一種電路控制系統及控制方法
2023-07-26 10:14:01 2
一種電路控制系統及控制方法
【專利摘要】本發明提供了一種電路控制系統及控制方法，所述系統包括控制電路、驅動電路、負載電路、電源輸入端和電源輸出端，其中：控制電路與驅動電路相連，驅動電路與負載電路相連，驅動電路和負載電路的第一連接點與電源輸入端相連，驅動電路和負載電路的第二連接點與地線相連；電源輸出端與負載電路相連。本發明實施例提供的一種電路控制系統，驅動電路與負載電路採用同一電源通過電源輸入端同時為驅動電路和負載電路提供電源，與現有技術中需要為驅動電路提供獨立電源的方式相比，本發明有效的降低了電路控制系統的成本，同時簡化了電路結構。
【專利說明】一種電路控制系統及控制方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路【技術領域】，更具體地說，涉及一種電路控制系統及控制方法。
【背景技術】
[0002]MOSFET場效應管(M0S管)是一種電壓控制型功率半導體器件，其具有開關速度高，輸入阻抗高，驅動功率低，導通電阻具有正的溫度係數，熱穩定性好，安全工作區寬等優點。因此，MOS管在工業應用領域一些控制等裝置中被廣泛採用。在利用MOS管的最基本一點是柵極驅動電路的設計。在實際的電路中，控制驅動信號與MOS管的連接一般要做到電氣上的隔離。
[0003]目前MOSFET場效應管的驅動隔離主要採用光電耦合器的方式。即在利用光電耦合器進行驅動隔離時需要外接有源驅動電源，它需要獨立的電源，驅動電路的時延可以根據主迴路開關頻率的要求選擇相應工作速度的光電耦合器來達到要求，且驅動信號的寬度不受限制，但是利用光電耦合器隔離的驅動電路需要獨立的電源，為此不僅增加了電路的複雜性還增加了使用成本。
【發明內容】
[0004]有鑑於此，本發明的目的是提供一種電路控制系統及控制方法，以節省系統成本，簡化電路結構。
[0005]為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0006]一方面，本發明提供了一種電路控制系統，包括控制電路、驅動電路、負載電路、電源輸入端和電源輸出端，其中:
[0007]所述控制電路與所述驅動電路相連，所述驅動電路與所述負載電路相連，所述驅動電路和所述負載電路的第一連接點與所述電源輸入端相連，所述驅動電路和所述負載電路的第二連接點與地線相連；所述電源輸出端與所述負載電路相連。
[0008]優選的，所述驅動電路包括分壓電路、光電隔離電路、恆流電路和二極體，所述分壓電路與所述光電隔離電路相連，所述光電隔離電路與所述恆流電路相連，所述恆流電路與所述二極體相連，所述二極體與地線相連。
[0009]優選的，所述負載電路包括P溝道MOSFET場效應管、整流二極體和負載，其中:所述P溝道MOSFET場效應管的漏極與所述整流二極體的正極相連，源極連接所述分壓電路，柵極與所述光電隔離電路及所述控制電路相連；所述整流二極體的負極與所述負載的一端相連，所述負載的另一端與所述地線連接。
[0010]優選的，所述電源輸入端位於所述分壓電路與所述P溝道MOSFET場效應管的源極的連接線上；
[0011]所述電源輸出端位於所述整流二極體與所述負載的連接線上。
[0012]優選的，所述恆流電路包括:
[0013]第一 PNP型三極體、第二 PNP型三極體、第一電阻和第二電阻；所述第一 PNP型三極體的基極與發射極之間與第一電阻連接；所述第二 PNP型三極體的基極與集電極與所述第二電阻相連，所述第一 PNP型三極體的集電極與所述第二 PNP型三極體的基極相連；所述第二 PNP型三極體的發射極與所述第一電阻相連。
[0014]優選的，所述分壓電路包括:
[0015]第三電阻和穩壓二極體；所述第三電阻與所述穩壓二極體並聯連接，所述穩壓二極體的正極與所述P溝道MOSFET場效應管的柵極相連，所述穩壓二極體的負極與所述P溝道MOSFET場效應管的源極相連。
[0016]優選的，所述光電隔離電路具體為光電耦合器。
[0017]優選的，所述控制電路包括:
[0018]施密特反相器和第四電阻，所述施密特反相器與所述第四電阻串聯連接，所述第四電阻與所述光電耦合器串聯連接。
[0019]另一方面，本發明提供了一種驅動電路控制方法，應用於上述的電路控制系統，所述方法包括:
[0020]所述控制電路控制所述驅動電路形成迴路，電源輸入端為所述驅動電路提供電源，使所述驅動迴路導通；
[0021]在所述驅動電路驅動下，所述電源輸入端為所述負載電路提供電源，所述負載電路導通。
[0022]優選的，所述負載電路導通包括:
[0023]所述控制電路通過施密特反相器發送開通信號，所述光電隔離電路獲取開通信號後，所述光電耦合器的集電極和發射機連通，將所述驅動電路導通；
[0024]在所述驅動電路中所述穩壓二極體的驅動下，所述P溝道MOSFET場效應管的柵極與源極間產生電壓差，驅動所述P溝道MOSFET場效應管導通；
[0025]所述電源輸入端通過所述P溝道MOSFET場效應管、所述整流二極體為所述負載提供電源，所述負載電路導通。
[0026]與現有技術相比，本發明的優點如下:
[0027]本發明實施例提供的一種電路控制系統，驅動電路與負載電路採用同一電源通過電源輸入端同時為驅動電路和負載電路提供電源，與現有技術中需要為驅動電路提供獨立電源的方式相比，本發明有效的降低了電路控制系統的成本，同時簡化了電路結構。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發明實施例提供的一種電路控制系統的一種結構示意圖；
[0030]圖2為本發明實施例提供的一種電路控制系統的另一種結構示意圖；
[0031]圖3為本發明實施例提供的一種電路控制系統的再一種結構示意圖；
[0032]圖4為本發明實施例提供的一種電路控制方法的一種流程圖；
[0033]圖5為本發明實施例提供的一種電路控制方法的另一種流程圖。
【具體實施方式】
[0034]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0035]請參考圖1，其示出了本發明實施例提供的一種電路控制系統的一種結構示意圖，該控制系統包括:控制電路10、驅動電路11、負載電路12、電源輸入端13和電源輸出端14，其中:
[0036]控制電路10與驅動電路11相連，驅動電路11與負載電路12相連，驅動電路11和負載電路12的第一連接點與電源輸入端13相連，驅動電路11和負載電路12的第二連接點與地線相連；電源輸出端14與負載電路12相連。
[0037]本發明實施例提供的一種電路控制系統，驅動電路與負載電路採用同一電源通過電源輸入端同時為驅動電路和負載電路提供電源，與現有技術中需要為驅動電路提供獨立電源的方式相比，本發明有效的降低了電路控制系統的成本，同時簡化了電路結構。
[0038]請參考圖2，其示出了本發明實施例提供的一種電路控制系統的另一種結構示意圖,其中:驅動電路11包括分壓電路110、光電隔離電路111、恆流電路112和二極體113，分壓電路110與光電隔離電路111相連，光電隔離電路111與恆流電路112相連，恆流電路112與二極體113相連，二極體113與地線相連。
[0039]負載電路12包括P溝道MOSFET場效應管120、整流二極體121和負載122，其中:P溝道MOSFET場效應管120的漏極與整流二極體121的正極相連，源極連接分壓電路110，柵極與光電隔離電路111及控制電路10相連；整流二極體121的負極與負載122的一端相連，負載122的另一端與地線連接；電源輸入端13位於分壓電路與P溝道MOSFET場效應管120的源極的連接線上；電源輸出端14位於整流二極體與負載的連接線上。
[0040]其中，驅動電路11中的分壓電路110、光電隔離電路111、恆流電路112和二極體113之間是相互串聯的，且二極體113除了與恆流電路112相連的一端，其另一端是與地線相連接的。
[0041]P溝道MOSFET場效應管120的源極與電源輸入端13相連，漏極與整流二極體121相連，整流二極體121與負載122相連，負載122與地線相連，形成一個負載迴路。P溝道MOSFET場效應管120的源極與分壓電路110相連，分壓電路110與光電隔離電路111相連，光電隔離電路111與恆流電路112相連，恆流電路112與二極體113相連，二極體113與地線相連，形成一個驅動迴路。驅動電路11與負載電路12採用同樣的輸入電源端，通過同樣的輸入電源控制，所以無需增加額外的驅動電源，便可完成自驅動功能。
[0042]其中電路控制系統中的控制電路10與光電隔離電路111相連，故控制電路10可以通過控制光電隔離電路111來控制驅動電路11的導通，以達到驅動功率負載的目的。
[0043]為了實現對驅動電路11的保護，驅動電路11中的二極體113 —般選擇整流二極體。需要說明的是，二極體113的類型可以根據系統的實際需要自行設定，並不是一定的，它可以選擇具有相同功能的不同型號的二極體。
[0044]在負載電路12中的P溝道MOSFET場效應管120、整流二極體121和負載122間的連接方式為串聯連接，其中負載電路12中的整流二極體在電路中起保護的作用，避免了外部電壓接反時造成負載電路12中器件的損壞。
[0045]本發明實施例提供的一種電路控制系統，通過P溝道MOSFET場效應管120與光電隔離電路111連接控制負載電路12的導通、關斷狀態，即當驅動電路11導通時，相應的負載電路12在P溝道MOSFET場效應管111的驅動下也將導通，使得輸入端同時為驅動電路11和負載電路12同時提高電源，以供電路正常導通，與現有技術中需要額外增加驅動電源相比，本發明提供的電路的控制系統有效的節省了系統成本，簡化了電路結構，提高了系統的穩定性。
[0046]請參考圖3，其實出了本發明實施例提供一種電路控制系統的再一種結構示意圖，在圖1的基礎上，控制系統還可以包括:第一 PNP型三極體25、第二 PNP型三極體27、第一電阻28、第二電阻26、第三電阻23和穩壓二極體24、光電耦合器22、施密特反相器20和第四電阻21，其中:
[0047]第一 PNP型三極體25的基極與發射極之間與第一電阻28連接；第二 PNP型三極體27的基極與集電極與第二電阻26相連，第一 PNP型三極體25的集電極與第二 PNP型三極體27的基極相連；第二 PNP型三極體27的發射極與第一電阻28相連；第三電阻23與穩壓二極體24並聯連接，穩壓二極體24的正極與P溝道MOSFET場效應管120的柵極相連，穩壓二極體24的負極與P溝道MOSFET場效應管120的源極相連，組成分壓電路110 ;利用穩壓二極體24的原理來穩定P溝道MOSFET場效應管120柵源兩端的電壓，不管外部輸入電壓怎麼變化，均可保護P溝道MOSFET場效應管柵源兩端電壓不超過穩壓二極體24的擊穿電壓值；施密特反相器20與第四電阻21串聯連接，第四電阻21與光電耦合器22串聯連接。
[0048]本發明實施例提供的電路控制系統中採用施密特反相器20對控制電路10中的電平進行轉換，控制電路10中輸出電路的導通與斷開；採用光電耦合器22作為光電隔離器件，控制電路10和驅動電路11之間的信號隔離；
[0049]當輸出電路得到開通信號後，驅動電路中的光電耦合器22的集電極和發射極連通，使驅動電路11形成迴路，P溝道MOSFET場效應管120的柵級和源級之間產生電壓差，使P溝道MOSFET場效應管120導通。
[0050]當P溝道MOSFET場效應管120導通後，負載電路12由電源輸入端13開始，經過P溝道MOSFET場效應管120的源極、漏極和整流二極體121，將電源傳輸至負載122，負載122與地線連接形成負載迴路，當負載電路12獲取到電源信號後，負載得電，輸出電路處於導通狀態。
[0051]需要說明的是，施密特反相器可以是74LVC1G14型號的，光電耦合器可以為TLP127型號的；P溝道MOSFET場效應管具體可以是IRF9640S型號的。且電路中的各器件之間通過導線相連。
[0052]在本發明實施例提供的控制系統中，驅動電路11和負載電路12均通過電源輸入端13為電路提供電源。當電源輸入端13有電源輸入時，電路中的控制電路10控制驅動電路中的光電稱合器22處於工作狀態，在光電稱合器22導通的情況下，驅動電路11形成迴路，同時驅動電路11中的分壓電路110使P溝道MOSFET場效應管120的柵極和源極產生電壓差，當P溝道MOSFET場效應管120的柵極和源極產生電壓差後，包含P溝道MOSFET場效應管120的負載電路12導通，即電源通過電源輸入端13傳輸至電源輸入端14，電源輸入端14為負載122提供電壓，以實現對負載122的供電。當無電源輸入時，控制電路10在沒有接收到電源信號的情況下，將驅動電路11中的光電耦合器22控制在截止狀態下，故驅動電路11處於截止狀態；以至於負載電路12中的P溝道MOSFET場效應管120也處於截止狀態，故不能為負載122正常供電。本發明實施例中提供的電路控制系統，為驅動電路11和負載電路12設置了同一電源輸入端13，即當電路正常工作時，電源輸入端13同時為驅動電路11和負載電路12提供電源，以控制電路控制系統的正常工作，這樣無需外接電源，不僅簡化了電路控制系統的結構，還節省了電路控制系統的成本。
[0053]需要說明的是，電路中的光電耦合器22的發光二極體的導通壓降為1.15V。由電路原理可知，在控制電路11中，當控制信號為高電平時，通過施密特反相器20將其轉變為低電平，光電耦合器22前級導通，發光二極體得電，此時電路電流IF = (5-1.15) + Ik =
3.85mA。
[0054]根據電流傳輸比(CTR Current Transfer Rat1)的表達式:CTR = IC/IF計算電流傳輸比。由於光電I禹合器22的電流傳輸比CTR最小可達到1000%,所以可確保光電f禹合器22有足夠的集電極電流。反之，當控制信號為低電平時，光電耦合器22斷開，集電極電流為O。
[0055]在驅動電路11中，光電耦合器22導通後集電極與發射極之間的電壓VCE為IV，二極體V7的壓降為IV。
[0056]由於恆流電路112中採用PNP三極體，根據PNP三極體電壓恆定的特點，可知Vbe取值為0.6V，第一 PNP三極體25的基極與發射極之間並聯第一電阻28，產生固定電流，IR2=Vbe + R2 = 0.6 + 300 = 2mA，其中該固定電流可按實際情況進行調整，調整簡單易行。
[0057]同時採用PNP三極體Vbc可承受較大電壓的特點，將驅動電路11中除第三電阻23、光電耦合器22後端、第一 PNP型三極體25和第二 PNP型三極體27的BE極、二極體113的壓降外，其他電壓全部加載在第二 PNP三極體27的基極與集電極兩端，也即加載在第二電阻26上，確保了電路的穩定以及適應性。
[0058]當驅動電路11導通時，第一 PNP三極體25和第二 PNP三極體27兩者均工作在放大狀態，其基極電流很小可以忽略，故驅動電路11的總電流可約為第一電阻28和第二電阻26流過的電流和，其可按下述過程計算實現:
[0059]當電源輸入電壓為IlOV時，光電耦合器22導通後，驅動電路11形成迴路。
[0060]第三電阻23上的壓降VRl為變量，那麼第二電阻26上的壓降為:
[0061]VR3 = IlOV — VRl — VCE — VBE — VBE — VV7
[0062]= IlOV - VRl — IV — 0.6V — 0.6V — IV
[0063]= 106.8V - VRl0
[0064]其中，通過第一電阻28的電流為:IR2 = 2mA。
[0065]其中，通過第二電阻26的電流為:
[0066]IR3 = VR3 + R3 = (106.8V — VRl) +100k。
[0067]其中，驅動電路11中的總電流為:
[0068]I = IR2+IR3 = 2mA+(106.8V — VRl) +100k。
[0069]其中，通過第三電阻23的電壓為:
[0070]VRl = IXRl = [2mA+(106.8V — VRl) + 100k] X5k。
[0071]根據上述各式依次計算，即可獲得通過第三電阻23的電壓VRl為14.6V，驅動電路11電流I約為2.9mA。
[0072]在P溝道MOSFET場效應管120導通後，P溝道MOSFET場效應管120的源極與漏極間的電阻為0.5Ω。
[0073]其中P溝道MOSFET場效應管120源極與漏極之間的壓降是根據負載電路12電流的大小確定的，整流二極體121工作時的壓降為1.2V。即當負載電流為IA時，本輸出電路開通時的壓降V = 1X0.5+1.2 = 1.7V，可知輸出電路導通時的壓降很小，對整個負載電路來說可忽略不計。
[0074]需要說明的是，輸出電路即為負載電路導通時，電源輸出端與負載的一端相連，負載的另一端接地的部分電路。
[0075]當控制電路10中的控制信號使得輸出電流得到關斷信號後，光電耦合器22的集電極和發射極斷開，以至於驅動電路11連通斷開，P溝道MOSFET場效應管120失去驅動電壓，使其源極和漏極之間斷開，負載電路12斷開，故使得負載122失去供電源，輸出電路處於關斷狀態。
[0076]對於負載電路12而言，P溝道MOSFET場效應管120開通後，電源輸入端13通過P溝道MOSFET場效應管120，經整流二極體121，提供電源電壓給負載122，負載122得到供電電壓後即可工作；P溝道MOSFET場效應管120關斷，負載電路12斷開，負載122失電，則輸出電路停止工作。
[0077]本發明實施例提供的一種電路控制系統中，通過採用PNP三極體Vbc可承受較大電壓的特點，將驅動電路其餘的電壓加載在PNP三極體的兩端，以保護驅動電路穩定可靠工作；同時根據穩壓二極體的原理，穩定P溝道MOSFET場效應管柵源兩端的電壓，不管外部輸入電壓怎麼變化，均可保護P溝道MOSFET場效應管柵源兩端電壓不超過穩壓二極體的擊穿電壓值，有效的保障了控制系統中各電路器件的正常工作。
[0078]與上述系統的實施例相對應，本發明實施例還提供了一種電路控制方法，應用於電路的控制系統，請參考圖4，其示出了本發明實施例提供的一種電路控制方法的一種流程圖，可以包括以下步驟:
[0079]步驟101:控制電路控制所述驅動電路形成迴路，電源輸入端為驅動電路提供電源，使驅動迴路導通。
[0080]步驟102:在驅動電路驅動下，電源輸入端為負載電路提供電源，負載電路導通。
[0081]本發明實施例提供的一種電路控制方法，驅動電路與負載電路採用同一電源通過電源輸入端同時為驅動電路和負載電路提供電源，與現有技術中需要為驅動電路提供獨立電源的方式相比，本發明有效的降低了電路控制系統的成本，同時簡化了電路結構。
[0082]請參考圖5，其示出了本發明實施例提供的一種電路控制方法的另一種流程圖，可以包括以下步驟:
[0083]步驟201:控制電路通過施密特反相器發送開通信號，光電隔離電路獲取開通信號後，使驅動電路形成迴路，輸入端為驅動電路提供電源使驅動迴路導通。
[0084]步驟202:在驅動電路中穩壓二極體的驅動下，P溝道MOSFET場效應管的柵極與源極間產生電壓差，驅動P溝道MOSFET場效應管導通。
[0085]步驟203:輸入端通過P溝道MOSFET場效應管、整流二極體為負載提供電源，負載電路導通。
[0086]當輸出電路得到開通信號後，驅動電路中的光電耦合器V2的集電極和發射極連通，使驅動電路形成迴路，P溝道MOSFET場效應管的柵級和源級之間產生電壓差，使P溝道MOSFET場效應管導通。
[0087]當P溝道MOSFET場效應管導通後，負載電路由電源輸入端開始，經過P溝道MOSFET場效應管的源極、漏極和整流二極體，將電源傳輸至負載，負載與地線連接形成負載迴路，當負載電路獲取到電源信號後，負載得電，輸出電路處於導通狀態。
[0088]當控制電路通過施密特反相器發送電路關斷信號，光電隔離電路獲取關斷信號後，驅動電路斷開。P溝道MOSFET場效應管的失去驅動電壓後，負載迴路斷開。
[0089]當控制電路中控制信號使得輸出電流得到關斷信號後，光電耦合器的集電極和發射極斷開，以至於驅動迴路連通斷開，P溝道MOSFET場效應管失去驅動電壓，使其源極和漏極之間斷開，負載電路斷開，故使得負載失去供電源，輸出電路處於關斷狀態。
[0090]本發明提供的一種電路控制方法，通過P溝道MOSFET場效應管與光電隔離電路連接控制負載電路的導通、關斷狀態，即當驅動電路導通時，相應的負載電路在P溝道MOSFET場效應管的驅動下也將導通，使得輸入端同時為驅動電路和負載電路同時提高電源，以供電路正常導通，與現有技術中需要額外增加驅動電源相比，本發明提供的電路控制方法有效的節省了系統成本，簡化了電路結構，降低了系統成本，提高了系統的穩定性。
[0091]本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對於實施例公開的裝置而言，由於其與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。
[0092]最後，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包括一個……」限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0093]對所公開的實施例的上述說明，使本領域技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
【權利要求】
1.一種電路控制系統，其特徵在於，包括: 控制電路、驅動電路、負載電路、電源輸入端和電源輸出端，其中: 所述控制電路與所述驅動電路相連，所述驅動電路與所述負載電路相連，所述驅動電路和所述負載電路的第一連接點與所述電源輸入端相連，所述驅動電路和所述負載電路的第二連接點與地線相連；所述電源輸出端與所述負載電路相連。
2.根據權利要求1所述的控制系統，其特徵在於，所述驅動電路包括分壓電路、光電隔離電路、恆流電路和二極體，所述分壓電路與所述光電隔離電路相連，所述光電隔離電路與所述恆流電路相連，所述恆流電路與所述二極體相連，所述二極體與地線相連。
3.根據權利要求2所述的控制系統，其特徵在於，所述負載電路包括P溝道MOSFET場效應管、整流二極體和負載，其中:所述P溝道MOSFET場效應管的漏極與所述整流二極體的正極相連，源極連接所述分壓電路，柵極與所述光電隔離電路及所述控制電路相連；所述整流二極體的負極與所述負載的一端相連，所述負載的另一端與所述地線連接。
4.根據權利要求3所述的控制系統，其特徵在於，所述電源輸入端位於所述分壓電路與所述P溝道MOSFET場效應管的源極的連接線上； 所述電源輸出端位於所述整流二極體與所述負載的連接線上。
5.根據權利要求2所述的控制系統，其特徵在於，所述恆流電路包括: 第一 PNP型三極體、第二 PNP型三極體、第一電阻和第二電阻；所述第一 PNP型三極體的基極與發射極之間與第一電阻連接；所述第二 PNP型三極體的基極與集電極與所述第二電阻相連，所述第一PNP型三極體的集電極與所述第二PNP型三極體的基極相連；所述第二PNP型三極體的發射極與所述第一電阻相連。
6.根據權利要求3所述的控制系統，其特徵在於，所述分壓電路包括: 第三電阻和穩壓二極體；所述第三電阻與所述穩壓二極體並聯連接，所述穩壓二極體的正極與所述P溝道MOSFET場效應管的柵極相連，所述穩壓二極體的負極與所述P溝道MOSFET場效應管的源極相連。
7.根據權利要求2所述的控制系統，其特徵在於，所述光電隔離電路具體為光電耦合器。
8.根據權利要求1所述的系統，其特徵在於，所述控制電路包括: 施密特反相器和第四電阻，所述施密特反相器與所述第四電阻串聯連接，所述第四電阻與所述光電耦合器串聯連接。
9.一種驅動電路控制方法，應用於權利要求1-8任一項所述的電路控制系統，其特徵在於，所述方法包括: 所述控制電路控制所述驅動電路形成迴路，電源輸入端為所述驅動電路提供電源，使所述驅動迴路導通； 在所述驅動電路驅動下，所述電源輸入端為所述負載電路提供電源，所述負載電路導通。
10.根據權利要求9所述的控制方法，其特徵在於，所述負載電路導通包括: 所述控制電路通過施密特反相器發送開通信號，所述光電隔離電路獲取開通信號後，所述光電耦合器的集電極和發射機連通，將所述驅動電路導通； 在所述驅動電路中所述穩壓二極體的驅動下，所述P溝道MOSFET場效應管的柵極與源極間產生電壓差，驅動所述P溝道MOSFET場效應管導通； 所述電源輸入端通過所述P溝道MOSFET場效應管、所述整流二極體為所述負載提供電源，所述負載電路導通。
【文檔編號】H03K17/689GK104467779SQ201410795248
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月18日 優先權日:2014年12月18日
【發明者】付如願, 汪文心 申請人:南車株洲電力機車研究所有限公司