電-光混合電路板的製作方法
2023-07-18 05:48:56
專利名稱:電-光混合電路板的製作方法
技術領域:
本發明涉及一種電-光混合電路板(electro-optic hybrid circuit board),其包括配線電路板(wiring circuit board)部分和光波導(optical waveguide)部分。
背景技術:
在最近的信息通信技術中,光信號和電信號在傳導信息通信中相互轉換。在該信息通信中,使用具有用於傳送電信號的配線電路板和用於傳送光的光波導的電-光混合電路板。例如,專利文件1中描述了一種電-光混合電路板,其包括彼此通過粘合層疊放的配線電路板和光波導。
專利文件1JP 2001-166165A在高密度信息通信中,需要降低通信設備的尺寸和厚度。因此,仍然需要具有更小厚度的電-光混合電路板。
發明內容
因此,本發明的目的在於提供一種比現有技術中的電-光混合電路板薄的電-光混合電路板。
從下面的說明中,本發明的其它目的和效果將顯而易見。
為了實現所述目的,本發明提供一種具有疊放在配線電路板上的光波導的電-光混合電路板,該電-光混合電路板包括絕緣層;形成在絕緣層上的導體圖案;形成在該具有導體圖案的絕緣層上以包圍導體層的下覆蓋層;形成在該下覆蓋層上的核心層;及為覆蓋該核心層和下覆蓋層而形成的上覆蓋層。
在本發明的電-光混合電路板中,光波導的下覆蓋層還充當配線電路板的絕緣覆蓋層。因此,與其中光波導和配線電路板通過粘合層彼此疊放的相關技術的電-光混合電路板相比,本發明的混合的電路板的總厚度,減小了相應於粘合層和配線電路板的絕緣覆蓋層總和的厚度。
圖1為本發明的電-光混合電路板一個實施方案的主要部分剖視圖。
圖2(a)至2(d)為製備圖1所示的電-光混合電路板的方法中各步驟的剖視圖圖2(a)為形成配線電路板部分的步驟;圖2(b)為在該配線電路板部分上形成下覆蓋層的步驟;圖2(c)為在該下覆蓋層上形成核心層的步驟;及圖2(d)為在該核心層上形成上覆蓋層的步驟。
用於附圖中的附圖標記分別表示如下。
1絕緣層2導體圖案3下覆蓋層4核心層5上覆蓋層6配線電路板部分7光波導部分具體實施方式
本發明的電-光混合電路板包括配線電路板和疊放在其上的光波導。如圖1所示,它包括配線電路板部分6和光波導部分7,並且光波導的下覆蓋層3還充當配線電路板的絕緣覆蓋層。
將在下面按順序解釋配線電路板部分6和光波導部分7。
首先,參考圖1解釋配線電路板部分6。
沒有具體限制用於形成配線電路板部分6的絕緣層1的材料,只要它具有絕緣性即可。其實例包括,例如,合成樹脂如聚醯亞胺樹脂、聚(醯胺-醯亞胺)樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二酯)樹脂、聚(萘二甲酸乙二酯)樹脂、聚(氯乙烯)樹脂、環氧樹脂和聚氨酯樹脂。根據耐熱性的觀點,優選使用聚醯亞胺樹脂。
絕緣層1的厚度優選為5~50μm。
在絕緣層1上形成具有預定形狀的導體圖案2。沒有具體限制用於形成導體圖案2的材料,只要它具有導電性即可。其實例包括,例如,金屬如銅、鉻、鎳、鋁、不鏽鋼、銅-鈹、磷青銅、鐵-鎳和這些金屬的合金。優選使用銅。
導體圖案2的線寬(line width)優選為5~50μm,且線間距優選為5~50μm。導體圖案2的厚度優選為3~50μm。
其次,參考圖1解釋光波導部分7。
在配線電路板部分6的導體圖案2上形成下覆蓋層3。沒有具體限制用於形成下覆蓋層3的材料,只要它具有透明性即可。其實例包括,例如,合成樹脂如環氧樹脂、聚(醯胺酸)樹脂和聚醯亞胺樹脂。
下覆蓋層3的厚度優選為5~100μm。
在下覆蓋層3上形成具有預定圖案的核心層4。沒有具體限制用於形成核心層4的材料,只要它具有透明性即可。其實例包括,例如,環氧樹脂、聚(醯胺酸)樹脂、聚醯亞胺樹脂等。通常,設計核心層4使其具有比下覆蓋層3和上覆蓋層5更高的折射率,將在下面描述它。
核心層4的圖案的線寬優選為5~100μm,且線間距優選為5~500μm。核心層4的厚度優選為5~100μm。
在核心層4上形成上覆蓋層5。沒有具體限制用於形成上覆蓋層5的材料,只要它具有透明性即可。其實例包括,例如,環氧樹脂、聚(醯胺酸)樹脂和聚醯亞胺樹脂。通常,使用與用於下覆蓋層3相同的材料。
上覆蓋層5的厚度優選為5~100μm。
本發明的電-光混合電路板的總厚度優選為15~250μm。
接著,將參考圖2解釋製備本發明的電-光混合電路板的方法。
在製備本發明的電-光混合電路板中,首先形成配線電路板部分6。然後在其上形成光波導部分7,以疊加在部分6的上面,從而製得混合的電路板。
將在下面按順序解釋形成配線電路板部分6和光波導部分7的方法。
首先,如圖2(a)所示,將具有預定形狀的導體圖案2形成在絕緣層1上。對於形成導體圖案2,例如可以使用已知的方法如,減法(subtractive method)、半加法(semi-additive method)或加法(additive method)。
相減法技術中,在絕緣層的全部表面上形成導體層,並通過蝕刻將導體層不必要的部分除去,從而形成具有預定形狀的導體圖案。半相加法和加法技術中,通過電鍍等方法形成具有預定形狀的導體圖案。
根據上述方法,形成配線電路板部分6。
隨後,如圖2(b)所示,在導體圖案2上形成下覆蓋層3。該下覆蓋層3可以通過下列方法形成塗布並乾燥在溶劑中溶解用於形成下覆蓋層3的合成樹脂製得的溶液。
根據形成具有光滑表面的下覆蓋層3的觀點,溶液中的樹脂濃度優選為50~90%重量。
如圖2(c)所示,然後在下覆蓋層3上形成具有預定圖案的核心層4。沒有具體限制形成核心層4的方法。例如,可以利用感光樹脂形成層4。感光樹脂的優選實例包括感光環氧樹脂、感光聚(醯胺酸)樹脂和感光聚醯亞胺樹脂。
隨後,如圖2(d)所示,在核心層4上形成上覆蓋層5。可以按照與形成下覆蓋層3相同的方法形成該上覆蓋層5。
從而,可以得到本發明的電-光混合電路板,其包括配線電路板部分6和形成在其上的光波導部分7。
實施例將參考下面的實施例更詳細地說明本發明,但是不應該意味著本發明限制於此。
實施例1通過半相加法,在絕緣層上形成導體圖案從而製得配線電路板部分,該絕緣層包括厚度為25μm的聚醯亞胺薄膜(見圖2(a))。
在半相加法中,首先利用濺鍍接連沉積厚度為0.01μm的薄鉻層和厚度為0.15μm的薄銅層,在絕緣層上形成薄金屬膜。此後,形成電鍍抗蝕劑以具有與所要形成的導體圖案相反的圖案。然後進行銅電鍍從而形成由20μm-厚的銅製成的金屬配線作為導體圖案,其金屬配線線寬為25μm,且金屬配線間距為25μm。此後,剝離電鍍抗蝕劑,並通過溼蝕刻除去未被導體圖案覆蓋的金屬薄膜。
隨後,按照下面方法,在上面得到的配線電路板部分上形成光波導部分。
首先,根據表1所示的配方,將各種成分混合到一起並利用環己酮作為溶劑將其溶解。從而,製得清漆A和B。對於每種清漆,在波長為633nm測量通過凝固清漆得到的固化樹脂的折射率,也如表1所示。
表1(重量份)
芴衍生物1雙苯氧基乙醇芴二縮水甘油醚(由通式(1)表示,其中R1~R6分別為氫原子且n為1)芴衍生物2雙酚芴二縮水甘油醚(由通式(1)表示,其中R1~R6分別為氫原子且n為0)稀釋劑3′,4′-環氧環己烯羧酸3,4-環氧環己烯基甲基酯(Celoxide 2021P,由DaicelChemical Industries,Ltd.製造)光-酸發生劑4,4-雙[二(β-羥乙氧基)苯基亞磺基]二苯硫醚雙六氟銻酸鹽的50%碳酸亞丙酯溶液
通過旋塗將清漆A塗布到配線電路板部分的導體圖案側,並在90℃下乾燥15分鐘從而形成樹脂層。此後,用紫外線以2000mJ/cm2的照射劑量全部照射樹脂層,然後在100℃下加熱30分鐘從而形成下覆蓋層,該下覆蓋層具有光滑表面且其厚度為30μm(見圖2(b))。
隨後,通過旋塗將清漆B塗布到下覆蓋層上,並在90℃下乾燥15分鐘從而形成樹脂層。通過具有線寬為50μm的線性光-波導圖案的光掩膜(基於合成石英的鉻掩膜),然後通過接觸式曝光法用紫外線以2000mJ/cm2的照射劑量照射該樹脂層。
接著,在90℃下進行曝光後(post-exposure)加熱60分鐘。將所得到的結構浸入乙腈-基顯影液中。由此顯影樹脂層以在該處得到圖案。然後,在100℃下加熱樹脂層30分鐘。因而,形成間隔為250μm具有橫切面的核心層,該核心層的厚度為50μm,寬度為50μm(見圖2(c))。
通過旋塗將清漆A塗布在下覆蓋層和核心層上,並在90℃下乾燥15分鐘從而形成樹脂層。接著,用紫外線以2000mJ/cm2的照射劑量全部照射該樹脂層,然後在100℃下加熱30分鐘從而形成厚度為80μm的上覆蓋層(見圖2(d))。從而,得到多波型光波導部分,其比折射率差Δ為1.8%。
通過上述過程,製得如圖1所示的電-光混合電路板。
製得的電-光混合電路板的總厚度為135μm。
儘管已經參考其具體實施方案詳述了本發明,但是對本領域的技術人員來說顯而易見,其中可以進行各種變化和修改,而不脫離其構思和範圍。
本申請是基於在2004年12月6日提交的日本專利申請2004-352545,其內容引入本文作為參考。
權利要求
1.一種具有疊放在配線電路板上的光波導的電-光混合電路板,該電-光混合電路板包括絕緣層;形成在該絕緣層上的導體圖案;形成在該具有導體圖案的絕緣層上以包圍該導體圖案的下覆蓋層;形成在該下覆蓋層上的核心層;及為覆蓋該核心層和下覆蓋層而形成的上覆蓋層。
2.根據權利要求1的電-光混合電路板,其總厚度為15~250μm。
全文摘要
本發明提供一種具有疊放在配線電路板上的光波導的電-光混合電路板,該電-光混合電路板包括絕緣層;形成在該絕緣層上的導體圖案;形成在該具有導體圖案的絕緣層上以包圍導體圖案的下覆蓋層;形成在該下覆蓋層上的核心層;及為覆蓋該核心層和下覆蓋層而形成的上覆蓋層。
文檔編號H05K3/46GK1784110SQ20051011812
公開日2006年6月7日 申請日期2005年10月20日 優先權日2004年10月27日
發明者內藤龍介, 薄井英之, 望月周 申請人:日東電工株式會社