樣本檢查裝置製造方法

2023-08-03 08:32:36 1

樣本檢查裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及樣本檢查裝置，能夠抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度的降低。本發明的樣本檢查裝置（100）具有產生太赫茲波的太赫茲波產生部（30）、和載置作為被檢查物的樣本（2）的輸送面（12），且具備構成為能夠沿輸送面（12）的面內方向輸送樣本（2）的輸送部（10）、變更從太赫茲波產生部（30）射出並對被載置於輸送面（12）的樣本（2）照射的太赫茲波的照射方向的照射方向變更部（50）、以及檢測照射至被載置於輸送面（12）的樣本（2）並透過或者反射的太赫茲波的太赫茲波檢測部（40），照射方向變更部（50）通過變更太赫茲波產生部（30）的位置來變更照射方向。
【專利說明】樣本檢查裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及樣本檢查裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，作為具有10GHz以上30THz以下的頻率的電磁波的太赫茲波引人注目。太赫茲波能夠用於成像、光譜測量等各種測量、非破壞檢查等。
[0003]例如專利文獻I中記載了一種對藥劑(樣本)照射太赫茲波，並基於透過藥劑或者被藥劑反射後的太赫茲波，來檢查藥劑是否含有異物的樣本檢查裝置。
[0004]專利文獻1:國際公開第2008 / 1785號
[0005]然而，專利文獻I的樣本檢查裝置僅使太赫茲波從一個方向照射藥劑。因此，在專利文獻I的樣本檢查裝置中，存在太赫茲波的散射因藥劑的形狀、配置狀態而增強，導致檢測精度降低的情況。具體而言，在藥劑印有字的情況下，太赫茲波的散射增強，存在檢測精度降低的情況。

【發明內容】

[0006]本發明的幾個方式所涉及的目的之一在於，提供一種能夠抑制因太赫茲波的散射而引起的檢測精度降低的樣本檢查裝置。
[0007]本發明所涉及的樣本檢查裝置具備:
[0008]太赫茲波產生部，其產生太赫茲波；
[0009]輸送部，其構成為具有載置作為被檢查物的樣本的輸送面，能夠沿上述輸送面的面內方向輸送上述樣本；
[0010]照射方向變更部，其變更從上述太赫茲波產生部射出並對被載置於上述輸送面的上述樣本照射的太赫茲波的照射方向；以及
[0011]太赫茲波檢測部，其檢測照射至被載置於上述輸送面的上述樣本並透過或者反射的太赫茲波，
[0012]上述照射方向變更部通過變更上述太赫茲波產生部的位置，來變更上述照射方向。
[0013]根據這樣的樣本檢查裝置，能夠避開太赫茲波的散射變大的照射方向來對樣本照射太赫茲波。因此，這樣的樣本檢查裝置能夠抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度的降低。
[0014]在本發明所涉及的樣本檢查裝置中，
[0015]可以具備檢測位置控制部，該檢測位置控制部控制上述太赫茲波檢測部的位置，以便能夠根據上述照射方向來檢測太赫茲波。
[0016]根據這樣的樣本檢查裝置，能夠具有較高的檢測精度。
[0017]本發明所涉及的樣本檢查裝置具備:
[0018]太赫茲波產生部，其產生太赫茲波；[0019]輸送部，其構成為具有載置作為被檢查物的樣本的輸送面，能夠沿上述輸送面的面內方向輸送上述樣本；
[0020]照射方向變更部，其變更從上述太赫茲波產生部射出並對被載置於上述輸送面的上述樣本照射的太赫茲波的照射方向；以及
[0021]太赫茲波檢測部，其檢測照射至被載置於上述輸送部的上述樣本並透過或者反射的太赫茲波，
[0022]上述照射方向變更部包括能夠使從上述太赫茲波產生部射出的太赫茲波反射的反射部，通過變更上述反射部的位置來變更上述照射方向。
[0023]根據這樣的樣本檢查裝置，通過使反射部移動，能夠容易地抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度的降低。
[0024]在本發明所涉及的樣本檢查裝置中，
[0025]上述輸送部構成為能夠將上述樣本排列成從上述照射方向觀察時上述樣本不重疊。
[0026]根據這樣的樣本檢查裝置，能夠對多個樣本的各個照射具有同等強度的太赫茲波。
[0027]在本發明所涉及的樣本檢查裝置中，
[0028]上述太赫茲波產生部包括:
[0029]光脈衝產生部，其產生光脈衝；以及
[0030]光電導天線，其照射由上述光脈衝產生部產生的光脈衝。
[0031]根據這樣的樣本檢查裝置，能夠抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度的降低。
[0032]在本發明所涉及的樣本檢查裝置中，也可以具備:
[0033]照射方向決定部，其基於在上述太赫茲波檢測部中檢測出的太赫茲波來決定上述照射方向；以及
[0034]照射方向控制部，其基於上述照射方向決定部的決定來控制上述照射方向變更部。
[0035]根據這樣的樣本檢查裝置，能夠抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度的降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的圖。
[0037]圖2是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的一部分的圖。
[0038]圖3是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的輸送部的圖。
[0039]圖4是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的輸送部的圖。
[0040]圖5是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的太赫茲波產生部的光源的圖。
[0041]圖6是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的太赫茲波檢測部的圖。
[0042]圖7是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的一部分的圖。
[0043]圖8是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的照射方向變更部的可動部的圖。
[0044]圖9是用於說明第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的動作的流程圖。[0045]圖10是用於說明第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的動作的圖。
[0046]圖11是用於說明第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的動作的圖。
[0047]圖12是用於說明第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的動作的圖。
[0048]圖13是用於說明第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置的動作的圖。
[0049]圖14是表示作為被檢查物的樣本以及標準樣品在太赫茲帶下的光譜的圖。
[0050]圖15是表示作為被檢查物的樣本在太赫茲帶下的光譜的圖。
[0051]圖16是表示作為被檢查物的樣本的物質A、B、C的分布的圖像的圖。
[0052]圖17是示意地表示第2實施方式所涉及的樣本檢查裝置的一部分的圖。
[0053]圖18是示意地表示第2實施方式所涉及的樣本檢查裝置的一部分的圖。
【具體實施方式】
[0054]以下，使用附圖對本發明的優選實施方式進行詳細的說明。其中，以下所說明的實施方式並不對權利要求書所記載的本發明的內容進行不當限定。另外，以下所說明的構成的全部並非均為本發明的構成要件。
[0055]1.第I實施方式
[0056]1.1.構成
[0057]首先，參照附圖對第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置進行說明。圖1是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置100的圖。圖2是示意地表示第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置100的一部分的圖。其中，為了方便，在圖1中透視圖示了照射方向變更部50。另外，在圖2以及後述的圖3、4、7、8中，作為相互正交的三個軸，圖示了 X軸、Y軸、以及Z軸。
[0058]以下，對用於檢查藥劑2來作為被檢查物的樣本的樣本檢查裝置100進行說明。藥劑2例如形成有用於表示藥劑的名稱的印字。
[0059]如圖1以及圖2所示，樣本檢查裝置100具備輸送部10、太赫茲波產生部30、太赫茲波檢測部40、以及照射方向變更部50。並且，樣本檢查裝置100可具備供給部20、操作部110、處理部120、顯示部130、以及存儲部140。
[0060]輸送部10構成為能夠輸送藥劑2。輸送部10的形態只要能夠輸送藥劑2即可，沒有特別限定，可以是傳送帶。輸送部10具有載置藥劑2的輸送面12。在圖示的例子中，輸送面12是平坦的面，具有沿Z軸的垂線(未圖示)。輸送部10沿輸送面12的面內方向輸送藥劑2。在圖示的例子中，輸送部10向Y軸方向輸送藥劑2。
[0061]此外，雖然未圖示，但在輸送面12也可以形成有凹部，可以在該凹部配置藥劑2。由此，例如在輸送藥劑2的過程中輸送部10受到了衝擊的情況下，能夠抑制藥劑2偏離規定的位置。
[0062]在輸送部10的輸送面12載置有多個藥劑2。這裡，圖3是不意地表不輸送部10的圖，是從Z軸方向觀察的圖。在圖3所示的例子中，多個藥劑2在X軸方向以及Y軸方向被配置為矩陣狀。例如，通過將多個藥劑2供給至形成有凹部的輸送面12，並使輸送部10振動而使藥劑2配置到凹部內，能夠將藥劑2配置到輸送面12上的規定的位置。
[0063]此外，也可以如圖4所示，多個藥劑2被配置成在X軸方向不重疊。由此，在從太赫茲波產生部30向X軸方向照射了太赫茲波的情況下，能夠對多個藥劑2的各個照射具有相同強度的太赫茲波。這樣，優選輸送部10構成為能夠將藥劑2排列成從太赫茲波的照射方向觀察時藥劑2不重疊。
[0064]輸送部10能夠透過太赫茲波。輸送部10的材質例如是聚乙烯、聚苯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺等熱塑性樹脂、聚氨基甲酸乙酯等熱固性樹脂。此外，輸送部10可也以由紙或布構成。
[0065]若將構成輸送部10的材料的折射率設為η,將入射到輸送部10的(從太赫茲波產生部30射出的)太赫茲波的波長設為λ，則優選輸送部10的厚度(在圖示的例子中為Z軸方向的大小)t滿足t < ( λ / η)的關係。具體而言，優選在入射到輸送部10的太赫茲波的頻率為300GHz以上3THz以下的情況下，滿足t <( 100 / η)μπι的關係。若不滿足上述的關係，則存在入射到輸送部10的太赫茲波在輸送部10的上表面(輸送面12)與下表面之間發生幹涉，樣本檢查裝置100的檢測精度降低的情況。
[0066]其中，「幹涉」是指被輸送部的下表面反射的太赫茲波、與被輸送部的上表面反射的太赫茲波彼此發生幹涉，若太赫茲波的相位一致則強度增強，若太赫茲波的相位不一致則強度減弱的現象。
[0067]如圖1所示，供給部20向輸送部10的輸送面12供給藥劑2。供給部20的形態只要能夠向輸送面12供給藥劑2即可，沒有不特別限定，在圖示的例子中為漏鬥。供給部20的材質例如是玻璃、陶器、樹脂。
[0068]太赫茲波產生部30產生太赫茲波。「太赫茲波」是指頻率為10GHz以上30ΤΗζ以下的電磁波，特別是指300GHz以上3THz以下的電磁波。如圖2所示，太赫茲波產生部30包括光源31、半透半反鏡37、以及第I透鏡38。
[0069]如圖2所示，光源31可以設置多個。這裡，圖5是示意地表示太赫茲波產生部30的光源31的圖。如圖5所示，光源31具有光脈衝產生部32、和光電導天線33。
[0070]光脈衝產生部32產生作為激發光的光脈衝。「光脈衝」是指在短時間內強度急劇變化的光。光脈衝的脈衝寬度(半峰全寬FWHM)例如為Ifs (飛秒)以上800fs以下。
[0071]作為光脈衝產生部32，例如使用具備由半導體材料構成的脈衝壓縮部的半導體雷射器、飛秒光纖雷射器、鈦藍寶石雷射器。特別是半導體雷射器由於能夠實現小型化，所以適合作為光脈衝產生部32而使用。
[0072]光電導天線33通過被照射由光脈衝產生部32產生的光脈衝而產生太赫茲波。在圖示的例子中，光電導天線33是偶極子形狀的光電導天線(Photo Conductive Antenna:PCA)。光電導天線33具有作為半導體基板的基板34、和設在基板34上並隔著間隙35對置配置的一對電極36。若對該電極36之間照射光脈衝,則光電導天線33產生太赫茲波。
[0073]基板34例如具有半絕緣性GaAs (SI 一 GaAs)基板、和設在SI — GaAs基板上的低溫生長GaAs (LT - GaAs)層。電極36的材質例如為金。一對電極36間的距離並不特別限定，可根據條件適當設定，例如為Iym以上10 μ m以下。
[0074]在光源31中，首先光脈衝產生部32產生光脈衝，朝向光電導天線33的間隙35射出光脈衝。在光電導天線33中，通過對間隙35照射光脈衝，來激發自由電子。而且，通過對電極36間施加電壓來使該自由電子加速。由此，產生太赫茲波。
[0075]此外，光源31並不限定於具有光脈衝產生部32以及光電導天線33的方式，例如，作為光源31，也可以採用量子級聯雷射器、使用了非線性光學晶體的差頻產生方式。[0076]如圖2所示，向半透半反鏡37的第I面37a射入從光源31射出的太赫茲波。半透半反鏡37能夠使從光源31射出的太赫茲波透過。並且，向半透半反鏡37的第2面37b射入被藥劑2反射的太赫茲波。半透半反鏡37能夠使被藥劑2反射的太赫茲波朝向太赫茲波檢測部40的反射鏡48反射。這樣，半透半反鏡37是使從第I面37a射入的太赫茲波透過，並使從第2面37b射入的太赫茲波反射的半透半反鏡。在圖示的例子中，第I面37a以及第2面37b彼此朝向相反方向。半透半反鏡37例如由玻璃板與金屬膜的層疊體構成。
[0077]向第I透鏡38射入透過了半透半反鏡37的太赫茲波。第I透鏡38能夠將透過了半透半反鏡37的太赫茲波聚光並向輸送部10側射出。並且，向第I透鏡38射入被藥劑2反射的太赫茲波。第I透鏡38能夠將被藥劑2反射的太赫茲波聚光並向半透半反鏡37側射出。第I透鏡38的材質例如為玻璃。通過第I透鏡38，能夠高效地將太赫茲波導向藥劑2或者半透半反鏡37。
[0078]如圖2所示，太赫茲波檢測部40對照射到被載置於輸送面12的藥劑2並透過或者反射的太赫茲波進行檢測。太赫茲波檢測部40包括濾波器42、檢測部44、第2透鏡46、以及反射鏡48。
[0079]濾波器42使目的波長的太赫茲波透過。濾波器42的材質例如為金屬。這裡，圖6是示意地表示太赫茲波檢測部40的濾波器42以及檢測部44的圖。
[0080]如圖6所示，濾波器42具有二維配置的多個像素(單位濾波部)43。多個像素43被配置為矩陣狀。像素43具有使彼此不同的波長的太赫茲波通過的多個區域、即通過的太赫茲波的波長(以下也稱為「通過波長」)彼此不同的多個區域。在圖示的例子中，像素43具有第I區域431、第2區域432、第3區域433、以及第4區域434。
[0081]作為檢測部44，例如使用將太赫茲波轉換為熱量並進行檢測的裝置、即能夠將太赫茲波轉換為熱量來檢測該太赫茲波的能量(強度)的裝置。具體而言，檢測部44為熱電傳感器、測福射熱計。
[0082]檢測部44對透過了濾波器42的目的波長的太赫茲波進行檢測。檢測部44具有與像素43的第I區域431、第2區域432、第3區域433、以及第4區域434分別對應設置的第I單位檢測部441、第2單位檢測部442、第3單位檢測部443、以及第4單位檢測部444。第I單位檢測部441、第2單位檢測部442、第3單位檢測部443、以及第4單位檢測部444分別將通過了像素43的第I區域431、第2區域432、第3區域433、以及第4區域434的太赫茲波轉換為熱量並進行檢測。由此，在各像素43中，能夠可靠地檢測出四個目的波長的太赫茲波。
[0083]如圖2所示，太赫茲波檢測部40也可以設置多個。在圖示的例子中，樣本檢查裝置100具有第I太赫茲波檢測部40a以及第2太赫茲波檢測部40b作為太赫茲波檢測部40。
[0084]第I太赫茲波檢測部40a對照射到藥劑2並透過的太赫茲波進行檢測。在圖示的例子中，第I太赫茲波檢測部40a位於太赫茲波產生部30的Z軸方向，輸送部10位於第I太赫茲波檢測部40a與太赫茲波產生部30之間。
[0085]第I太赫茲波檢測部40a包括第2透鏡46。向第2透鏡46射入透過了藥劑2的太赫茲波。第2透鏡46能夠將透過了藥劑2的太赫茲波聚光並向濾波器42側射出。第2透鏡46的材質例如為玻璃。通過第2透鏡46，能夠高效地將太赫茲波導向濾波器42。
[0086]第2太赫茲波檢測部40b對照射到藥劑2並反射的太赫茲波進行檢測。在圖示的例子中，第2太赫茲波檢測部40b位於太赫茲波產生部30的Y軸方向，相對於輸送部10與太赫茲波產生部30位於相同一側。具體而言，第2太赫茲波檢測部40b以及太赫茲波產生部30均位於輸送部10的+ Z軸方向。
[0087]第2太赫茲波檢測部40b包括反射鏡48。向反射鏡48射入被半透半反鏡37反射的太赫茲波。反射鏡48使被半透半反鏡37反射的太赫茲波朝向濾波器42反射。即，通過半透半反鏡37以及反射鏡48，能夠將被藥劑2反射的太赫茲波導向第2太赫茲波檢測部40b的濾波器42。反射鏡48的材質例如為玻璃、金屬。
[0088]在樣本檢查裝置100中，能夠根據藥劑2的形狀、材質，來選擇是使用第I太赫茲波檢測部40a進行檢查，還是使用第2太赫茲波檢測部40b進行檢查。即，能夠在照射到藥劑2並透過的太赫茲波的強度較強的情況下，使用第I太赫茲波檢測部40a進行檢查，在照射到藥劑2並反射的太赫茲波的強度較強的情況下，使用第2太赫茲波檢測部40b進行檢查。此外，也可以通過使用太赫茲波檢測部40a、40b雙方，同時檢測透過了藥劑2的太赫茲波、和被藥劑2反射的太赫茲波雙方。
[0089]如圖1所示，照射方向變更部50支承太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40。這裡，圖7是示意地表示樣本檢查裝置100的一部分的圖，是從輸送部10的輸送方向(Y軸方向)觀察的圖。圖8是示意地表示照射方向變更部50的可動部54的圖，是從Y軸方向(與圖7相反側的方向)觀察的圖。其中，為了方便，在圖7中簡化圖示太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40。另外，在圖8中簡化圖示太赫茲波產生部30。
[0090]照射方向變更部50變更太赫茲波產生部30的位置。由此，能夠變更從太赫茲波產生部30射出並照射到被載置於輸送面12的藥劑2的太赫茲波的照射方向。並且，照射方向變更部50能夠變更太赫茲波檢測部40的位置。如圖7以及圖8所示，照射方向變更部50具有導軌52、和可動部54。
[0091]導軌52被設在輸送部10的周圍。如圖7所示，導軌52可以是在XZ平面具有環狀的形狀的部件，輸送部10可以通過導軌52的內側向Y軸方向延伸。在圖示的例子中，導軌52的形狀是以與輸送面12重疊的點為中心O的圓。導軌52的形狀並不限定於圖示的例子，也可以是三角形或四邊形。另外，導軌52的形狀也可以是以藥劑2的重心為中心O的圓。導軌52可以如圖7所示連續地設置在輸送部10的周圍，也可以設置成一部分斷開。導軌52的材質例如為金屬、樹脂。
[0092]可動部54位於導軌52上，支承太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40。可動部54能夠沿導軌52移動。太赫茲波產生部30以及第I太赫茲波檢測部40a能夠隨著可動部54的移動而移動。
[0093]可動部54設有多個。在圖示的例子中，與太赫茲波產生部30和第I太赫茲波檢測部40a對應，設有兩個可動部54。太赫茲波產生部30與第2太赫茲波檢測部40b例如經由連接部件(未圖示)連接。因此，第2太赫茲波檢測部40b能夠隨著太赫茲波產生部30的移動而移動。
[0094]此外，雖然未圖示，但太赫茲波產生部30與第2太赫茲波檢測部40b也可以不連接，而以與太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40a、40b的各個對應的方式設置可動部54。該情況下，設有三個可動部54。
[0095]支承太赫茲波產生部30的可動部54、和支承第I太赫茲波檢測部40a的可動部54也可以以關於中心O對稱的方式移動。由此，能夠將透過了藥劑2的太赫茲波高效地導向第I太赫茲波檢測部40a。
[0096]如圖8所示，可動部54具有支承臺56、和車輪58。支承臺56支承太赫茲波產生部30或者第I太赫茲波檢測部40a。車輪58支撐支承臺56，並與導軌52接觸。車輪58能夠在導軌52上順利地旋轉。支承臺56以及車輪58的材質例如為金屬、樹脂。
[0097]此外，可動部54隻要能夠支承太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40，並且能夠沿導軌52移動即可，其形狀並不限定於圖示的例子。
[0098]如圖1所示，操作部110進行獲取與用戶的操作對應的操作信號，並送至處理部120的處理。操作部110例如為觸摸面板型顯示器、按鈕、鍵盤、話筒等。
[0099]處理部(CPU) 120按照存儲部140中存儲的程序，進行基於從太赫茲波檢測部40獲取的數據的各種計算處理、各種控制處理(太赫茲波產生部30以及照射方向變更部50的控制、針對顯示部130的顯示控制等)。具體而言，處理部120通過執行存儲於存儲部140的程序，作為太赫茲波控制部122、照射方向決定部124、照射方向控制部126、以及圖像形成部128發揮作用。
[0100]太赫茲波控制部122進行太赫茲波產生部30的控制。具體而言，太赫茲波控制部122基於從操作部110輸入的信號SI，向太赫茲波產生部30發送驅動信號S2。
[0101]照射方向決定部124決定太赫茲波的照射方向。具體而言，照射方向決定部124基於因在太赫茲波檢測部40檢測出的太赫茲波引起的檢測信號S3，來決定從太赫茲波產生部30射出的太赫茲波的照射方向。
[0102]照射方向控制部126控制照射方向變更部50。具體而言，照射方向控制部126基於從操作部110輸入的信號S1、從照射方向決定部124輸入的信號S4,向照射方向變更部50的可動部54發送驅動信號S5。照射方向控制部126通過控制照射方向變更部50，來控制太赫茲波產生部30的位置，並且，控制太赫茲波檢測部40的位置。即，照射方向控制部126也是控制太赫茲波檢測部40的位置的檢測位置控制部。
[0103]圖像形成部128基於來自太赫茲波檢測部40的檢測信號S3，生成對藥劑2所含有的物質的分布進行表示的圖像的圖像數據。
[0104]顯示部130基於從處理部120輸入的顯示信號S6，將處理部120的處理結果等顯示為文字、圖表等信息。具體而言，顯示部130顯示由圖像形成部128生成的圖像數據。顯不部 130 例如是 CRT (Cathode Ray Tube:陰極射線管)、LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯示器)、觸摸面板型顯示器等。此外，也可以利用一個觸摸面板型顯示器來實現操作部110和顯示部130的功能。
[0105]存儲部140存儲有處理部120用於進行各種計算處理、控制處理的程序、數據等。另外，存儲部140被用為處理部120的工作區域，還被用於暫時存儲從操作部110輸入的操作信號、從太赫茲波檢測部40獲取的數據、以及處理部120按照各種程序執行的運算結果
坐寸ο
[0106]1.2.動作
[0107]接下來，參照附圖對樣本檢查裝置100的動作進行說明。圖9是用於說明樣本檢查裝置100的動作的流程圖。圖10?圖13是用於說明樣本檢查裝置100的動作的圖。其中，為了方便，在圖10?圖13中簡化圖示太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40。另夕卜，在圖10?圖13中，作為彼此正交的三個軸，圖示了 X軸、Y軸、以及Z軸。以下，作為樣本檢查裝置100，對不具備第2太赫茲波檢測部40b的方式、即對檢測透過了藥劑2的太赫茲波的方式進行說明。
[0108]首先，如圖10所示，樣本檢查裝置100對被載置於輸送面12的標準樣品4進行測定(標準樣品測定處理)。這裡，「標準樣品」是指能夠不依賴於樣品的形狀(至少與藥劑2相比不依賴於形狀)地檢測太赫茲波的樣品。即，透過了標準樣品4並在赫茲波檢測部40中檢測出的太赫茲波具有不依賴於形狀(至少與藥劑2相比不依賴於形狀)的光譜。具體而言，標準樣品4是未形成印字的藥劑。
[0109]具體如圖1所示，若被從操作部110輸入信號SI，則太赫茲波控制部122向太赫茲波產生部30發送驅動信號S2。太赫茲波產生部30基於驅動信號S2,朝向標準樣品4照射太赫茲波。然後，太赫茲波檢測部40檢測透過了標準樣品4的太赫茲波，並將基於該太赫茲波的檢測信號S3發送給處理部120。更具體而言，檢測信號S3是基於透過了太赫茲波檢測部40的濾波器42的太赫茲波的強度的信號。
[0110]其中，檢查標準樣品4時的太赫茲波的照射方向並不特別限定，在圖10所示的例子中，太赫茲波的照射方向為Z軸方向。如圖1所示，若被從操作部110輸入信號SI，則照射方向控制部126向照射方向變更部50發送驅動信號S5。照射方向變更部50的可動部54基於驅動信號S5移動,確定太赫茲波的照射方向。例如,也可以對太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40安裝陀螺儀傳感器(角度傳感器)，照射方向控制部126根據來自陀螺儀傳感器的信號，來識別可動部54的位置(即，太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40)。
[0111]接下來，如圖11所示，樣本檢查裝置100對輸送面12所載置的藥劑2 (形成有印字的藥劑2)進行測定(第I藥劑測定處理)。在本處理中，太赫茲波的照射方向沒有特別限定，但在圖11所示的例子中，是與標準樣品測定處理相同的Z軸方向(第I方向)。太赫茲波檢測部40向處理部120發送基於透過了藥劑2的太赫茲波的檢測信號S3。
[0112]接下來，如圖12所示，樣本檢查裝置100針對通過第I藥劑測定處理進行了測定的藥劑2變更太赫茲波的照射方向並進行測定(第2藥劑測定處理)。具體而言，如圖1所示，照射方向變更部50的可動部54基於從照射方向控制部126輸入的驅動信號S5，移動至規定的位置。然後，太赫茲波產生部30基於從太赫茲波控制部122輸入的驅動信號S2，朝向藥劑2照射太赫茲波。太赫茲波檢測部40向處理部120發送基於透過了藥劑2的太赫茲波的檢測信號S3。在圖12所示的例子中，太赫茲波的照射方向是相對於Z軸傾斜了45°的方向(第2方向)。
[0113]接下來，如圖13所示，樣本檢查裝置100針對通過第2藥劑測定處理進行了測定的藥劑2變更太赫茲波的照射方向並進行測定(第3藥劑測定處理)。在圖13所示的例子中，太赫茲波的照射方向是相對於Z軸傾斜了 90°的方向(X軸方向、第3方向)。本處理中的具體的照射方向變更部50的動作等與上述的第2藥劑測定處理相同。
[0114]此外，在第2以及第3藥劑測定處理中，驅動信號S2、S5的發送可以按照來自操作部110的信號SI來進行，也可以按照存儲於存儲部140的程序來進行。
[0115]另外，從第I藥劑測定處理的測定開始到第3藥劑測定處理的測定結束為止，輸送部10停止。輸送部10的停止也可以基於從處理部120輸入至輸送部10的信號來進行。
[0116]接下來，樣本檢查裝置100基於在太赫茲波檢測部40中檢測出的太赫茲波，來決定照射方向(照射方向決定處理)。具體如圖1所示，照射方向決定部124基於從太赫茲波檢測部40輸入的檢測信號S3，來決定在第I~第3藥劑測定處理中檢測出的太赫茲波中具有與在標準樣品測定處理中檢測出的太赫茲波最接近的強度的太赫茲波，並決定照射方向。以下，更具體地進行說明。
[0117]圖14是表示藥劑2以及標準樣品4在太赫茲帶下的光譜的圖。圖14所示的λ I例如是通過了太赫茲波檢測部40的濾波器42中的像素43的第I區域431的波長，λ 2是通過了像素43的第2區域432的波長(參照圖6)。在圖14所示的例子中，關於檢測出的太赫茲波的波長λ I的分量的強度、以及波長λ 2的分量的強度，均是在第3藥劑測定處理中檢測出的太赫茲波與在標準樣品測定處理中檢測出的太赫茲波最接近。因此，照射方向決定部124將在第3藥劑測定處理中照射了太赫茲波的方向(第3方向)決定為後述的異物有無檢查處理中的太赫茲波的照射方向。
[0118]此外，在圖14所示的例子中，照射方向決定部124使用像素43的第I區域431以及第2區域432對兩種波長的分量的強度進行了比較，但也可以比較一種波長的分量的強度，來決定太赫茲波的照射方向。但是，在比較一種波長的分量的強度的情況下，存在若在第I~第3藥劑測定處理中檢查的藥劑2中包含異物，則不能判斷太赫茲波的強度的值是起因於異物，還是起因於照射方向的情況。因此，優選如圖14所示的例子，比較兩種以上波長的分量的強度。
[0119]接下來，樣本檢查裝置100基於照射方向決定部124的決定，驅動照射方向變更部50 (照射方向變更部驅動 處理)。具體如圖1所示，照射方向決定部124向照射方向變更部50發送基於太赫茲波的照射方向的決定的信號S4。照射方向控制部126基於從照射方向決定部124輸入的信號S4,向照射方向變更部50發送驅動信號S5。照射方向變更部50的可動部54基於從照射方向控制部126的輸入的驅動信號S5進行驅動。
[0120]此外，如上述那樣，在照射方向決定部124中決定了的照射方向(具體是第3方向)與第I~第3藥劑測定處理中最後進行的藥劑測定處理(具體是第3藥劑測定處理)的照射方向相同的情況下，可動部54不移動。
[0121]接下來，樣本檢查裝置100從在照射方向決定部124中決定了的照射方向照射太赫茲波，對藥劑2進行檢查(異物有無檢查處理)。在本處理中，驅動輸送部10，對與通過第I~第3藥劑測定處理進行了測定的藥劑2不同的藥劑2檢查異物的有無。在本處理中，能夠對多個藥劑2進行檢查。在本處理中，進行藥劑2的光譜成像。
[0122]以下，對藥劑2由三種物質Α、B、C (物質B、C為異物)構成的情況進行具體的說明。圖15是表示藥劑2在太赫茲帶下的光譜的圖。圖16是對藥劑2的物質A、B、C的分布進行表示的圖像的圖。
[0123]如上述那樣，在太赫茲波檢測部40的濾波器42的像素43中，使用第I區域431以及第2區域432(參照圖6)。在將第I區域431的通過波長設為λ 1，將第2區域432的通過波長設為λ 2，並將透過了藥劑2的太赫茲波的波長λ I的分量的強度設為α?，將波長λ 2的分量的強度設為α 2時，按照在物質Α、物質B和物質C中能夠相互顯著地區分該強度α 2與強度α I的差分(α 2 — α I)的方式設定第I區域431的通過波長λ I以及第2區域432的通過波長λ 2。
[0124]如圖15所示，在物質A中，透過了藥劑2的太赫茲波的波長λ 2的分量的強度α2與波長λ I的分量的強度α I的差分(α 2 — α I)為正值。在物質B中，強度α 2與強度α I的差分(α 2 — α I)為零。在物質C中，強度α 2與強度α I的差分(α 2 — α I)為負值。
[0125]在太赫茲波檢測部40中，檢測上述的強度α I以及強度α 2。該檢測結果向圖像形成部128 (參照圖1)送出。其中，太赫茲波向藥劑2的照射以及透過了藥劑2的太赫茲波的檢測針對藥劑2的整體進行。
[0126]在圖像形成部128中，基於太赫茲波檢測部40的檢測結果來求出強度α 2與強度α I的差分(α 2 — α I)。而且,將藥劑2中的差分(α 2 — α I)為正值的部位判斷確定為物質Α,將差分(α2 — α I)為零的部位判斷確定為物質B,將差分(α2 — α I)為負值的部位判斷確定為物質C。
[0127]在圖像形成部128中，還如圖16所示，生成對藥劑2的物質A、B、C的分布進行表示的圖像的圖像數據。該圖像數據被從圖像形成部128送出至顯示部130，在顯示部130中，顯示對藥劑2的物質A、B、C的分布進行表示的圖像。例如，通過顏色區分將藥劑2的物質A分布的區域顯示為黑色，將物質B分布的區域顯示為灰色，將物質C分布的區域顯示為白色。在樣本檢查裝置100中，如以上那樣，能夠同時進行構成藥劑2的各物質的確定、和該各物質的分布測定。
[0128]此外，在上述的例子中，從三個方向(第I?第3方向)照射太赫茲波，來決定異物有無檢查處理中的照射方向，但也可以從兩個方向或者四個以上方向照射太赫茲波，來決定異物有無檢查處理中的照射方向。在樣本檢查裝置100中，由於照射方向變更部50的導軌52在輸送部10的周圍被設置為環狀，所以能夠從所有的方向照射太赫茲波。
[0129]另外，在上述的例子中，對進行藥劑2的光譜成像來判斷藥劑2是否含有異物的方法進行了說明，但也可以不進行光譜成像而通過判定特定波長的分量的強度(透過了藥劑2的太赫茲波的強度)是否在預先設定的範圍內來判斷異物的有無。
[0130]另外，樣本檢查裝置100中的作為被檢查物的樣本並不限定於藥劑，例如也可以是點心等食品，也可以是在半導體工序中使用的晶圓。
[0131]樣本檢查裝置100例如具有以下的特徵。
[0132]在樣本檢查裝置100中，照射方向變更部50通過變更太赫茲波產生部30的位置，來變更向藥劑2照射的照射方向。因此，在樣本檢查裝置100中，例如在藥劑2上形成有印字的情況下，能夠避開太赫茲波的散射因該印字而變大的照射方向來對藥劑2照射太赫茲波。因此，樣本檢查裝置100能夠抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度降低，能夠具有較高的檢測精度。
[0133]在樣本檢查裝置100中，具備以能夠根據太赫茲波的照射方向來檢測太赫茲波的方式控制太赫茲波檢測部40的位置的檢測位置控制部(照射方向控制部)126。因此，樣本檢查裝置100能夠具有較高的檢測精度。
[0134]在樣本檢查裝置100中，輸送部10構成為能夠將藥劑2排列成從太赫茲波的照射方向觀察時藥劑2不重疊。因此，能夠對多個藥劑2的各個照射具有同等強度的太赫茲波。
[0135]2.第2實施方式
[0136]接下來，參照附圖對第2實施方式所涉及的樣本檢查裝置進行說明。圖17以及圖18是示意地表示第2實施方式所涉及的樣本檢查裝置200的一部分的圖。以下，對第2實施方式所涉及的樣本檢查裝置200中與第I實施方式所涉及的樣本檢查裝置100的例子的不同點進行說明，對相同的點省略說明。
[0137]在樣本檢查裝置100中，如圖11?圖13所示，照射方向變更部50通過變更太赫茲波產生部30的位置而變更了太赫茲波的照射方向。與此相對，在樣本檢查裝置200中，如圖17以及圖18所示，照射方向變更部50包括使從太赫茲波產生部30射出的太赫茲波反射的第I反射部60，通過變更第I反射部60的位置來變更太赫茲波的照射方向。
[0138]如圖17以及圖18所示，樣本檢查裝置200還包括第2反射部62、和第3反射部64。反射部60、62、64能夠使太赫茲波反射。反射部60、62、64的材質例如為玻璃、金屬。
[0139]第I反射部60被支承於照射方向變更部50的可動部54。因此，第I反射部60能夠隨著可動部54的移動而移動。在圖示的例子中，照射方向變更部50的導軌52被設置為直線狀，第I反射部60能夠進行直線移動。
[0140]第I太赫茲波檢測部40a以及第2太赫茲波檢測部40b與太赫茲波產生部30分離地設置。在圖示的例子中，第I太赫茲波檢測部40a位於輸送部10的一 Z軸方向，輸送部10位於第I太赫茲波檢測部40a與第2反射部62之間。第2太赫茲波檢測部40b位於輸送部10的+ X軸方向，輸送部10位於第2太赫茲波檢測部40b與第3反射部64之間。
[0141]此外，在樣本檢查裝置100中，如圖2所示，第2太赫茲波檢測部40b是具備反射鏡48而不具備第2透鏡46的構成，在樣本檢查裝置200中，第2太赫茲波檢測部40b與圖2所示的第I太赫茲波檢測部40a相同，是具備第2透鏡46而不具備反射鏡48的構成。在樣本檢查裝置200中，太赫茲波檢測部40a、40b均檢測透過了藥劑2的太赫茲波。
[0142]另外，在樣本檢查裝置100中，太赫茲波產生部30是具備半透半反鏡37的構成，但在樣本檢查裝置200中，是不具備半透半反鏡37的構成。
[0143]在樣本檢查裝置200中，在第I藥劑測定處理中，如圖17所示，反射部60、62使從太赫茲波產生部30射出的太赫茲波朝向藥劑2反射。然後,在第I太赫茲波檢測部40a中檢測照射至藥劑2並透過的太赫茲波。第I藥劑測定處理的照射方向為Z軸方向(第I方向)。
[0144]其中，「照射方向」是即將指到達藥劑2之前的太赫茲波的行進方向。S卩，是指在從太赫茲波產生部30射出的太赫茲波因經由多個反射部等而改變行進方向併到達藥劑2的情況下，從太赫茲波最後到達的反射部朝向藥劑2的方向。在圖17所示的例子中，是從第2反射部62朝向藥劑的方向、即Z軸方向。
[0145]接下來，在樣本檢查裝置200中，在第2藥劑測定處理中，如圖18所示，照射方向變更部50的可動部54從第I藥劑測定處理的位置移動。由此，從太赫茲波產生部30射出的太赫茲波不被第I反射部60反射而在第3反射部64中發生反射，並照射藥劑2。S卩，照射方向變更部50通過變更第I反射部60的位置，來變更太赫茲波的照射方向。然後，在第2太赫茲波檢測部40b中檢測照射至藥劑2並透過的太赫茲波。第2藥劑測定處理的照射方向是X軸方向(第2方向)。
[0146]接下來，在樣本檢查裝置200中，與樣本檢查裝置100同樣地基於第I以及第2藥劑測定處理中的測定結果，來決定是使異物有無檢查處理中的照射方向為第I方向，還是為第2方向。
[0147]在樣本檢查裝置200中，通過不使太赫茲波產生部30以及太赫茲波檢測部40移動，而使小型的第I反射部60移動，能夠容易地抑制因太赫茲波的散射引起的檢測精度降低。
[0148]本發明包括實質上與實施方式所說明的構成相同的構成(例如，功能、方法以及結果相同的構成，或者目的以及效果相同的構成)。另外，本發明包括將實施方式所說明的構成的非本質部分置換後的構成。另外，本發明包括能夠起到與實施方式所說明的構成相同的作用效果的構成或者實現相同目的的構成。另外，本發明包括對實施方式所說明的構成附加了公知技術的構成。
[0149]符號說明
[0150]2…藥劑，4…標準樣品，10…輸送部，12…輸送面，20…供給部，30…太赫茲波產生部，31...光源,32...光脈衝產生部,33...光電導天線,34...基板,35…間隙,36...電極,37...半透半反鏡，37a…第I面，37b…第2面，38…第I透鏡，40...太赫茲波檢測部，40a…第I太赫茲波檢測部，40b…第2太赫茲波檢測部，42…濾波器，43...像素，44…檢測部，46…第2透鏡，48…反射鏡，50…照射方向變更部，52…導軌，54…可動部，56…支承臺，58…車輪，60...第I反射部，62…第2反射部，64…第3反射部，100…樣本檢查裝置，110…操作部，120...處理部，122...太赫茲波控制部，124...照射方向決定部，126...照射方向控制部，128...圖像形成部，130…顯示部，140…存儲部，200…樣本檢查裝置，431…第I區域，432…第2區域，433…第3區域，434…第4區域，441…第I單位檢測部，442…第2單位檢測部，443…第3單位檢測部，444…第4單位檢測部。
【權利要求】
1.一種樣本檢查裝置，其特徵在於，具備: 太赫茲波產生部，其產生太赫茲波； 輸送部，其構成為具有載置作為被檢查物的樣本的輸送面，能夠沿所述輸送面的面內方向輸送所述樣本； 照射方向變更部，其變更從所述太赫茲波產生部射出並對被載置於所述輸送面的所述樣本照射的太赫茲波的照射方向；以及 太赫茲波檢測部，其檢測照射至被載置於所述輸送面的所述樣本並透過或者反射的太赫茲波， 所述照射方向變更部通過變更所述太赫茲波產生部的位置來變更所述照射方向。
2.根據權利要求1所述的樣本檢查裝置，其特徵在於， 具備檢測位置控制部，該檢測位置控制部控制所述太赫茲波檢測部的位置，以便能夠根據所述照射方向來檢測太赫茲波。
3.—種樣本檢查裝置，其特徵在於，具備: 太赫茲波產生部，其產生太赫茲波； 輸送部，其構成為具有載置作為被檢查物的樣本的輸送面，能夠沿所述輸送面的面內方向輸送所述樣本； 照射方向變更部，其變更從所述太赫茲波產生部射出並對被載置於所述輸送面的所述樣本照射的太赫茲波的照射方向；以及 太赫茲波檢測部，其檢測照射至被載置於所述輸送部的所述樣本並透過或者反射的太赫茲波， 所述照射方向變更部包括能夠使從所述太赫茲波產生部射出的太赫茲波反射的反射部，通過變更所述反射部的位置來變更所述照射方向。
4.根據權利要求1?3中任意一項所述的樣本檢查裝置，其特徵在於， 所述輸送部構成為能夠將所述樣本排列成從所述照射方向觀察時所述樣本不重疊。
5.根據權利要求1?4中任意一項所述的樣本檢查裝置，其特徵在於， 所述太赫茲波產生部包括: 光脈衝產生部，其產生光脈衝；以及 光電導天線，其被照射由所述光脈衝產生部產生的光脈衝。
6.根據權利要求1?5中任意一項所述的樣本檢查裝置，其特徵在於，具備: 照射方向決定部，其基於在所述太赫茲波檢測部中檢測出的太赫茲波來決定所述照射方向；以及 照射方向控制部，其基於所述照射方向決定部的決定來控制所述照射方向變更部。
【文檔編號】G01N21/3581GK104034688SQ201410077005
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月4日 優先權日:2013年3月8日
【發明者】富岡紘鬥, 竹中敏 申請人:精工愛普生株式會社