具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器的製作方法
2023-07-26 23:59:06
專利名稱：具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器的製作方法
技術領域：
本發明一般涉及一種有機電致發光顯示器，更具體地，涉及一種使用頂部發光結構且具有一上蓋部分的有機電致發光顯示器，以達成高發光效率與高灰階對比的效果。
背景技術：
隨著可攜式電子產品如手機、數位相機或是個人數字助理的普及，平面顯示器(FPD)的性能也日益重要。平面顯示器主要包含液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器及有機電致發光顯示器等，目前較為普及的液晶顯示器因液晶本身不會發光，需要加裝背光板，而對於重量體積及成本上有不利的影響。
1987年美國柯達公司首先發表有機發光二極體(OLED)，在兩片電極間注入有機小分子材料；其後1990年英國劍橋大學發表高分子發光二極體(PLED)，在近十幾年來，由於各廠商的積極研發，因此有機發光層的材料、特性及相關技術均有大幅的突破。由於有機電致顯示器具有自發光、較大操作溫度範圍及廣視角的優點，因此可望成為主流的平面顯示器。
圖1是一傳統底部發光(Bottom emission)有機發光二極體組件10的剖視圖，該有機發光二極體組件10主要包含一玻璃基板100、在玻璃基板100上成預定圖案的陽極圖案層120、主要位於陽極圖案層120上的OLED發光多層結構140、位於OLED發光層140上的陰極層122、及位於陽極圖案層120之間作為隔絕用的絕緣區160。其中OLED發光多層結構140包含由下而上的電穴傳輸層(HTL)142、發光材料層(EML)144及電子傳輸層(ETL)146。在經由陽極圖案層120及陰極層122通入電流後，電子電穴分別經由電子傳輸層(ETL)146及電穴傳輸層(HTL)142在發光材料層(EML)144結合發光。為了定義圖素麵積與避免各個圖素之間的短路問題，在陽極圖案層120之間形成絕緣區160。然而在上述的傳統底部發光有機發光二極體組件10，由於是在發光側(下側)形成主動或是被動的驅動電路，因此會影響有機發光二極體組件10的開口率。
圖2A是另一傳統有機發光二極體組件10(NEC的日本專利JP No.10-106751)的俯視圖，而圖2B是圖2A中有機發光二極體組件10沿著線2B-2B的側視圖。該有機發光二極體組件10與圖1所示的有相近的組件，因此使用類似的組件編號，在陽極圖案層120的兩側各具有一金屬條180，以降低陽極圖案層120的阻抗。如圖2A所示，該金屬條180在有機發光二極體組件10中呈平行條狀分布。由於陽極圖案層120通常使用功函數(work function)較高的材料以提高電穴產生效率，如可以使用氧化銦錫(ITO)材料，因此會具有較大的阻抗，影響發光效率。金屬條180可使用功函數較陽極圖案層120小的材料，以降低陽極的整體阻抗，提升發光效率。
圖3A是本案同一申請人悠景科技股份有限公司的臺灣專利第228382號「有機平面發光顯示器及其製程」的俯視圖，而圖3B是圖3A中有機發光二極體組件10沿著線3B-3B的側視圖。該專利使用分布在畫素四周的金屬導線區域(PDRRM)，因此可在畫素區域四周注入電流，以增加發光效率且使其發光效率均勻。
美國專利No.5247190揭露一種可以提供頂部發光(Top emission)的有機發光二極體組件結構及材質，但是該專利並沒有提供解決全反射問題及使發光效率與對比最佳化的機制。參見圖8，Applied physics letters在2003年4月21日(PP.2715)公開一種用於頂部發光(Top emission)的有機發光二極體組件，該有機發光二極體組件包含由下至上的透明基板901、鋁903、ITO陽極905、OLED發光多層結構907及透明陰極層911，然而該有機發光二極體組件也沒有提供解決全反射問題及使發光效率與對比最佳化的機制。
發明內容
因此本發明的目的在於提供一具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器及其製作方法。
為實現本發明的上述目的，本發明提供一種有機電致發光顯示器，包含一具有頂部發光結構的有機電致發光部分，以及一上蓋部分。
依據本發明的實施例，該頂部發光結構的有機電致發光部分可具有由下至上的一基板，呈數組狀分布的絕緣區，位於基板及絕緣區之上且具有井狀側面的陰極層，位於絕緣區及陰極層之上的絕緣層，位於所得結構上的OLED發光多層結構及陽極層。自OLED發光多層結構發射的光線可以被位於其下的具有井狀側面的陰極層所反射，因此有較佳的向上發光效率及避免全反射問題。由於採用反轉式頂部發光結構，該基板可以是任何平坦的透光/不透光、軟/硬基板，可使該有機電致發光部分直接成膜於TFT之上，以提升有機電致發光顯示器開口率。
再者，該頂部發光結構的有機電致發光部分亦可以具有由下至上的透明基板、透明陽極、OLED發光多層結構及透明陰極層，由於採用頂部發光結構，該基板可以是任何平坦的透光/不透光、軟/硬基板，可使該有機電致發光部分直接成膜於TFT之上，以提升有機電致發光顯示器開口率。
該上蓋部分具有一封蓋，若干與該絕緣區相對應的黑色矩陣區，及位於黑色矩陣區之下的反射牆。該黑色矩陣區可以增加光色彩純度及灰階效率，並可降低不同圖素之間的幹擾。該反射牆可以反射來自有機電致發光部分的光線，以增加發光效率與及灰階對比，再者該黑色矩陣區之間亦可加入濾光層，以提供全彩應用。
為實現本發明的上述目的，本發明提供一種有機電致發光顯示器製作方法，包含製作一有機電致發光部分，製作一上蓋部分，及將該上蓋部分組裝於該有機電致發光部分上。
依據本發明的實施例，該製作有機電致發光部分步驟包含製備一基板，在基板上製作若干絕緣區，在所得結構上製作陰極層，在所得結構上製作絕緣層，在所得結構上製作OLED發光多層結構；在所得結構上製作陽極層。其中該製作若干絕緣區步驟包含先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質光阻，再利用微影製程，製作絕緣區。再者，該製作若干絕緣區步驟也可以用PVD、CVD等方式成長SiOx、SiNx、SiOxNy等無機膜，再利用微影蝕刻製程製作絕緣區。該製作絕緣層步驟包含先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質光阻，再利用微影製程製作絕緣層。
再者，該製作有機電致發光部分步驟亦可以是製備一基板，製作一陽極層於該基板上，製作OLED發光多層結構於所得結構，再製作一透明陰極層於所得結構。
該製作上蓋部分步驟包含製備一透光封蓋，製作對應於該絕緣區的黑色矩陣區，在黑色矩陣區上製作反射牆。其中該製作上蓋部分步驟還包含在黑色矩陣區之間形成若干濾光層。該製作黑色矩陣區步驟包含成長一層可作為黑色矩陣區的材質，再利用微影蝕刻製程，製作黑色矩陣區。該可作為黑色矩陣區的材質可以是金屬氧化物，如氧化鉻(CrOx)、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。
圖1是一傳統底部發光(Bottom emission)有機發光二極體組件的剖視圖。
圖2A是另一傳統有機發光二極體組件的俯視圖。
圖2B是沿著圖2A線2B-2B的剖視圖。
圖3A是另一傳統有機發光二極體組件的俯視圖。
圖3B是沿著圖3A線3B-3B的剖視圖。
圖4A是依據本發明一具體實施例的有機電致發光顯示器的俯視圖。
圖4B是沿著圖4A線4B-4B的剖視圖。
圖5A至圖5F是依據本發明的一具體實施例的有機電致發光部分製作方法。
圖6A至圖6E是依據本發明的一具體實施例的上蓋部分製作方法。
圖7A至圖7F是依據本發明的另一具體實施例的上蓋部分製作方法。
圖8是另一傳統有機發光二極體組件的側視圖。
圖9是依據本發明另一具體實施例的具有頂部發光結構的有機電致發光部分。
圖10A至圖10G是依據本發明另一具體實施例製作有機電致發光部分的流程圖。
具體實施例方式
為了使審查員能更進一步了解本發明為達成預定目的所採取的技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，相信本發明的目的、特徵與特點，當可由此得一深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。
圖4A是依據本發明一具體實施例的具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器20的俯視圖，圖4B則是沿著圖4A中線4B-4B的側視圖，該有機電致發光顯示器20包含一有機電致發光部分30及一上蓋部分40。該有機電致發光部分30具有由下至上的一基板300，呈數組狀分布的絕緣區360，位於基板300及絕緣區360之上且具有井狀側面的陰極層322，主要位於絕緣區360及陰極層322之上的絕緣層350，及位於所得結構上的OLED發光多層結構340及陽極層320。
該上蓋部分40具有一封蓋400，多數與該絕緣區360相對應的黑色矩陣區410，位於黑色矩陣區410之下的反射牆420，及位於黑色矩陣區410之間的濾光層(Color filter layer)430。
參見圖4B，自OLED發光多層結構340所發出的光線可以被具有井狀側面的陰極層322所反射，因此可以避免全反射問題，增加該有機電致發光顯示器20的發光效率。該濾光層430可以是具有不同色彩濾光層的組合，例如可以是紅色濾光層430R，綠色濾光層430G及藍色濾光層430B或其組合，搭配白色的OLED發光多層結構340即可提供全彩用途。再者在圖4B中，亦可以省卻所示的濾光層430，而該OLED發光多層結構340可以是多數色彩的OLED發光多層結構340，如紅色OLED發光多層結構340R，綠色OLED發光多層結構340G及藍色OLED發光多層結構340B，亦可以達成全彩的效果。
上述的黑色矩陣區410可以防止漏光及漏光造成的漏電流，增加光源色彩純度與灰階效率及避免不同顏色OLED發光多層結構340的發光相互幹擾。而該反射牆420可以避免有機光源向四周非顯示區域溢射與損失，並使其光源有效利用。在大尺寸有機電致發光顯示器面板封蓋上，該反射牆420可當支撐牆(Supporter)以防止上蓋部分40彎曲變形。該具有井狀側面的陰極層322可定義畫素髮光區域，避免有機光源向四周非顯示區域逸射與損失，並使其光源有效利用。當使用不同顏色OLED發光多層結構340時，該陰極層322可增加光源色純度與灰階效率及增加視角的清晰程度。再者，該陰極層322可使該有機電致發光顯示器20不受外在光源的幹擾，可以增加其對光源的解析能力。該陰極層322可使光源反射，進而僅允許光源從ITO等透明電極顯示面射出。
在上述具體實施例中，該絕緣區360是絕緣材質，例如可以是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等無機膜材質。該陰極層322可使用高導電係數與高反射率的材質製作；例如金、銀、鋁、銅與鉻等材質或多層複合高導電材料。該絕緣層350可以是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等高透光性材質，且厚度可為0.5～5μm。該陽極層320可以是ITO、IZO或IWO等透明電極薄膜。該黑色矩陣區410是不透光的材質，例如可以是金屬氧化物(如氧化鉻(CrOx))、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。該反射牆420是具有高反射率的金屬或是非金屬材質。再者，由於本發明的有機電致發光顯示器20是頂部發光結構，因此基板300可以是任何平坦的透光/不透光、軟/硬基板。本發明的有機電致發光顯示器20可以直接成膜在薄膜電晶體(TFT)之上，有助於提升開口率，增加外部量子產率。
再者，由於底部陰極層322被上層的OLED發光多層結構340、及陽極層320保護，有助於延長組件壽命。分布畫素四周的具有井狀側面的陰極層322與反射牆420與黑色矩陣區410形成立體遮蔽區域，使光源能充分有效利用。
再者，該頂部發光結構的有機電致發光部分亦可以具有由下至上的透明基板、ITO陽極、OLED發光多層結構及透明陰極層，由於採用頂部發光結構，該基板可以是任何平坦的透光/不透光、軟/硬基板，可使該有機電致發光部分直接成膜於TFT之上，以提升有機電致發光顯示器開口率。
圖5A至圖5F是依據本發明的一具體實施例的有機電致發光部分30製作方法，該方法包含下列步驟步驟S500製備一基板300，例如可以是一玻璃基板300，此步驟中還用清潔劑或去離子水等液體清洗該玻璃基板300(圖5A)。
步驟S510在基板300上製作若干絕緣區360，例如可以先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，再利用微影製程，製作絕緣區360；或以PVD、CVD方式成長SiOx、SiNx、SiOxNy等無機膜，再利用微影蝕刻製程製作絕緣區360(圖5B)。
步驟S520在所得結構上製作陰極層322，可先用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長金屬薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作金屬陰極層322圖案(圖5C)。
步驟S530在所得結構上製作絕緣層350，可先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，再利用微影製程，製作絕緣層350；或是利用PVD、CVD等方法成長無機膜如SiOx、SiNx、SiOxNy等高透光性材質，厚度約為0.5～5μm，再利用微影蝕刻製程，製作絕緣層350(圖5D)。
步驟S540在所得結構上製作OLED發光多層結構340，例如可以用蒸鍍方式成長OLED發光多層結構340(圖5E)。
步驟S550在所得結構上製作陽極層320，可以用濺鍍等方式成長ITO、IZO或IWO等透明電極薄膜(圖5F)。
圖9所示是依據本發明另一具體實施例的具有頂部發光結構的有機電致發光部分30′，該有機電致發光部分30′可以與一上蓋部分40部分共同組成一具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器20。如圖9所示，該有機電致發光部分30′具有由下至上的一基板300′，呈數組狀分布的絕緣區360′，位於絕緣區360′之上的反射金屬層370′，位於反射金屬層370′之上且被數組狀分布的絕緣區360′隔開的陽極層320′，位於陽極層320′之上且主要分布於絕緣區360′之上的絕緣層350′，位於陽極層320′及絕緣層350′之上的OLED發光多層結構340′及位於整個結構之上的透明陰極322′。
其中反射金屬層370′是採用具有高反射率的金屬材料，例如可以採用銀等金屬材料。該透明陰極322′可以採用具有高穿透性金屬材料，例如可以採用鋁、銀等金屬材料。而基板300′、絕緣區360′、陽極層320′、絕緣層350′、及OLED發光多層結構340′可以採用和圖4B所示中相對應組件相似的材料。
圖10A至圖10G是依據本發明另一具體實施例製作有機電致發光部分30′的流程圖。
步驟S800製備一基板300′，例如可以是一玻璃基板300′，此步驟中還用清潔劑或去離子水等液體清洗該玻璃基板300′(圖10A)。
步驟S810在基板300′上製作若干絕緣區360′，例如可以先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，再利用微影製程，製作絕緣區360′；或以PVD、CVD方式成長SiOx、SiNx、SiOxNy等無機膜，再利用微影蝕刻製程製作絕緣區360′(圖10B)。
步驟S820利用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長金屬薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作反射金屬層370′圖案，材質可以是銀或其它高反射性金屬材質(圖10C)。
步驟S830在所得結構上製作陽極層320′，可以用濺鍍等方式成長ITO、IZO或IWO等透明電極薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作陽極層320′(圖10D)。
步驟S840在所得結構上製作絕緣層350′，可先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，再利用微影製程，製作絕緣層350′；或是利用PVD、CVD等方法成長無機膜如SiOx、SiNx、SiOxNy等高透光性材質，厚度約為0.5～5μm，再利用微影蝕刻製程，製作絕緣層350′(圖10E)。
步驟S850在所得結構上製作OLED發光多層結構340′，例如可以用蒸鍍方式成長OLED發光多層結構340′(圖10F)。
步驟S860在所得結構上製作透明陰極322′，沉積金屬薄膜利用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長可透光金屬薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作透明陰極322′圖案，材質可以是鋁、銀或其它高穿透性金屬材質(圖10G)。
圖6A至圖6E是依據本發明的一具體實施例的上蓋部分40製作方法，該方法包含下列步驟步驟S600製備一透光封蓋400，例如可以是一玻璃封蓋400，此步驟中還用清潔劑或去離子水等液體清洗該玻璃封蓋400(圖6A)。
步驟S610成長一層可作為黑色矩陣區410的材質，例如可以是金屬氧化物(如氧化鉻(CrOx))、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。在黑色矩陣區410是氧化鉻(CrOx)的狀況下，可以用濺鍍等方式形成可作為黑色矩陣區410的材質(圖6B)。
步驟S620形成黑色矩陣區410圖案，可利用微影蝕刻製程，製作黑色矩陣區410，以防止色彩顏色混色、提高顏色灰階對比、避免外在光源幹擾及降低組件內部結構的陰極反射效果(圖6C)。
步驟S630在所得結構上成長一層可作為反射牆420的材質，例如可以是金、銀、鋁、銅與鉻等高反射率、不透光的金屬材質，或非金屬製作。此高反射(不透光性)材質的形成可以是沉積方式或以塗布方式(圖6D)。
步驟S640形成反射牆420圖案，可利用微影蝕刻製程，製作反射牆420，以形成高反射不透光的擋牆(圖6E)。
最後將如圖5F所示的有機電致發光部分30或圖10G所示的有機電致發光部分30′與如圖6E所示的上蓋部分40組合在一起即可行成本發明的具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器20。
圖7A至圖7F是依據本發明的另一具體實施例的上蓋部分40製作方法，該方法包含下列步驟步驟S700製備一透光封蓋400，例如可為一玻璃封蓋400，此步驟中還用清潔劑或去離子水等液體清洗該玻璃封蓋400(圖7A)。
步驟S710成長一層可作為黑色矩陣區410的材質，例如可以是金屬氧化物(如氧化鉻(CrOx))、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。在黑色矩陣區410是氧化鉻(CrOx)的狀況下，可以用濺鍍等方式形成可作為黑色矩陣區410的材質(圖7B)。
步驟S720形成黑色矩陣區410圖案，可利用微影蝕刻製程，製作黑色矩陣區410，以防止色彩顏色混色、提高顏色灰階對比、避免外在光源幹擾及降低組件內部結構的陰極反射效果(圖7C)。
步驟S730在黑色矩陣區410之間形成多數的濾光層430，該濾光層430可為具有不同色彩濾光層的組合，例如可以是紅色濾光層430R，綠色濾光層430G及藍色濾光層430B或其組合，搭配白色的OLED發光多層結構340即可提供全彩用途(圖7D)。
步驟S750在所得結構上成長一層可作為反射牆420的材質，例如可以是金、銀、鋁、銅與鉻等高反射率、不透光的金屬材質，或非金屬製作。此高反射(不透光性)材質的形成可以是沉積方式或以塗布方式(圖7E)。
步驟S760形成反射牆420圖案，可利用微影蝕刻製程，製作反射牆420，以形成高反射不透光的擋牆(圖7F)。
最後將如圖5F所示的有機電致發光部分30或圖10G所示的有機電致發光部分30′與如圖7F所示的上蓋部分40組合在一起即可行成本發明的具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器20。
再者，本發明的另一具體實施例的有機電致發光部分(未示出)製作方法亦可包含下列步驟製備一基板，製作一陽極層於該基板上，製作OLED發光多層結構於所得結構，再製作一透明陰極層於所得結構，依據該步驟即可製作非反置型式的頂部發光結構的有機電致發光部分。
依據本發明的有機電致發光顯示器亦可以在陽極圖案周圍或是邊緣上方加上一導電網狀結構，以降低陽極的片電阻，及提升面板亮度的均勻性，其中該導電網狀結構是金屬或複合材料材質。再者，還可以在所得結構上形成一霧面偏光膜，以增加視角。
因此，本發明確能藉上述所公開的技術，提供一種迥然不同於傳統的設計，能提高整體的使用價值，並且其申請前未公布於刊物或公開使用，所以已符合發明專利的要件，依法提出發明專利申請。
但是，上述所揭露的附圖、說明，僅是本發明的實施例而已，本領域的一般技術人員可依據上述的說明作出其它種種的改良，而這些改變仍屬於本發明的發明精神及以下所界定的權利要求中。
權利要求
1.一種有機電致發光顯示器，包含一具有頂部發光結構的有機電致發光部分；及及一上蓋部分，其中該上蓋部分具有一封蓋，若干黑色矩陣區；及位於黑色矩陣區之下的反射牆。
2.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中該有機電致發光部分具有由下至上的一基板，呈數組狀分布的絕緣區，位於基板及絕緣區之上且具有井狀側面的陰極層，位於所得結構上的OLED發光多層結構及陽極層。
3.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中該上蓋部分更具有位於黑色矩陣區之間的濾光(Color filter)層。
4.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該基板是一玻璃基板。
5.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該絕緣區是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等無機膜材質。
6.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該陰極層使用高導電係數與高反射率的材質。
7.如權利要求6所述的有機電致發光顯示器，其中該陰極層是金、銀、鋁、銅與鉻等材質或多層複合高導電材料。
8.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該絕緣層是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等高透光性材質。
9.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該絕緣層厚度可以是0.5μm～5μm。
10.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該陽極層可以是ITO、IZO或IWO等透明電極薄膜。
11.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中該黑色矩陣區是金屬氧化物、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。
12.如權利要求2所述的有機電致發光顯示器，其中該基板可以是任何平坦的透光/不透光、軟/硬基板。
13.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中該反射牆是具有高反射率的金屬或是非金屬材質。
14.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中該具有頂部發光結構的有機電致發光部分包含由下至上的透明基板、透明陽極、OLED發光多層結構及透明陰極層。
15.如權利要求14所述的有機電致發光顯示器，還包含一位於透明陽極下側的反射金屬層。
16.如權利要求15所述的有機電致發光顯示器，其中該反射金屬層包含銀的高反射率金屬材料。
17.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，還包含在所得結構上的一霧面偏光膜。
18.如權利要求14所述的有機電致發光顯示器，還包含一位於透明基板上且具有預定圖案的絕緣區及位於透明陽極與OLED發光多層結構之間的絕緣層。
19.如權利要求14所述的有機電致發光顯示器，其中透明陰極層包含銀或鋁等金屬的高穿透性金屬材料。
20.一種有機電致發光顯示器製作方法，包含製作一具有頂部發光結構的有機電致發光部分；製作一具有若干黑色矩陣區及反射牆的上蓋部分；及將該上蓋部分組裝於該有機電致發光部分上。
21.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作有機電致發光部分步驟包含製備一基板；在基板上製作若干絕緣區；在所得結構上製作陰極層；在所得結構上製作絕緣層；在所得結構上製作OLED發光多層結構；在所得結構上製作陽極層。
22.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作若干絕緣區步驟包含先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，再利用微影製程製作絕緣區。
23.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作若干絕緣區步驟包含以PVD、CVD方式成長氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等無機膜；及利用微影蝕刻製程製作絕緣區。
24.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作陰極層步驟包含先用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長金屬薄膜；及利用微影蝕刻製程製作金屬陰極層圖案。
25.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作絕緣層步驟包含先塗布聚醯亞胺(Polyimide)等材質，及利用微影製程製作絕緣層。
26.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作絕緣層步驟包含利用PVD、CVD等方法成長無機膜如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等高透光性材質，厚度約為0.5～5μm；及利用微影蝕刻製程，製作絕緣層。
27.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作OLED發光多層結構步驟是用蒸鍍方式成長OLED發光多層結構。
28.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作陽極層步驟是用濺鍍等方式成長ITO、IZO或IWO等透明電極薄膜。
29.如權利要求21所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該絕緣區是做成直角結構，以形成垂直井狀的金屬陰極層。
30.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作有機電致發光部分步驟包含製備一基板；製作一陽極層於該基板上；製作OLED發光多層結構於所得結構；及製作一透明陰極層於所得結構。
31.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作上蓋部分步驟包含製備一透光封蓋；製作對應於該絕緣區的黑色矩陣區；及在黑色矩陣區上製作反射牆。
32.如權利要求31所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作上蓋部分步驟還包含在黑色矩陣區之間形成若干濾光層。
33.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作黑色矩陣區步驟包含成長一層可作為黑色矩陣區的材質；及利用微影蝕刻製程製作黑色矩陣區。
34.如權利要求33所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該可作為黑色矩陣區的材質可以是金屬氧化物、聚醯亞胺(Polyimide)、丙烯酸鹽(Acrylate)、無電解電鍍鎳或是石墨(Graphite)等材質。
35.如權利要求31所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作反射牆步驟包含成長一層可作為反射牆的材質；及利用微影蝕刻製程製作反射牆。
36.如權利要求35所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該可作為反射牆的材質包含金、銀、鋁、銅與鉻等高反射率、不透光的金屬材質。
37.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該製作有機電致發光部分步驟包含製備一基板；製作具有預定圖案的絕緣區；製作一反射金屬層於所得結構上；製作一透明陽極層於所得結構上；製作一絕緣層於所得結構上；製作一OLED發光多層結構於所得結構上；及製作一透明陰極層於所得結構上。
38.如權利要求37所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該反射金屬層步驟是利用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長金屬薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作反射金屬層圖案。
39.如權利要求37所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該反射金屬層是包含銀的高反射率金屬材料。
40.如權利要求37所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該透明陰極製作步驟是利用濺鍍、蒸鍍、電子束或電鍍等製程成長可透光金屬薄膜，再利用微影蝕刻製程，製作透明陰極圖案。
41.如權利要求47所述的有機電致發光顯示器製作方法，其中該透明陰極材質可以是鋁、銀或其它高穿透性金屬材質。
42.如權利要求20所述的有機電致發光顯示器製作方法，還包含在所得結構上形成一霧面偏光膜。
全文摘要
一種具有高發光效率與高灰階對比的有機電致發光顯示器，該有機電致發光顯示器包含一有機電致發光部分及一上蓋部分。該有機電致發光部分為一頂部發光結構，且具有由下至上的一基板，呈數組狀分布的絕緣區，位於基板及絕緣區之上且具有井狀側面的陰極層，位於絕緣區及陰極層之上的絕緣層，位於所得結構上的OLED發光多層結構及陽極層。該上蓋部分具有一封蓋，若干與該絕緣區相對應的黑色矩陣區，位於黑色矩陣區之下的反射牆。該反射牆可以反射來自有機電致發光部分的光線，以增加發光效率與及灰階對比，再者該黑色矩陣區之間亦可加入濾光層，以提供全彩應用。
文檔編號H05B33/10GK1882207SQ20051007720
公開日2006年12月20日 申請日期2005年6月16日 優先權日2005年6月16日
發明者陳丁洲, 馮建源, 曾源倉, 藍文正, 石陞旭, 林志平, 江建志, 符宏信 申請人:悠景科技股份有限公司