半導體器件和用於測試半導體器件的方法
2023-07-05 05:45:06
專利名稱：半導體器件和用於測試半導體器件的方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件，更具體而言，涉及使用互補信號對的用於測試半導體器件的最佳方法，以及結合有測試器電路的半導體器件。
背景技術：
近年來，已經需要進一步擴展半導體器件的功能。此外，已經進行研究以開發具有更高集成度、更低功耗以及更高操作速度的半導體器件。這致使封裝件內系統(system-in-package，SiP)的流行，SiP在單個封裝件中結合有各種器件，例如CPU、邏輯器件、外圍電路和存儲器。
為了滿足對更高操作速度的需求，最近的半導體器件包括了用在器件的輸入級中的差分放大器，以使得能夠以高頻率傳輸小幅度信號。諸如SiP之類的結合有多個器件的系統也具有這種差分放大器。例如，在包括存儲器和控制器的存儲器系統中，控制器將一對互補時鐘信號提供到存儲器。然後，存儲器的差分放大器放大互補時鐘信號(將信號合成)，以產生在存儲器系統中使用的時鐘信號。
操作測試是對這種系統的內部器件執行的。如圖1所示，通過從充當測試器件的第一器件31向充當被測器件的第二器件32提供一對互補信號S和/S(符號「/」指示反相)，來執行操作測試。第一器件31將由第二器件32輸出的輸出值D與作為輸出值D的期望值的期望值E相比較，以判斷第二器件32是否在正常操作。這判斷出在器件31和32之間是否存在缺陷連接。
發明內容
但是，在上述傳統的測試方法中，即使在器件31和32之間的用於提供互補信號S的線路或者用於提供互補信號/S的線路斷開，第二器件32也將以與其正常工作時(與不存在缺陷連接時)相同的方式操作。在這種情況下，無法檢測到用於互補信號S和/S的線路中的缺陷。
如圖2(a)所示，當在用於提供互補信號S和/S的線路中不存在缺陷時(在正常工作期間)，第二器件32基於互補信號S和/S的電勢電平而產生合成信號CS。具體而言，第二器件32當互補信號/S的電勢高於互補信號S的電勢時，產生L電平的合成信號CS，並且當互補信號/S的電勢低於互補信號S的電勢時，產生H電平的合成信號CS。
如圖2(b)所示，如果用於提供互補信號S的線路斷開，那麼用於第一器件31的互補信號S的輸出端子被設置為高阻抗，並且被提供到第二器件32的互補信號S的電勢被設置為另一互補信號/S的中間電勢。因此，在這種情況下，第二器件32以與在正常工作期間(圖2(a))相同的方式產生合成信號CS。
如圖2(c)所示，如果用於提供互補信號/S的線路斷開，那麼用於第一器件31的互補信號/S的輸出端子被設置為高阻抗，並且被提供到第二器件32的互補信號/S的電勢被設置為另一互補信號S的中間電勢。因此，在這種情況下，第二器件32也以與在正常工作期間(圖2(a))相同的方式產生合成信號CS。
以這種方式，在傳統測試方法中，即使互補信號之一被斷開，該互補信號的電勢也被設置為另一互補信號的中間電勢。從而，以與在正常工作期間相同的方式產生合成信號。這樣一來，即使在器件31和32之間存在缺陷連接，也會錯誤地判斷整個系統正在正常工作，並且無法檢測到缺陷連接。
本發明提供了一種半導體器件和用於測試半導體器件的方法，其能夠以最佳方式檢測器件之間的缺陷連接。
本發明的一個方面在於用於測試半導體器件的方法，所述半導體器件結合有第一器件和連接到第一器件的第二器件，第一器件產生彼此互補的第一互補信號和第二互補信號，第二器件根據第一和第二互補信號進行操作。該方法包括有選擇地將第一和第二互補信號切換到中間電勢信號，該中間電勢信號具有第一和第二互補信號的中間電勢；並且利用第一和第二互補信號之一和中間電勢信號對第二器件執行操作測試。
本發明的另一方面在於用於測試半導體器件的方法，所述半導體器件結合有第一器件和連接到第一器件的第二器件，第一器件產生彼此互補的第一互補信號和第二互補信號，第二器件根據第一和第二互補信號進行操作。該方法包括利用第一互補信號和代替第二互補信號使用的中間電勢信號對第二器件執行操作測試；以及利用第二互補信號和代替第一互補信號使用的中間電勢信號對第二器件執行操作測試。
本發明的又一方面在於一種半導體器件，其包括用於產生彼此互補的第一互補信號和第二互補信號的第一器件。連接到第一器件的第二器件根據第一和第二互補信號進行操作。測試器電路有選擇地將第一和第二互補信號切換到具有第一和第二互補信號的中間電勢的中間電勢信號，以利用第一和第二互補信號之一和中間電勢信號對第二器件執行操作測試。
從以下結合附圖的描述中，本發明的其他方面和優點將變得更加明顯，其中附圖以示例方式示出了本發明的原理。
結合附圖，通過參考以下對當前優選實施例的描述，可以最好地理解本發明及其目的和優點，在附圖中圖1是示出了在現有技術中，用於利用互補信號測試半導體器件的方法的示意框圖；圖2(a)到圖2(c)是在現有技術中，對圖1的半導體器件執行操作測試期間產生的合成信號的波形圖；圖3是示出了根據本發明的優選實施例的結合有測試器電路的半導體器件的示意框圖；圖4是示出了圖3的半導體器件的中間電勢產生電路的示意框圖；圖5(a)和圖5(b)是當在圖3的半導體器件的控制器和存儲器之間的一組線路中不存在缺陷時，在操作測試期間產生的合成信號的波形圖；圖6(a)和圖6(b)是當在圖3的半導體器件的控制器和存儲器之間的一條線路中存在缺陷時，在操作測試期間產生的合成信號的波形圖；以及圖7(a)和圖7(b)是當在圖3的半導體器件的控制器和存儲器之間的另一條線路中存在缺陷時，在操作測試期間產生的合成信號的波形圖。
具體實施例方式
現在，將參考附圖來描述根據本發明優選實施例的結合有測試器電路的半導體器件1。
如圖3所示，半導體器件1是利用單封裝系統(SiP)配置的存儲器系統或封裝件2。封裝件2包括充當第一器件的控制器3和充當第二器件的存儲器4。控制器3和存儲器4通過封裝件2中的導線而彼此連接。結合到系統中的內部器件並不局限於控制器和存儲器，而是也可以結合有其他器件。在優選實施例中，內部器件(控制器3和存儲器4)在封裝件2中彼此連接，以便配置SiP。但是，器件可以通過其他方式彼此連接，例如通過在板上連接器件。
下面將描述控制器3或第一器件的配置。
控制器3包括信號產生電路11、中間電勢產生電路12、測試電路13、信號切換電路14、控制電路15和判斷電路16。在本實施例中，測試器電路由中間電勢產生電路12、測試電路13、信號切換電路14和判斷電路16來配置。
信號產生電路11具有晶體振蕩器(未示出)，並且產生一對互補時鐘信號CLK和/CLK(符號「/」代表反相)，它們充當彼此互補的第一和第二互補信號。互補時鐘信號/CLK與互補時鐘信號CLK的相位相反。
中間電勢產生電路12產生中間電勢信號MLS，它具有互補時鐘信號CLK和/CLK的幅度的中間電勢。中間電勢信號MLS通過本領域公知的各種方法中的任意一種來產生。在優選實施例中，參考圖4，通過利用電阻器R1和R2對外部電源電壓VDD進行分壓來產生中間電勢信號MLS。
測試電路13響應於來自外部器件的測試模式信號TE而進入測試模式。基於測試模式信號TE，測試電路13產生用於控制信號切換電路14中的切換的切換信號SW1和SW2，以及用於激活判斷電路16的激活信號CE。
信號切換電路14包括第一切換電路17和第二切換電路18。第一切換電路17具有用於接收互補時鐘信號CLK的第一輸入端子和用於接收中間電勢信號MLS的第二輸入端子。響應於來自測試電路13的切換信號SW1，第一切換電路17從其輸出端子輸出互補時鐘信號CLK或中間電勢信號MLS。第二切換電路18具有用於接收互補時鐘信號/CLK的第一輸入端子和用於接收中間電勢信號MLS的第二輸入端子。響應於來自測試電路13的切換信號SW2，第二切換電路18從其輸出端子輸出互補時鐘信號/CLK或中間電勢信號MLS。
在測試模式期間，如果信號切換電路14的第一切換電路17響應於切換信號SW1而選擇互補時鐘信號CLK，則第二切換電路18響應於切換信號SW2而選擇中間電勢信號MLS。另一方面，如果第一切換電路17響應於切換信號SW1而選擇中間電勢信號MLS，則第二切換電路18響應於切換信號SW2而選擇互補時鐘信號/CLK。因此，在測試模式中，從信號切換電路14中輸出互補時鐘信號CLK和中間電勢信號MLS的組合，或者互補時鐘信號/CLK和中間電勢信號MLS的組合。在正常模式(當半導體器件1沒有工作在測試模式時)中，信號切換電路14根據切換信號SW1和SW2輸出互補時鐘信號CLK和/CLK。
在當前優選實施例中，控制電路15充當讀/寫控制電路，用於控制向存儲器4寫數據和從存儲器4讀數據。例如，當向存儲器4寫數據時，控制電路15向存儲器4發射寫命令，並且將寫地址和寫數據WD提供到存儲器4。當讀數據時，控制電路15向存儲器4發射讀命令，並且向存儲器4提供讀地址。以這種方式，從存儲器4中讀出讀數據RD。在測試模式中，控制電路15響應於來自測試電路13的控制信號來訪問存儲器4。
判斷電路16由來自測試電路13的激活信號CE激活，並且將來自存儲器4的輸出值(在優選實施例中，從存儲器4讀取的讀數據RD)與讀數據RD的期望值E相比較，以產生比較結果信號JD。
下面將描述存儲器4或第二器件的配置。
存儲器4包括信號合成電路21、存儲器控制電路22和存儲器核心23。
信號合成電路21由差分放大器配置。信號合成電路21具有第一端子和第二端子，分別用於經由線路L1和L2接收來自控制器3的兩個信號。信號合成電路21基於兩信號的電勢來產生合成信號CK。具體而言，當提供到第二端子的信號的電勢高於提供到第一端子的信號的電勢時，信號合成電路21產生L(低)電平的合成信號CK。當提供到第二端子的信號的電勢低於提供到第一端子的信號的電勢時，信號合成電路21產生H(高)電平的合成信號CK。
當在測試模式期間，通過信號切換電路14從控制器3提供了互補時鐘信號CLK和中間電勢信號MLS時，信號合成電路21在第一端子處接收互補時鐘信號CLK，並且在第二端子處接收中間電勢信號MLS。如果中間電勢信號MLS的電勢高於互補時鐘信號CLK的電勢，則信號合成電路21產生L電平的合成信號CK。如果中間電勢信號MLS的電勢低於互補時鐘信號CLK的電勢，則信號合成電路21產生H電平的合成信號CK。
當在測試模式中，通過信號切換電路14而從控制器3提供互補時鐘信號/CLK和中間電勢信號MLS時，信號合成電路21在第一端子處接收中間電勢信號MLS，並且在第二端子處接收互補時鐘信號/CLK。如果互補時鐘信號/CLK的電勢高於中間電勢信號MLS的電勢，則信號合成電路21產生L電平的合成信號CK。如果互補時鐘信號/CLK的電勢低於中間電勢信號MLS的電勢，則信號合成電路21產生H電平的合成信號CK。
在正常模式期間，信號合成電路21在第一端子處接收互補時鐘信號CLK，並且在第二端子處接收互補時鐘信號/CLK。當互補時鐘信號/CLK的電勢高於互補時鐘信號CLK的電勢時，信號合成電路21產生L電平的合成信號CK。當互補時鐘信號/CLK的電勢低於互補時鐘信號CLK的電勢時，信號合成電路21產生H電平的合成信號CK。
存儲器控制電路22接收合成信號CK作為時鐘輸入。控制器3的控制電路15控制存儲器控制電路22向存儲器核心23寫數據和從存儲器核心23讀數據。存儲器核心23包括具有以陣列方式排列的多個存儲器單元的存儲器單元陣列、列解碼器、行解碼器等等(未示出)。
現在將描述用於測試半導體器件1的方法。
響應於測試模式信號TE，通過在測試模式中操作存儲器4來測試半導體器件1。然後，控制器3將存儲器4的輸出值(對寫數據WD的讀數據RD)與輸出值的期望值E相比較。在本實施例中，在兩個步驟中測試半導體器件1，即第一測試步驟和第二測試步驟。
在第一測試步驟中，控制器3通過分別經由線路L1和L2將中間電勢信號MLS和互補時鐘信號/CLK提供到存儲器4，對存儲器4執行操作測試。
控制器3執行第一測試步驟，以將存儲器4的輸出值(讀數據RD)與輸出值的期望值E相比較，並且產生指示比較結果的比較結果信號JD。基於比較結果信號JD來檢查存儲器4的操作。
在第二測試步驟中，控制器3通過分別經由線路L1和L2將互補時鐘信號CLK和中間電勢信號MLS提供到存儲器4，對存儲器4執行操作測試。
在第一測試步驟中檢查存儲器4的操作之後，控制器3隨後執行第二測試步驟，並且將存儲器4的輸出值(讀數據RD)與輸出值的期望值E相比較，以產生比較結果信號JD。基於比較結果信號JD來檢查存儲器4的操作。
在測試模式期間，第一和第二測試步驟被執行，以檢查存儲器4的操作，並且判斷在線路L1和L2中是否存在缺陷，其中所述線路L1和L2分別將互補時鐘信號CLK和/CLK從控制器3提供到存儲器4。
圖5(a)到圖7(b)是在優選實施例的測試方法中，由存儲器4產生的合成信號CK的波形圖。圖5(a)和圖5(b)是當在線路L1和L2中不存在缺陷時(在正常工作期間)，合成信號CK的波形圖。圖6(a)和圖6(b)是當在線路L1中存在缺陷時，合成信號CK的波形圖。圖7(a)和圖7(b)是當在線路L2中存在缺陷時，合成信號CK的波形圖。
下面將首先描述其中不存在缺陷連接(正常工作)的示例。
如圖5(a)所示，在第一測試步驟中，中間電勢信號MLS和互補時鐘信號/CLK被從控制器3提供到存儲器4。在這種狀態中，提供互補時鐘信號/CLK的線路L2中不存在缺陷。因此，存儲器4的信號合成電路21以與正常模式期間相同的方式產生合成信號CK。因此，如果在第一測試步驟中證實存儲器4在正常操作，則確定線路L2的連接為正常連接。
隨後，如圖5(b)所示，在第二測試步驟中，互補時鐘信號CLK和中間電勢信號MLS被從控制器3提供到存儲器4。在這種狀態中，在將互補時鐘信號CLK提供到存儲器4的線路L1中不存在缺陷。因此，信號合成電路21以與正常模式期間相同的方式產生合成信號CK。因此，如果在第二測試步驟中證實存儲器4在正常操作，則確定線路L1的連接為正常連接。
接下來，將描述線路L1有缺陷時的示例。
如圖6(b)所示，如果線路L1有缺陷，那麼在第二測試步驟中被提供到存儲器4的互補時鐘信號CLK的電勢被設置為中間電勢(與中間電勢信號MLS基本相同的電勢)。在這種情況下，所產生的合成信號CK具有中間電勢，並且存儲器4因此無法正常操作。從而，確定線路L1有缺陷。在這種情況下，在第一測試步驟期間(圖6(a))，由於在線路L2中不存在缺陷，因此以與正常狀態(圖5(a))相同的方式產生合成信號CK。
接下來，將描述線路L2有缺陷時的示例。
如圖7(a)所示，如果線路L2有缺陷，那麼在第一測試步驟中被提供到存儲器4的互補時鐘信號/CLK的電勢被設置為中間電勢(與中間電勢信號MLS基本相同的電勢)。在這種情況下，所產生的合成信號CK具有中間電勢，並且存儲器4因此無法正常操作。從而，確定線路L2有缺陷。在這種情況下，在第二測試步驟期間(圖7(b))，由於在線路L1中不存在缺陷，因此以與正常狀態(圖5(b))相同的方式產生合成信號CK。
雖然圖中未示出，但是當線路L1和L2都有缺陷時，所產生的合成信號CK在第一和第二測試步驟中都具有中間電勢。這樣一來，存儲器4在第一測試步驟和第二測試步驟中都無法正常操作。從而確定線路L1和L2兩者都有缺陷。
優選實施例的半導體器件1具有下述優點。
(1)以兩個步驟來測試器件之間的連接。在第一測試步驟中，通過將被提供到存儲器4的兩個互補時鐘信號CLK和/CLK中的一個設置為中間電勢來執行操作測試。在第二測試步驟中，通過將兩個互補時鐘信號CLK和/CLK中的另一個設置為中間電勢來執行操作測試。在這種測試方法中，基於在第一和第二測試步驟中執行的操作測試的結果，分別檢測線路L1和L2中的缺陷。
(2)通過以下方式來執行測試方法從測試電路13提供切換信號SW1和SW2，以在信號切換電路14中執行切換，並且有選擇地輸出互補時鐘信號和中間電勢信號。該測試方法以簡單的方式高準確度地執行。
(3)響應於測試模式信號TE，控制器3將被提供到存儲器4的信號從互補時鐘信號CLK或互補時鐘信號/CLK切換到中間電勢信號MLS。因此，在無需對存儲器4的配置進行任何修改的情況下執行測試。
(4)在控制器3中設置有用於產生中間電勢信號MLS的中間電勢產生電路12。因此，控制器3不需要具有額外的端子以用於測試。因此，無需增加端子數量。
(5)在第一和第二測試步驟中，測試模式信號TE被提供以執行操作測試。然後，基於操作測試的結果(基於比較結果信號JD)，判斷在器件之間是否存在缺陷連接。因此，即使在難以在物理上檢查器件之間的連接的情況下，也可以獲得高度準確的測試結果。
本領域技術人員應該清楚，可以以很多其他具體形式來實現本發明，而不脫離本發明的精神或範圍。具體而言，應該理解，可以以下述形式來實現本發明。
中間電勢信號MLS的電勢不一定是兩個互補時鐘信號CLK和/CLK的中間電勢。但是，優選地，在測試模式期間，代替互補時鐘信號CLK而輸出的中間電勢信號MLS具有互補時鐘信號/CLK的中間電勢。此外，優選地，代替互補時鐘信號/CLK而輸出的中間電勢信號MLS的中間電勢具有互補時鐘信號CLK的中間電勢。
在優選實施例中，基於來自測試電路13的切換信號SW1和SW2來切換從信號切換電路14的輸出。這種配置可以被修改。例如，信號產生電路11可以產生互補時鐘信號CLK和/CLK以及中間電勢信號MLS。在這種情況下，在測試模式期間，信號產生電路11根據來自測試電路13的信號，依次輸出互補時鐘信號CLK和中間電勢信號MLS，然後輸出互補時鐘信號/CLK和中間電勢信號MLS。
中間電勢產生電路12和信號切換電路14可以被設置在存儲器4(被測器件)中，並且控制器3可以提供將一對互補時鐘信號CLK和/CLK提供到存儲器4。在這種情況下，在測試模式期間，存儲器4的信號切換電路接收來自測試電路13的切換信號SW1和SW2，以選擇被提供到信號合成電路21的信號。這種配置具有與優選實施例相同的優點。這種修改形式被稱為修改形式a1。
中間電勢產生電路12可以被去除。在這種情況下，在測試模式期間，中間電勢信號MLS從外部器件提供。在正常模式期間，不需要中間電勢產生電路12。因此，去除中間電勢產生電路12能夠減小晶片面積。這種修改形式將在下文中被稱為修改形式b1。
修改形式b1可以與修改形式a1相組合。更具體而言，可以將信號切換電路14設置在存儲器4中，並且可以經由控制器3將中間電勢信號MLS從外部器件提供到存儲器4。這種配置能夠從修改形式a1中進一步減小存儲器4的晶片面積。
彼此互補的第一和第二互補信號並不一定局限於互補時鐘信號CLK和/CLK。例如，當存儲器是雙數據速率(DDR)存儲器時，本發明可應用於如下測試，該測試用於檢測用於提供一對數據選通信號(它們被用作讀取數據的信號)的線路中的連接缺陷。
中間電勢產生電路12可以只在測試模式期間，被測試電路13所激活。在這種情況下，例如，可以將開關器件串聯連接到電阻器R1和R2，以使開關器件只在測試模式期間，被來自測試電路13的信號所激活。
半導體器件1的測試器電路的配置並不局限於優選實施例的配置(圖3)。測試器電路可以具有任意配置，只要可以通過將一對互補時鐘信號CLK和/CLK中的每一個切換到具有互補時鐘信號CLK和/CLK的中間電勢的中間電勢信號MLS，而對存儲器4執行操作測試即可。如果中間電勢信號MLS被從外部器件提供到半導體器件1，那麼測試器電路只需要包括測試電路13和信號切換電路14。因此，可以將判斷電路16設置在外部器件中。當判斷電路16被設置在外部器件中時，存儲器4的輸出值(讀數據RD)經由控制電路15被提供到外部器件，從而由外部器件確定半導體器件1的操作。
本發明不僅可應用於具有控制器3和存儲器4的存儲器系統，還可應用於具有其他類型器件的系統。
當前示例和實施例應該被看作示例性的而非限制性的，並且本發明並不局限於這裡所給出的細節，而是可以在所附權利要求的範圍和等同物內進行修改。
權利要求
1.一種用於測試半導體器件的方法，所述半導體器件結合有第一器件(3)和第二器件(4)，所述第一器件產生彼此互補的第一互補信號(CLK)和第二互補信號(/CLK)，所述第二器件被連接到所述第一器件，並且根據所述第一和第二互補信號進行操作，所述方法其特徵在於有選擇地將所述第一和第二互補信號切換到具有所述第一和第二互補信號的中間電勢的中間電勢信號(MLS)；並且利用所述第一和第二互補信號中一個和所述中間電勢信號對所述第二器件執行操作測試。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵還在於響應於測試模式信號，將來自所述第一器件的切換信號提供到所述第二器件；其中，所述有選擇地切換所述第一和第二互補信號的步驟包括所述第二器件根據所述切換信號，將所述第一和第二互補信號有選擇地切換到所述中間電勢信號。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二互補信號是一對時鐘信號或一對數據選通信號。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵還在於響應於測試模式信號，將所述中間電勢信號從所述第一器件提供到所述第二器件。
5.根據權利要求4所述的方法，其特徵還在於將所述中間電勢信號從外部器件提供到所述第一器件。
6.根據權利要求4所述的方法，其特徵還在於響應於所述測試模式信號，利用所述第一器件來產生所述中間電勢信號。
7.一種用於測試半導體器件(1)的方法，所述半導體器件結合有第一器件(3)和第二器件(4)，所述第一器件產生彼此互補的第一互補信號(CLK)和第二互補信號(/CLK)，所述第二器件被連接到所述第一器件，並且根據所述第一和第二互補信號進行操作，所述方法包括利用所述第一互補信號和代替所述第二互補信號使用的中間電勢信號，對所述第二器件執行操作測試；以及利用所述第二互補信號和代替所述第一互補信號使用的中間電勢信號，對所述第二器件執行操作測試。
8.根據權利要求7所述的方法，其特徵還在於響應於測試模式信號，將來自所述第一器件的切換信號提供到所述第二器件；所述利用第一互補信號和中間電勢信號對第二器件執行操作測試的步驟包括所述第二器件響應於所述切換信號，將所述第二互補信號切換到所述中間電勢信號；以及所述利用第二互補信號和中間電勢信號對第二器件執行操作測試的步驟包括所述第二器件響應於所述切換信號，將所述第一互補信號切換到所述中間電勢信號。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一和第二互補信號是一對時鐘信號或一對數據選通信號。
10.根據權利要求7所述的方法，其特徵還在於響應於測試模式信號，將所述中間電勢信號從所述第一器件提供到所述第二器件。
11.根據權利要求10所述的方法，其特徵還在於將所述中間電勢信號從外部器件提供到所述第一器件。
12.根據權利要求10所述的方法，其特徵還在於響應於所述測試模式信號，利用所述第一器件來產生所述中間電勢信號。
13.一種半導體器件(1)，包括第一器件(3)和第二器件(4)，所述第一器件產生彼此互補的第一互補信號(CLK)和第二互補信號(/CLK)，所述第二器件被連接到所述第一器件，根據所述第一和第二互補信號進行操作，所述半導體器件其特徵在於測試器電路(13、14)，用於有選擇地將所述第一和第二互補信號切換到具有所述第一和第二互補信號的中間電勢的中間電勢信號(MLS)，以利用所述第一和第二互補信號中的一個和所述中間電勢信號對所述第二器件執行操作測試。
14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特徵還在於用於容納所述第一器件和所述第二器件的封裝件(2)。
15.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述測試器電路包括測試電路(13)，用於響應於測試模式信號而產生切換信號；以及連接到所述測試器電路的信號切換電路，用於根據所述切換信號，有選擇地將所述第一和第二互補信號切換到所述中間電勢信號。
16.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述測試電路被設置在所述第一器件中，並且所述信號切換電路被設置在所述第一和第二器件中的一個中。
17.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述中間電勢信號被從外部器件提供到所述第一器件。
18.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述信號切換電路包括第一切換電路(17)，用於根據所述切換信號，有選擇地輸出所述第一互補信號和所述中間電勢信號；以及第二切換電路(18)，用於根據所述切換信號，當所述第一切換電路輸出所述第一互補信號時，輸出所述中間電勢信號，並且當所述第一切換電路輸出所述中間電勢信號時，輸出所述第二互補信號。
19.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述測試器電路還包括中間電勢產生電路(12)，用於對外部電壓進行分壓，以產生所述中間電勢信號。
20.根據權利要求19所述的半導體器件，其中，所述中間電勢產生電路與所述信號切換電路一起設置在所述第一和第二器件中的一個中。
全文摘要
本發明公開了一種半導體器件和用於測試半導體器件的方法。半導體器件結合有產生第一和第二互補信號的控制器，以及根據第一和第二互補信號進行操作的存儲器。該方法包括有選擇地將第一和第二互補信號切換到具有互補信號的中間電勢的中間電勢信號。該方法還包括利用第一和第二互補信號以及中間電勢信號，對第二器件執行操作測試。該方法能夠檢測器件之間的缺陷連接。
文檔編號G01R31/26GK1841075SQ20051008428
公開日2006年10月4日 申請日期2005年7月15日 優先權日2005年3月29日
發明者月城玄 申請人:富士通株式會社