可擦除的離子注入的光耦合器的製作方法

2023-07-16 13:08:56

專利名稱：可擦除的離子注入的光耦合器的製作方法
可擦除的離子注入的光耦合器領域本公開涉及光電路製造領域，具體涉及可擦除的輸入和輸出耦合器在光學組件和電路中的應用。
背景技術：
集成光子產品包括濾波器、分插復用器、反射器以及用於光通信、光互連以及光感測的許多其它光學和光子器件。集成器件可構建為多層，其中下層器件首先構建，且更多器件被構建下層器件上方。在微電子學中，在更多器件被層疊上去之前，可對下層上的器件進行測試。許多微電子設計包括接觸墊，以允許測試探頭與部分完工的晶片進行電連接。如果電路未良好工作，則對其進行修復或將其丟棄。這避免了構建更高層卻在稍後發現電路有缺陷的浪費。
在光器件中，通常使用光柵來代替電氣接觸墊，以將光耦合進入和耦合出光電路。儘管當前不存在用於集成光子器件的標準製造和測試技術，但經蝕刻的光柵耦合器通常被用於測試原型光子器件。儘管能有效地使用經蝕刻的光柵將光耦合到光子器件中以用於測試和表徵目的，但一經製造，它們就永久地被植入光電路中。典型地，中間光柵耦合器將在任一側斷開光學路徑，或降低光在光電路中傳播的效率。由於光柵是對晶片表面的變更，必須在器件測試之後將光柵從晶片物理地去除，或必須重新確定光學路徑以避開測試光柵。這限制了將經蝕刻的光柵耦合器用於線上光學測試,且增加了去除它們的花費。光子器件和其它光器件能利用已面向微電子領域完善建立的工藝(最著名的是通過使用基於絕緣體上矽(SOI)材料系統的CMOS (互補金屬氧化物半導體)兼容製造技術)在矽晶片上被大規模製造。替代地，可利用諸如鈮酸鋰、二氧化矽之類的其它材料以及πι-v族工藝來製造集成光器件。附圖
簡述參考以下附圖描述了本發明的非限制性和非窮舉實施例，在全部視圖中，相同的附圖標記指示相同部件，除非另外指定。圖IA是適用於本發明的絕緣體上矽波導的簡圖。圖IB是根據本發明的實施例的具有在波導上形成的硬掩模層的圖IA的波導的簡圖。圖IC是根據本發明的實施例的具有穿過圖案化掩模的離子注入的圖IA的波導的簡圖。圖ID是根據本發明的實施例的具有在波導中形成的光柵的圖IA的波導的簡圖。圖IE是根據本發明的實施例的使用光柵作為光耦合器來測試波導或其它光學組件的簡圖。圖IF是根據本發明的實施例的利用熱從波導擦除光柵的簡圖。
圖2是根據本發明的實施例的能用於測試若干光子器件的級聯光柵陣列的簡圖。圖3是根據本發明的實施例的用於測試光子器件的測試系統的簡圖。圖4是根據本發明的實施例的包括光子器件的移動通信設備的簡圖。
具體實施例方式傳統上通過反應離子蝕刻而製造的光耦合器件(在此情況下為光柵)可替代地通過離子注入來製造。這允許在使用之後通過低溫熱處理來擦除這些器件。例如，可擦除的光柵結構可用於光學晶片級測量以及集成光子器件中需要集成反射器(布拉格光柵)和耦合器的迅速(或一次性)實現的任何其它應用。擦除可通過熱退火或雷射退火來執行。雷射退火允許注入的光柵在局部被擦除，且被處理的晶片的其它部分不受影響。
離子注入的光柵還能被用於電信應用和光感測的產品中，在這些產品中，經蝕刻的光柵一般是優選的。離子注入的布拉格光柵顯示出了與等同的蝕刻光柵可比擬的或更好的性能，而且潛在地更易於被製造。此外，布拉格光柵的平坦表面是用於感測應用和熱調諧應用的優勢。可擦除光柵可應用於光學晶片級測試技術。通過在製造工藝期間的任何時候和任何地方插入光柵，製造期間的分析可以是快速的、線上的以及非破壞性的。可擦除的進入點能被用於在器件晶片上的任何位置引導光，且對晶片表面的變更最少。如本文所描述，離子注入的集成光柵在絕緣體上矽(SOI)以及其它光學電路和器件中形成。這些光柵稍後能通過退火而被擦除。這些光柵極有可能用於光學集成，且能被用於各種集成光子應用，諸如光通信、光感測以及光學晶片級測試。注入的光柵能通過使用已建立的離子注入工藝來製造。注入的離子5在所影響的波導的矽晶格中引入結構改變。離子注入能將晶體矽結構改變成非晶矽結構。這足以改變折射率，以使得晶體矽和非晶矽的交替行的圖案能形成光柵。非晶矽與晶體矽的折射率η之間的折射率差在例如約I. 55 μ m的光波長下約為O. 5。通過用作模板的SiO2硬掩模注入IV族離子(諸如Ge離子5)，可將周期性圖案轉移到矽波導上。注入其它離子以損壞矽也是可行的。對於矽而言，IV族材料Ge和其它IV族離子效果良好，但也能使用其它離子。對於諸如砷化鎵之類的III-V族材料、對於諸如鈮酸鋰之類的絕緣體、或對於諸如矽玻璃之類的非晶材料，其它離子可能產生更好的結果。圖IA至IE示出通過離子注入來製造光柵的示意圖。例如，這樣的光柵可被配置為輸入或輸出耦合器、或布拉格光柵。這些光耦合器能被用於晶片級測試。圖IA示出一個示例中的半導體襯底I。在一個示例中，該襯底具有位於掩埋的絕緣體層(諸如二氧化矽)之上的半導體層(諸如矽)，然而，可替代地使用其它材料。已使用(例如)uv光刻技術以及隨後的反應式離子蝕刻在襯底I的頂部半導體層上形成了常規的脊形光波導2。在所示示例中，波導是矽脊形波導，然而也可替代地使用其它類型的波導。該光波導是用於說明目的。各種不同光器件可通過本示例中的簡單波導來表示。這些器件包括濾波器、分插復用器、調製器、諧振器、反射器以及許多其它基于波導的光學和光子器件。圖IB示出沉積在包括波導的襯底I之上的具有硬掩模3的光波導。硬掩模層3在波導上被形成為二氧化矽(SiO2)層或氮化矽(Si3N4)層，然而也可使用各種其它CMOS相容材料，包括電介質和金屬(諸如鋁)。電介質可包括Si02、Si3N4、Si0H、Si0N以及多晶矽，等等。金屬可包括Al、Cr、W以及Au,等等。然後在硬掩模3上將抗蝕劑層4 (諸如光刻膠或電子束抗蝕劑)圖案化為周期性光柵圖案或任何其它想要的圖案。例如，該抗蝕劑可以被沉積或被旋塗。然後它通過(例如)電子束光刻或深UV光刻而被曝光，並被顯影。這使得硬掩模層3按照想要的圖案來暴露。該特定圖案取決於所製造的特定器件。對於光柵而言，可使用如圖IC所示的行的周期性圖案。然而，該硬掩模也能用於製造其它圖案。在將抗蝕劑圖案化之後，使用例如基於CHF3的氣體(在SiO2的情況下)或其它標準電介質或金屬蝕刻劑(取決於所使用的掩模材料)來蝕刻硬掩模3的暴露區域。典型的蝕刻劑包括碳和矽的氟化物以及各種酸，等等。因此，該圖案被施加至硬掩模3。然後去除光刻膠，留下經圖案化的硬掩模4。可選擇硬掩模4上的圖案的特定尺寸以適合特定應用，諸如要耦合進出光學組件的光以及想要的耦合效率。在圖IC中，通過經圖案化的硬掩模4來注入離子5。該注入可使用標準半導體處·理技術來執行。離子按照與硬掩模相對應的圖案來損傷下方的襯底。該損傷改變受影響區域中的襯底的折射率。如果損傷足夠強，則可使襯底改變狀態，例如從晶體轉變為非晶。這提供折射率的較大改變。可調整離子注入量以及對襯底的損傷以適合特定應用。在圖ID中，通過適當的選擇性溼法蝕刻或反應式離子蝕刻來去除硬掩模4。這留下了經圖案化的離子注入區域，從而形成光耦合器6。所得的光耦合器6能用於將光耦合進出波導或任何其它光學元件。光耦合器6提供用於進出襯底I上的光學組件的進入點，以用於測試和其它用途。所有這些操作與常規的CMOS (互補金屬氧化物半導體)製造工藝相容。這允許光稱合器6與晶片上的其它電子和光子兀件共存,並在同一設施上且利用同一設備來製造。在一個示例中，通過離子注入形成布拉格光柵。布拉格光柵能被用作頻率選擇的反射器。取決於特定應用，可設計布拉格光柵以將窄波長帶的光反射回入射光波導中。在此示例中，如上所述製造的布拉格光柵可按照與光耦合器相同的方式來擦除。可基於器件的預期用途和製造需求來進行對光柵、光耦合器或其它光器件的特定選擇。光耦合器6的深度受由離子注入所形成的非晶區域的厚度的影響。可在較低的注入劑量和較高的注入溫度下使用較重的離子。另一方面，較輕的離子需要較高的劑量和較低的溫度。較低的溫度有助於防止非晶矽中發生自退火。自退火將降低注入工藝的效率。在離子注入工藝期間，襯底會因為離子撞擊而被加熱。這產生了自退火效應，該效應對預期由離子注入所引起的損傷不利。像Sn、Xe或鍺之類的較重的離子種類能夠在較低劑量下引起想要的損傷，因為在撞擊中，較重的質量產生較高的損傷濃度。這增強了材料的非晶化，並限制自退火。另一方面，較輕的離子種類(例如硼或磷，甚至He和N2)需要高注入劑量，且非常容易傾向於自退火。此外，輕離子種類會容易地擴散到材料中，從而使光柵分布難以控制。用於注入的離子的特定選擇將取決於想要的效果和所涉及的製造設備。可能的離子包括Ge、Sn、Pb、Sb、Xe、一般而言的稀有氣體(Ne、Ar、Kr、Xe)以及碳，等等。為了與CMOS工藝相容，已使用了 Ge和Si，不過其它材料也可能是適合的。Ge離子5能被用於在相對低劑量下(諸如，IO14-IO15個離子/cm2)通過硬掩模4來產生非晶區域。使用30keV與70keV之間的能量以及從300K到700K的溫度獲得了良好效果。在Ge離子5的情況下,這產生了從50nm到IOOnm深度的光稱合器6。對於典型的SOI波導材料，可假定，當點缺陷的濃度達到約4X IO22CnT3的值時，材料完全是非晶的。該濃度對應於晶體矽原子密度的約80%。此外，迄今為止獲得的數據表明，較低的點缺陷濃度值也與矽折射率的改變相關聯。因此，儘管非晶化確保較高的折射率改變(從而確保較高的光柵效率)，但對於較低的損傷濃度，實現較弱的光柵效應也是可能的。在光耦合器6或光柵就位的情況下，可如圖IE所表明的那樣測試該晶片。在一個示例中，光耦合器6是光柵，且被用於將光耦合進出波導，以創建用於晶片上的光學組件的入口和出口。圖IE示出被用作出口的光柵6。透過波導2傳播的光信號7通過光耦合器6全部或部分地被引導離開該波導。然後可對信號7取樣、測量以及評估，以用於測試目的。然而，除了作為出口，同樣或不同的光耦合器6也可用作入口。根據光學組件2和光耦合器 6的特定構造，可對晶片上的光器件執行各種不同測試中的任一種。然後，當測試完成時，可擦除光耦合器6。因為在經注入的材料中的折射率變化主要與離子注入損傷有關，所以光柵效應可逆。在一個示例中，如圖IF所示，通過適當溫度(例如550° C)的退火15-20分鐘，光耦合器6被擦除。可使用其它工藝以代替溫度退火或作為溫度退火的附加。這允許經注入的光耦合器6在需要可擦除的光耦合器的任何地方使用。用於可擦除光柵的一個示例應用是用於光子器件的晶片級測試。可在經處理的矽晶片的不同區域中注入集成光耦合器，以使得光耦合能用於測試目的。圖2示出能用於測試光子器件的級聯光柵陣列。級聯構造能為光學晶片級測試提供更大範圍的測試。在圖2中，在器件晶片22上注入較高效率(Ili)的輸入耦合器21，且通過使用各種效率(1，n2, n3)的不同光柵在晶片中的不同點23、24、25處提取輸出信號。在圖2的示例中，光測試信號26通過光信號產生器27耦合到晶片中。測試信號傳播通過構成第一待測光子器件(PDUT1)28的一個或多個光器件。第一 TOUT的輸出29在第一較低效率光柵23處被測試信號接收器30部分地收集。然而，僅收集了輸入測試信號的一部分，光測試信號26的餘下部分繼續通過第二光器件(PDUT2)31。在通過第二器件處理之後，測試信號32的一部分被第二測試信號接收器34所收集。測試信號26的餘下部分繼續至第三光器件(PDUT3)34。該器件的光學輸出35可在第三輸出光柵25處被第三測試信號接收器36所收集。可能存在附加的光器件(未不出)，測試信號26的餘下部分傳播通過附加的光器件。根據所要支持的特定測試方案，可提供更多或更少的輸入和輸出光柵。如果在光學電路或路徑中存在分支，則各個分支處的光柵可用於收集測試信號的諸部分。可調整測試信號和分支的特定數量以適合晶片的特定布局和任何期望的測試方案。為了區別每個不同器件的測試輸出29、32、35，可構想各種策略。在一個示例中，通過採用不同注入深度或不同光柵周期，可在晶片上的不同位置處注入不同的光柵。通過在注入工藝期間使用不同離子能量，可製造不同注入深度。不同深度和不同周期允許使用不同波長的光測試信號。這可允許通過將一系列光柵級聯來實現更先進的測試方案。在所示示例中,所施加的原始測試信號26具有寬頻率範圍,如該圖中的三個不同陰影的箭頭所示。在每個輸出光柵23、24、25處，僅單個波長範圍被相應的光柵耦合併被相應的接收器30、33、36收集。在所有三個輸出光柵之後，收集所有三個波長帶。為了該圖的目的，已通過測試過程收集了整個輸入測試信號26。圖2是為了說明級聯光柵陣列的概念而提供的簡圖。可調整實際光頻率範圍和光柵布置以適合任何特定應用。可調整光柵的效率以適合任何特定的測試應用。在許多情況下，從經注入的耦合器提供的信號會非常弱且在頻率範圍中非常窄，從而目的變成了能夠檢測該信號的表示。然後可對所檢測到的表示進行取樣和評估，以獲得其承載的信號或其它特性。在這樣的情況下，為了測試集成設計，功率要求可能相對低，只要測試信號以令人滿意的SNR (信噪比)在波導或其它光器件內部耦合。這種類型的耦合允許利用具有非常低耦合效率的光柵來執行晶片級測試。因此，在這樣的系統中，儘管陰影離子注入光柵的耦合效率比其它類型的光柵低，仍可使用陰影離子注入光柵來獲得良好效果。對於其它應用而言，可能期望高得多的耦合效率。對於輸入光柵而言，這可通過提供較高的輸入功率來提供。替代地，可使用較深的離子注入光柵。在一些實例中，可將其它類型的光柵或埠用於需要高耦合效率來支持特定測試的少數場景。可調整任何特定光柵的設計以適合測試方案。 在圖IF中，擦除光耦合器6，從而將襯底I和波導2返回它們的原始狀態或接近原始狀態。可利用快速熱退火(RTA)或雷射退火等等來擦除光柵。雷射退火允許將退火引導至晶片上的特定位置。這能被用於允許特定光柵被擦除，而不影響任何其它光電路或器件。RTA可被如下的晶片，其中的光學電路更強健而且不會受到加熱至擦除工藝所需溫度的影響。雖然圖IF顯示光耦合器6已從襯底I和波導2完全擦除，但波導上可能存在光耦合器6的殘留物。光耦合器被擦除的程度將取決於原始離子注入的特性和退火工藝的效率。即使一些矽保持非晶或受損狀態，光耦合器也可能被充分去除以消除其功能。此外，即使實際上所有的受損/非晶矽已返回至晶體狀態，注入的離子可能仍然殘留在襯底中。沒有必要在退火期間完全消除光耦合器的所有殘留物，替代地恢復光波導的先前功能以供使用。根據應用，可將晶片測試到不同程度。圖3是用於包含光學電路或光子元件的晶片41的測試構造的簡圖。該晶片可以是用於最終測試的完成晶片或部分經過處理的晶片。根據測試結果，部分經過處理的晶片可被測試然後送至製造區域以進行進一步處理、送至返工區域以進行修復、或被丟棄。晶片被耦合至多個光學探頭42，諸如圖2的信號發生器27和信號接收器30、33、36。對於包括多個晶片的晶片而言，根據測試場景，可針對每個晶片或針對晶片中的一個或多個而將探頭加倍。光學探頭可通過可擦除光柵並通過永久的光耦合器被耦合至晶片。這可允許按照期望地測試儘可能多的光學電路和器件。光學探頭耦合至光學子系統43，該光學子系統43控制信號產生器所產生的信號，並收集由信號接收器所收集的信號。一組電氣探頭和連接器44也被耦合至晶片上的電氣連接墊和觸點，以按期望地向晶片提供驅動和調製信號。根據晶片上的特定組件以及將要執行的測試的類型，電氣探頭可驅動晶片上的電子組件(如果存在)、向晶片提供控制信號、並提供調製和切換信號。電氣探頭和連接器被耦合至電氣子系統45。光學和電氣子系統被耦合至測試控制器46，測試控制器46可以是用於控制測試的專用或通用計算機的形式。測試控制器提供信號序列並從子系統接收結果。然後測試控制器可將結果提供給用戶接口或生產控制系統47。圖4是適用於如上所述的微電子器件的設備的示例。在圖4的示例中，設備100被優化以用作行動電話、可攜式遊戲控制臺或移動網際網路設備，然而，根據電源、外殼和用戶接口設計等等，可調整該架構以用作平板、筆記本或桌面計算機。在圖4中，處理器410耦合至系統控制器中樞411。系統控制器中樞具有連接至各種不同設備的接口。在一側，諸如SDRAM(同步動態隨機存取存儲器)之類的高速存儲器412耦合至第一存儲器接口。諸如盤驅動器、快閃記憶體或非易失性存儲器之類的高容量存儲器413耦合至第二存儲器接口。串行接口 414耦合至該系統控制器中樞以支持蜂窩、無線網絡和外圍設備無線電裝置以及任何其它串行設備，諸如媒體卡、存儲卡和其它適配器卡。系統控制器中樞411還耦合至圖形適配器415，圖形適配器415連接至內部顯示器 416。對於可攜式設備而言，這可以是各種類型中的任一種類型的觸控螢幕顯示器。第二圖形適配器417可耦合至系統控制器中樞以提供用於外部顯示器的視頻輸出。第二圖形適配器可與第一圖形適配器組合以降低成本，或它可僅被提供作為接口適配器而沒有像素處理能力。用戶接口總線418允許各種低引腳數量的輸入/輸出接口中的任一種連接至系統控制器中樞411。這可包括觸控螢幕控制器、鍵盤、紅外收發機等等。該系統控制器中樞還包括用於話筒、揚聲器、頭戴式耳機等等的模擬音頻接口419。最終，高速連接接口 420可連接至系統控制器中樞，以支持諸如PCI (外圍組件接口)、USB (通用串行總線)、火線、光峰(Light Peak)等等之類的高速外部接口。該連接可被用於同步，以及用於照相機、語音和視頻電話、有線和無線高速聯網，以及其它目的。各種不同的高速適配器和加速器也可耦合至該接口。所示的特定連接、接口和設備是作為示例而提供的，可使用更多或更少設備，而且可改變所示特定示例以適合特定區域和使用應用。所示架構提供一個示例，然而，根據應用可組合或分割某些設備。例如，可將圖形、存儲器以及一些接口納入該系統控制器中樞或處理器中。該處理器可被配置成與圖形、存儲器、高速外部接口以及其它組件直接通信。此外，可添加更多組件以適合特定應用。所示組件中的任何一個或更多個可包括如上所述的絕緣體上矽光波導。例如，處理器110可包括內部波導122，以在處理器的不同部分之間通信，例如在執行核與數據或指令高速緩存之間通信。系統控制器中樞111可包括內部波導123，以在不同接口或總線之間通信。在每種情況下，波導將兩個光學設備(未示出)連接到一起，這些光學設備可能僅僅是光電接口，或可能直接影響光。此外，光波導可用於在該系統的分立組件之間進行通信。圖4分別示出處理器和中樞上的波導424、425，以支持這兩個設備之間的光學連接。相似地，波導126、127用於將圖形適配器115耦合至中樞111。如果圖形適配器被納入處理器或中樞中，則仍可使用光波導來將圖形適配器連接至該單個晶片的其它部分。可使用光連接器來耦合其它組件。圖4還示出在相對的片上波導128、129之間的光學連接，用於將中樞連接至高速連接總線120。可調整系統100內的光波導的特定使用和構造以適合各種各樣的應用和環境。在以下描述中，描述了各種特定細節以提供對本發明的實施例的透徹理解。然而，本領域技術人員會認識到，可以在無需這些具體細節中的一個或多個的情況下、或者使用其它方法、組件、材料等來實踐本發明。在其它情形中，公知的結構、材料或操作未被示出或未詳細描述，但仍然被包含在本發明的範圍內。貫穿本說明書，對「一個實施例」或「一實施例」的引用意味著結合該實施例描述的特定特徵、結構或特性被包括在本發明的至少一個實施例中。因此，本說明書中的這樣的短語的出現不一定都指代同一實施例。而且，特定特徵、結構、或特性可按照任何合適的方式在一個或多個實施例中組合。所示出的本發明的實施例的以上描述(包括摘要中描述的內容)不旨在窮舉本發明或將本發明限制為所公開的精確形式。雖然本文中為了說明目的描述了本發明的特定實施例和示例，但本領域普通技術人員將認識到，在本發明範圍內的各種等價修改是可能的。鑑於以上詳細描述，可對本發明作出這些修改。 所附權利要求書中使用的術語不應當理解為將本發明限制為說明書和權利要求書中公開的特定實施例。相反，本發明的範圍應當完全根據所附權利要求書來確定，權利要求書應當根據權利要求解釋的既定教義來理解。
權利要求
1.一種方法，包括 將離子注入襯底，以在光器件的波導中形成光柵； 將光信號耦合進入所述波導以及耦合出所述波導，並通過所述光柵；以及 在通過所述波導耦合光信號之後，對所述襯底退火以去除所述光柵。
2.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，還包括將所述光器件製造為絕緣體上矽光器件。
3.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，注入離子包括利用光刻在所述襯底上形成硬掩模，並通過所述硬掩模注入離子。
4.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，注入離子包括按照圖案將重IV族離子注入所述襯底。
5.如權利要求4所述的方法，其特徵在於，注入離子包括在低於所述襯底的自退火溫度的溫度下注入離子。
6.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，注入離子包括注入離子以在所述襯底中形成折射率的周期性變化的光柵。
7.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，注入離子包括注入離子以形成布拉格光柵。
8.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，注入離子包括通過所述離子注入使所述襯底的至少一部分從晶體狀態變成非晶狀態。
9.如權利要求8所述的方法，其特徵在於，去除所述光柵包括使所述襯底的非晶部分變成至少部分晶體狀態。
10.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，注入離子包括引入輻射損傷以改變經注入材料的折射率。
11.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，形成光柵包括形成用於將光耦合到所述波導中的光耦合器。
12.如權利要求11所述的方法，其特徵在於，耦合光信號包括利用所耦合的光信號來測試所述光器件。
13.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，還包括在所述襯底上形成耦合至所述襯底上的多個不同光器件的多個光柵，所述不同光柵具有不同的光學性質，以將不同的波長耦合出所述襯底。
14.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，還包括在去除所述光柵之後在所述光器件上形成附加的光器件。
15.一種裝置,包括 襯底； 所述襯底上的光器件； 光耦合器，在所述襯底上臨時形成以用於測試，然後通過退火被去除，所述光耦合器耦合至所述光器件以測試所述光器件。
16.如權利要求15所述的裝置，其特徵在於，所述光耦合器是布拉格光柵。
17.如權利要求15所述的裝置，其特徵在於，所述光耦合器通過按照周期性圖案來損傷所述襯底而臨時形成。
18.一種裝置，包括 襯底； 所述襯底上的第一光器件； 所述襯底上的第二光器件； 光波導，位於所述第一和第二光器件之間並耦合所述第一和第二光器件； 光耦合器，在所述襯底上臨時形成以用於測試，然後在測試之後被擦除，所述光耦合器耦合至所述光波導以將外部光測試信號耦合出所述波導。
19.如權利要求18所述的裝置，其特徵在於，還包括第二光耦合器，用於將所述外部光信號耦合入所述第一光器件中。
20.如權利要求19所述的裝置，其特徵在於，還包括 第三光器件； 第二光波導，位於所述第二和第三光器件之間，並耦合所述第二和第三光器件；以及第三光耦合器，耦合至所述第二光波導，以將外部光信號從所述第二光耦合器耦合出所述第二波導， 其中所述第一光耦合器僅將所述外部光信號的一部分耦合出所述波導。
21.一種裝置，包括 無線電裝置； 耦合至所述無線電裝置的中樞；以及 耦合至所述中樞的處理器，所述處理器具有 襯底； 所述襯底上的第一光器件； 所述襯底上的第二光器件； 光波導，位於所述第一和第二光器件之間並耦合所述第一和第二光器件； 光耦合器，在所述襯底上臨時形成以用於測試，然後在測試之後被擦除，所述光耦合器耦合至所述光波導以將外部光測試信號耦合出所述波導。
22.如權利要求21所述的裝置，其特徵在於，所述處理器波導是絕緣體上矽波導。
23.如權利要求21所述的裝置，其特徵在於，所述光耦合器通過離子注入來形成，並通過退火而被擦除。
全文摘要
描述了可擦除的離子注入的光耦合器。在一個示例中，一種方法包括將離子注入襯底，以在光器件的波導中形成光柵，該光柵將光信號耦合進出該波導並通過光柵；以及在通過波導耦合光信號之後，對襯底退火以去除光柵。
文檔編號G02B6/12GK102893189SQ201180023430
公開日2013年1月23日 申請日期2011年4月8日 優先權日2010年5月10日
發明者G·T·裡德, R·羅亞考諾 申請人:英特爾公司