器件製造方法及其製得的器件與電腦程式的製作方法

2023-07-17 01:21:51

專利名稱：器件製造方法及其製得的器件與電腦程式的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種器件的製造方法，包括步驟提供被一層輻射敏感材料至少部分覆蓋的一襯底；使用一輻射系統來提供投射束；使用圖案化裝置來使投射束在其橫截面內具有一圖案；將形成圖案的投射束投射在輻射敏感材料層的第一靶區和第二靶區上，所述第一和第二靶區沿一邊緣鄰接。
背景技術：
此處使用的術語「圖案化裝置」應當被廣義地理解為涉及能夠給入射輻射束賦予帶圖案的截面的裝置，其中所述圖案與要在襯底靶區上形成的圖案對應；術語「光閥」也用於本文中。通常，所述圖案與在靶區中形成的器件的特殊功能層相對應，例如集成電路或其它器件(見下文)。這類圖案化裝置的實例包括掩模。掩模的概念在光刻中是眾所周知的，它包括如二進位型、交替相移型和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。在輻射束中放置這種掩模使入射到掩模上的輻射能夠根據掩模上的圖案而選擇性的透射(在透射型掩模的情況下)或反射(在反射型掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支承結構通常是掩模平臺，該平臺確保掩模能夠被固定在入射輻射束中的理想位置處，並且如果需要該平臺可相對於輻射束移動。
可編程鏡面反射陣列。這類器件的一個實例是帶有粘彈性控制層和反射面的可尋址矩陣面。這類裝置的基本原理是(例如)反射面的可尋址區域反射入射光使其成為衍射光，而不可尋址區域反射入射光使其成為非衍射光。利用合適的濾光器，所述的非衍射光能夠從反射束中濾除，而只剩衍射光；這樣，根據可尋址矩陣面的尋址圖案，該光束就被賦予了圖案。可程控鏡面反射陣列的一個可選的實施例採用矩陣形式排列的微型鏡面，其中每一個微型鏡面可通過施加合適的局部電場或使用壓電驅動裝置而分別沿軸傾斜。同樣地，鏡面陣列是可尋址矩陣，從而可尋址鏡面將以與不可尋址鏡面不同的方向反射入射輻射束；這樣，根據可尋址矩陣鏡面的尋址圖案，反射光束就被賦予了圖案。所需的矩陣尋址可以利用合適的電子裝置來實現。在上述的兩種情況中，圖案化裝置可以包括一個或多個可程控鏡面反射陣列。有關此處提到的鏡面反射陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891和US5,523,193及PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，在此引入作為參考。在可程控鏡面反射陣列的情形中，所述支承結構可以具體化為例如隨需要被固定或可移動的支架或平臺。
可編程LCD陣列。這類構造的一個實例在美國專利US5,229,872中給出，在此引入作為參考。同上，所述支承結構也可以具體化為例如隨需要被固定或可移動的支架或平臺。
為了簡化的目的，本文其餘部分的某些位置特別涉及包括掩模和掩模平臺的實例；但是，在這些例子中所討論的一般原理應當被理解為在如上所述圖案化裝置的更寬泛範圍內。
光刻投射裝置可以用於例如集成電路(IC)的製造。在這種情況中，圖案化裝置可產生對應於IC的單獨一層的電路圖案，並且該圖案可以成像在已塗覆一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(例如Si，GaAs，InP，AlTiC或SiGe晶片)的靶區(例如包括一個或多個印模)上。通常，單個晶片將包含整個網格(network)的相鄰靶區，該相鄰靶區由投射系統一次一個逐個相繼照射。在目前採用掩模平臺上的掩模進行構圖的裝置中，有兩種不同類型的機器。在一種類型的光刻投射裝置中，通過一次將整個掩模圖案曝光到靶區上而使每一靶區得到照射；這類裝置通常被稱作晶片步進器。在另一種裝置中——通常被稱作分步掃描裝置——通過在投射束下沿給定的參考方向(「掃描」方向)依次掃描掩模圖案，同時沿與該方向平行或反平行的方向同步掃描襯底平臺來使每一靶區得到照射；因為，通常，投射系統具有放大係數M(一般＜1)，因此對襯底平臺的掃描速度V是對掩模平臺掃描速度的M倍。有關此處描述的光刻裝置的更多信息可以從例如US6,046,792中獲得，在此引入作為參考。
在採用光刻投射裝置的製造方法中，圖案(例如在掩模中)成像在至少部分覆蓋有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底上。在該成像步驟之前，可以對襯底進行各種處理，如塗底漆、塗覆抗蝕劑及輕度烘烤。在曝光後，可以對襯底進行其它的處理，如曝光後烘烤(PEB)、顯影、猛烈烘烤以及測量/檢查成像特徵。這一系列處理過程可以作為對如IC器件的單獨一層形成圖案的主要工序。然後，可對這種具有圖案的層進行各種處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬噴鍍、氧化、化學機械拋光等完成單獨一層所需的所有處理。如果需要多層，那麼對於每一新層都要重複整個工序或者其變型。最終，在襯底(晶片)上出現一批器件。然後通過採用例如切割或鋸切的工藝將這些器件彼此分開，由此單個器件可以安裝在與管腳等相連的載體上。關於這一方法的進一步信息可以從例如Peter van Zant的「微型集成電路片製造半導體加工實踐指導(Microchip FabricationA practical Guide to Semiconductor Processing)」一書(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中獲得，在此引入作為參考。
為了簡化的目的，下文中的投射系統被稱作「透鏡」；但是，該術語應廣義地解釋為包括各種類型的投射系統，包括例如折射光學裝置、反射光學裝置和反折射系統。輻射系統還可以包括按照這些設計類型中任一類型工作的部件，這些部件用於導向、整形或者控制輻射的投射束，並且這些部件在下文中也可整體地或單獨地稱作「透鏡」。更進一步，光刻裝置可以具有兩個或多個襯底平臺(和/或兩個或多個掩模平臺)。在這種「多級」器件中，可以並行使用這些附加平臺，或者可以在一個或多個平臺上進行準備措施，同時一個或多個其它平臺用於曝光。例如，在US5,969,441和WO98/40791中描述的雙級光刻裝置，在此引入作為參考。
過去，由光刻技術製造的許多器件比通過光刻裝置用單次曝光或掃描複製得到的靶區面積要小或者大小相同。但是，人們日益希望能夠制出像輻射傳感器、液晶顯示器的器件或沿橫穿襯底的精確直線製作的器件，這些器件大於光刻裝置的最大可複製靶區面積。這類器件被稱作大面積器件。為此，就必需進行高精度定位的多個鄰接區域的曝光。該方法通常稱作「接縫」。在光刻裝置中存在著大量的誤差源，這會導致在襯底上鄰接區域曝光的不重合(接縫或對接誤差)。這些誤差源包括平臺定位的可重複性，它可能受伺服系統中的X、Y和θ的解析度、用於測量平臺位置的幹涉測量系統的解析度和鏡面映射中誤差的解析度影響；平臺的水平測量；平臺的動態特性；晶片和掩模固定器的平整度；及投射透鏡的畸變。為了確保滿足接縫誤差要求，每個誤差源都需要被降至最小或被補償。

發明內容
本發明的一個目的是最小化或減小在器件製作方法中定位鄰接區域曝光時所存在的上述誤差源的至少一些。
依照本發明的器件製造方法可實現上述和其它的目標，該製造方法包括步驟提供被一層輻射敏感材料至少部分覆蓋的一襯底；使用一輻射系統來提供投射束；使用圖案化裝置來使投射束在其橫截面內具有一圖案；將形成圖案的投射束投射在輻射敏感材料層的第一靶區和第二靶區上，所述第一和第二靶區沿一邊緣鄰接；其特徵在於在所述投射步驟中，選擇位於所述投射系統全部照射區域內的投射區域的大小和位置，以便使沿圖案所述邊緣的位置誤差之間的差別減至最小，其中所述的圖案被投射在所述第一和第二靶區上。
通過適當地選擇投射區域的大小和位置來將圖案內位置誤差之間的差別減至最小，可使接縫誤差最小化，其中該圖案被投射到相鄰的第一和第二靶區上。通常，投射區域大小和定位的選擇是基於生產量因素和掩模圖案的需要。通常，投射區域儘可能大以便可以通過儘可能少的曝光次數印製器件。然而，投射圖案中的位置失真一般在投射區域的邊緣處達到最大，因此選擇最大尺寸的投射區域有可能引起大的接縫誤差。本發明通過適當地選擇減小的投射區域降低了接縫誤差的大小。儘管使用較小區域可能會降低印製器件的生產量，但是通過減小接縫誤差，具有正確功能的器件的比例就增大，因此具有正確功能的器件的淨生產量就會提高。器件被分解成部件用於成像，根據待成像的圖案的內容和投射區域內的位置失真，可以選擇部件的數目、尺寸和定向。並不是所有的部件都具有相同的大小和形狀。
靶區重疊所沿的邊緣可被稱作接縫邊界，該邊界處的圖像可以稍微重疊或者相鄰而不重疊。
優選地，該減小的投射區域的選擇是基於表徵待使用的投射透鏡中位置失真的數據，而且該投射區域可以通過尋找這樣的區域來選取，在該區域的對邊上的位置誤差之間的差別最小。這種確定可以在給定的曝光系列之前進行。
通過最優化曝光的順序和最優化整個裝置的水平度能夠使接縫誤差進一步的降低。
對於使用光刻投射裝置的器件製作方法，本發明同時提供一種電腦程式，用來選擇位於投射系統全部照射區域內的透射區域的最佳尺寸和位置，在該光刻投射裝置中將圖案投射到使用所述投射系統的襯底上的輻射敏感層的第一和第二靶區上，所述第一和第二靶區沿一邊緣相鄰，當在計算機系統上運行時，包括程序編碼裝置的所述電腦程式命令計算機系統執行下列步驟參考表徵投射圖案位移的數據，其中在所述投射步驟中投射圖案橫跨投射系統的最大區域，來確定位於該最大區域內多個減小的投射區域的對邊上的位移之間的差別，所述最大區域內的所述多個減小的投射區域具有不同的大小、長寬比和/或位置；和從所述多個減小的投射區域中選擇一個具有最小位移之間差別的區域作為所述減小的投射區域。
儘管在本文中，依照本發明的裝置具體用於製造IC，但是應當明確地理解，這種裝置具有其它可能的應用。例如，它可用於集成光學系統的製造、用於磁疇存儲器、液晶顯示板、薄膜磁頭等的引導和探測圖形等。本領域的技術人員將理解，在這種可選的應用範圍中，在說明書中使用的術語「分劃板」、「晶片」或「印模」應認為分別可以由更一般的術語「掩模」、「襯底」和「靶區」代替。
在本文中，使用的術語「輻射」和「投射束」包含所有類型的電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有431、410、365、248、193、157或126nm的波長)和EUV(遠紫外線輻射，例如具有5-20nm範圍內的波長)，以及例如離子束或電子束的粒子束。


現在，參看所附的示意性附圖、僅僅藉助於實例的方式來描述本發明的實施例，其中圖1描繪了用於依照本發明一個實施例方法的一種光刻投射裝置；圖2是光刻投射裝置中投射系統的透鏡特性矢量圖的一個實例；圖3是高階透鏡特性的一個實例，其表示了在依照本發明方法中的最佳區域；圖4是表示在依照本發明方法中的接縫偏移的圖；圖5是表示在依照本發明方法中可用的步進圖案的圖；圖6是表示使用具有不同尺寸和取向的幾個不同區域來成象器件的圖。
在附圖中，相應的參考符號表示對應的部件。
具體實施例方式
實施例1圖1示意性描繪了一個可用在根據本發明一具體實施例的器件製造方法中的一光刻投射裝置。該裝置包括輻射系統Ex、IL，用來提供輻射的投射束PB(例如DUV輻射)，在此具體情況中該系統也包括輻射源LA；第一目標臺(掩模平臺)MT，設有用於固定掩模MA(例如劃線板)的掩模固定器，並與用於將掩模相對於對象PL精確定位的第一定位裝置連接；第二目標臺(襯底平臺)WT，設有用於固定襯底W(例如塗覆抗蝕劑的矽片)的襯底固定器，並與用於將襯底相對於對象PL精確定位的第二定位裝置連接；投射系統(「透鏡」)PL(例如折射透鏡系統)，用來將掩模MA的照射部分成像在襯底W的靶區C(例如包括一個或多個印模)上。
如此處所描繪的，該裝置屬於透射型(例如具有透射掩模)。然而，通常，它也可以是例如反射型(例如具有反射掩模)。作為選擇，該裝置也可採用其它種類的圖案化裝置，例如上面提到的可程控鏡面反射陣列。
輻射源LA(例如受激準分子雷射器)產生輻射束。該輻射束或者直接，或者在經過橫向調節裝置例如光束擴展器Ex後被引入照射系統(照射裝置)IL。照射裝置IL可以包括調節裝置AM，用來設定輻射束中強度分布的外和/或內徑大小(通常分別稱為σ-外和σ-內)。另外，它一般還包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。這樣，照射在掩模MA上的投射束PB在其橫截面具有理想的均勻性和強度分布。
應當指出，圖1中的輻射源LA可以置於光刻投射裝置的外殼內(例如當輻射源LA是汞燈時經常是這種情況)，但是輻射源LA也可遠離光刻投射裝置，其產生的輻射束被引入該裝置內(例如藉助於合適的定向反射鏡)；當輻射源LA是受激準分子雷射器時通常是後面的那種情況。本發明和權利要求包含這兩種情況。
投射束PB隨後與固定在掩模平臺MT上的掩模MA相交。穿過掩模MA後，投射束PB穿過將其聚焦在襯底W的靶區C上的透鏡PL。藉助於第二定位裝置(和幹涉測量裝置IF)，襯底平臺WT可以精確地移動，例如以便在投射束PB的路徑中定位不同的靶區C。類似地，可用第一定位裝置相對於投射束PB的路徑精確地定位掩模MA，例如在掩模庫中機器檢索掩模MA後，或者在掃描期間。通常，藉助於長衝程模塊(粗略定位)和短衝程模塊(精確定位)可以實現目標臺MT、WT的移動，這在圖1中並未明確地描繪。但是，在使用晶片步進器(與步進掃描裝置相反)的情況下，掩模平臺MT可以僅連接在短衝擊調節器上，或被固定。
所描繪的裝置可用在兩種不同的模式中1.在步進模式中，掩模平臺MT基本上保持不動，並且整個掩模圖像被一次投射(即單「閃」)到靶區C上。然後，襯底平臺WT沿x和/或y方向移動，以便使不同的靶區C能夠被投射束PB照射。
2.在掃描模式中，基本是相同的情況，除了給定靶區C沒有在單「閃」中曝光。取而代之的是，掩模平臺MT沿給定的方向(所謂的「掃描方向」，例如y方向)以速度v移動，以便使投射束PB掃描整個掩模圖像；同時，襯底平臺WT以V＝Mv的速度沿相同或相反方向並行移動，其中M是透鏡PL的放大率(通常，M＝1/4或1/5)。這樣，就可以曝光相對大的靶區C，而沒有犧牲解析度。
圖2是當將掩模圖案投射到襯底上時表徵由投射透鏡所引入的畸變矢量圖的一個實例。在圖中，每個箭頭的方向和大小表示在圖像內一點的位置誤差，其中該點被標定在箭頭尾部處。可是應該指出在該圖中畸變的尺寸基本上是被誇大的。對於每個投射系統PL，由該圖代表的透鏡特性是不同的，但是可用熟知的技術進行測量和標明。應當指出，在測量由投射透鏡引入的畸變的方法中，由測量分劃板被夾緊引起的畸變和測量分劃板自身的畸變也將被測量。測量分劃板的畸變可在其用於本發明方法之前從測量圖中減去。由於夾緊而引起的畸變應當至少減至這種程度，即上述的畸變將不同於由夾緊引起的產品分劃板的變形。
圖3是相同透鏡特性的高階圖。其由矢量數據計算得出並且描繪在投射圖案中理想直線怎樣被變形。從高階擬合數據，可以確定在所有有效區域中的一個最優區域，這樣在該最優區域相對邊界上點的位置誤差之間的差別最小。在這種確定中，考慮的是投射圖案中的2階和任意更高階的畸變。當對每次曝光都使用該最佳區域來複製到相鄰區域時，接縫誤差就被相應地降至最小。圖3示出對於例舉透鏡的特性這種最優區域OF的一個實例。
對於不同的區域大小和位置，通過計算和比較左與右和/或頂部與底部的畸變矢量，能夠確定該最佳區域OF。然後，最佳區域的大小和位置就能容易地選取。然而，應當指出，最優化條件可包括除最小化接縫誤差外的附加限制條件，這是由於在許多情形中最小的接縫誤差將獲得零區域尺寸。因此，最優化條件可以加以限制以便得到可提供最小接縫誤差的給定最小尺寸和/或長寬比的區域。如果待印製的圖案使得接縫精度在一些部分比另一些部分更加重要，則在選取最佳區域的大小和位置之前，可以根據在邊界上不同部分的接縫誤差的重要程度對位置誤差之間的差別加權。
也應當指出，用來組成單個器件的幾幅圖案可以具有不同的區域大小。圖6示出了由具有兩種不同尺寸和兩種不同朝向的圖案C1至C6組成的一個器件D。對於不同次曝光的圖案區域的大小和朝向是依據整個器件的圖案的清晰度及投射透鏡的畸變來選擇的。
在計算出最佳區域的大小和位置之後，在該區域對邊上的位置誤差之間可能存在殘留的差別。在許多情形中，該差別的平均值非零，意味著該區域內投射圖案的一側沿一個方向偏移。因此，通過將一次的曝光圖案偏移一個合適的量就能夠得到沿邊緣的改良匹配以便進行補償。這在圖4中示出了，圖4示出了兩個相鄰靶區C1、C2的2階矢量圖。可以看出，通過沿箭頭SO所指的方向相對移動靶區C2可以改良沿連接線的匹配。
應當理解，應用接縫補償給出的最顯著的優點是，在圖案區域對邊上的位置誤差之間的差別在整個邊或邊的大部分處具有相同的方向。如果邊的不同部分處的位置誤差之間的差別具有不同的方向，那麼接縫補償就僅能提供較小的改良匹配或不能給出改良匹配。因此，在選擇最佳區域的大小和位置時，也應當考慮通過接縫補償所獲得的改良匹配。
為了進一步減小接縫誤差，襯底平臺定位的可重複性可以表徵為，進行一系列的測試曝光或其它測量以便得到表徵為晶片平臺伺服系統的X和Y步進誤差的數據。通常，平臺定位中的誤差包括隨機成分和系統成分。重複進行測試來確定系統誤差，該系統誤差在確定最佳曝光順序時應當考慮。這類誤差可能來源於晶片平臺的定位和控制系統以及幹涉位移測量系統IF。優選地，測試曝光設置為考慮所有可能的誤差源。測試曝光能夠用來得到平臺定位圖，類似的可得到給定裝置的透鏡特性圖。反過來該定位圖又能用來得到步進校正矩陣fi，這樣fi(Δx，Δy，Δ，ΔΨ，Δτ)其中Δx、Δy代表位置誤差，Δ代表轉動誤差，ΔΨ代表水平校正，Δτ代表步進圖案絕對校正量。
給出X和Y步進誤差的表徵數據，最優的程序就能夠容易確定出進行曝光的最適宜順序同時將由階段定位誤差引起的接縫誤差降至最小，從而進行製造器件所必需的曝光。迄今為止，曝光順序僅對於生產量進行優化。
圖5示出器件D1至D4將被複製到一個襯底W上。每個器件都是由靶區C1至C4組成。同時示出了複製不同靶區所採用的可能路徑P1至P4。應當理解，如果X和Y步進誤差在襯底的不同區域是不同的，則用來將不同器件複製到襯底上的最佳順序也可以是不同的。依照本發明，優選的是步進圖案被設置為使得製成一個大面積器件所需的曝光在下一個器件開始之前被全部完成，而且製成一個大面積器件所行進的總距離被減至最小。
通常，通過進行一次曝光來定位襯底，以便使靶區被最優地定位在投射透鏡PL的焦平面內。這一方法被稱作水平測量並且可以在不工作時進行，即在一次曝光期間，使用一個對襯底表面位置進行實時測量的水平傳感器。或者，可事先測量晶片的表面外形，而且在掃描期間計算襯底的最佳高度(Z)位置和傾角(Rx，Ry)。該水平測量方法可被看作是確定一個最佳平面，其代表襯底外形的一種平均，該平面被定位在投射系統PL的焦平面上。通常，每次曝光都單獨地確定這一平面。依照本發明，確定該最佳平面可用於整個大面積器件。
應當理解，本發明所有的最優化過程可以在一系列曝光過程期間實時地進行，或者事先基於光刻裝置的預先確定的性質進行，該性質與被成像的圖案以及被曝光的襯底的數據有關。藉助於構成該平板印刷裝置控制系統的一部分的計算機系統或者藉助於單獨的計算機系統可以實現這些最優化過程。
還應當理解，上述的不同最佳方案可以隨需要被單獨地使用或以不同方式結合使用。
儘管上面已經描述了本發明的具體實施例，但是應當理解，本發明也可用其他的方式實施而不是如所述的。本說明無意限制本發明。
權利要求
1.一種器件的製造方法，包括步驟提供被一層輻射敏感材料至少部分覆蓋的一襯底；使用一輻射系統來提供投射束；使用圖案化裝置來使投射束在其橫截面內具有一圖案；將形成圖案的投射束投射在輻射敏感材料層的第一靶區和第二靶區上，所述第一和第二靶區沿一邊緣鄰接；其特徵在於在所述投射步驟中，選擇位於所述投射系統全部照射區域內的投射區域的大小和位置，以便使沿圖案所述邊緣的位置誤差之間的差別減至最小，其中所述的圖案被投射在所述第一和第二靶區上。
2.依照權利要求1的方法，其中藉助於下列步驟來選取投射區域的所述大小和位置參考表徵投射圖案位移的數據，其中在所述投射步驟中投射圖案橫跨投射系統的最大區域，來確定位於該最大區域內多個減小的投射區域的對邊上的位移之間的差別，所述最大區域內的所述多個減小的投射區域具有不同的大小、長寬比和/或位置；和從所述多個減小的投射區域中選擇一個具有最小位移之間差別的區域作為所述減小的投射區域。
3.依照權利要求1或2的方法，進一步包括步驟在所述襯底上將投射到所述第一和第二靶區之一上的圖案從指定位置偏移到相對位置，以便提高投射在所述第一和第二靶區的圖案之間的對準程度。
4.依照權利要求1、2或3的方法，其中所述器件是一個大面積的器件，該器件的一層是通過曝光多個相鄰靶區進行印製。
5.依照權利要求4的方法，其中對曝光所述多個相鄰靶區的順序進行選擇以便將位於所述相鄰靶區間接合點處的誤差最小化。
6.依照權利要求1或2的方法，其中在所述投射步驟中，在整個大面積器件上最優化所述襯底相對於用於所述投射步驟中的投射系統的焦平面進行的定位和取向。
7.依照前述任一權利要求所述方法製造的一種器件。
8.一種電腦程式，包括用於命令光刻裝置執行前述任一權利要求的步驟的程序編碼裝置。
9.一種電腦程式，用來選擇用於器件製造方法的投射系統全部照射區域內的透射區域的最佳尺寸和位置，該製造方法使用光刻投射裝置中將圖案投射到通過所述投射系統在襯底上提供的輻射敏感層的第一和第二靶區上，所述第一和第二靶區沿一邊緣相鄰，當在計算機系統上運行時，包括程序編碼裝置的所述電腦程式命令計算機系統執行下列步驟參考表徵投射圖案位移的數據，其中在所述投射步驟中投射圖案橫跨投射系統的最大區域，來確定位於該最大區域內多個減小的投射區域的對邊上的位移之間的差別，所述最大區域內的所述多個減小的投射區域具有不同的大小、長寬比和/或位置；和從所述多個減小的投射區域中選擇一個具有最小位移之間差別的區域作為所述減小的投射區域。
全文摘要
為了印製大面積的器件的各層，選擇一個投射區域使接縫誤差最小化，其中大面積的器件是在多於一個靶區或印模上延伸的器件。優選地，選取該透射區域是基於表徵待使用的投射透鏡的數據，而且選取該投射區域以便使投射圖案中位置誤差之間的差別最小化，其中投射圖案位於該區域的對邊上。
文檔編號H01L21/027GK1456937SQ0313680
公開日2003年11月19日 申請日期2003年4月10日 優先權日2002年4月12日
發明者M·J·E·范德穆斯迪克, K·西蒙, E·范登布林克 申請人:Asml荷蘭有限公司