一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件的製作方法
2023-07-18 21:40:41
一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件，由於緩衝層具有絕緣性和高導熱性，因此，該緩衝層不僅可以起到絕緣的作用，並且在通過對該緩衝層上的非晶矽薄膜進行雷射晶化處理形成多晶矽薄膜時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過具有高導熱性的緩衝層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
【專利說明】一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，尤指一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件。
【背景技術】
[0002]柔性顯示技術是近幾年來顯示【技術領域】的研究熱點，因其具有更薄、更抗震動、更輕便的優點，將被廣泛地應用於民用領域和軍事領域。柔性顯示可定義為用很薄的柔性襯底製作顯示面板的基板，它能彎曲到曲率半徑只有幾釐米或更小而不會損害顯示面板的顯示功能。
[0003]目前，有源層技術是顯示面板的核心技術，低溫多晶娃(Low TemperaturePoly-Silicon, LTPS)薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)由於具有很高的電子遷移率(最高能達到>100cm2/Vs)和穩定性、尺寸小、寄生電容較低、開口率較高等優點被廣泛應用於顯示面板中。而低溫多晶矽薄膜電晶體的製備關鍵是製備性能優良的多晶矽(Poly-Si)薄膜，準分子雷射晶化法(ELA)由於在晶化時間、晶粒尺寸、晶化溫度等方面非常適合於低溫多晶矽薄膜電晶體的製備，因此是目前晶化方法中的主流技術，並且，由於晶化時雷射照射到基板的能量絕大部分被非晶矽(A-Si)所吸收，對柔性基板無任何損傷，因此也特別適用於柔性基板上的LTPS晶化工藝。
[0004]現有的柔性面板如圖1所示，包括依次設置的柔性基板OI，絕緣層02和多晶矽薄膜03。製備時一般是在一硬質承載基板上依次形成柔性基板，絕緣層和非晶矽薄膜，然後再採用準分子雷射晶化法對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，使非晶矽薄膜變為多晶矽薄膜。但是在製備的過程中，在形成柔性基板01或者非晶矽薄膜時會不可避免的引入粉塵等顆粒04，這些顆粒04會導致其附近的膜層變薄，從而導致在對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理時，雷射能量不能全部被非晶矽薄膜吸收，從而損傷柔性基板。
【發明內容】
[0005]有鑑於此，本發明實施例提供了一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件，用以防止在形成多晶矽薄膜時，由於雷射能量就不能完全被非晶矽薄膜吸收，而導致雷射能量損傷柔性基板。
[0006]因此，本發明實施例的一種柔性面板，包括柔性基板、以及依次位於所述柔性基板上的緩衝層和多晶矽薄膜；其中，所述多晶矽薄膜由形成在所述緩衝層上的非晶矽薄膜經過雷射晶化處理後形成；
[0007]所述緩衝層具有絕緣性和高導熱性。
[0008]較佳地，為了便於實施，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述緩衝層包括依次位於所述柔性基板上的導熱層和絕緣層；其中，
[0009]所述導熱層的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開。
[0010]較佳地，為了匹配柔性基板與絕緣層之間的應力，以避免柔性基板的破裂，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述導熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
[0011]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述絕緣層的厚度為250nm-400nmo
[0012]或者，較佳地，為了簡化製作工藝，緩衝層由既具有絕緣性又具有高導熱性的一種膜層形成，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0013]所述高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0014]所述高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米。
[0015]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述高導熱納米顆粒的材料為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。
[0016]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述高分子絕緣材料為無機高分子化合物或有機高分子化合物。
[0017]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述無機高分子化合物為滷化物、硫化物、氧化物或矽烷的高分子化合物。
[0018]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，所述有機高分子化合物為有機烯類、有機炔類、有機樹脂類、有機醚類、有機酸酯類或聚苯胺。
[0019]相應地，本發明實施例還提供了一種柔性面板的製備方法，包括:
[0020]在硬質承載基板上形成柔性基板；
[0021]在所述柔性基板上形成緩衝層，其中，所述緩衝層具有絕緣性和高導熱性；
[0022]在所述緩衝層上形成非晶矽薄膜；
[0023]對所述非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，使所述非晶矽薄膜變為多晶矽薄膜。
[0024]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，在所述柔性基板上形成緩衝層，具體包括:
[0025]在所述柔性基板上形成導熱層，所述導熱層的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0026]在所述導熱層上形成絕緣層。
[0027]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，所述緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0028]所述高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0029]所述高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米。
[0030]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，在所述緩衝層上形成非晶矽薄膜之後，在對所述非晶矽薄膜進行雷射晶化處理之前，還包括:
[0031]對所述非晶矽薄膜進行熱退火處理，以去除非晶矽薄膜中的氫原子，防止非晶矽薄膜進行結晶時，氫原子因受熱溢出，損壞結晶效果。
[0032]相應地，本發明實施例還提供了一種柔性顯示器件，包括本發明實施例提供的上述柔性面板。
[0033]本發明實施例提供的上述柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件，由於緩衝層具有絕緣性和高導熱性，因此，該緩衝層不僅可以起到絕緣的作用，並且在通過對該緩衝層上的非晶矽薄膜進行雷射晶化處理形成多晶矽薄膜時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過具有高導熱性的緩衝層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1為現有的柔性面板的結構示意圖
[0035]圖2為本發明實施例提供的柔性面板的結構示意圖之一；
[0036]圖3為本發明實施例提供的柔性面板的結構示意圖之二 ；
[0037]圖4為本發明實施例提供的柔性面板的製備方法的流程示意圖；
[0038]圖5a至圖5f分別為圖3所示的柔性面板的製備方法執行各步驟後的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面結合附圖，對本發明實施例提供的柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0040]附圖中各層薄膜厚度和區域大小形狀不反映柔性面板的真實比例，目的只是示意說明本
【發明內容】
。
[0041]本發明實施例提供的一種柔性面板，如圖2所示，包括柔性基板10、以及依次位於該柔性基板10上的緩衝層11和多晶矽薄膜12 ;其中，多晶矽薄膜12由形成在緩衝層11上的非晶矽薄膜經過雷射晶化處理後形成；
[0042]該緩衝層11具有絕緣性和高導熱性。
[0043]本發明實施例提供的上述柔性面板，由於緩衝層具有絕緣性和高導熱性，因此，該緩衝層不僅可以起到絕緣的作用，並且在通過對該緩衝層上的非晶矽薄膜進行雷射晶化處理形成多晶矽薄膜時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過具有高導熱性的緩衝層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0044]需要說明的是，在本發明實施例提供的上述柔性面板中高導熱性是指導熱係數等於或大於1000瓦每米每開(W/m.K)的性能。
[0045]具體地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，如圖3所示，緩衝層11包括依次位於柔性基板10上的導熱層111和絕緣層112 ;其中，導熱層111的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開。這裡導熱層的主要作用是可以將殘餘的雷射能量進行快速擴散，以避免對柔性基板的損傷；絕緣層的作用於現有技術中相同，在此不作詳述。
[0046]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，導熱層的材料優選為石墨烯或碳納米管。這是因為石墨烯和碳納米管均具有優良的彎曲性能，因此採用石墨烯或碳納米管制作的導熱層可以很好的匹配柔性基板與絕緣層之間的應力，從而避免應力造成的柔性基板發生破裂的問題。
[0047]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，絕緣層的材料可以為氧化矽(S1x)、氮化娃(SiNx)或氧化娃和氮化娃的複合材料等,在此不作限定。
[0048]較佳地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，絕緣層的厚度控制在250nm-400nm之間效果為佳,在此不作限定。
[0049]或者，較佳地，為了簡化製作工藝，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，緩衝層由既具有絕緣性又具有高導熱性的材料一次形成。具體地，緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0050]高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0051]高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米(Ω.cm)。
[0052]具體地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，高導熱納米顆粒的材料可以為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物等。
[0053]進一步地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，高導熱納米顆粒的材料為氮化鋁、氧化鋁、氧化鋅和氮化硼中之一或組合。
[0054]具體地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，高分子絕緣材料可以為無機高分子化合物或有機高分子化合物，在此不作限定。
[0055]進一步地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，無機高分子化合物可以為滷化物、硫化物、氧化物或矽烷等的高分子化合物。
[0056]進一步地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，有機高分子化合物可以為有機烯類、有機炔類、有機樹脂類、有機醚類、有機酸酯類或聚苯胺等。
[0057]具體地，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，有機炔類為聚乙炔。
[0058]具體地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述柔性面板中，柔性基板可以為塑料基板。具體地，塑料基板的材料可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate, PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚諷(Polyether Sulfone, PES)和聚酸亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。
[0059]基於同一發明構思，本發明實施例還提供了一種柔性面板的製備方法，如圖4所示，可以包括以下步驟:
[0060]SlOl、在硬質承載基板上形成柔性基板；
[0061]S102、在柔性基板上形成緩衝層，其中，緩衝層具有絕緣性和高導熱性；
[0062]S103、在緩衝層上形成非晶矽薄膜；
[0063]S104、對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，使非晶矽薄膜變為多晶矽薄膜。
[0064]本發明實施例提供的上述柔性面板的製備方法，由於在形成非晶矽薄膜之前，先在柔性基板上形成具有絕緣性和高導熱性的緩衝層，因此，在後續對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過具有高導熱性的緩衝層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0065]具體地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，柔性基板可以為塑料基板。進一步地，塑料基板的材料可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚醚碸(Polyether Sulfone, PES)和聚醯亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。
[0066]進一步地，上述柔性基板可以利用溶液狀的塑料溶劑進行塗布，然後烘烤固化形成，或者利用粘結劑通過貼附的方式將塑料薄膜貼附在硬質承載基板上形成。
[0067]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，步驟S102在柔性基板上形成緩衝層，具體可以包括:
[0068]在柔性基板上形成導熱層，導熱層的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0069]在導熱層上形成絕緣層。
[0070]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，導熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
[0071]具體地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述製備方法中，當導熱層的材料為石墨烯時，石墨烯可以通過氧化-還原法、碳化矽(SiC)外延生長法、氣相沉積法或有機合成法等製備，在此不作限定。
[0072]具體地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述製備方法中，當導熱層的材料為碳納米管時，碳納米管可以通過石墨電弧法、催化裂解法、雷射蒸發法或化學氣相沉積法等製備，在此不作限定。
[0073]具體地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述製備方法中，絕緣層可以採用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)製備。具體地，絕緣層的材料可以為氧化矽(S1x)、氮化矽(SiNx)或氧化矽和氮化矽的複合物等。對應的反應氣體可以為甲烷(SiH4)、氨氣(NH3)和氮氣(N2)的混合氣體或二氯矽烷(SiH2C12)、氨氣(NH3)和氮氣(N2)的混合氣體，在此不作限定。
[0074]進一步地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，絕緣層的厚度控制在250nm-400nm之間效果為佳。
[0075]當然，在具體實施時，為了簡化製作工藝，緩衝層可以由既具有絕緣性又具有高導熱性的材料一次形成。因此，在本發明實施例提供的上述製備方法中，緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0076]高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開；
[0077]高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米。
[0078]具體地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，高導熱納米顆粒的材料可以為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。進一步地，高導熱納米顆粒的材料可以為氮化鋁、氧化鋁、氧化鋅和氮化硼中之一或組合。
[0079]具體地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，高分子絕緣材料可以為無機高分子化合物或有機高分子化合物。進一步地，無機高分子化合物可以為齒化物、硫化物、氧化物或矽烷的高分子化合物。有機高分子化合物可以為有機烯類、有機炔類、有機樹脂類、有機醚類、有機酸酯類或聚苯胺。
[0080]具體地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，步驟S103在緩衝層上形成非晶矽薄膜，具體可以採用等離子體增強化學氣相沉積法沉積非晶矽薄膜，對應的反應氣體可以是甲烷(SiH4)和氮氣(N2)的混合氣體或者二氯矽烷(SiH2C12)和氫氣(H2)的混合氣體。在此不作限定。
[0081]具體地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，非晶矽薄膜的厚度控制在30nm-50nm之間效果為佳,在此不作限定。
[0082]較佳地，在本發明實施例提供的上述製備方法中，在步驟S103在緩衝層上形成非晶矽薄膜之後，步驟S104在對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理之前，還包括:
[0083]對非晶矽薄膜進行熱退火處理，以去除非晶矽薄膜中的氫原子，防止非晶矽薄膜在後續工藝中進行結晶時，氫原子因受熱溢出，損壞結晶效果。
[0084]進一步地，在本發明實例提供的上述製備方法中，採用準分子雷射晶化法(ELA)對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，使非晶矽薄膜變為多晶矽薄膜。
[0085]具體地，採用準分子雷射晶化法(ELA)對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理時，雷射的波長控制在308nm左右，頻率控制在200Hz-400Hz之間，雷射能量密度控制230mJ/cm2-250mj/cm2之間，重疊率控制在92% -98%之間效果為佳。
[0086]下面以圖3所示的柔性面板為例，詳細說明本發明實施例提供的上述製備方法。在具體實施時，可以包括:
[0087](I)在硬質承載基板I上形成柔性基板10，如圖5a所示；
[0088]具體地，柔性基板的材料選取塑料材料，具體可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚諷(Polyether Sulfone, PES)和聚酸亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。進一步地，在具體實施時，將溶液狀的塑料溶劑塗布於硬質承載基板的表面，然後將其烘烤固化就可以形成柔性基板，或者利用粘結劑通過貼附的方式將塑料薄膜貼附在硬質承載基板上形成柔性基板。
[0089](2)在柔性基板10上形成導熱層111，如圖5b所示；
[0090]具體地，導熱層的材料優選為石墨烯或碳納米管。當導熱層的材料為石墨烯時，石墨烯可以通過氧化-還原法、碳化矽(SiC)外延生長法、氣相沉積法或有機合成法等製備。當導熱層的材料為碳納米管時，碳納米管可以通過石墨電弧法、催化裂解法、雷射蒸發法或化學氣相沉積法等製備。
[0091](3)在導熱層111上形成絕緣層112，如圖5c所示；
[0092]具體地，絕緣層的材料可以為氧化矽(S1x)、氮化矽(SiNx)或氧化矽和氮化矽的複合物等。在具體實施時，絕緣層可以採用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)製備，對應的反應氣體可以為甲烷(SiH4)、氨氣(NH3)和氮氣(N2)的混合氣體或二氯矽烷(SiH2C12)、氨氣(NH3)和氮氣(N2)的混合氣體，在此不作限定。
[0093]進一步地,絕緣層的厚度可以控制在250nm-400nm之間。
[0094](4)在絕緣層112上形成非晶矽薄膜13 ;如圖5d所示；
[0095]具體可以採用等離子體增強化學氣相沉積法沉積非晶矽薄膜，對應的反應氣體可以是甲烷(SiH4)和氮氣(N2)的混合氣體或者二氯矽烷(SiH2C12)和氫氣(H2)的混合氣體。
[0096]具體地，非晶矽薄膜的厚度控制在30nm_50nm之間。
[0097](5)對非晶矽薄膜13進行熱退火處理，以去除非晶矽薄膜13中的氫原子，防止非晶矽薄膜13在後續工藝中進行結晶時，氫原子因受熱溢出，損壞結晶效果。
[0098](6)如圖5e所示，對非晶矽薄膜13進行雷射晶化處理，使非晶矽薄膜13變為多晶娃薄膜12,如圖5f所示；
[0099]具體地，在具體實施時，採用準分子雷射晶化法(ELA)對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，雷射的波長控制在308nm左右，頻率控制在200Hz-400Hz之間，雷射能量密度控制230mJ/cm2-250mJ/cm2之間，重疊率控制在92% -98%之間。
[0100]具體地，經過上述步驟(I)至(6)之後，就可以得到如圖3所示的柔性面板。上述製備方法由於在形成非晶矽薄膜之前，先在柔性基板上形成導熱層和絕緣層，因此，在後續對非晶矽薄膜進行雷射晶化處理時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過導熱層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0101]基於同一發明構思，本發明實施例還提供了一種柔性顯示器件，包括本發明實施例提供的上述柔性面板。具體地，該柔性顯示器件的實施例可以參見上述柔性面板的實施例，重複之處不再贅述。
[0102]本發明實施例提供的一種柔性面板、其製備方法及柔性顯示器件，由於緩衝層具有絕緣性和高導熱性，因此，該緩衝層不僅可以起到絕緣的作用，並且在通過對該緩衝層上的非晶矽薄膜進行雷射晶化處理形成多晶矽薄膜時，即使雷射能量不能完全被非晶矽薄膜吸收，殘餘的雷射能量也可以通過具有高導熱性的緩衝層迅速擴散掉，從而避免了殘餘雷射能量對柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0103]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種柔性面板，包括柔性基板、以及依次位於所述柔性基板上的緩衝層和多晶矽薄膜；其中，所述多晶矽薄膜由形成在所述緩衝層上的非晶矽薄膜經過雷射晶化處理後形成，其特徵在於: 所述緩衝層具有絕緣性和高導熱性。
2.如權利要求1所述的柔性面板，其特徵在於，所述緩衝層包括依次位於所述柔性基板上的導熱層和絕緣層；其中， 所述導熱層的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開。
3.如權利要求2所述的柔性面板，其特徵在於，所述導熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
4.如權利要求2所述的柔性面板，其特徵在於，所述絕緣層的厚度為250nm-400nm。
5.如權利要求1所述的柔性面板，其特徵在於，所述緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中， 所述高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開； 所述高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米。
6.如權利要求5所述的柔性面板，其特徵在於，所述高導熱納米顆粒的材料為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。
7.如權利要求5所述的柔性面板，其特徵在於，所述高分子絕緣材料為無機高分子化合物或有機高分子化合物。
8.如權利要求7所述的柔性面板，其特徵在於，所述無機高分子化合物為滷化物、硫化物、氧化物或矽烷的高分子化合物。
9.如權利要求7所述的柔性面板，其特徵在於，所述有機高分子化合物為有機烯類、有機炔類、有機樹脂類、有機醚類、有機酸酯類或聚苯胺。
10.一種柔性面板的製備方法，其特徵在於，包括: 在硬質承載基板上形成柔性基板； 在所述柔性基板上形成緩衝層，其中，所述緩衝層具有絕緣性和高導熱性； 在所述緩衝層上形成非晶矽薄膜； 對所述非晶矽薄膜進行雷射晶化處理，使所述非晶矽薄膜變為多晶矽薄膜。
11.如權利要求10所述的製備方法，其特徵在於，在所述柔性基板上形成緩衝層，具體包括: 在所述柔性基板上形成導熱層，所述導熱層的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開； 在所述導熱層上形成絕緣層。
12.如權利要求10所述的製備方法，其特徵在於，所述緩衝層的材料為摻雜有高導熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中， 所述高導熱納米顆粒的導熱係數大於或等於1000瓦每米每開； 所述高分子絕緣材料的電阻率大於或等於19歐釐米。
13.如權利要求10-12任一項所述的製備方法，其特徵在於，在所述緩衝層上形成非晶矽薄膜之後，在對所述非晶矽薄膜進行雷射晶化處理之前，還包括: 對所述非晶矽薄膜進行熱退火處理。
14.一種柔性顯示器件，其特徵在於，包括如權利要求1-9任一項所述柔性面板。
【文檔編號】H01L21/02GK104465667SQ201410718651
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月1日 優先權日:2014年12月1日
【發明者】高濤, 毛雪, 楊靜, 陳立強 申請人:京東方科技集團股份有限公司