InGaAs量子點太陽能電池及其製作方法
2023-08-02 13:26:01
InGaAs量子點太陽能電池及其製作方法
【專利摘要】一種InGaAs量子點太陽能電池及其製作方法，包括：利用外延生長方法在GaAs襯底上依次外延生長緩衝層、基極、InGaAs量子點超晶格結構、發射極、窗口層和接觸層後製作出InGaAs量子點太陽能電池外延片，InGaAs量子點超晶格結構包括至少一層InxGa1-xAs量子點層、以及設置在InxGa1-xAs量子點層之間的間隔層。本發明通過調節InGaAs量子點超晶格結構的結構、材料、材料組分以及其生長參數來來調節量子點結構的密度、尺寸和禁帶寬度，使得量子點結構中分立能級上的載流子具有較長壽命，能夠級聯式地吸收兩個或多個光子，製作出高效的InGaAs量子點太陽能電池。
【專利說明】InGaAs量子點太陽能電池及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池【技術領域】，具體地說，涉及一種InGaAs量子點太陽能電池及其製作方法。
【背景技術】
[0002]以煤、石油和天然氣為代表的傳統能源會產生嚴重的環境汙染，因此太陽能光伏產業為代表的可再生潔淨能源受到普遍重視並取得快速發展。目前在光伏市場佔據主導地位的單晶矽和多晶矽太陽能電池組件的轉換效率分別為18%和15%左右。由於矽材料和砷化鎵(GaAs)分別是間接帶隙和直接帶隙半導體材料，矽太陽能電池的理論光電轉換效率(23% )遠低於砷化鎵太陽能電池，其中單結的砷化鎵電池的理論效率為27%，多結的砷化鎵電池的理論效率高於50%。娃電池的最大優勢在於娃材料的價格低廉且製作工藝成熟，因此砷化鎵電池需要在保持高效率的優勢的同時，通過引入新型的器件結構和工藝，降低成本，贏得市場。
[0003]據理論預測，最優設計的中間帶太陽能電池的光電轉換效率在高倍聚光情況下分別可達 63 % (見 A.Luque and A.Marti, Phys.Rev.Lett.78, 5014 (1997))。中間帶(Intermediate-Band, IB)太陽能電池是利用能級處於η型和ρ型半導體禁帶寬度之間的半導體材料來吸收亞禁帶(Sub-Bandgap)能量的光子，實現光生電子從價帶(VB)到中間帶(即VB-1B)以及中間帶到導帶(CB)(即IB-CB)的躍遷。中間帶太陽能電池是通過接力式地吸收了兩個或者多個長波長光子，實現吸收低能量光子而產生高輸出電壓的高效光伏技術。例如，優化中間帶太陽能電池的能帶結構設計，可以分別吸收能量為0.70電子伏特(eV)和1.25eV的光子，激髮禁帶寬度為1.95eV的半導體材料的價帶電子實現VB-1B和IB-CB躍遷，使電池的開路電壓達到1.55伏(V)左右。
[0004]價帶電子從價帶躍遷到中間帶(VB-1B)之後要有足夠的時間吸收另一個光子實現從中間帶嚮導帶躍遷(IB-CB),這要求IB-CB躍遷必須發生在中間帶弛豫回價帶(IB-VB)之前，因此中間帶材料的能帶結構是決定太陽能電池光電轉換效率的關鍵因素。目前半導體量子點是最理想的中間帶材料，被廣泛應用於量子點太陽能電池的研究中。半導體量子點中載流子因受到三維量子限制效應而處於分立的量子能級上，聲子引起的能量弛豫過程被抑制，因此具有載流子壽命長、光增益高和溫度依賴度低等優點，適合作為半導體雷射器、發光二極體(LED)、紅外探測器和太陽能電池等光電子器件。
[0005]改變III族元素組分與生長溫度等參數可以調節以InGaAs/GaAs為代表的II1-V族半導體量子點的密度、尺寸和禁帶寬度。現有技術中存在的技術問題是如何優化量子點太陽能電池的製作方法以及如何選擇量子點太陽能電池的製作材料和組分來設計出吸收光譜與太陽能光譜匹配的半導體量子點活性層，從而製作出高效率量子點太陽能電池。
【發明內容】
[0006]為此，本發明所要解決的技術問題在於現有量子點太陽能電池因吸收光譜與太陽能光譜的匹配度不高而導致太陽能電池的效率不夠高，從而提出一種通過優化太陽能電池的各層結構尤其是InGaAs量子點超晶格的結構、材料及其組分、生長參數等獲得高密度、多疊層且少缺陷的InGaAs量子點太陽能電池外延片，從而製作出高效的InGaAs量子點太陽能電池。
[0007]為解決上述技術問題，本發明提供了如下技術方案:
[0008]一種InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，包括以下步驟:
[0009]步驟S1:利用外延生長方法在GaAs襯底上依次外延生長緩衝層、基極、InGaAs量子點超晶格結構、發射極、窗口層和接觸層後製作出InGaAs量子點太陽能電池外延片，InGaAs量子點超晶格結構包括至少一層InxGapxAs量子點層、以及設置在InxGahAs量子點層之間的間隔層，其中，InxGa1^xAs量子點層中In組分0.0彡x彡1.0 ;
[0010]步驟S2:在InGaAs量子點太陽能電池外延片的GaAs襯底背面沉積背電極後將其分割成電池單元，並在接觸層表面設置上電極，製作出InGaAs量子點太陽能電池。
[0011]作為優化，InxGa1^xAs量子點層的生長溫度為450_540°C、沉積速率為0.01-1.0單層每秒、厚度為1.8-10.0單層，InxGahAs中In組分為0.4 < x < 1.0。
[0012]作為優化，間隔層和InxGahAs量子點層分別設置1_100層。
[0013]作為優化，間隔層為GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAlInP材料或GaAlAsP材料。
[0014]作為優化，間隔層為GaAs材料，其厚度為10-100nm。
[0015]作為優化，間隔層和/或InxGahAs量子點層中摻雜有用來增強電池的電流密度的施主元素，摻雜的施主元素是娃元素，娃原子的摻雜濃度為1.0X 117-L OX 118Cm-3O
[0016]作為優化，發射極和基極採用禁帶寬度大於採用GaAs材料的間隔層禁帶寬度的半導體材料，包括GaInP材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAlInP材料和GaAlAsP材料。
[0017]作為優化，步驟SI中還包括:
[0018]優化基極和/或發射極半導體材料的晶格常數、禁帶寬度和/或厚度，減小甚至消除因晶格失配產生的缺陷所致的開路電壓下降，基極為N型GaInP基極，發射極為P型GaInP發射極，GaInP的晶格常數為0.56-0.57nm、禁帶寬度為1.8-1.92eV，N型GaInP基極的厚度為0.5-3.0 μ m，P型GaInP發射極的厚度為50_300nm ；
[0019]在N型GaInP基極中摻雜1.0X 117-L O X 118CnT3的施主原子，在P型GaInP發射極中摻雜1.0X 117-1.0X 119CnT3的受主原子。
[0020]作為優化，步驟S2中:
[0021]包括利用光刻與腐蝕法將沉積了背電極的InGaAs量子點太陽能電池外延片分割成電池單元，背電極厚度為20-200nm，採用金鍺鎳合金和金的複合材料；
[0022]包括利用光刻與物理氣相沉積法在電池單元的接觸層表面設置上電極，上電極為鈦金合金或金鋅合金；
[0023]包括利用光刻與物理氣相沉積方法在設置了上電極的電池單元表面沉積減反射膜，減反射膜為氟化鎂和硫化鋅的複合膜；
[0024]包括利用壓焊與封裝工藝將設置了上電極和減反射膜的電池單元製作成InGaAs量子點太陽能電池。
[0025]一種InGaAs量子點太陽能電池，包括多個串聯和/或並聯的電池單元，電池單元從下至上依次包括背電極、GaAs襯底、緩衝層、基極、InGaAs量子點超晶格結構、發射極、窗口層、接觸層和上電極，InGaAs星子點超晶格結構包括至少一層InxGahAs星子點層、以及設置在InxGapxAs量子點層之間的間隔層。
[0026]本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點:
[0027]1.本發明提供的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，通過調整電池單元的結構尤其是InGaAs量子點超晶格結構的結構、材料、材料組分以及其生長參數來來調節InGaAs量子點結構的密度、尺寸和禁帶寬度，使得量子點結構中分立能級上的載流子具有較長壽命，能夠級聯式地吸收兩個或多個光子，製作出高效的InGaAs量子點太陽能電池。
[0028]2.本發明提供的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，利用量子點結構在間隔層中形成的應力場，實現沿外延生長方向有序排列的量子點疊層結構，從而調節量子點的禁帶寬度和吸收光譜波長。該結構中的量子點之間通過耦合電場在其導帶或價帶中形成的中間帶結構，其中的載流子可以吸收900-1100nm紅外波段的太陽光，進一步提高了量子點太陽能電池的轉換效率。
[0029]3.本發明提供的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，利用禁帶寬度(Eg)較大(Eg = 1.9eV)的GaInP作為基極和發射極來約束InGaAs/GaAs量子點超晶格中的電子與空穴。該量子點超晶格中GaAs間隔層能夠吸收能量高於1.42eV的光子，InGaAs量子點能夠吸收能量高於1.0-1.3eV的光子,而且InGaAs/GaAs量子點的中間帶(微帶)中電子能夠吸收能量為0.6-0.9eV的光子躍遷到GaInP發射極和基極的導帶上，從而形成高效率的中間帶量子點太陽能電池。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030]圖1是本發明一個實施例的一種InGaAs量子點太陽能電池外延片的結構不意圖；
[0031]圖2是本發明一個實施例的一種設置了上電極和減反射膜的電池單元的結構示意圖；
[0032]圖3是本發明實施例中的InGaAs量子點超晶格結構的光致發光譜；
[0033]圖4是本發明實施例中的InGaAs量子點超晶格結構的光電轉化的工作原理示意圖。
[0034]圖中附圖標記表示為:1_接觸層，2-窗口層，3-發射極，4-1nGaAs量子點超晶格結構，5-基極，6-緩衝層，7-GaAs襯底，8-背電極，9-上電極，10-減反射膜。
【具體實施方式】
[0035]為了使本發明的內容更容易被清楚地理解，下面根據本發明的具體實施例並結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明。
[0036]實施例1
[0037]如圖1-2所示，本實施例提供了一種InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，包括以下步驟:
[0038]步驟S1:利用外延生長方法在GaAs襯底7上依次外延生長緩衝層6、基極5、InGaAs量子點超晶格結構4、發射極3、窗口層2和接觸層I後製作出InGaAs量子點太陽能電池外延片，InGaAs量子點超晶格結構4包括至少一層InxGai_xAS量子點層、以及設置在InxGa1^xAs量子點層之間的間隔層，其中，InxGai_xAS量子點層中In組分0.0彡x彡1.0。具體地，InxGa^As量子點層中，In組分為0.4彡x彡1.0，優選地，0.5彡x彡1.0 JnxGa1^xAs量子點層的沉積速率為0.01-1.0單層每秒，優選為0.05-0.5單層每秒，具體可為0.2單層每秒；InxGai_xAS量子點層的生長溫度為450-540°C，優選的為470-500°C JnxGa1^xAs量子點層的厚度為1.8-10.0單層，優選的為1.8-6.0單層。具體地，InxGa1^xAs量子點層可設置1-100層，相應地，間隔層需設置1-100層，優選地，InxGa1^xAs量子點層設置5_50層、間隔層設置5-50層。間隔層可為GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAlInP材料或GaAlAsP材料，優選為GaAs材料，其厚度為lO-lOOnm，優選為10_50nm。本實施例可採用的外延生長方法包括金屬有機物化學氣相沉積法、分子束外延法和液相外延法，優選使用金屬有機物化學氣相沉積法。具體地，GaAs襯底7為N+GaAs襯底，緩衝層6優選為N+GaAs緩衝層，窗口層2優選為P+型AlGaInP窗口層，接觸層I優選為P+型GaAs接觸層。
[0039]步驟S2:在InGaAs量子點太陽能電池外延片的GaAs襯底7背面沉積背電極8後將其分割成電池單元，並在接觸層I表面設置上電極9，製作出InGaAs量子點太陽能電池。
[0040]本實施例通過調整電池單元的結構尤其是InGaAs量子點超晶格結構部分的結構、材料、材料組分以及其生長參數來來調節InGaAs量子點結構的密度、尺寸和禁帶寬度，使得量子點結構中分立能級上的載流子具有較長壽命，能夠級聯式地吸收兩個或多個光子，製作出高效的InGaAs量子點太陽能電池。同時，本實施例利用量子點結構在間隔層中形成的應力場，實現沿外延生長方向有序排列的量子點疊層結構，從而調節量子點的禁帶寬度和吸收光譜波長。該結構中的量子點之間通過耦合電場在其導帶或價帶中形成的中間帶結構，其中的載流子可以吸收900-1100nm紅外波段的太陽光，如圖3所示，進一步提高了量子點太陽能電池的轉換效率，如圖4所示。
[0041]優選地，間隔層和/或InxGahAs量子點層中摻雜有用來增強電池的電流密度的施主元素。實驗表明，通過摻雜施主原子向半導體量子點中平均注入6個電子，可以使光生電流增加一倍，電池的光電轉換效率增加50%。本實施例中，間隔層和/或InxGa1^xAs量子點層優選摻雜矽原子，其摻雜濃度為1.0X 117-L OX 11W3,優選為1.0X 1017-5.0X 1017cm_3。摻雜濃度是每立方釐米中摻雜的活性矽原子數目。
[0042]優選地，步驟SI中還包括:優化基極5和/或發射極3的半導體材料的晶格常數、禁帶寬度和/或厚度，減小甚至消除因晶格失配產生的缺陷所致的開路電壓下降。發射極3和基極5可以選用GaInP、GaAlAs、GaP、GaAlInP和GaAlAsP等禁帶寬度大於間隔層禁帶寬度的半導體材料。基極5為N型GaInP基極、發射極3為P型GaInP發射極，GaInP的晶格常數為 0.56-0.57nm、禁帶寬度為 1.80-1.92eV。具體可為 Gaa48Ina52P 材料、Gaa49Ina51P 材料、Gaa50Ina50P 材料、Gaa51 Ina49P 材料或 Gaa52Ina48P 材料，N 型 GaInP 基極和 P 型 GaInP 發射極均優選Gaa51Ina49P材料，Gaa51Ina49P的晶格常數是0.565nm,禁帶寬度為1.90eV, N型GaInP基極的厚度為0.5-3.0ym,優選1.0-2.0 μ m，P型GaInP發射極的厚度為50_300nm，優選為 100-150nm。
[0043]優選地，步驟SI還包括:在N型GaInP基極中摻雜1.0 X 117-L O X 118CnT3的施主原子。在P型GaInP發射極中摻雜1.0 X 117-L O X 11W的受主原子。
[0044]本實施例還利用禁帶寬度(Eg)較大(Eg = 1.9eV)的GaInP作為基極和發射極來約束InGaAs/GaAs量子點超晶格中的電子與空穴。該量子點超晶格中GaAs間隔層能夠吸收能量高於1.42eV的光子，InGaAs量子點能夠吸收能量高於1.0-1.3eV的光子，而且InGaAs/GaAs量子點的中間帶(微帶)中電子能夠吸收能量為0.6-0.9eV的光子躍遷到GaInP發射極和基極的導帶上，從而形成高效率的中間帶量子點太陽能電池。
[0045]具體地，在步驟S2中包括:
[0046]首先，在InGaAs量子點太陽能電池外延片的GaAs襯底7背面沉積20_200nm金鍺鎳(AuGeNi)合金和金(Au)的複合金屬材料層作為背電極8，也可使用其它金屬材料製作背電極8 ;然後利用光刻與腐蝕方法將沉積了背電極8的InGaAs量子點太陽能電池外延片分解成電池單元，並利用光刻與物理氣相沉積(PVD)方法在電池單元的接觸層I表面沉積鈦金(TiAu)合金或金鋅(AuZn)合金的上電極9 ;之後，再利用光刻與物理氣相沉積(PVD)方法在沉積了上電極9的電池單元表面沉積10nm氟化鎂(MgF2)和50nm硫化鋅(ZnS)構成的複合膜作為減反射膜10 ;最後，利用壓焊與封裝工藝製作出量子點太陽能電池。
[0047]實施例2
[0048]如圖2所示，本實施例提供了一種InGaAs量子點太陽能電池，包括多個串聯和/或並聯的電池單元，電池單元從上至下依次包括背電極8、GaAs襯底7、緩衝層6、基極5、InGaAs量子點超晶格結構4、發射極3、窗口層2、接觸層I和上電極9，InGaAs量子點超晶格結構4包括至少一層InxGahAs量子點層、以及設置在InxGapxAs量子點層之間的間隔層。其中，InxGa^As量子點層的InxGa^xAs中In組分為0.4彡x彡1.0，優選0.5彡x彡1.0。InxGa1^As星子點層的厚度為1.8_10.0單層，優選的厚度為1.8_6.0單層。間隔層可為GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAl InP材料或GaAlAsP材料，優選為GaAs材料，其厚度為lO-lOOnm，優選為10_50nm。具體地，InxGai_xAs量子點層可設置1-100層，相應地，間隔層需設置1-100層，優選地，InxGa1^xAs量子點層設置5_50層，間隔層設置5-50層。具體地，GaAs襯底7為N+GaAs襯底，緩衝層6優選為N+GaAs緩衝層，窗口層2優選為P+型AlGaInP窗口層，接觸層I優選為P+型GaAs接觸層。
[0049]優化基極5的半導體材料的晶格常數、禁帶寬度和/或厚度，減小甚至消除因晶格失配產生的缺陷所致的開路電壓下降。基極5可以選用GaInP、GaAlAs、GaP、GaAlInP和GaAlAsP等禁帶寬度大於間隔層禁帶寬度的半導體材料。基極5為N型GaInP基極，GaInP的晶格常數為0.56-0.57nm、禁帶寬度為1.80-1.92eV。具體可為Gaa48Ina52P材料、Gaa49Ina51P材料、Gaa5tlIna50P材料、Gaa51 Ina49P材料或Gaa52Ina48P材料，N型GaInP基極的材料優選為Gaa51Ina49P, Gaa51Ina49P的晶格常數是0.565nm，禁帶寬度為1.90eV, N型GaInP基極的厚度為0.5-3.0 μ m，優選厚度為1.0-2.0 μ m。
[0050]優選地，間隔層和/或InxGahAs量子點層中摻雜有用來增強電池的電流密度的施主元素。實驗表明，通過摻雜施主原子向半導體量子點中平均注入6個電子，可以使光生電流增加一倍，電池的光電轉換效率增加50%。本實施例中，間隔層和/或InxGa1^xAs量子點層優選摻雜矽原子，其摻雜濃度為1.0X 117-L OX 11W3,優選為1.0X 1017-5.0X 1017cm_3。摻雜濃度是每立方釐米中摻雜的活性矽原子數目。
[0051]優化發射極3的半導體材料的晶格常數、禁帶寬度和/或厚度，減小甚至消除因晶格失配產生的缺陷所致的開路電壓下降，發射極3可以選用GaInP、GaAlAs、GaP、GaAlInP和GaAlAsP等禁帶寬度大於間隔層禁帶寬度的半導體材料。發射極3為P型GaInP發射極，具體可為 Ga0.48In0.52P 材料、Ga0.49In0.51P 材料、Ga0.50In0.50P 材料、Ga0.51In0.49P 材料或 Ga0.52Ina48P材料，P型GaInP發射極優選Gaa51Ina49P材料，P型GaInP發射極的厚度為50_300nm，優選厚度為 100-150nm。
[0052]優選地，N型GaInP基極中摻雜有1.0 X 117-L O X 118CnT3的施主原子。P型GaInP發射極中摻雜有1.0X 117-L OX 119CnT3的受主原子。
[0053]優化地，電池單元還包括設置在接觸層I上的減反射膜10，減反射膜10具體可為10nm氟化鎂(MgF2)和50nm硫化鋅(ZnS)構成的複合膜。
[0054]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明創造的保護範圍之中。
【權利要求】
1.一種InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於包括以下步驟: 步驟S1:利用外延生長方法在GaAs襯底上依次外延生長緩衝層、基極、InGaAs量子點超晶格結構、發射極、窗口層和接觸層後製作出InGaAs量子點太陽能電池外延片，所述InGaAs量子點超晶格結構包括至少一層InxGapxAs量子點層、以及設置在所述InxGahAs量子點層之間的間隔層，其中，所述InxGahAs量子點層中In組分0.0彡x彡1.0 ; 步驟S2:在所述InGaAs量子點太陽能電池外延片的所述GaAs襯底背面沉積背電極後將其分割成電池單元，並在所述接觸層表面設置上電極，製作出所述InGaAs量子點太陽能電池。
2.如權利要求1所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述InxGa1^xAs量子點層的生長溫度為450-540 °C、沉積速率為0.01-1.0單層每秒、厚度為1.8-10.0 單層，InxGa1^As 中 In 組分為 0.4 彡 x 彡 1.0。
3.如權利要求1或2所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述間隔層和所述InxGahAs量子點層分別設置1_100層。
4.如權利要求1或3所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述間隔層為GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAlInP材料或GaAlAsP 材料。
5.如權利要求4所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述間隔層為GaAs材料，其厚度為10-100nm。
6.如權利要求1-5中任一項所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述間隔層和/或所述InxGahAs量子點層中摻雜有用來增強電池的電流密度的施主元素，摻雜的所述施主元素是娃元素，娃原子的摻雜濃度為1.0X 117-L OX 118Cm-3O
7.如權利要求5所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述發射極和基極採用禁帶寬度大於採用GaAs材料的所述間隔層禁帶寬度的半導體材料，包括GaInP材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAlInP材料和GaAlAsP材料。
8.如權利要求1或7所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，步驟SI中還包括: 優化所述基極和/或發射極半導體材料的晶格常數、禁帶寬度和/或厚度，減小甚至消除因晶格失配產生的缺陷所致的開路電壓下降，所述基極為N型GaInP基極，所述發射極為P型GaInP發射極，GaInP的晶格常數為0.56-0.57nm、禁帶寬度為1.8-1.92eV，N型GaInP基極的厚度為0.5-3.0 μ m，P型GaInP發射極的厚度為50_300nm ； 在所述N型GaInP基極中摻雜1.0X 117-L O X 1018cm_3的施主原子，在所述P型GaInP發射極中摻雜1.0X 117-L OX 119CnT3的受主原子。
9.如權利要求1所述的InGaAs量子點太陽能電池的製作方法，其特徵在於，步驟S2中: 包括利用光刻與腐蝕法將沉積了所述背電極的InGaAs量子點太陽能電池外延片分割成電池單元，所述背電極厚度為20-200nm，採用金鍺鎳合金和金的複合材料； 包括利用光刻與物理氣相沉積法在所述電池單元的所述接觸層表面設置上電極，所述上電極為鈦金合金或金鋅合金； 包括利用光刻與物理氣相沉積方法在設置了所述上電極的電池單元表面沉積減反射膜，所述減反射膜為氟化鎂和硫化鋅的複合膜； 包括利用壓焊與封裝工藝將設置了上電極和減反射膜的所述電池單元製作成所述InGaAs量子點太陽能電池。
10.一種InGaAs量子點太陽能電池，包括多個串聯和/或並聯的電池單元，其特徵在於，所述電池單元從下至上依次包括背電極、GaAs襯底、緩衝層、基極、InGaAs量子點超晶格結構、發射極、窗口層、接觸層和上電極，所述InGaAs量子點超晶格結構包括至少一層InxGa1^As量子點層、以及設置在所述InxGapxAs量子點層之間的間隔層。
【文檔編號】H01L31/0304GK104332511SQ201410636471
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月12日 優先權日:2014年11月12日
【發明者】楊曉傑 申請人:蘇州強明光電有限公司