柱體1301^130?的中間區132(^1324。以以上所描述的方式布置背板132導致在薄膜120的中心區UOb1至120b3中在石墨烯薄膜120的上表面和背板132之間形成了空氣間隙131至1343。另外的背板132以其外圍區和其穿孔區與背板114的相應分區相對準並且開口 /空腔也互相對準的方式進行布置和構建。此外，另外的背板132在其外圍區132a上設置有另外的電極136。
[0052]依據一個實施例，圖5中所描繪的多薄膜麥克風可以由布置在蜂巢結構中的直徑50 μ m的子單元所構成，該蜂巢結構建立了具有直徑大約為1mm的活動區域的MEMS。
[0053]圖8以頂部視圖示出了蜂巢結構的背板示例。背板114包括多個單元US1至1387。單元US1至1387中的每一個具有相同結構並且每個單元包括穿孔背板部分/分區，其在圖8中作為示例性部件指示出了單元1383的穿孔區114b3。在圖8中，背板的穿孔區114a和中間區114d並不可見，因為圖8中的這些區域被電介質間隔體116所覆蓋。在圖8中，示出了電介質間隔體的外圍區域116a以及布置在相應穿孔區114b之間的柱體IWb1和116b2。
[0054]在圖8所示的實施例中，每個腔室具有大約50 μ m的直徑。每個腔室具有六邊形形狀，並且穿孔區中的背板以每個腔室包括六邊形形狀的外邊框140和內邊框142的方式進行構建，這兩個邊框關於彼此同中心地進行布置。兩個邊框140、142通過在腔室的中心區146連接至彼此並且從中心146延伸至外邊框140的相應角同時還在內邊框142的角部上方進行延伸的相應杆體144所連接。利用這種配置，在外邊框140和內邊框142和杆體144之間以及內邊框142和中心146和杆體144之間的區域中形成了相應的開口 /空腔114c。在圖8所描繪的實施例中，外邊框具有大於內邊框142的水平厚度的水平厚度，並且杆體144逐漸變細而使得其水平厚度在從外邊框140的角向中心146的方向有所減小。
[0055]在圖8所示的實施例中，已經描述了具有蜂巢結構的背板單元，該蜂巢結構具有多個六邊形腔室。然而，要注意的是，本發明可以以不同方式來實施。背板單元可以包括任意形狀的腔室，例如，傳導背板單元的腔室可以包括圓形周界或彎曲形狀(例如，圓形)或者多邊形形狀(例如，方形或三角形)。
[0056]以上對圖2至8的描述涉及麥克風100，然而相同的結構可以被實現為微型揚聲器。當實現微型揚聲器時，信號生成器被連接在相應電極122、124和136之間以便以所期望的方式施加用於使得薄膜120發生偏轉的驅動信號。
[0057]圖9示出了包括石墨烯薄膜的微型揚聲器的實施例。已經關於之前附圖進行了描述的部件具有與之相關聯的相同附圖標記並且省略了對其的附加描述。
[0058]如能夠從圖9看到的，與其它實施例不同，襯底102包括從襯底102的前側406延伸至襯底102的背側108的多個空腔/開口 KM1至1043。襯底102包括外圍區102a以及相應的中間區K^b1至102b2。空腔KM1至1043通過中間區K^b1至102b2而彼此分離。更具體地，第一空腔KM1布置在外圍區102a和第一中間區102bi之間，而第三空腔1043則布置在外圍區102a和第二中間區102b2之間。第二空腔1042布置在兩個中間區K^b1和102b2之間。在襯底102的前側106提供有電介質間隔體層110，其被構建為包括布置在襯底102的外圍區102a上的外圍區110a。另外，電介質間隔體層110包括布置在襯底102的中間區1021^102?上的多個柱體IlOb1和110b2。由石墨烯材料所形成的薄膜120由電介質間隔體層110所支撐，更具體地，它由其外圍區IlOa以及相應柱體IlObJP 110132所支撐。通過這種配置，薄膜120包括外圍的固定區120a以及三個可偏轉區UOb1至120b3，它們能夠如箭頭1263所示垂直偏轉而導致可移動部分如在120b/至120b/所指示的形變。在圖8中，作為示例，相應空腔KM1至1043的橫向尺寸為200 μ m,並且還描繪了當薄膜部分偏轉時的電場線。
[0059]在圖9中，襯底120是傳導襯底並且在其外圍區布置了電極150。另外，如之前所描述的實施例中，該薄膜具有與之相接合的電極124。在兩個電極124和128之間，連接了包括AC信號源152a和DC信號源152b的信號生成器152以便對薄膜進行驅動而造成如圖9中所描繪的偏轉。
[0060]由於石墨烯薄膜120的高度順應性，依據圖9的實施例，該薄膜可以相對其襯底的空腔被驅動而無需提供所構建並穿孔的背板。雖然圖9示出了排成一行的3個空腔，但是所要注意的是，該結構可以包括例如以陣列排列的多個空腔。
[0061]在圖9中，空腔KM1至1043被示為「垂直」空腔，即空腔壁垂直於襯底的前側和後側延伸。然而，其它形狀的空腔也是可能的。圖10示出了具有不同形狀的空腔的示例。在圖10 (a)中，空腔KM1至1043具有階梯形狀的橫截面，其中襯底102的前側106的直徑較大而背側108的直徑較小。例如，空腔較大直徑的部分可以為如圖9所示的200 μ m,然而較小直徑的部分則僅具有50 μ m的直徑。該結構允許場強度有所增加。圖10 (a)中所示的結構可以通過氧化物間隔體而使用前側設計的空腔的處理獲得，或者通過相結合的前側和背側凹槽蝕刻以及後續石墨烯沉積而獲得。
[0062]圖10 (b)示出了具有傾斜空腔壁的空腔的示例，其中空腔被形成為使得空腔直徑在從前表面106向後表面108的方向中有所減小。可以通過例如使用KOH或TMAH對空腔進行非均質蝕刻而獲得具有傾斜凹槽壁的凹槽KM1至1043。
[0063]圖11示出了允許薄膜的對稱驅動的包括石墨烯薄膜的微型揚聲器的另一個實施例。從關於圖9所描述的微型揚聲器開始，圖11的微型揚聲器包括附加的襯底或板202,其包括通過襯底202從其前側206向其背側208延伸的多個空腔20七至2043。與第一襯底102 —樣，第二襯底202也包括外圍區202a以及分開相應空腔的中間區2021^和202b2。如能夠從圖11所看到的，第二襯底202的外圍區202a關於第一襯底102的外圍區102a凹進以便露出電極124和150。襯底202被布置為使得空腔2041至2043以及中間區2021^至202b2與襯底102的相對應開口和中間部分對準。另外的襯底202利用布置在薄膜120和襯底202之間的附加電介質間隔體層210而被布置在石墨烯薄膜120上。更具體地，另外的電介質間隔體層210包括被包夾在薄膜的外圍區120a和另外襯底202的外圍區202a之間的外圍區210a。此外，電介質層210包括處於襯底202的相應中間部分2021^和202b2上的柱體210bi和210b2。襯底202在其背側206上包括另外的電極220。在電極150和220之間連接有AC信號生成器150a，並且DC信號生成器150b連接在電極124和AC信號生成器150a之間ο
[0064]圖11的配置允許石墨烯薄膜如偏轉部分UOb1』至120b/以及120b/』至120b2』』所描繪的向上和向下對稱偏轉。
[0065]依據實施例，可以以以上所描述的方式在襯底上形成多個微型揚聲器而形成例如要在數字聲音重構裝置中使用的具有獨立驅動薄膜的揚聲器陣列。
[0066]圖12示出了依據一個實施例的揚聲器陣列的示意性表示形式。陣列200包括襯底102，其包括在襯底102的前側中形成的多個空腔(例如，參見亦在以上所描述的空腔KM1至1043)。為了定義陣列的相應微型麥克風202，提供多個石墨烯薄膜120而以如以上所描述的方式在多個空腔104中的一個或多個上進行延伸。每個薄膜120具有其電極124從而相應微型揚聲器202的石墨烯薄膜120能夠被獨立驅動。
[0067]要注意的是，雖然圖12明確涉及微型揚聲器的陣列，但是依據實施例，也可以以上述方式在襯底上形成多個麥克風而形成具有獨立薄膜的麥克風陣列。
[0068]在以上所描述的實施例中，石墨烯薄膜120已經被描述並描繪為在襯底的外圍區之間進行延伸的單個薄膜，然而要注意的是，其它實施例可以使用兩個或更多的石墨烯薄膜來實現。圖13(a)示出了用於在如關於圖2所描述的實施例中提供「多部分'multipart)薄膜的示例。如所能夠看到的，示意性示出的薄膜120由在第一穿孔背板區IHb1上方延伸的第一薄膜UO1所形成，並且其包括在第二和第三穿孔背板的部分IHb2和IHb3上方延伸的第二薄膜1202。如在160所示出的，兩個薄膜UO1和1202互相連接。
[0069]圖13 (b)示出了與圖9相類似的微型揚聲器的示例，其中不同於單個石墨烯薄膜而提供了三個薄膜UO1至1203。第一薄膜UO1在第一空腔KM1的上方從襯底102的外圍區102a延伸至第一中間區102blt)第二薄膜1202在第二空腔1042上方延伸並且第三薄膜1203在第三和第四空腔1043和1044上方延伸。如在WO1和1602所描繪的，薄膜互相連接。
[0070]圖14示出了以上關於優選實施例所描繪的用於實現石墨烯薄膜120的各種選項。圖14 (a)示出了包括單層石墨烯材料的石墨烯薄膜120。圖14 (b)示出了包括多層石墨烯材料的石墨烯薄膜120，在圖14 (b)中為三層1、ii和iii。圖14 (c)示出了包括例如氟化石墨烯的化學官能化的單層石墨烯的石墨烯薄膜120。圖14(d)示出了作為純石墨烯層和化學官能化石墨烯層的化合物的石墨烯薄膜120，例如處於兩個如圖14 (c)所描述的化學官能化單層石墨烯之間的圖14 Ca)中所描繪的單層石墨烯的組合形式。
[0071]圖15示出了針對石墨烯薄膜指示薄膜順應度對比薄膜厚度的表格。如所能夠看到的，使用石墨烯薄膜是有利的，因為儘管薄膜厚度小但實現了高的順應度由此避免了常規的矽質薄膜中如以上所討論的問題。
[0072]圖16和17示出了使用石墨烯薄膜作為壓力敏感部件的依據本發明實施例的表面微加工壓力傳感器，其具有阱電極(圖16)或者被集成到金屬疊層BEOL (無半導體效應)中。
[0073]圖16示出了具有阱電極的壓力換能器300的實施例。壓力換能器300包括例如娃襯底的襯底302,其具有第一表面306 (前側)和與第一表面相對的第二表面308 (背側)。在前側306中形成阱電極309，例如通過在阱中引入摻雜物以便獲得所期望的傳導性。在襯底302的前側306上布置有電介質間隔體層310。電介質間隔體層310包括在阱電極309之外布置在襯底102的前側106上的第一或外圍部分310a，以及與第一部分310a橫向間隔開來並且布置在阱電極309上的第二部分310b。可替換地，電介質間隔體層310的第二部分也可以布置在電極309之外。該傳感器包括石墨烯薄膜320，該石墨烯薄膜320由襯底302上方的間隔體310的相應部分310a、310b利用其相應外圍區320a進行支撐而使得其中心的可偏轉部分320b利用其間的間隙328與阱電極309相對布置。該傳感器包括與阱電極309相接觸的第一電極322，以及與石墨烯薄膜320相接觸的第二電極324。利用可以由相應金屬焊盤或線路所形成的電極322和324，可以檢測到由於所施加的壓力而導致的薄膜320的垂直位移。
[0074]圖17示出了被集成到金屬疊層BEOL (無半導體效應)中的壓力換能器300的實施例。與圖16的傳感器類似，圖17的壓力換能器300也包括襯底302。與圖16中不同，在圖17中，在襯底302的前側上形成電介質層330。在層330背離襯底302的表面上形成例如金屬電極的電極332。在層330上布置電介質間隔體層310。在圖17中，電介質間隔體層310包括(定義間隔328的)空腔，並且第一或外圍部分310a被布置在層330上並且部分覆蓋電極332。石墨烯薄膜320由電極332上方的間隔體310的外圍部分31a利用其外圍區320a進行支撐而使得其中心的可偏轉部分320b利用其間的間隙328與電極332的暴露區域相對布置。該傳感器包括形成於層310上並且經由通路334與電極332相接觸的第一電極322，以及與石墨烯薄膜320相接觸的第二電極324。利用可以由相應金屬焊盤或線路所形成的電極322和324，能夠檢測到由於所施加的壓力而導致的薄膜320的垂直位移。
[0075]在下文中，將對本發明對用於製造聲換能器的實施例進行描述。
[0076]在迄今為止所使用的常規處理中，石墨烯被沉積在具有不同種子層(例如，金屬)的晶片上。MEMS設備使用單獨晶片進行構造。在該處理中的某點，石墨烯層將被傳輸至MEMS晶片。這樣的常規方法是不利的，因為其必須提供附加晶片或襯底以便沉積及構建石墨烯層。例如由於可能向層中引入張力的傳輸問題，石墨烯的機械參數在被傳輸至MEMS晶片之後並未被妥善定義。此外，需要適當定義與石墨烯層的電接觸。
[0077]依據實施例，這樣的缺陷和問題得以被避免。依據本發明的實施例，通過將石墨烯材料沉積在襯底上並且通過使用已經具有提供於其上的石墨烯材料的襯底構造一個或多個MEMS結構來製造聲換能器。換句話說，石墨烯被沉積於其上的晶片或襯底是MEMS晶片或襯底。該方法由於不需要附加晶片或襯底而是有利的，石墨烯的機械參數通過沉積而被妥善定義，任何傳輸問題都得以被避免，並且與石墨烯層的電接觸也已經完善。
[0078]依據一個實施例，石墨烯層可以被沉積在襯底上所形成的金屬表面上(例如，金屬層)。這可以通過例如碳氫化合物的碳源的催化分解或者在金屬層塊中分解的碳被隔離到金屬表面來執行。依據另一個實施例，石墨烯層可以被沉積在由襯底上的金屬層和電介質層所形成的金屬電介質界面。這可以通過經金屬膜散播到金屬層和電介質層之間的界面的例如碳氫化合物的碳源的催化分解或者在金屬層塊中分解的碳被隔離到金屬層和電介質層之間的界面來執行。在兩個實施例中，在石墨烯層沉積之後都形成了附加的MEMS組件。
[0079]在下文中，將參考圖18對用於製造與圖3相類似的使得其石墨烯薄膜處於底部的聲換能器的實施例進行描述。將使用與圖3中相同的附圖標記。
[0080]圖18 Ca)示出了襯底102。在襯底102的前側106，形成例如S12層的絕緣層110。在絕緣層110背離襯底102的表面上形成例如Cu層或Ni層的金屬層111。在金屬層111背離絕緣層110的表面上沉積石墨烯材料120。
[0081]在石墨烯材料120的沉積之後，如圖18 (b)所示，在石墨烯層120上形成電介質間隔體或犧牲層116，並且在犧牲層116上形成傳導層114。
[0082]傳導層114隨後被形成圖案而形成外圍區114a、穿孔區114b以及通過層114延伸的多個空腔114c。圖18 (c)中示出了所產生的包括傳導穿孔背板114的結構。
[0083]隨後，如圖18 (d)所示，犧牲層116被形成圖案以便從襯底102的外圍112凹進。在對犧牲層116進行構建之後，如圖18 (e)所示，石墨烯層120被形成圖案以便也從襯底102的外圍112凹進。如所能夠看到的，石墨烯層120被形成圖案而使得其一部分在犧牲層116以外延伸從而得以被暴露(並不被犧牲層116所覆蓋)。
[0084]隨後，如圖18 (f)所示，金屬層111被形成圖案以便從襯底102的外圍112凹進。金屬層111被形成圖案而使得第一部分Illa比第二部分Illb更接近於襯底外圍112。此夕卜，金屬層111被形成圖案而使得第一部分僅部分被石墨烯層120所覆蓋，而第二部分11 Ib則完全被石墨烯層120所覆蓋。
[0085]在下一個步驟，如圖18 (g)所示，絕緣層110被形成圖案而使得其外圍區IlOa的至少一部分從襯底102的外圍112凹進，由此暴露出襯底102的前側106的一部分106a。
[0086]如圖18 (h)所示，形成例如金屬焊盤的觸點。觸點122形成在背板114的外圍區114a上。觸點124形成在金屬層111的第一部分Illa上。附加觸點125形成在襯底102的暴露部分106a上。
[0087]如圖18 (i)所示，襯底102在襯底102的中心區102c從其背側106進行蝕刻以便定義出從背側106向絕緣層110延伸的空腔104。
[0088]在圖18 (j)中，示出了進一步蝕刻處理的結果，其從襯底的背側108完成並且去除了絕緣層110的中心部分I1c以及金屬層111的中心部分111c。該蝕刻處理在石墨烯層120停止，由此暴露出石墨烯薄膜120中心的可偏轉部分120b的下表面。因此，空腔104從襯底的背側108延伸至石墨烯層120。
[0089]在從背側進行蝕刻之後，進行從襯底前側的蝕刻。蝕刻通過背板114的空腔114c進行，由此去除了犧牲層116的中心部分116c以便定義出間隙128，由此完成了具有如圖18 (k)所示結構的設備。
[0090]在下文中，參考圖19中與圖18相類似的用於製造聲換能器的實施例。該處理基本上與以上所描述的相同，其區別在於該處理以圖19 (a)所示的在其前側106上形成有例如S12層的絕緣層110的襯底102開始。在絕緣層110背離襯底102的表面上，使用例如Cu層或Ni層的金屬層111沉積石墨烯材料120。
[0091]在實質上對應於關於圖18所描述的處理之後，獲得了如圖19 (b)所示的完成設備。當與圖18 (k)比較時，其差異在於已經構建了金屬層111而使得其僅在石墨烯層120的一部分上得以保留並且帶有薄膜觸點124。
[0092]在下文中，將參考圖20對用於製造與圖9相類似的聲換能器的實施例進行描述。將使用與圖9中相同的附圖標記。
[0093]圖20 Ca)示出了襯底102。在襯底102的前側106上形成例如S12層的絕緣層110。在絕緣層110背離襯底102的表面上，形成例如Cu層或Ni層的金屬層111。在金屬層111背離絕緣層110的表面上沉積石墨烯材料120。
[0094]如圖20 (b)所示，石墨烯層120被形成圖案從而也從襯底102的外圍112凹進。
[0095]在下一個步驟，如圖20 (C)所示，金屬層111被形成圖案而使得其外圍區Illc的至少一部分從襯底102的外圍112凹進，由此暴露出絕緣層110的一部分110a。
[0096]隨後，如圖20 (d)所示，絕緣層110被形成圖案而使得其外圍區IlOa的至少一部分從襯底102的外圍112凹進，由此暴露出襯底102的前側106的一部分106a。還形成例如金屬焊盤的觸點。觸點124形成在金屬層111的第一部分Illa上,而觸點152形成在襯底102的暴露部分106a上。
[0097]如圖20 Ce)所示，襯底102在襯底102的中心區102c從其背側106進行蝕刻以便定義出從後側106延伸至絕緣層110的空腔KM1至1043以及中間區K^b1和102b2。
[0098]從襯底的後側108進行進一步的蝕刻處理，其去除了絕緣層110和金屬層111的中心部分。該蝕刻處理在石墨烯層120停止，由此暴露出石墨烯薄膜120的中心可偏轉部分102bi至102b3的下表面。因此，空腔現從襯底的背側108延伸至石墨烯層120，由此完成了具有如圖20 (f)所示結構的設備。
[0099]為了獲得如圖11所示的設備，提供如圖21所示的第二晶片或襯底，其例如通過晶片鍵合而被設置在圖20 (f)的結構上。圖21的襯底通過在襯底202的前側206上設置絕緣層210並且在後側208上設置金屬層220而獲得。對襯底202進行蝕刻以形成空腔20+至2043而使得當將襯底202布置在石墨烯層120上時，襯底中的空腔互相對準。
[0100]圖22示出了用於製造與圖20相類似的聲換能器的實施例。該處理基本上與以上所描述的相同，其區別在於該處理以圖19 (a)所示的在其前側106上形成有例如S12層的絕緣層110的襯底102開始。在絕緣層110背離襯底102的表面上沉積石墨烯材料120。在石墨烯材料的表面上形成例如 Cu層或Ni層的金屬層111。
[0101]在實質上對應於關於圖20所描述的處理之後，獲得了如圖22所示的完成設備。當與圖20 (f)比較時，其差異在於已經構建了金屬層111而使得其僅在石墨烯層120的一部分上得以保留並且帶有薄膜觸點122。
[0102]在進一步的實施例中，可以將如圖21所示的附加襯底布置在圖22的設備上。
[0103]雖然已經以裝置為背景對一些方面進行了描述，但是這些方面顯然還表示對相對應方法的描述，其中模塊或設備對應於方法步驟或方法步驟的特徵。同樣，以方法步驟為背景所描述的方面也表示對於相對應模塊或事項或者相對應裝置的特徵的描述。
[0104]以上所描述的實施例僅是為了說明本發明的原理。所要理解的是，這裡所描述的布置形式和細節的修改和變化對於本領域技術人員將是顯而易見的。因此，其意在僅由所附專利權利要求的範圍所限制而並不被通過對本文的實施例的描述和解釋所給出的具體細節所限制。
【權利要求】
1.一種MEMS聲換能器，包括: 襯底，具有從中穿過的空腔； 傳導背板單元，包括在所述襯底的空腔之上延伸的多個傳導穿孔背板部分； 電介質間隔體，被布置在相鄰的傳導穿孔背板部分之間的所述背板單元上；以及一個或多個石墨烯薄膜，由所述電介質間隔體所支撐並且在所述傳導穿孔背板部分之上延伸。
2.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，其中所述背板單元包括陣列結構，所述陣列結構包括多個相鄰腔室，每個腔室包括傳導穿孔背板部分，並且其中所述電介質間隔體包括在所述陣列結構的所述相鄰腔室之間並且在所述陣列結構周圍排列的離散柱體或連續肋部。
3.根據權利要求2所述的MEMS聲換能器，其中所述陣列結構包括蜂巢結構。
4.根據權利要求3所述的MEMS聲換能器，其中所述蜂巢結構的腔室包括大約50μ m的直徑，並且其中對腔室數量進行選擇以便獲得具有大約Imm的直徑的所述蜂巢結構。
5.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，其中所述石墨烯薄膜被布置在所述襯底和所述傳導背板單元之間。
6.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，其中所述傳導背板單元被布置在所述襯底和所述石墨烯薄膜之間 。
7.根據權利要求6所述的MEMS聲換能器，包括另外的傳導背板單元，所述另外的傳導背板單元包括多個傳導穿孔背板部分並且被布置為使得所述石墨烯薄膜被包夾在所述傳導背板單元之間。
8.根據權利要求7所述的MEMS聲換能器，其中所述背板單元被布置為使得相應的穿孔背板部分互相對準。
9.根據權利要求7所述的MEMS聲換能器，包括被布置在所述另外的背板單元和所述石墨烯薄膜之間的另外的電介質間隔體。
10.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，包括被布置為與所述傳導背板單元相接觸的第一電極，以及被布置為與所述石墨烯薄膜相接觸的第二電極。
11.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，其中所述石墨烯薄膜包括單層石墨烯、多層石墨烯、經化學官能化的單層石墨烯或者其組合。
12.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，包括: 單個石墨烯薄膜，或 多個石墨烯薄膜，其中石墨烯薄膜在一個或多個所述傳導穿孔背板部分之上延伸，並且其中所述多個石墨烯薄膜互相連接。
13.根據權利要求1所述的MEMS聲換能器，其中所述聲換能器被配置為麥克風或微型揚聲器。
14.一種MEMS麥克風，包括: 襯底，具有空腔； 傳導背板單元，包括多個相鄰腔室，每個腔室包括穿孔背板； 電介質間隔體，在所述相鄰腔室之間被布置在所述背板單元上； 石墨烯薄膜，由所述電介質間隔體所支撐並且在所述背板單元的所述腔室之上延伸；第一電極，被布置為與所述傳導背板單元相接觸；以及 第二電極，被布置為與所述石墨烯薄膜相接觸。
15.根據權利要求14所述的MEMS麥克風，其中所述傳導背板單元的所述腔室包括圓形周界或多邊形形狀。
16.根據權利要求14所述的MEMS麥克風，其中所述背板單元的每個所述腔室包括六邊形背板，其中所述背板包括六邊形外邊框和六邊形內邊框，並且其中所述外邊框和所述內邊框通過在所述背板的中心處互相連接的多個杆體進行連接，每個杆體從所述中心經由所述內邊框的一個角延伸至所述外邊框的一個角。
17.根據權利要求16所述的MEMS麥克風，其中所述外邊框具有大於所述內邊框的水平厚度的水平厚度，並且其中相應杆體在從所述外邊框向所述中心的方向上變細。
18.—種MEMS微型揚聲器,包括: 傳導襯底，包括在所述襯底的前側形成的多個空腔；以及 一個或多個石墨烯薄膜，在所述多個空腔之上延伸並且由所述襯底以及所述空腔周圍的襯底部分以電隔離方式所支撐。
19.根據權利 要求18所述的MEMS微型揚聲器，其中所述空腔從所述襯底的所述前側延伸至所述襯底的後側。
20.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，其中所述空腔包括空腔壁，所述空腔壁通過所述襯底者關於所述襯底的所述前側和後側垂直或傾斜延伸。
21.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，其中所述空腔在所述前側的開口具有與在後側的開口的尺寸不同的尺寸。
22.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，其中所述空腔包括階梯形或V形截面。
23.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，包括: 第一電極，被布置為與所述襯底相接觸；以及 第二電極，被布置為與所述石墨烯薄膜相接觸。
24.根據權利要求23所述的MEMS微型揚聲器，包括被耦合在所述第一電極和所述第二電極之間的信號生成器。
25.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，包括薄板，所述薄板包括多個開口並且被布置為與所述石墨烯薄膜電絕緣，以使得所述石墨烯薄膜被包夾在所述襯底和所述薄板之間。
26.根據權利要求25所述的MEMS微型揚聲器,包括: 第一電極，被布置為與所述石墨烯薄膜相接觸； 第二電極，被布置為與所述襯底相接觸； 第三電極，被布置為與所述薄板相接觸； AC信號生成器，被耦合在所述第二電極和所述第三電極之間；以及 DC信號生成器,被稱合在所述第一電極和所述AC信號生成器之間。
27.根據權利要求18所述的MEMS微型揚聲器，包括: 單個石墨烯薄膜，或 多個石墨烯薄膜，其中石墨烯薄膜在所述空腔的一個或多個空腔之上延伸，並且其中所述多個石墨烯薄膜互相連接。
28.—種MEMS微型揚聲器,包括: 襯底，具有從所述襯底的前側延伸至所述襯底的後側的多個空腔； 多個電介質間隔體，被布置在所述襯底的所述前側上； 石墨烯薄膜，在所述空腔之上延伸，其中所述石墨烯薄膜由被布置在所述空腔周圍的襯底部分上的所述電介質間隔體所支撐； 第一電極，被布置為與所述襯底相接觸； 第二電極，被布置為與所述石墨烯薄膜相接觸；以及 信號生成器，被耦合在所述第一電極和所述第二電極之間。
29.—種揚聲器陣列,包括: 襯底，包括在所述襯底的前側形成的多個空腔；以及 多個微型揚聲器，每個微型揚聲器包括在所述多個空腔中的一個或多個空腔之上延伸並且由所述襯底以及所述空腔周圍的襯底部分以電隔離方式所支撐的一個或多個石墨烯薄膜。
30.根據權利要求29所述的陣列，其中相應麥克風的所述石墨烯薄膜是獨立驅動的薄膜。
31.一種用於製造聲換能器的方法，所述方法包括: 將石墨烯薄膜沉積在襯底上；並且 製作一個或多個MEMS結構。
32.根據權利要求31所述的方法，其中將所述石墨烯薄膜沉積在所述襯底上包括將所述石墨烯薄膜沉積在所述襯底的表面上所形成的金屬層上，或者將所述石墨烯薄膜沉積在由所述襯底的所述表面上的金屬層和電介質層所形成的金屬-電介質界面。
33.根據權利要求32所述的方法，其中 將所述石墨烯薄膜沉積在所述襯底上包括: 在所述襯底上形成石墨烯層，並且 製作一個或多個MEMS結構包括: 在所述石墨烯層上形成犧牲層， 在所述犧牲層上形成傳導層， 圖案化所述傳導層，以用於定義出具有穿孔背板部分的背板單元， 圖案化所述犧牲層、所述石墨烯層和所述金屬層， 從襯底後側對襯底進行蝕刻以用於去除所述襯底和所述金屬層的一部分，以用於暴露出所述石墨烯層的一部分的第一表面，並且 通過所述背板單元的所述穿孔背板部分進行蝕刻以便去除所述犧牲層的一部分，以用於暴露出所述石墨烯層的所述部分的第二表面。
34.根據權利要求32所述的方法，其中 將所述石墨烯薄膜沉積在所述襯底上包括: 在所述襯底上形成石墨烯層，並且 製作一個或多個MEMS結構包括: 圖案化所述石墨烯層和所述金屬層，並且 從襯底後側對所述襯底進行蝕刻以用於去除所述襯底和所述金屬層的一部分，以用於形成暴露出所述石墨烯層的相應部分的第一表面的多個空腔。
35.根據權利要求34所述的方法，進一步包括: 提供另外的襯底，所述另外的襯底具有在其第一表面上形成的絕緣層以及從通過所述襯底並且通過所述絕緣層而從所述襯底的第二表面延伸的多個空腔，並且 利用所述石墨烯層和所述另外的襯底之間的所述絕緣層將所述另外的襯底布置在所述石墨烯層上，其中所述襯底中的所述空腔以及所述另外的襯底中的所述空腔互相對準。
36.根據權利要求31所述的方法，其中所述聲換能器包括一個或多個麥克風或者一個或多個微型揚 聲器。
【文檔編號】H04R9/06GK104053100SQ201410090491
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月12日 優先權日:2013年3月14日
【發明者】A·德厄, G·魯爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司