基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統的製作方法
2024-03-06 04:38:15
基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統的製作方法
【專利摘要】本發明公開了基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，主要包括信號變換電路，與信號變換電路相連接的信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路，其特徵在於：還包括同時與正反饋電路和選頻電路以及選頻電路相連接的移相處理電路；所述的移相處理電路由移相晶片U1，三極體VT3，三極體VT2，一端與移相晶片U1的VCC+管腳相連接、另一端與移相晶片U1的IN1管腳相連接的電阻R16，負極經電阻R17後與移相晶片U1的IN1管腳相連接、正極與移相晶片U1的IN2管腳相連接的極性電容C10等組成。本發明採用移相處理電路，其可以保證振蕩系統用於很寬的頻率範圍時還可以維持很好的穩定性。
【專利說明】基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種系統，具體是指一種基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統。
【背景技術】
[0002]隨著電子技術的不斷發展，振蕩器作為產生重複電子訊號(通常是正弦波或方波)的電子元件應用越來越廣泛。其種類很多，按振蕩激勵方式可分為自激振蕩器、他激振蕩器；按電路結構可分為阻容振蕩器、電感電容振蕩器、晶體振蕩器、音叉振蕩器等；按輸出波形可分為正弦波、方波、鋸齒波等振蕩器。目前廣泛用於電子工業、醫療、科學研究等方面。
[0003]然而目前的振蕩器系統所適用的頻率範圍較小，並且容易受到電壓波動的影響，這就使得振蕩系統應用範圍具有很大的局限性和不穩定性。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在於解決目前的振蕩系統所適用的頻率範圍較小，且容易受到電壓波動影響的缺陷，提供一種基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統。
[0005]本發明的目的通過下述技術方案現實:基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，主要包括信號變換電路，與信號變換電路相連接的信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路，還包括同時與正反饋電路和選頻電路以及選頻電路相連接的移相處理電路；所述的移相處理電路由移相晶片Ul，三極體VT3，三極體VT2，一端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相晶片Ul的INl管腳相連接的電阻R16，負極經電阻R17後與移相晶片Ul的INl管腳相連接、正極與移相晶片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C10，正極經電阻R15後與移相晶片Ul的NC管腳相連接、負極與三極體VT3的集電極相連接的極性電容C8，正極與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、負極接地的極性電容C9，一端與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、另一端與三極體VT2的集電極相連接的電位器R14，P極與移相晶片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極體VT3的基極相連接的二極體D3，以及P極與移相晶片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極體VT2的發射極相連接的二極體D2組成；所述移相晶片Ul的VCC+管腳與選頻電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R14的滑動端相連接，三極體VT3的發射極與三極體VT2的基極相連接，三極體VT2的集電極與緩衝電路相連接，電容ClO的負極與選頻電路相連。
[0006]所述信號變換電路由轉換晶片K，變壓器Tl，串接在變壓器Tl副邊同名端與非同名端之間的電容Cl，與電容Cl相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的OSCl管腳相連接、發射極經電阻Rl後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連的三極體VTl，一端與三極體VTl的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；所述三極體VTl的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的INl管腳與變壓器Tl副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器Tl副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器Tl原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VTl的基極相連接、0UT2管腳和OUTl管腳均與信號放大電路相連。
[0007]所述的信號放大電路由放大器P1，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器Pl的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2，一端與放大器Pl的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器Pl的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器Pl的反相輸入端與轉換晶片K的OUTl管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
[0008]所述的正反饋電路由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體Dl組成；場效應管Ql的漏極經電阻R6後與放大器Pl的輸出端相連接、其源極則同時與電容ClO的負極以及電阻R3相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體Dl的P極與場效應管Ql的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接，場效應管Ql的源極還與選頻電路相連接。
[0009]所述的選頻電路包括放大器P2，電容C5，電阻R8 ;放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體Dl的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、反相輸入端與場效應管Ql的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
[0010]所述的緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地的電容C7，與電容C7相併聯的電阻RlI，一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接的電阻R12，一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接的電阻R9，以及一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接的電阻RlO組成；所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體Dl的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地，電阻R9和電容C6的連接點接地。
[0011]所述的移相晶片Ul為LM741集成晶片。
[0012]本發明與現有技術相比具有以下優點及有益效果:
1、本發明採用移相處理電路，其可以保證振蕩系統用於很寬的頻率範圍時還可以維持很好的穩定性。
[0013]2、本發明採用了 LM741集成晶片其靈敏度高，價格低廉。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1為本發明的整體結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式並不限於此。
實施例
[0016]如圖1所示，本發明的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，主要包括信號變換電路，與信號變換電路相連接的信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路，還包括同時與正反饋電路和選頻電路以及選頻電路相連接的移相處理電路。
[0017]所述的移相處理電路由移相晶片Ul，三極體VT3，三極體VT2，一端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相晶片Ul的INl管腳相連接的電阻R16，負極經電阻Rl7後與移相晶片Ul的INl管腳相連接、正極與移相晶片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C10，正極經電阻R15後與移相晶片Ul的NC管腳相連接、負極與三極體VT3的集電極相連接的極性電容C8，正極與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、負極接地的極性電容C9，一端與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、另一端與三極體VT2的集電極相連接的電位器R14，P極與移相晶片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極體VT3的基極相連接的二極體D3，以及P極與移相晶片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極體VT2的發射極相連接的二極體D2組成；所述移相晶片Ul的VCC+管腳與選頻電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R14的滑動端相連接，三極體VT3的發射極與三極體VT2的基極相連接，三極體VT2的集電極與緩衝電路相連接，電容ClO的負極與選頻電路相連。移相處理電路，其可以保證振蕩系統用於很寬的頻率範圍時還可以維持很好的穩定性。為了更好的現像本發明的目的，所述的移相晶片Ul優選為LM741集成晶片，其靈敏度高，價格低廉。
[0018]為了使振蕩系統適用於很寬的頻率範圍，擴大振蕩系統的應用場合，因此在信號放大電路的輸入端還設置有信號變換電路。其由轉換晶片K，變壓器Tl，串接在變壓器Tl副邊同名端與非同名端之間的電容Cl，與電容Cl相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的OSCl管腳相連接、發射極經電阻Rl後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連的三極體VTl，一端與三極體VTl的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；所述三極體VTl的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的INl管腳與變壓器Tl副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器Tl副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器Tl原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VTl的基極相連接、0UT2管腳和OUTl管腳均與信號放大電路相連。為了更好的實現本發明，所述的轉換晶片K優選為NE602，其使用方便並且具有很好的信噪比和三階互調指標。
[0019]系統中設置有信號放大電路，其能對所輸入的信號予以放大，保證輸出的信號維持恆定的數值。其由放大器Pl，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器Pl的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2，一端與放大器Pl的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器Pl的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器Pl的反相輸入端與轉換晶片K的OUTl管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
[0020]正反饋電路可以使輸入端的反饋信號的相位相同，以保證系統振蕩維持下去。其由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體Dl組成;場效應管Ql的漏極經電阻R6後與放大器Pl的輸出端相連接、其源極則同時與電容ClO的負極以及電阻R3相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體Dl的P極與場效應管Ql的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接，場效應管Ql的源極還與選頻電路相連接。
[0021]而選頻電路則可以對頻率進行篩選，其只允許特定的頻率通過，使振蕩系統維持單一頻率的輸出。其包括放大器P2，電容C5，電阻R8 ;放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體Dl的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、反相輸入端與場效應管Ql的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
[0022]所述的緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地的電容C7，與電容C7相併聯的電阻RlI，一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接的電阻R12，一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接的電阻R9，以及一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接的電阻RlO組成；所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體Dl的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地，電阻R9和電容C6的連接點接地。通過緩衝電路的作用可以有效的防止系統中的負載效應以及因負載變化而產生的頻率漂移現像，從而實現振蕩電路的低失真度。
[0023]如上所述，便可很好的實現本發明。
【權利要求】
1.基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，主要包括信號變換電路，與信號變換電路相連接的信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路，其特徵在於:還包括同時與正反饋電路和選頻電路以及選頻電路相連接的移相處理電路；所述的移相處理電路由移相晶片U1，三極體VT3，三極體VT2，一端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相晶片Ul的INl管腳相連接的電阻R16，負極經電阻R17後與移相晶片Ul的INl管腳相連接、正極與移相晶片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C10，正極經電阻R15後與移相晶片Ul的NC管腳相連接、負極與三極體VT3的集電極相連接的極性電容C8，正極與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、負極接地的極性電容C9，一端與移相晶片Ul的OUT管腳相連接、另一端與三極體VT2的集電極相連接的電位器R14，P極與移相晶片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極體VT3的基極相連接的二極體D3，以及P極與移相晶片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極體VT2的發射極相連接的二極體D2組成；所述移相晶片Ul的VCC+管腳與選頻電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R14的滑動端相連接，三極體VT3的發射極與三極體VT2的基極相連接，三極體VT2的集電極與緩衝電路相連接，電容ClO的負極與選頻電路相連。
2.根據權利要求1所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述信號變換電路由轉換晶片K，變壓器Tl，串接在變壓器Tl副邊同名端與非同名端之間的電容Cl，與電容Cl相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的OSCl管腳相連接、發射極經電阻Rl後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連的三極體VTl，一端與三極體VTl的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；所述三極體VTl的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的INl管腳與變壓器Tl副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器Tl副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器Tl原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VTl的基極相連接、0UT2管腳和OUTl管腳均與信號放大電路相連。
3.根據權利要求2所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述的信號放大電路由放大器Pl，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器Pl的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2，一端與放大器Pl的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器Pl的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器Pl的反相輸入端與轉換晶片K的OUTl管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
4.根據權利要求3所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述的正反饋電路由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體Dl組成；場效應管Ql的漏極經電阻R6後與放大器Pl的輸出端相連接、其源極則同時與電容ClO的負極以及電阻R3相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體Dl的P極與場效應管Ql的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接，場效應管Ql的源極還與選頻電路相連接。
5.根據權利要求4所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述的選頻電路包括放大器P2，電容C5，電阻R8 ;放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體Dl的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端與移相晶片Ul的VCC+管腳相連接、反相輸入端與場效應管Ql的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
6.根據權利要求5所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述的緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地的電容C7，與電容C7相併聯的電阻RlI，一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接的電阻R12，一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接的電阻R9，以及一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接的電阻RlO組成；所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體Dl的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地，電阻R9和電容C6的連接點接地。
7.根據權利要求1?6中任一項所述的基於移相處理的單片晶控變換振蕩系統，其特徵在於:所述的移相晶片Ul為LM741集成晶片。
【文檔編號】H02M5/458GK104410288SQ201410692431
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月26日 優先權日:2014年11月26日
【發明者】劉芳, 謝靜 申請人:成都創圖科技有限公司