微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法與流程

2023-07-26 17:31:06 5

本發明涉及一種微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法，尤其涉及一種通過對銅箔的表面實施粗糙化處理而實現了優良的與基板之間的粘接強度、耐熱粘接強度、耐藥品性、蝕刻性等的微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法。
背景技術：
：：近來，隨著電氣/電子設備的小型化、輕量化的加速，形成於基板上的印刷電路趨於微細化、高集成化、小型化，於是使用於印刷電路板的銅箔也需要多樣的物性。對於使用在硬性印刷電路板的製造的銅箔而言，銅箔需要具有強有力的粘接強度、高耐熱特性及耐藥品性，為了層間絕緣而使用的絕緣材料也使用到作為廉價材料的兼備強的耐外界衝擊性的環氧樹脂(epoxyresin)中浸泡的有機纖維的fr-4半固化片(prepreg)。相反，柔性印刷電路板的製造中使用的銅箔則使用到可表現出高彎曲特性的具備低粗糙度、高延伸率、高彎曲特性的銅箔，絕緣材料也使用到彎曲特性優良的聚醯亞胺(polyimide)膜或清漆(varnish)。作為這種銅箔所要求的最基本的特性，需要銅箔與絕緣基材基板之間的粘接強度優良。尤其，銅箔需要在剛剛與絕緣基材加熱加壓並層疊之後保持要求水平以上的粘接強度，不僅如此，還需要在隨後的後處理工序中經歷多樣的處理之後也仍需維持要求特性以上的粘接強度。為此，針對酸或鹼等的耐藥品性、耐熱性等需要優良。而且，在通過形成銅電路圖案而作為印刷布線板的蝕刻過程中，要求蝕刻性優良，即要求殘留物質並不殘留於非圖案部分。為了改善銅箔的粘接強度，執行在銅箔表面析出微細銅顆粒的所謂粗糙化處理，這種用於增加銅箔面的表面積的工藝通常被使用到。然而，單純的粗糙化處理即使可以改善粘接強度，卻也無法阻擋在隨後的工序中因各種化學藥品或熱量而使粘接強度劣化。為了克服這一問題，在執行所述粗糙化處理之後形成鋅層被覆膜，並形成電解鉻酸鹽層及矽烷偶聯劑處理層的防鏽處理層，通過實施諸如此類的多樣的後處理工序而實施旨在提高銅箔的粘接強度的處理。然而，為了印刷電路板用銅箔的微細化，需要一種持有微細的粗糙度及優良的粘接強度的表面處理銅箔，但如果粗糙化處理層的粗糙度變得微細，則銅箔表面的粘接強度降低，不僅如此，還存在難以全面實現銅箔的耐藥品性、蝕刻性、耐熱粘接強度等諸方面的要求特性的技術局限性。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題在於提供一種微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法，其通過形成金屬合金層而對銅箔進行表面處理，從而可提高銅箔的剝離強度。並且，本發明所要解決的技術問題在於提供一種微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法，其通過實施兩次粗糙化處理而對銅箔進行表面處理，從而可提高銅箔的剝離強度。而且，本發明所要解決的技術問題在於提供一種微電路基板用經表面處理的銅箔及其製造方法，其提高了表面處理銅箔與基板之間的粘接強度及耐熱粘接強度、耐藥品性、蝕刻性，從而適於作為微電路基板中用到的銅箔。根據本發明之一實施例，提供一種微電路基板用經表面處理的銅箔，包括：銅箔；金屬合金層，形成於所述銅箔上部；粗糙化處理層，包括形成於所述金屬合金層上部的突起物；zn被覆膜層，形成於所述粗糙化處理層上部；鉻酸鹽層，形成於所述zn被覆膜層上部；矽烷偶聯劑處理層，形成於所述鉻酸鹽層上部，其中，所述粗糙化處理層突起物的高度為1～4μm，所述突起物與突起物之間的寬度為0.5～7μm，所述突起物在觀察剖面的15μm內的分布數量範圍為2～35個。並且，所述金屬合金層可包括co、ni、mo、w、cu、fe中的一種以上的金屬離子。而且，所述金屬合金層中包含的金屬離子的組成優選如下：ni離子或co離子10～15g/l、mo離子或w離子0.5～1g/l、cu離子或fe離子10～20g/l。並且，所述粗糙化處理層的表面粗糙度優選為2.5μm以下。而且，所述zn被覆膜層優選為純zn或zn合金。並且，使用於形成所述zn合金被覆膜層的金屬離子優選為選自ni、mo、cr、co的至少一種金屬離子。而且，所述粗糙化處理層優選由cu4～25g/l、h2so470～125g/l、w0.005～0.04g/l構成。並且，所述粗糙化處理層優選由cu4～25g/l、h2so470～125g/l、w0.005～0.04g/l、mo0.1～1g/l構成。根據本發明的另一實施例，提供一種微電路基板用經表面處理的銅箔的製造方法，包括如下步驟：第一步驟，在包含有co、ni、mo、w、cu、fe中的一種以上的金屬離子的鍍液中將銅箔布置成陰極，並電解處理而形成金屬合金層；作為粗糙化處理層形成步驟的第二步驟，對形成的所述金屬合金層進行粗糙化處理而形成突起物；第三步驟，在所述粗糙化處理層上形成zn被覆膜層；第四步驟，在所述被覆膜層上形成鉻酸鹽層；第五步驟，在所述電解鉻酸鹽層上形成矽烷偶聯劑處理層。而且，通過執行所述粗糙化處理而形成粗糙化處理層之後，還可以包括實施第二次粗糙化處理的步驟。並且，形成所述金屬合金層時使用的鍍液的組成優選如下：ni離子或co離子10～15g/l、mo離子或w離子0.5～1g/l、cu離子或fe離子10～20g/l。而且，在執行所述粗糙化處理之後形成的突起物的高度優選1～4μm，所述突起物與突起物之間的寬度範圍優選0.5～7μm，所述突起物在觀察剖面的15μm內優選分布2～35個範圍。並且，所述粗糙化處理時的表面粗糙度優選為2.5μm以下。而且，形成所述zn被覆膜層時使用的zn優選為純zn或zn合金。並且，使用於所述zn合金被覆膜層的形成的金屬離子可以是從ni、mo、cr、co中選擇的至少一種金屬離子。而且，所述粗糙化處理可在cu4～25g/l、h2so470～125g/l、w0.005～0.04g/l的條件下執行。並且，所述粗糙化處理可在cu4～25g/l、h2so470～125g/l、w0.005～0.04g/l、mo0.1～1g/l的條件下執行。根據本發明，通過形成金屬合金層而對銅箔執行表面處理，從而具有可提高銅箔的剝離強度的技術效果。並且，根據本發明，通過執行兩次粗糙化處理而對銅箔進行表面處理，從而具有可提高銅箔的剝離強度的技術效果。而且，根據本發明，通過銅箔的表面處理而提高銅箔與基板之間的粘接強度、耐熱粘接強度、耐藥品性及蝕刻性，從而可獲得一種適於利用為微電路基板用銅箔的表面處理銅箔。附圖說明圖1為表示根據本發明的實施例的微電路基板用表面處理銅箔的製造方法的順序圖。圖2為表示當對根據本發明的實施例的銅箔進行電解處理時形成有金屬合金層的情形的sem照片。圖3a為表示當在包含有cu、h2so4、w的條件下執行粗糙化處理後，金屬合金層的表面形成有突起物的狀態的sem照片。圖3b為表示當在包含有h2so4、w、mo的條件下執行粗糙化處理後，金屬合金層表面形成有突起物的狀態的sem照片。圖4為表示根據本發明的表面處理銅箔的剖面的sem照片。圖5為表示根據本發明的表面處理銅箔的剖面的示意圖。具體實施方式其他實施例的具體事項包含於詳細說明及其附圖中。本發明的優點、特徵以及用於實現它們的方法只要參考與附圖結合而在後面闡述的實施例就可明確地理解。然而，本發明並不局限於以下公開的實施例，其可以由不同的多種形態實現，當以下的說明中提到某一部分連接到其他部分時，不僅包括直接連接的情形，而且還包括中間夾設有其他介質而連接的情形。並且，在附圖中省去了與本發明無關的部分，以使本發明的說明更清楚，貫穿整個說明書而給類似的部分賦予了相同的附圖標記。以下，參考附圖而對本發明進行說明。[微電路基板用表面處理銅箔]關於本發明的一個實施例的微電路基板用表面處理銅箔包括：銅箔；金屬合金層，形成於所述銅箔上部；粗糙化處理層，包括形成於所述金屬合金層上部的突起物；zn被覆膜層，形成於所述粗糙化處理層上部；鉻酸鹽層，形成於所述zn被覆膜層的上部；矽烷偶聯劑處理層，形成於所述鉻酸鹽層上部，其中，所述粗糙化處理層突起物的高度為1～4μm，所述突起物與突起物之間的寬度為0.5～7μm，所述突起物在觀察剖面的15μm內分布個數的範圍為2～35個。另外，所述微電路基板用表面處理銅箔的粗糙化處理層的表面粗糙度為2.5μm以下。本發明中所述的突起物的高度是指從金屬合金層的表面到突起物的頂點之間的距離，所述粗糙化處理層的突起物的高度範圍優選為1μm至4μm。所述突起物形成於金屬合金層的表面，如果突起物的高度小於1μm，則由於突起物的高度低而使粘接強度不良，因此並不優選。當突起物的高度超過4μm時，銅箔表面的表面粗糙度偏差增加，從而無法持有穩定的粘接強度，因此並不優選。並且，突起物與突起物之間的寬度範圍優選為0.5μm至7μm。如果突起物與突起物之間的寬度小於0.5μm，則突起物與突起物之間的間距變窄，從而使銅箔表面與突起物之間的緊貼性減弱，因此粘接強度降低而並非優選的。如果突起物與突起物之間的寬度超過7μm，則粘接強度減小，因此並不優選。而且，突起物的個數優選在觀察剖面15μm內存在2個至35個。如果觀察剖面15μm內存在的突起物的個數小於2個，則存在粘接強度減弱的問題，因此並不優選。如果突起物的個數超過35個，則突起物與突起物之間的間距變窄，從而使銅箔表面與突起物之間的緊貼性減弱，因此粘接強度反而減小，故並不優選。[微電路基板用表面處理銅箔製造方法]銅箔的製造為了製造基於電解的銅箔，利用了能夠以20l/min循壞的3l容量的電解槽系統。使用於銅箔的製造的銅電解液優選具有cuso4·5h2o250～400g/l、h2so480～150g/l的組成，並可追加氯離子和添加劑。並且，使用於銅箔的製造的銅電解液的溫度恆定地維持在45℃。銅箔製造陽極使用了厚度為5mm、大小為10×10cm2的dse(定常尺寸電極；dimentionallystableelectrode)極板，陰極也與陽極相同地使用了厚度為5mm、大小為10×10cm2的鈦極板。而且，為了使cu2+離子的移動順利，以35a/dm2的電流密度實施了鍍覆，並將銅箔的厚度製造成12μm。首先，參考圖1而概略地說明根據一實施例的微電路基板用表面處理銅箔的製造方法。圖1為表示根據本發明的一實施例的微電路基板用表面處理銅箔的製造方法的順序圖。本發明微電路基板用表面處理銅箔的製造方法包括如下步驟：第一步驟s100，在包含有co、ni、mo、w、cu、fe中的一種以上的金屬離子的鍍液中將銅箔布置成陰極，並電解處理而形成金屬合金層；作為粗糙化處理層形成步驟的第二步驟s200，將形成的金屬合金層粗糙化處理而形成突起物；第三步驟s300，在所述粗糙化處理層上形成zn被覆膜層；第四步驟s400，在所述被覆膜層上形成鉻酸鹽層；第五步驟s500，在電解鉻酸鹽層上形成矽烷偶聯劑處理層。金屬合金層形成步驟在第一步驟s100中，在包含有co、ni、mo、w、cu、fe中的一種以上的金屬離子的鍍液中將銅箔布置成陰極並執行電解處理。在將所述銅箔進行電解處理時，使用於鍍液的金屬離子優選包括co、ni、mo、w、cu、fe中的一種以上的金屬離子。所述鍍液的組成優選如下：ni離子或co離子10～15g/l、mo離子或w離子0.5～1g/l、cu離子或fe離子10～20g/l。如果ni及co小於10g/l，則粗糙化處理過後的殘渣殘留程度變得嚴重，因此並不優選；如果超過15g/l，則溶解時間增加而存在生產效率減小的問題，因此並不優選。如果mo及w小於0.5g/l，則金屬合金層的形成無法正常實現，因此金屬合金層無法發揮自身作用，從而使突起物的形狀不良，因此並不優選；如果超過1g/l，則溶解時間增加而存在生產效率降低的問題，因此並不優選。並且，如果cu及fe小於10g/l，則合金層的顆粒大小變小而存在粘接強度降低的問題，因此並不優選；如果超過20g/l，則合金層的顆粒大小增加，因此可能對銅箔的粗糙度及蝕刻性帶來消極影響，因此並不優選。而且，銅箔的電解處理時的ph範圍優選為ph1.7～3.0。如果ph小於1.7，則合金層中鎢及鉬的被覆膜量減少而無法發揮合金層的作用，因此並不優選；如果ph超過3.0，則選擇的金屬的溶解時間增加，從而對生產效率帶來消極影響，因此並不優選。如果按照上述方式將銅箔電解處理而形成金屬合金層，則在金屬合金層的表面形成多樣的大小的金屬核。圖2為表示當對銅箔進行電解處理而形成金屬合金層時，在金屬合金層的表面生成的金屬核的狀態的sem照片。參考圖2可確認，以亮色的顆粒形狀生成了多樣的大小的金屬核。粗糙化處理層形成步驟在第二步驟s200中對所述第一步驟中形成的合金層進行粗糙化處理，從而形成具有突起物的粗糙化處理層。在第二步驟s200中經歷粗糙化處理的銅箔在表面形成有突起物。如果因粗糙化處理而在銅箔的合金層表面形成突起，則銅箔的表面積將會增加，於是所述突起物將會起到如下作用：增加銅箔與絕緣材料之間的粘接力，該絕緣材料將在銅箔製造工序之後的工序中使用。經所述粗糙化處理的銅箔的表面粗糙度優選為2.5μm以下。用於形成所述突起物的粗糙化顆粒由選自cu、h2so4、w、mo中的2種類以上的合金構成，可通過分別將各個粗糙化處理金屬離子的組成多樣地組合而可以形成粗糙化處理層。所述粗糙化處理可在cu4～25g/l、h2so4125g/l～130g/l,w0.005g/l～0.04g/l的電解液條件下實施，或者可在cu4～25g/l、h2so4125g/l～130g/l、mo0.1～1g/l、w0.005g/l～0.04g/l的電解液條件下實施粗糙化處理。圖3a為表示在包含有cu、h2so4、w的電解液條件下實施粗糙化處理時，在金屬合金層的表面形成有突起物的狀態的sem照片。而且，圖3b為表示在包含有cu、h2so4、mo、w的電解液條件下實施粗糙化處理時，在金屬合金層的表面形成有突起物的狀態的sem照片。並且，可在第二步驟s200中對形成有金屬合金層的銅箔執行粗糙化處理而形成粗糙化處理層之後實施第二次粗糙化處理。通過實施第二次粗糙化處理，可進一步提高剝離強度。另外，在所述第二步驟s200中經粗糙化處理的銅箔表面所形成的突起物的高度優選為1μm至4μm。本發明所述的突起物的高度是指從金屬合金層的表面到突起物的頂點之間的距離。所述突起物形成於金屬合金層表面，當突起物的高度小於1μm時，因突起物的高度較低，粘接強度並不優良，因此並不優選。如果突起物的高度超過4μm，則銅箔表面的表面粗糙度偏差增大，從而無法持有穩定的粘接強度，因此並不優選。而且，突起物與突起物之間的寬度優選範圍為0.5μm至7μm。如果突起物與突起物之間的寬度小於0.5μm，則突起物與突起物之間的間距變窄，從而使銅箔表面與突起物之間的緊貼性減弱，因此粘接強度減小而並不優選；如果突起物與突起物之間的寬度超過7μm，則粘接強度減小，因此並不優選。並且，突起物的個數優選在觀察剖面的15μm內存在2個至35個。如果觀察剖面的15μm內存在的突起物的個數小於2個，則存在粘接強度減弱的問題，因此並不優選；如果突起物的個數超過35個，則突起物與突起物之間的間距變窄，從而使銅箔表面與突起物之間的緊貼性減弱，因此粘接強度反而減小，故並不優選。zn被覆膜層的形成步驟然後，實施在所述形成的粗糙化處理層上形成zn被覆膜層的第三步驟s300。被覆膜層用於使純zn或zn合金被覆膜層析出形成，可使用的zn合金包括：zn-ni合金、zn-mo合金、zn-cr合金、zn-co合金、zn-ni-co合金、zn-ni-mo合金、zn-co-mo合金。被覆膜層形成時電解浴的組成優選包含：zn金屬離子0.5g/l～15g/l；ni、mo、cr、co中的至少一種金屬離子0.1g/l～10g/l。ph優選為3.0～4.0，電流密度優選為0.1～3a/dm2，處理時間優選為1～4秒，並優選在常溫下實施，然而實施條件並非必須局限於此，可在通常可用的條件下形成被覆膜層。鉻酸鹽層形成步驟在形成所述zn被覆膜層之後實施形成電解鉻酸鹽層的第四步驟s400。當形成電解鉻酸鹽層時，電解浴的cro3濃度優選為0.1～10g/l，ph優選4.0～5.0，電流密度優選0.2～2a/dm2，處理時間優選2～5秒，並優選在常溫下實施，然而實施條件並非必須局限於此，可在通常可用的條件下形成電解鉻酸鹽層。如果在zn被覆膜層上實施鉻酸鹽處理，就會形成由氫氧化鉻和氧化鉻構成的防鏽層。矽烷偶聯劑處理層形成步驟最後，實施在所述鉻酸鹽層上部形成矽烷偶聯劑處理層的第五步驟s500。矽烷偶聯劑處理優選以如下方式實施：將0.005～2wt％的矽烷偶聯劑稀釋到水中，並塗布在所述鉻酸鹽層上，且進行乾燥。然而，實施條件並非必須局限於此，可在通常可用的條件下形成被覆膜層。參考地，圖4為表示根據本發明的表面處理銅箔的剖面的sem照片。對於如上所述地實施矽烷偶聯劑處理層形成步驟為止的所有步驟的經表面處理的銅箔而言，如圖4所示，下端形成有突起物。而且，圖5為表示根據本發明的表面處理銅箔的剖面的示意圖。如上所述，金屬合金層上形成突起物，並可認識到依次形成有zn被覆膜層、鉻酸鹽層、矽烷偶聯劑處理層。[實施例]以下，通過實施例更加詳細地說明本發明。為了測量根據本實施例的微電路基板用表面處理銅箔的剝離強度、殘渣、蝕刻性等，對如下的實驗組進行了測試。在所述實施例及比較例中，形成被覆膜的步驟、在所述被覆膜層上形成電解鉻酸鹽層的步驟、在所述電解鉻酸鹽層上形成矽烷偶聯劑處理層的步驟均在通常可用的條件下實施，並對通過電解處理而形成金屬合金層的步驟及粗糙化處理層的形成步驟加以變化，從而對本發明的微電路基板用表面處理銅箔的殘渣、蝕刻性、剝離強度及表面粗糙度進行了比較。本發明的實施例及比較例的實驗條件如下。(實施例1)首先，實施例1為了在以如上所述的方法製造的銅箔表面形成金屬合金層，通過使用具有ni離子或co離子10g/l、w離子或mo離子0.5g/l、cu離子或fe離子10g/l範圍的電解液而對銅箔進行了電解鍍覆。在執行鍍覆時，以0.5～10a/dm2的電流密度執行1～5秒時間的電解鍍覆，從而在銅箔表面形成了金屬合金層。在實施例1中只形成金屬合金層，然後省去通過粗糙化處理而形成突起物的步驟，並依次實施zn被覆膜層形成步驟、電解鉻酸鹽層形成步驟、矽烷偶聯劑處理層形成步驟。zn被覆膜層的形成在如下的條件下形成了zn被覆膜層：znso4·h2o5g/l；ph3.0；電流密度1a/dm2；處理時間4秒；常溫。而且，鉻酸鹽形成在如下的條件下形成了鉻酸鹽：cro3濃度5g/l；ph5.0；電流密度0.5a/dm2；處理時間4秒；常溫。並且，矽烷偶聯劑處理層在所述鉻酸鹽層形成之後，將3-縮水甘油基氧丙基三甲氧基矽烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)0.1wt％水溶液通過噴射塗布，然後在150℃的乾燥爐中進行30秒乾燥而形成了矽烷偶聯劑處理層。(實施例2)實施例2為了在通過所述方法製造的銅箔表面形成金屬合金層，使用具有ni離子或co離子10g/l、w離子或mo離子0.5g/l、cu離子或fe離子10g/l範圍的電解液對銅箔進行了電解鍍覆。鍍覆時以0.5g/l～10a/dm2的電流密度進行了1～5秒的電解鍍覆，從而在銅箔表面形成了金屬合金層。在形成金屬合金層之後，為了形成突起物的粗糙化處理，使用具有cu10g/l、h2so470g/l、w0.020g/l範圍的電解液而形成了粗糙化處理層。在實施例2中，在進行粗糙化處理時，以35a/dm2的電流密度執行了1～5秒的電解而形成了粗糙化處理層，並在相同的條件下實施了第二次粗糙化處理。然後，依次實施了zn被覆膜層形成步驟、電解鉻酸鹽層形成步驟、矽烷偶聯劑處理層形成步驟，並以與實施例1相同的處理條件進行了實施。(實施例3)實施例3為了在通過如上所述的方法製造的銅箔表面形成金屬合金層，使用具有ni離子或co離子10g/l、w離子或mo離子0.5g/l、cu離子或fe離子10g/l範圍的電解液而對銅箔進行了電解鍍覆。在鍍覆時以0.5g/l～10a/dm2的電流密度執行了1～5秒的電解鍍覆，從而在銅箔表面形成了金屬合金層。在形成金屬合金層之後，為了執行用於形成突起物的粗糙化處理，使用具有cu25g/l、h2so4125g/l、mo0.5g/l、w0.010g/l範圍的電解液而形成了粗糙化處理層。在實施例3中，粗糙化處理時以35a/dm2的電流密度實施了1～5秒的電解，從而形成了粗糙化處理層，並以相同的條件實施了第二次粗糙化處理。然後，依次實施了zn被覆膜層形成步驟、電解鉻酸鹽層形成步驟、矽烷偶聯劑處理層形成步驟，並以與實施例1相同的條件進行了實施。(比較例1)比較例1省去了在通過如上所述的方法製造的銅箔形成金屬合金層的步驟，並直接對銅箔實施了粗糙化處理。在比較例1中，為了粗糙化處理，使用具有cu10g/l、h2so470g/l、w0.020g/l範圍的電解液而形成了粗糙化處理層。在比較例1中，粗糙化處理時以35a/dm2的電流密度進行了1～5秒的電解，從而形成了粗糙化處理層，並以相同的條件實施了第二次粗糙化處理。然後，依次實施了zn被覆膜層形成步驟、電解鉻酸鹽層形成步驟、矽烷偶聯劑處理層形成步驟，處理條件採用了與實施例1相同的條件。(比較例2)比較例2省去了在通過如上所述的方法製造的銅箔上形成金屬合金層的步驟，並直接對銅箔實施了粗糙化處理。在比較例2中，為了執行粗糙化處理，使用具有cu25g/l、h2so4125g/l、mo0.5g/l、w0.010g/l範圍的電解液而形成了粗糙化處理層。比較例2中粗糙化處理時以35a/dm2的電流密度進行了1～5秒的電解，從而形成粗糙化處理層，並以相同條件實施了第二次粗糙化處理。然後，依次實施了zn被覆膜層形成步驟、電解鉻酸鹽層形成步驟、矽烷偶聯劑處理層形成步驟，處理條件採用了與實施例1相同的條件。下列表1為表示以實施例1至3及比較例1、2的條件執行表面處理的銅箔的表面粗糙度(rz,rmax)、剝離強度、殘渣及蝕刻性的表。表面粗糙度rz及rmax根據jisb0601-1994規範而測量。剝離強度以如下方式測定：在無滷半固化片中將準備的試片以10×100mm尺寸貼附，並在210℃下實施30分鐘的熱軋壓實加工，從而製備出剝離強度測量試片，並將製備的測量試片以每分鐘50mm的速度設定在u.t.m.設備。在下列表1的「殘渣」項目中「o」表示銅箔表面處理之後並未生成殘渣，「x」表示表面處理之後生成了殘渣。並且，在下列表1的「蝕刻性」項目中的「o」表示蝕刻之後並不存在殘留於基材的殘留銅或合金層，「x」表示蝕刻之後殘留於基材的殘留銅或合金層大量存在。作為參考，表面粗糙度(rz,rmax)的值越小，表示凹凸越小。[表1]參考所述表1，對於省去粗糙化處理並只實施金屬合金層處理的實施例1而言，表面粗糙度rz和rmax分別為1.10μm和1.90μm，剝離強度為0.57kgf/cm，由此可知其特性優良。而且，並不存在殘渣，其表現為蝕刻性也優良。實施例2和實施例3是將粗糙化處理條件被設定為如上所述地不同的實施例。對於在粗糙化處理電解液中包含cu、h2so4、w而形成粗糙化處理層的實施例2而言，表面粗糙度rz和rmax分別為1.30μm和1.92μm，且剝離強度表現為0.89kgf/cm，由此可知，在表面粗糙度和剝離強度方面均優於省去粗糙化處理的實施例1。另外，對於作為在與實施例2相同的粗糙化處理條件下省去金屬合金層處理並執行表面處理的情形的比較例1而言，表面粗糙度rz和rmax分別為2.00μm和2.84μm，且剝離強度為0.52kgf/cm，其表現出表面粗糙度及剝離強度均劣於實施例2，而且表現出表面處理過後還生成殘渣。並且，實施例3為粗糙化處理電解液中包含cu、h2so4、mo、w而形成粗糙化處理層的實施例，對於實施例3而言，表面粗糙度rz和rmax分別為1.80μm和2.22μm，且剝離強度表現為0.92kgf/cm，由此可見，實施例3的表面粗糙度及剝離強度也比起省去粗糙化處理的實施例1表現得更加優良。另外，對於作為在與實施例3相同的粗糙化處理條件下省去金屬合金層處理並執行表面處理的情形的比較例2而言，表面粗糙度rz和rmax分別為2.50μm和3.27μm，且剝離強度表現為0.72kgf/cm，其表現為表面粗糙度和剝離強度均劣於實施例3，而且在表面處理過後還生成殘渣，其表現為蝕刻性亦並不良好。對於本發明的實施例而言，為了使經表面處理的銅箔的表面粗糙度、剝離強度及蝕刻性等變得優良，優選在金屬合金層處理過後實施粗糙化處理，從而對銅箔進行表面處理。對於在本發明所屬的
技術領域：
：中具有基本知識的人員，能夠在不改變本發明的技術思想或者其必要特徵的前提下以其他具體形態實施本發明，這是可以理解的。因此，應當理解為以上記載的實施例在所有方面均為示例性的，其並非限定性實施例。本發明的範圍並非由如上所述的詳細說明限定，而是由權利要求書體現，可從權利要求書的含義、範圍及其等價概念得出的所有變更或變形的形態都應當解釋為包含於本發明的範圍中。當前第1頁12當前第1頁12