偏置電路、lna、lnb、通信用接收機、通信用發送機及傳感器系統的製作方法

2023-07-08 09:25:26

專利名稱：偏置電路、lna、lnb、通信用接收機、通信用發送機及傳感器系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及向FET(Field Effect Transistor :場效應電晶體)提供偏置電壓的偏置電路、LNA (Low Noise Amplifier :低噪聲放大器)、LNB (Low Noise Block converter 低噪聲塊轉換器)、通信用接收機、通信用發送機及傳感器系統，特別涉及衛星廣播接收用LNB 的 LNA 中使用的 HEMT (High Electron Mobility Transistor :高電子遷移率電晶體)用的偏置電路。此外，本發明還涉及能對向FET提供的偏壓的接通/關斷進行切換的偏置電路、LNA及LNB，特別還涉及用於在對偏壓的接通/關斷進行切換時對衛星廣播接收用LNB的LNA中使用的HEMT進行保護的技術。
背景技術：
以往，在衛星廣播中，從通信衛星向各家庭等接收側發送Ku波段(12GHz 18GHz )的微小信號。在接收側，由天線接收到來自通信衛星的信號之後，利用LNB進行放大和下變頻，並傳送到調諧器。此處，為了較好地接收微小信號，在LNB中，對將由天線接收到的信號進行放大的LNA要求較低的NF (Noise Figure :噪聲係數)。因此，一般對LNA使用HEMT。HEMT的特徵在於，可應對接收Ku波段且NF較低。為了將使用了 HEMT的LNA的增益及NF設計為所希望的值，需要將HEMT的漏極電壓及漏極電流設計為最佳。對HEMT的漏極電流特性進行說明。

圖19是用於說明HEMT的偏壓的電路圖。圖20是表示HEMT的柵極電壓與漏極電流之間的關係的曲線圖。HEMT具有如下特性漏極電流ID的電流值相對於柵極電壓VG的電壓值來確定。例如，在設計為最佳的漏極電壓VD為2V、最佳的漏極電流ID為8mA的情況下，如圖20所示，需要的柵極電壓VG成為一 0.4V左右。因此，需要對LNA中使用的HEMT (FET)施加規定的偏壓，以同時獲得所希望的漏極電壓VD和所希望的的漏極電流ID。因而，通過利用偏置電路來提供上述規定的偏壓，從而在適當的工作點來驅動HEMT。偏置電路自動尋求、確定同時滿足VD = 2V、ID = 8mA那樣的一 0. 4V左右的柵極電壓VG。以往提出有多種上述那樣的、自動控制並提供柵極電壓以同時決定所希望的漏極電壓和所希望的漏極電流的偏置電路。其中，作為基本的電路，有專利文獻I所公開的偏置電路。圖21是表示專利文獻I所公開的現有的HEMT偏置電路500的結構的電路圖。HEMT偏置電路500是源極端子接地的HEMT501用的偏置電路。如圖21所示，HEMT偏置電路500包括雙極型電晶體BIP501、發射極側電阻元件RE、集電極側電阻元件RC、電阻元件R501及電阻元件R502。雙極型電晶體BIP501的發射極端子與HEMT501的漏極端子相連接，並且，經由發射極側電阻元件RE與電源電壓VDD相連接。雙極型電晶體BIP501的集電極端子與HEMT501的柵極端子相連接，並且，經由集電極側電阻元件RC與負電源電壓VNEG相連接。雙極型電晶體BIP501的基極端子經由電阻元件R501與HEMT501的源極端子相連接，並且，經由電阻元件R502與電源電壓VDD相連接。在HEMT偏置電路500中，將HEMT501加入到負反饋環路中。由此，成為如下結構自動確定HEMT501的漏極電壓VD及漏極電流ID，以成為下述式(I)及式(2)所示的近似式。[數學式I]
上述各式中的各值如下。Vd :漏極電壓VD的電壓值Id :漏極電流ID的電流值Vb :基極電壓VB的電壓值Vbe :基極發射極間電壓VBE的電壓值VDD 電源電壓VDD的電壓值Re :發射極側電阻元件RE的電阻值R1 :電阻元件R501的電阻值R2 電阻元件R502的電阻值現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本公開專利公報「特開昭59 - 194522號公報(1984年11月5日公開)」

發明內容
發明所要解決的技術問題然而，現有的HEMT偏置電路500具有(I)溫度相關性、(2)電源電壓相關性、(3)來自電源電壓及負電源電壓的噪聲、(4)限定製造工藝這四個問題。在HEMT偏置電路500中，即使周圍溫度或電源電壓有變動，也需要維持所希望的漏極電壓及所希望的漏極電流。此外，需要使電源中疊加的噪聲不傳遞到HEMT501的漏極端子及柵極端子。(I)溫度相關性在圖21所示的HEMT偏置電路500中，具有如下結構利用雙極型電晶體BIP501的基極發射極間電壓VBE所產生的電位差，來確定HEMT501的漏極電壓VD及漏極電流ID。因此，存在漏極電壓VD及漏極電流ID隨周圍溫度而變化的問題。基極發射極間電壓VBE由下述式(3)及式(4)所示。[數學式2]
bmT 〔 f、Fje=^-f …式(3)
Is =h*T4^m…式(4)上述各式中的各值如下。Vbe :基極發射極間電壓VBE的電壓值k :波爾茲曼常數T :絕對溫度q:元電荷量Ic:集電極電流b:比例常數 m:常數Eg :娃的帶隙能量對於漏極電壓VD及漏極電流ID的溫度相關性，通過用溫度T分別對式(I)及式(2 )進行微分可得，如下述式(5 )及式(6 )所示。[數學式3]-(4 +靡式抑
BIT…式(6)
dTR1^T此處，例如，想設定成ID = 8mA,VD = 2V、VDD = 3. 3V。此時，若將圖21的HEMT偏置電路 500 的參數分別選擇為 R501 = IkQ ,R502 = I. 75k Q , RE = 50 Q，設 VBE = 0. 8V、Eg = I. 12eV、m = — 3/2，並對式(5)及式(6)進行計算，則得到下述式(7)及式(8)。[數學式4]fiy= -12%mVf.C …式(7)
PiT
iJL昆1= 25.6/jA疒C.式(8)
PfPSP，在100°C的溫度變化下，漏極電壓VD約降低0. IV，漏極電流ID約增加2mA。特別是，漏極電流ID的溫度相關性成為問題。若漏極電流ID隨著周圍溫度的上升而增加，則溫度會因HEMT501的發熱而進一步上升。然後，漏極電流ID隨之進一步增加。之後，產生熱的正反饋，直至穩定在散熱與發熱的熱平衡狀態。因此，產生必須將HEMT偏置電路500的周圍溫度保持得較低的制約條件。(2)電源電壓相關性LNA的輸出信號由HEMT501的漏極電壓VD及柵極電壓VG來確定。如上述式(I)及式(2)所示，由於圖21的HEMT偏置電路500中的漏極電壓VD成為電源電壓VDD的一次函數，從而可知，與電源電壓VDD的變動(相對於噪聲的變動)有較強的相關度。(3)來自電源電壓及負電源電壓的噪聲在電源電壓VDD、負電源電壓VNEG中含有噪聲的情況下，PSRR (Power SupplyRejection Ratio :電源抑制比)就很重要。PSRR是表示來自某一電源電壓(此處為電源電壓VDD及負電源電壓VNEG)的噪聲在關注的端子上衰減多少的指標。(3 - I)相對於電源電壓VDD的PSRR為了詳細了解漏極電壓VD及柵極電壓VG對電源電壓VDD的相關性，需要求解小信號等效電路。因而，利用圖22來表示圖21的HEMT偏置電路500中的相對於電源電壓VDD的PSRR。圖22是HEMT偏置電路500的相對於電源電壓VDD的小信號等效電路510。通過基爾霍夫電流定律，得到下述式(9)及式(10)。[數學式5]gm * (Fjd - Vb )+ ge * (FpFg * G卿+F0 * = 0 式⑶
評*(Fe-F0)+奪=0. 式(10)
liC上述各式中的各值如下。gm :雙極型電晶體BIP501的互導ge :雙極型電晶體BIP501的集電極發射極間電導Gm HEMT501 的互導gds HEMT501的漏源間電導VDD 電源電壓VDD的電壓值Vd :漏極電壓VD的電壓值Vg :柵極電壓VG的電壓值Vb :基極電壓VB的電壓值Re :發射極側電阻元件RE的電阻值Rc :集電極側電阻元件RC的電阻值然後，若對式(9)及式(10)的聯立一次方程式來解方程以求出漏極電壓VD及柵極電壓VG，將求解結果用電源電壓VDD進行微分，並採用分貝表示法，則如下述式(11)及式
(12)那樣，可知電源電壓VDD相對於漏極電壓VD及柵極電壓VG的PSRR。另外，在計算過程中，對足夠小的項進行近似處理，以將公式簡化。[數學式6]
/ S\PSRRp I *20*log —V …式(11)
+J2JPSRRv S 20 * Iogf—4^—f^1^]]…式(12)
Vo 動\RE*Gm U+iUJ通過式(11)及式(12 )可知，電源電壓VDD的噪聲幾乎無衰減地傳遞給漏極電壓VD及柵極電壓VG。接下來，確認在作為LNA來看的情況下該衰減量是否足夠。例如，實際上，想設計成 ID = 8mA、VD = 2V、VDD = 3. 3V。此時，在設定為 Gm = 50mS、R501 = IkQ , R502 =I. 75kQ、RE = 50 Q的情況下，漏極電壓VD及柵極電壓VG相對於電源電壓VDD的PSRR如下述式(13)及式(14)那樣。[數學式7]
權利要求
1.一種偏置電路，該偏置電路用於源極端子接地的放大用FET，其特徵在於， 包括雙電源型的差動放大器、第I電阻元件、第I基準電壓源及第2基準電壓源， 所述差動放大器的正輸入端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其負輸入端子與所述第2基準電壓源相連接，其輸出端子與所述放大用FET的柵極端子相連接， 所述第I電阻元件的一個端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其另一端子與所述第I基準電壓源相連接。
2.如權利要求I所述的偏置電路，其特徵在於， 所述放大用FET是HEMT。
3.一種偏置電路，該偏置電路用於源極端子接地的放大用FET，其特徵在於， 包括單電源型的差動放大器、第I基準電壓源、第2基準電壓源、第I電晶體、第I電阻元件、第2電阻元件及負電源電壓源， 所述第I電晶體具有第I導通端子、第2導通端子及控制端子， 所述差動放大器的第I輸入端子與所述第2基準電壓源相連接，其第2輸入端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其輸出端子與所述第I電晶體的控制端子相連接， 所述第I電晶體的第I導通端子與電源電壓相連接，其第2導通端子與所述放大用FET的柵極端子相連接， 所述第I電阻元件的一個端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其另一端子與所述第I基準電壓源相連接， 所述第2電阻元件的一個端子與所述放大用FET的柵極端子相連接，其另一端子與所述負電源電壓源相連接。
4.如權利要求3所述的偏置電路，其特徵在於， 所述放大用FET是HEMT。
5.如權利要求3所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體是P溝道型MOSFET， 所述第I電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述P溝道型MOSFET的源極端子、漏極端子及柵極端子， 所述差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子。
6.如權利要求3所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體是PNP型雙極型電晶體， 所述第I電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述PNP型雙極型電晶體的發射極端子、集電極端子及基極端子， 所述差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子。
7.如權利要求3所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體是N溝道型MOSFET， 所述第I電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述N溝道型MOSFET的漏極端子、源極端子及柵極端子， 所述差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子。
8.如權利要求3所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體是NPN型雙極型電晶體，所述第I電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述NPN型雙極型電晶體的集電極端子、發射極端子及基極端子， 所述差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子。
9.一種偏置電路，該偏置電路用於源極端子接地的放大用FET，其特徵在於， 包括單電源型的第I差動放大器、單電源型的第2差動放大器、第I電晶體、第2電晶體、第I電阻元件、第2電阻元件、第3電阻元件、第4電阻元件、第5電阻元件、基準電壓源及負電源電壓源， 所述第I電晶體具有第I導通端子、第2導通端子及控制端子， 所述第2電晶體具有第I導通端子、第2導通端子及控制端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子經由所述第5電阻元件與所述第2電晶體的第2導通端子相連接，其第2輸入端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其輸出端子與所述第I電晶體的控制端子相連接， 所述第2差動放大器的第I輸入端子經由所述第4電阻元件及所述第5電阻元件與所述第2電晶體的第2導通端子相連接，其第2輸入端子與所述基準電壓源相連接，其輸出端子與所述第2電晶體的控制端子相連接， 所述第I電晶體的第I導通端子與電源電壓相連接，其第2導通端子與所述放大用FET的柵極端子相連接， 所述第2電晶體的第I導通端子與電源電壓相連接，其第2導通端子依次經由所述第5電阻元件、所述第4電阻元件及所述第3電阻元件接地， 所述第I電阻元件的一個端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其另一端子與所述第2電晶體的第2導通端子相連接， 所述第2電阻元件的一個端子與所述放大用FET的柵極端子相連接，其另一端子與所述負電源電壓源相連接。
10.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述放大用FET是HEMT。
11.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體及所述第2電晶體是P溝道型MOSFET， 所述第I電晶體及所述第2電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述P溝道型MOSFET的源極端子、漏極端子及柵極端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子， 所述第2差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子。
12.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體及所述第2電晶體是PNP型雙極型電晶體， 所述第I電晶體及所述第2電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述PNP型雙極型電晶體的發射極端子、集電極端子及基極端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子，所述第2差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子。
13.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體及所述第2電晶體是N溝道型MOSFET， 所述第I電晶體及所述第2電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述N溝道型MOSFET的漏極端子、源極端子及柵極端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子， 所述第2差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子。
14.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體及所述第2電晶體是NPN型雙極型電晶體， 所述第I電晶體及所述第2電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是所述NPN型雙極型電晶體的集電極端子、發射極端子及基極端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子， 所述第2差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子。
15.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 使用恆流源來代替所述第3電阻元件。
16.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 去除所述第4電阻元件。
17.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 使用恆流源來代替所述第3電阻元件， 去除所述第4電阻元件。
18.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 還包括耐壓的保護元件， 所述保護元件插入到所述第I電晶體的第2導通端子與所述放大用FET的柵極端子之間。
19.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述基準電壓源由輸出帶隙電壓的帶隙基準電路構成。
20.如權利要求9所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I差動放大器、所述第2差動放大器、所述第I電晶體、所述第2電晶體、所述第I電阻元件、所述第2電阻元件、所述第3電阻元件、所述第4電阻元件及所述第5電阻元件由集成電路構成。
21.如權利要求20所述的偏置電路，其特徵在於， 所述基準電壓源、所述負電源電壓源或該兩者與所述集成電路一起進行集成化而構成。
22.—種LNA，其特徵在於，包括源極端子接地的放大用FET ;及 權利要求I至21中的任一項所述的偏置電路， 將所述放大用FET的柵極端子作為輸入端子，將所述放大用FET的漏極端子作為輸出端子。
23.—種LNB，該LNB將由天線接收到的信號進行放大和下變頻，並傳送到後級，其特徵在於， 至少包括一個放大所述信號的LNA， 所述LNA是權利要求22所述的LNA。
24.一種通信用接收機，其特徵在於，包括 接收來自通信線路的信號的接收器件；及 將從所述接收器件輸出的信號進行放大的LNA， 所述LNA是權利要求22所述的LNA。
25.—種通信用發送機，其特徵在於，包括 將要發送的信號進行放大的LNA ;及 將由所述LNA放大後的信號發送到通信線路的發送器件， 所述LNA是權利要求22所述的LNA。
26.—種傳感器系統,其特徵在於,包括 檢測對象物的變化、並生成與該檢測出的變化相對應的信號的傳感器件；及 將從所述傳感器件輸出的信號進行放大的LNA， 所述LNA是權利要求22所述的LNA。
27.一種偏置電路，該偏置電路向放大輸入信號的、源極端子接地的放大用FET提供偏壓，其特徵在於， 包括雙電源型的差動放大器、第I電阻元件、第I開關、第2開關、第I基準電壓源、第2基準電壓源及負電源電壓源， 所述差動放大器的正輸入端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其負輸入端子與所述第2基準電壓源相連接，其輸出端子與所述放大用FET的柵極端子相連接，其負電源端子通過所述第I開關的切換而能與所述負電源電壓源相連接或接地， 所述第I電阻元件具有第I端子及第2端子，該第I端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，該第2端子通過所述第2開關的切換而能與所述第I基準電壓源相連接或接地。
28.如權利要求27所述的偏置電路，其特徵在於， 在將提供的偏壓從關斷切換至接通時，通過切換所述第I開關來將所述差動放大器的負電源端子的連接對象從接地切換至所述負電源電壓源，之後，通過切換所述第2開關來將所述第I電阻元件的第2端子的連接對象從接地切換至所述第I基準電壓源， 在將提供的偏壓從接通切換至關斷時，通過切換所述第2開關來將所述第I電阻元件的第2端子的連接對象從所述第I基準電壓源切換至接地，之後，通過切換所述第I開關來將所述差動放大器的負電源端子的連接對象從所述負電源電壓源切換至接地。
29.如權利要求27所述的偏置電路，其特徵在於， 所述放大用FET是HEMT。
30.一種偏置電路，該偏置電路向放大輸入信號的、源極端子接地的放大用FET提供偏壓，其特徵在於， 包括單電源型的第I差動放大器、單電源型的第2差動放大器、第I電晶體、第2電晶體、第I電阻元件、第2電阻元件、第3電阻元件、第4電阻元件、第5電阻元件、第I開關、第2開關、基準電壓源及負電源電壓源， 所述第I電晶體具有第I導通端子、第2導通端子及控制端子， 所述第2電晶體具有第I導通端子、第2導通端子及控制端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子經由所述第5電阻元件與所述第2電晶體的第2導通端子相連接，其第2輸入端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，其輸出端子與所述第I電晶體的控制端子相連接， 所述第2差動放大器的第I輸入端子依次經由所述第4電阻元件及所述第5電阻元件與所述第2電晶體的第2導通端子相連接，其第2輸入端子與所述基準電壓源相連接，其輸出端子與所述第2電晶體的控制端子相連接， 所述第I電晶體的第I導通端子與電源電壓相連接，其第2導通端子與所述放大用FET的柵極端子相連接， 所述第2電晶體的第I導通端子與電源電壓相連接，其第2導通端子依次經由所述第5電阻元件、所述第4電阻元件及所述第3電阻元件接地， 所述第I電阻元件具有第I端子及第2端子，該第I端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，該第2端子與所述第2電晶體的第2導通端子相連接， 所述第2電阻元件具有第3端子及第4端子，該第3端子與所述放大用FET的柵極端子相連接，該第4端子與所述負電源電壓源相連接， 所述第I開關與所述放大用FET的柵極端子相連接，通過該第I開關的切換，能將所述放大用FET的柵極端子接地， 所述第2開關與所述第2電晶體的控制端子相連接，通過該第2開關的切換，能將所述第2電晶體的控制端子與該第2電晶體的第I導通端子進行連接。
31.如權利要求30所述的偏置電路，其特徵在於， 在將提供的偏壓從關斷切換至接通時，通過切換所述第I開關來切斷所述放大用FET的柵極端子與接地之間的連接，之後，通過切換所述第2開關來切斷所述第2電晶體的控制端子與所述第2電晶體的第I導通端子之間的連接， 在將提供的偏壓從接通切換至關斷時，通過切換所述第2開關來將所述第2電晶體的控制端子與所述第2電晶體的第I導通端子進行連接，之後，通過切換所述第I開關來將所述放大用FET的柵極端子接地。
32.如權利要求30所述的偏置電路，其特徵在於， 還包括第I電容器及第2電容器， 所述第I電容器具有第5端子及第6端子，該第5端子與所述放大用FET的漏極端子相連接，該第6端子接地， 所述第2電容器具有第7端子及第8端子，該第7端子與所述放大用FET的柵極端子相連接，該第8端子與所述放大用FET的源極端子相連接。
33.如權利要求32所述的偏置電路，其特徵在於， 在將提供的偏壓從關斷切換至接通時，通過切換所述第I開關來切斷所述放大用FET的柵極端子與接地之間的連接，之後，通過切換所述第2開關來切斷所述第2電晶體的控制端子與所述第2電晶體的第I導通端子之間的連接， 在將提供的偏壓從接通切換至關斷時，通過切換所述第2開關來將所述第2電晶體的控制端子與所述第2電晶體的第I導通端子進行連接，之後或同時，通過切換所述第I開關來將所述放大用FET的柵極端子接地。
34.如權利要求30所述的偏置電路，其特徵在於， 所述放大用FET是HEMT。
35.如權利要求30所述的偏置電路，其特徵在於， 所述第I電晶體是N溝道型MOSFET，所述第I電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是該N溝道型MOSFET的漏極端子、源極端子及柵極端子， 所述第2電晶體是P溝道型M0SFET，所述第2電晶體的第I導通端子、第2導通端子及控制端子分別是該P溝道型MOSFET的源極端子、漏極端子及柵極端子， 所述第I差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是負輸入端子及正輸入端子， 所述第2差動放大器的第I輸入端子及第2輸入端子分別是正輸入端子及負輸入端子。
36.如權利要求30所述的偏置電路，其特徵在於， 還包括第6電阻元件， 所述第6電阻元件設置在將所述第I電晶體的第2導通端子與所述放大用FET的柵極端子進行電連接的路徑上。
37.一種LNA，其特徵在於，包括 放大輸入信號的、源極端子接地的放大用FET ;及 權利要求27至36中的任一項所述的偏置電路， 對所述放大用FET的柵極端子設置輸入端子， 對所述放大用FET的漏極端子設置輸出端子。
38.一種LNB，該LNB將由天線接收到的信號進行放大和下變頻，並傳送到後級，其特徵在於，包括 接收第I極化波並將該第I極化波轉換成第I極化波信號的第I極化波天線； 接收第2極化波並將該第2極化波轉換成第2極化波信號的第2極化波天線； 放大所述第I極化波信號的第I極化波用放大器； 放大所述第2極化波信號的第2極化波用放大器 '及 對接收所述第I極化波和所述第2極化波中的哪一個進行選擇的極化波選擇器，所述第I極化波及所述第2極化波分別是水平極化波及垂直極化波、或左旋圓極化波及右旋圓極化波， 所述第I極化波用放大器及所述第2極化波用放大器是權利要求37所述的LNA，所述第I極化波用放大器及所述第2極化波用放大器根據從所述極化波選擇器輸出的、表示接收所述第I極化波和所述第2極化波中的哪一個的極化波選擇信號，分別切換所述第I開關及所述第2開關。
39.如權利要求38所述的LNB，其特徵在於，將該LNB部分地 進行集成化。
全文摘要
偏置電路(11)是用於源極端子(4)接地的HEMT(1)的HEMT偏置電路(11)，其包括雙電源型的運算放大器(AMP1)、電阻元件(RI)、第1基準電壓源(VX)及第2基準電壓源(VY)，運算放大器(AMP1)的正輸入端子與HEMT(1)的漏極端子(3)相連接，其負輸入端子與第2基準電壓源(VY)相連接，其輸出端子與HEMT(1)的柵極端子(2)相連接，電阻元件(RI)的一個端子與HEMT(1)的漏極端子(3)相連接，其另一端子與第1基準電壓源(VX)相連接。由此，實現了降低溫度相關性、降低電源電壓相關性、足夠衰減與電源電壓及負電壓相疊加的噪聲、和提高製造工藝的選擇自由度。
文檔編號H03F1/52GK102771047SQ201080064170
公開日2012年11月7日 申請日期2010年10月26日 優先權日2010年2月25日
發明者丸山正彥 申請人:夏普株式會社