光發射元件、等離子體顯示面板和陰極射線管顯示器件的製作方法

2023-05-27 04:59:11 1

專利名稱：光發射元件、等離子體顯示面板和陰極射線管顯示器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及顯示器件，例如具有光發射窗的光發射元件、等離子體顯示面板(PDP)和陰極射線管(CRT)顯示器件。
近來，工作在高速的高度集成的半導體器件得到廣泛推廣，應用越來越多。作為用半導體器件的有源器件，已知的有隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、微處理器(MPU)、中央處理單元(CPU)和圖像處理器算術邏輯單元(IPALU)等。上述有源器件每時每刻都在發展，以便迅速提高工作速度和/或信號處理速度。在這種情況下，高速傳導的帶電體會伴隨著電壓或電流的急劇變化，這種變化構成了產生高頻噪聲的主要因素。
另一方面，電子元件或電子設備地重量、厚度和尺寸在不斷地減小，這會導致半導體器件的集成度和安裝到印刷線路板的電子元件密度顯著增加，結果，密集集成或安裝的電子器件和信號線彼此非常近。這樣的高密度排列以及上述信號處理速度的提高將很容易引起高頻噪聲。
這種高頻噪聲可以是例如從光發射元件如用在光碟驅動的光拾取中的雷射二極體發出的。這是因為雷射二極體可以工作在高速，在這種情況下，雷射二極體不僅發出或輻射光(紅外線)，而且發出高頻噪聲。
然而，在先有技術中，對從上述光發射元件輻射的高頻噪聲沒有採取過任何措施。
另一方面，作為顯示器件之一，已知的有等離子體顯示面板(下文稱作「PDP」)。結合

圖12，以下述方式，傳統等離子體顯示面板包括彼此相對的第一和第二玻璃襯底，其間留有縫隙。第一玻璃襯底放在前，第二玻璃襯底放在後，據此，稱第一玻璃襯底為前襯底，第二玻璃襯底為後襯底。前玻璃襯底和後玻璃襯底在相對的側面分別具有第一和第二主表面，多個前電極沿著互相平行的預定方向延伸，並且形成在前玻璃襯底的第一主表面上。每個前電極都形成為透明電極，由透明材料例如SnO2、ITO等製成。用第一介質層覆蓋多個前電極。多個後電極沿著垂直於預定方向、彼此互相平行地延伸，並且形成在後玻璃襯底的第二主表面上。每個後電極由例如銀製成。用第二介質層覆蓋多個後電極。多個隔板加強肋放置在第一和第二介質層之間。
這種等離子體顯示面板稱為相對放電型等離子體顯示面板。等離子體顯示面板在前電極和後電極之間產生放電射線，通過起透明電極作用的前電極可以觀察到放電射線。據此，根據放電原理，從等離子體顯示面板的整個面板表面產生或輻射電磁波，所產生的電磁波在其它部分或其它裝置中起幹擾電磁波的作用。在下面結合圖13所描述的方式中，作為抑制幹擾電磁波的措施，將前玻璃襯底沿厚度方向分為兩個分襯底，在兩個分襯底之間放導電網。
然而，關於傳統等離子體顯示面板的抑制幹擾電磁波的措施具有如下問題，首先，在傳統等離子體顯示面板中，由於將前襯底分為兩個分襯底，使得部件的數量增加了，組裝所需要的工作時間也增加了，這對於傳統等離子體顯示面板是不利的。第二，放在前襯底中的導電網導致PDP的光特性降低。第三，考慮導電網的電磁波吸收，要限制導電網的頻帶，最高到能夠吸收電磁波的MHz的數量級。也就是說，由於導電網不能解決高達GHz的數量級的頻帶時電磁波的吸收，這種電磁波吸收近來已成為一個問題，因此傳統的等離子體顯示在這些方面是不利的。
作為另一種顯示器件，已知有陰極射線管(下文也稱為「CRT」)。在現行的已有技術中，陰極射線管顯示器件用作例如電視機的電視(TV)圖象管、個人計算機的監視器等。最初，公知的陰極射線管(CRT)為布老恩管或電子射線管。在下面結合圖22要描述的現有技術中，傳統CRT顯示器件包括陰極射線管或內部是真空的玻璃容器和偏轉線圈。陰極射線管包括具有內表面的顯示面板、形成在顯示面板的內表面上的具有預定圖形的螢光物質、與顯示面板相對並且其間放有螢光物質的蔭罩和電子槍。電子槍發射電子束，穿過蔭罩的孔之一併且擊中有螢光物質的位置，使螢光物質發光。
當電子束擊中有螢光物質的位置，使螢光物質發光時，傳統CRT顯示器件產生或輻射幹擾電磁波，作為傳統CRT顯示器件中抑制幹擾電磁波的措施，是採用下面結合圖23描述的措施，即在陰極射線管的顯示面板中嵌入導電網。
然而，具有導電網的上述傳統CRT顯示器件在下面這些方面的不利的，由於導電網妨礙螢光物質的光發射，使得CRT顯示器件的圖象質量降低，為了提高圖象質量，如果導電網具有低的排列密度，那麼導電網的幹擾電磁波吸收效率降低。具有導電網的上述傳統CRT顯示器件由於在顯示面板中嵌入導電網而使其製造費用變高，這也是不利的。此外，導電網具有能吸收電磁波的頻帶，該頻帶最高限制在MHz的數量級。也就是說，由於導電網不能解決在高達GHz數量級的頻帶時電磁波的吸收，這種電磁波吸收近來已成為一個問題，因此傳統的等離子體顯示在這些方面是不利的。
因此，本發明的目的是提供一種能夠抑制高頻噪聲的顯示器件。
本發明的另一個目的是提供一種所描述的顯示器件，能夠利用未使用的空間得到上述抑制效果。
本發明的目的是提供一種等離子體顯示面板，在MHz和GHz之間的頻帶內，能夠有效吸收幹擾電磁波。
本發明的另一個目的是提供所述的等離子體顯示面板，其中等離子體顯示面板的發光特性不會受到妨礙。
本發明的再一個目的是提供所述等離子體顯示面板，具有優異的批量加工性。
本發明的目的在於提供一種CRT顯示器件，在MHz和GHz之間的頻帶內，能夠有效吸收幹擾電磁波。
本發明的另一個目的是提供所述的CRT顯示器件，其中CRT顯示器件的發光特性不會受到妨礙。
本發明的再一個目的是提供所述的CRT顯示器件，具有優異的批量加工性。
隨著下面的描述，本發明的其它目的將變得很明朗。
根據本發明的第一方面，提供一種具有顯示窗的顯示器件，該顯示窗具有主表面。該顯示器件包括至少在部分主表面上形成的磁損耗層。
根據本發明的第二方面，提供一種具有光發射窗的光發射元件，該光發射窗具有主表面。該光發射元件包括至少在部分主表面上形成的磁損耗層。
根據本發明的第三方面，提供一種具有前玻璃襯底的等離子體顯示面板，該前玻璃襯底具有外表面。該等離子體顯示面板包括在外表面上形成的磁損耗層。
根據本發明的第四方面，提供一種具有前玻璃襯底的等離子體顯示面板，該前玻璃襯底具有內表面。該等離子體顯示面板包括在內表面上形成的磁損耗層。
根據本發明的第五方面，提供一種陰極射線管(CRT)顯示器件，包括具有顯示面板的陰極射線管，該顯示面板具有內表面。該CRT顯示器件包括形成在內表面上的磁損耗層。
根據本發明的第六方面，提供一種陰極射線管(CRT)顯示器件，包括具有顯示面板的陰極射線管，該顯示面板具有外表面。該CRT顯示器件包括形成在外表面上的磁損耗層。
圖1是顯示M-X-Y磁性組合物的粒狀結構示意圖2A是顯示用在實例中的濺射裝置的截面結構示意圖2B是顯示用在實例中的汽相澱積裝置的截面結構示意圖3是顯示例1中層樣品1的磁導率頻率響應曲線圖4是顯示例2中層樣品2的磁導率頻率響應曲線圖5是顯示比較例1中比較樣品1的磁導率頻率響應曲線圖6是用於測量磁性樣品的噪聲抑制效果的測試裝置的透視示意圖7A是顯示層樣品1的傳輸特性曲線圖7B是顯示複合磁性材料片的比較樣品的傳輸特性曲線圖8A是顯示作為噪聲抑制器的磁性材料的長為1的分布常數電路；
圖8B是圖12A的分布常數電路的單位長度Δl的等效電路；
圖8C是圖12A的分布常數電路的具有長度1的等效電路；
圖9A是顯示例1中層樣品1的等效電阻R的頻率響應曲線圖9B是複合磁性材料片的比較樣品的等效電阻R的頻率響應曲線圖10是根據本發明實施例的光發射元件(雷射二極體)的前視圖11是根據本發明的另一個實施例的光發射元件(雷射二極體)的前視圖12是顯示傳統等離子體顯示面板的局部立體透視圖13是用在圖12所說明的傳統等離子體顯示面板中作為噪聲措施的傳統前玻璃襯底的分解透視圖14是根據本發明第一實施例的等離子體顯示面板的局部立體透視圖15是根據本發明第二實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖16是根據本發明第三實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖17是根據本發明第四實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖18是根據本發明第五實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖19是根據本發明第六實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖20是根據本發明第七實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖21是根據本發明第八實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖22是傳統陰極射線管(CRT)顯示器件的截面圖23是另一採取了噪聲措施的傳統陰極射線管(CRT)顯示器件的截面圖24是根據本發明第一實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件的截面圖25是用在圖24所說明的CRT顯示器件中的顯示面板附近的擴大截面圖26是用在圖24所說明的CRT顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖27是根據本發明第二實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件的截面圖28是用在圖27所說明的CRT顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖29是用在根據本發明第三實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖30是用在根據本發明第四實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖31是用在根據本發明第五實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖32是用在根據本發明第六實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件中的顯示面板的局部放大透視圖33是用在根據本發明第七實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件中的顯示面板的局部放大透視在描述根據本發明的顯示器件之前，首先描述根據本發明用在顯示器件中的磁損耗層，該磁損耗層具有粒狀結構。
現在，將描述M-X-Y磁性組合物的粒狀結構和製造方法。
參考圖1，顯示了M-X-Y磁性組合物的粒狀結構示意圖，金屬磁性材料M的粒子11均勻分散在由X和Y構成的基質12中。
參考圖2A，其中顯示的濺射裝置用於製造下面實例和比較例中的樣品。所用的濺射裝置具有傳統的結構，包括真空容器20、擋板21、空氣源22、襯底或玻璃板23、基片24(X或X-Y)、靶25(M)、RF電源和真空泵27。空氣源22和真空泵27與真空容器20相連接。襯底23面對其上放有基片24的靶25，將擋板21放在襯底21的前面，將RF電源26連接到靶25。
參考圖2B，其中顯示了生成下面實例和比較例中的樣品要用的汽相澱積裝置。所用的汽相澱積裝置具有傳統的結構，有真空容器20、空氣源22和與濺射裝置類似的真空泵27，此外還有代替了基片24、靶25和RF電源26的、包含材料(X-Y)的坩堝28。
例1
在表1所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。
表1
對生成的層樣品1用螢光X射線光譜進行分析，確認是Fe72Al11O17組合物層。層樣品1具有2.0微米(μm)的厚度、530微歐．釐米(μΩ.cm)的直流電阻率、18Oe的各向異性場(HK)和16800高斯的飽和磁化(Ms)。
層樣品1的飽和磁化和金屬材料M本身的飽和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為72.2％。
為了測量飽和磁化頻率響應，將層樣品1製成帶狀並插入到線圈中。在偏置磁場的作用下，測量隨著加到線圈的交流電流的頻率變化而產生的線圈阻抗的變化，對於不同的偏置磁場取值，進行幾次測量，從測得的隨頻率變化而產生的阻抗變化，就可以計算導磁率頻率響應(μ」-f響應)，如圖3所示。從圖3可以看出相對磁導率的虛部有一個高峰或最大值(μ」max)，在高峰的兩側快速降低。顯示最大值(μ」max)的自然諧振頻率(f(μ」max))大約是700Hz。從μ」-f響應，確定了相對帶寬bwr為兩個頻點之間的帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比，兩個頻點顯示了相對磁導率的虛部的最大值μ」max的半值μ」50°該相對帶寬bwr為148％。
例2
與例1的條件類似，但是用150Al2O3基片，在玻璃板上形成層樣品2。
對生成的層樣品2用螢光X射線光譜進行分析，確認是Fe44Al22O34組合物層。層樣品2具有1.2微米(μm)的厚度、2400微毆．釐米(μΩ.cm)的直流電阻率、120Oe的各向異性場(HK)和9600高斯的飽和磁化(Ms)。需要指出的是層樣品2的電阻率比層樣品1高。
層樣品2的飽和磁化和金屬材料M本身的飽和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為44.5％。
用與例1同樣的方式得到層樣品2的μ」-f響應，如圖4所示。注意與層樣品1一樣也有一個高峰，然而，高峰處的頻率點或自然諧振頻率為1GHz，在高峰的兩側，相對磁導率的虛部逐漸下降，使得μ」-f響應具有寬帶特性。
用與例1同樣的方法確定的層樣品2的相對帶寬bwr為181％。
比較例1
用與例1類似的條件，但是用90Al2O3基片，在玻璃板上形成比較樣品l。
對生成的比較樣品1用螢光X射線光譜進行分析，確認是Fe86Al6O8組合物層。比較樣品l具有1.2微米(μm)的厚度、74微歐.釐米(μΩ.cm)的直流電阻率、22Oe的各向異性場(HK)、18800高斯的飽和磁化(Ms)和85.7％的比較樣品1的飽和磁化和金屬材料M本身的飽和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100，和44.5％。
用與例1同樣的方式得到比較樣品l的μ」-f響應，如圖5所示。從圖5可以看出，比較樣品1的相對磁導率的虛部μ」在大約10MHz有一峰值，但在高於10MHz的頻率範圍快速減小。可以認為這種減小是由於更低的電阻率而產生的渦流引起的。
比較例2
用與例1類似的條件，但是用200Al2O3基片，在玻璃板上形成比較樣品2。
對生成的比較樣品2用螢光X射線光譜進行分析，確認是Fe19Al34O47組合物層。比較樣品2具有1.3微米(μm)的厚度、10500微歐.釐米(μΩ.cm)的直流電阻率。
比較例1顯示的磁特性是超順磁性。
例4
在表2所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，用反應濺射方法，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。N2的分壓比為20％。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品4。
表2
層樣品4的性能示於表3。
表3
例5
在表4所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品5。
表4
層樣品5的性能示於表5。
表5
例6
在表6所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，用反應濺射方法，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。N2的分壓比為10％。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品6。
表6
層樣品6的性能示於表7。
表7
例7
在表8所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品7。
表8
層樣品4的性能示於表9。
表9
例8
在表10所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，用反應濺射方法，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。N2的分壓比為10％。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品8。
表10
層樣品10的性能示於表11。
表11
例9
在表12所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品9。
表12
層樣品9的性能示於表13。
表13
例10
在表14所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，用反應濺射方法，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。O2的分壓比為15％。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品10。
表14
層樣品10的性能示於表15。
表15
例11
在表16所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品11。
表16
層樣品11的性能示於表17。
表17
例12
在表18所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品12。
表18
層樣品12的性能示於表19。
表19
例13
在表20所示的濺射條件下，用圖2A所示的濺射裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品12。
表20
層樣品13的性能示於表21。
表21
例14
在表22所示的條件下，用圖2B所示的汽相澱積裝置，在玻璃板上製作一薄層M-X-Y磁性組合物。在磁場作用下，在真空中300℃對該薄層進行2小時的熱處理，得到層樣品14。
表22
層樣品14的性能示於表23。
表23
現在，用圖6所示的測試裝置，描述關於層樣品和比較樣品的噪聲抑制效果的測試。
測試片是尺寸為20mm×20mm×2.0μm的層樣品1。用尺寸為20mm×20mm×1.0μm的已知的組合磁性材料片作為對比。該複合磁性材料包括聚合物和分散在聚合物中的扁平金屬磁性粉末，金屬磁性粉末包括Fe、Al和Si。該複合磁性材料的磁導率分布在準微波範圍，並且在大約700Hz的頻率下，相對磁導率的虛部有最大值。表24顯示了測試片和比較測試片的磁性能。
表24
從表24可以看出，層樣品1的相對磁導率的虛部的最大值大約是比較測試片的600倍。由於噪聲抑制效果通常是從相對磁導率的虛部的最大值μ」max和片的厚度δ的乘積(μ」max×δ)計算出來的，複合磁性材料片的比較測試片的厚度選為1mm，使得兩個測試片具有相同的(μ」max×δ)值。
參考圖6，測試裝置包括具有兩埠的微帶線61、與這兩埠連接的同軸電纜62和跨越兩埠連接的網絡分析器(未示出)。微帶線61具有75mm的線長和50歐姆的特性阻抗。測試片63放在微帶線61上的區64，測試傳輸特性S21。層樣品1和比較樣品的頻率響應S21分別示於圖11A和11B。
關於層樣品1的使用，從圖7A可以得出，大於100MHz,S21減小，在2GHz達到最小值-10dB，然後在大於2GHz時增加。另一方面，關於比較樣品，從圖7B可以得出，S21逐漸減小，在頻率3GHz變為最小值-10dB。
結果表明S21依賴於磁導率得頻率分布，噪聲抑制效果依賴於(μ」max×δ)的乘積。
現在，用上述磁性樣品形成具有長度為1的分布常數電路，如圖8A所示，從傳輸特性S11和S21得出單位長度Δ1的等效電路，如圖8B所示。然後，從單位長度Δ1的等效電路得到長度1的等效電路，如圖8C所示。磁性樣品的等效電路包括串聯電感L和電阻R、並聯電容C和電導G，如圖8C所示。從這裡可以得出，由於在微帶線上澱積磁性物質而引起的微帶線傳輸特性的變化主要是由以串聯方式加入的等效電阻R決定的。
鑑於上述內容，測量等效電阻R的頻率響應，層樣品1和比較樣品的測試數據分別示於圖9A和9B，從這些圖可以看出，等效電阻R在準微波範圍逐漸減小，在大約3GHz，等效電阻R大約為60歐姆，可以看出等效電阻的頻率依賴性不同於在大約1GHz有最大值的相對磁導率的虛部的頻率依賴性。假設這種不同是以該乘積和樣品的長度與波長的比率的逐漸增加為基礎的。
參考圖10，下面將說明根據本發明的實施例的顯示器件。所要說明的顯示器件是以光發射元件70為例的。所要說明的光發射元件70是用於光碟驅動的光拾取中的雷射二級管。
光發射元件(雷射二極體)70包括底座71、安裝在底座71上的雷射二極體晶片72、覆蓋雷射二極體晶片71並與基座71相連的樹脂光發射窗73和三條管腳74，這三條管腳從基座沿著與光發射窗73相反的方向延伸，光發射窗73起顯示器件的顯示窗的作用。光發射窗73有主表面73a。
在具有上述結構的光發射元件(雷射二極體)70中，根據本發明的第一實施例，在光發射窗73的主表面73a的較低的部位(底座71側)形成磁損耗層或膜75。在所說明的例子中，形成的磁損耗層75呈網狀，換句話說，磁損耗層75是網狀的磁損耗層。
在光發射窗73的較低部分的主表面73a上形成網狀磁損耗層75的原因是從雷射二極體晶片72發射的雷射束不會被網狀磁損耗層75擋住，能穿過光發射窗73。
作為網狀磁損耗層，可以以上述方式採用粒狀磁薄層或膜。這種粒狀磁薄層可以用濺射法、汽相澱積法或反應濺射法製造。換句話說，粒狀磁薄層可以用濺射法或反映濺射法形成濺射膜，或者用汽相澱積法形成汽相澱積膜。在製造粒狀磁薄膜時，要在磁場作用下，在真空中用預定的溫度，對上述濺射膜或上述汽相澱積膜進行預定時間間隔的熱處理。
在本發明的上述實施例中，由於必須形成網狀磁損耗層(粒狀磁性薄層)75，這種網狀磁損耗層可以是用掩模通過濺射形成的濺射膜，或者是用掩模通過汽相澱積形成的汽相澱積膜，或者是通過給由粒狀磁材料製成的磁損耗線畫交叉陰影線而形成的交叉陰影線膜(crosshatched film)。
在實驗中本發明人已經證實，儘管粒狀磁損耗層具有例如2.0μm或更薄的薄膜厚度，但是以上述方式形成的粒狀磁薄膜在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲的高頻頻帶範圍內具有非常大的磁損耗。
此外，在實驗中本發明人已經證實，根據本發明，在準微波帶，具有相對磁導率的虛部(也就是「磁損耗項」)離散(dispersion)的粒狀磁薄層具有高頻噪聲抑制效果，該效果等效於其厚度大約是粒狀磁薄層厚度的500倍厚的傳統複合磁性片的效果。據此，根據本發明的粒狀磁性薄膜有希望作為磁性物質用在電磁幹擾(EMI)的抑制方面，例如用於工作在大約1GHz的快速時鐘頻率的半導體集成元件中。
在本發明的實施例中，儘管例舉了用掩模通過濺射法、汽相澱積法或反應濺射法作為製造粒狀磁性薄層的方法例子，但在形成粒狀磁性薄膜時，也可以採用其它製造方法，例如真空澱積法、離子束澱積法或氣體澱積法。根據本發明，在能夠均勻地形成磁性薄層的情況下並不限制製造方法。
另外，在上述實施例中，儘管在磁場作用下，在真空中進行了層生成後的熱處理，但是如果粒狀磁性薄層是通過氣體澱積法形成的組合物層，或者是得到本發明性能的層生成方法，並不一定要進行層生成後的熱處理。
此外，儘管例舉了雷射二極體作為光發射元件70，並且在上述實施例中，在雷射二極體的光發射窗73的主表面73a上形成了磁損耗層75，但顯示器件也可以是遙控器的紅外I/O單元，磁損耗層可以形成在它的光發射窗的主表面上。另外，在上述實施例中，儘管網狀磁損耗層75形成在光發射元件70中的光發射窗73的主表面73a的一部分上，但是網狀磁損耗層也可以例如形成在光發射窗73的整個主表面73a上。形成的磁損耗層可以是代替網狀的帶狀、格狀或棋盤格狀。總之，可以以一定的間隔形成磁損耗層。在上述實施例中，儘管例舉了形成網狀的光發射元件70的磁損耗層的情況，但是如圖11所示，當只在光發射窗73的主表面的較低部分形成磁損耗層時，光發射元件70A的層狀磁損耗層75A可以覆蓋光發射窗73的主表面73a的所有較低部分，使得從雷射二極體晶片72發射出的雷射束能穿過光發射窗而不會被阻擋。
另外，在上述實施例中儘管例舉了磁損耗層75是粒狀磁性薄層的情況，但磁損耗層75可以不限於粒狀磁性薄層，可以是任何在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲的高頻頻帶內具有非常大的磁損耗的層。
參考圖12，下面將對作為顯示器件之一的傳統等離子體顯示面板(PDP)80′進行描述。等離子體顯示面板80′包括第一和第二玻璃襯底81和82，它們彼此相對放置，中間留有縫隙。第一玻璃襯底81放在前，而第二玻璃襯底82放在後，據此，稱第一玻璃襯底81為前玻璃襯底，而稱第二玻璃襯底82為後玻璃襯底。前玻璃襯底81起顯示窗的作用。前玻璃襯底81和後玻璃襯底82在相對內側分別具有前和後內表面81a和82a，在相對外側分別具有前和後外表面81b和82b。多個前電極83沿著互相平行的預定方向延伸，並且以帶狀形成在前玻璃襯底81的前內表面81a上。形成的每個前電極83都作為透明電極，由透明材料例如SnO2、ITO等製成。用第一介質層84覆蓋多個前電極83。多個後電極85沿著垂直於預定方向、彼此互相平行地延伸，並且以帶狀形成在後玻璃襯底82的後內表面82a上。每個後電極由例如銀製成。用第二介質層86覆蓋多個後電極85。多個隔板加強肋87放置在第一和第二介質層84和85之間。
可放電的稀有氣體(未示出)在四周緊密密封的情況下密封在前和後玻璃襯底81和82之間的空間中，該空間由隔板加強肋隔成多個分空間，如圖12所示。可放電的稀有氣體在放電中產生大量的紫外線。
這種等離子體顯示面板被叫做相對放電形等離子體顯示面板。等離子體顯示面板80′在前電極84和後電極85之間產生放電射線，通過起透明電極作用的前電極83可以觀察到。據此，根據放電原理，等離子體顯示面板80′從它的整個面板表面產生或輻射電磁波，所產生的電磁波能夠幹擾其它部分或其它設備。作為抑制幹擾電磁波的措施，如圖13所說明的，將前玻璃襯底81′在厚度方向分成兩個分襯底811′和812′，然後將導電網88′放在或夾在分襯底811′和812′之間。
然而，對於傳統等離子體顯示面板，抑制幹擾電磁波的措施會出現下列問題。首先，在傳統等離子體顯示面板中，由於前襯底81′分為兩個分襯底811′和812′，使得部件的數量增加了，組裝所需要的工作時間也增加了，這對於傳統等離子體顯示面板是不利的。第二，放在前襯底81′中的導電網88′導致PDP的光特性降低。第三，考慮導電網88′的電磁波吸收，要限制導電網88′的頻帶，最高到能夠吸收電磁波的MHz的數量級。也就是說，由於導電網88′不能解決在GHz的數量級以上的頻帶時電磁波的吸收，如在本說明書的前序部分所提到的，這種電磁波吸收近來已成為一個問題，因此傳統的等離子體顯示在這些方面是不利的。
參考圖14，下面將描述根據本發明第一實施例的等離子體顯示面板(PDP)80。除了等離子體顯示面板80還包括磁損耗層88之外，在結構和生產方面與圖12所說明的傳統等離子體顯示面板80′相同。
在前襯底81的前外表面81b上形成磁損耗層88。在說明的例子中磁損耗層88以墊片狀形成。換句話說，磁磁損耗層88是片狀磁磁損耗層，覆蓋前襯底81的整個前外表面81b。
片狀磁損耗層88由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
在說明的例子中，片狀磁損耗層88是如上述例1所例舉的Fe72Al11O17組合物層。具有上述組成的片狀磁損耗層88在頻帶特別是在MHz和GHz之間的頻帶中具有優異的電磁波吸收特性，在上述頻帶內能夠有效抑制從PDP80產生的電磁波。
另外，由於片狀磁損耗層88具有極大的磁損耗，因此相對於傳統的的片狀波吸收體，能使磁損耗層88特別薄。據此，片狀磁損耗層88的厚度可以是幾十微米或更薄。在大約3GHz，與圖12所說明的傳統PDP中只是玻璃襯底的情況相比較，在所有顯示面區域，片狀磁損耗層88中的電磁波吸收特性具有9至12分貝的電磁波吸收效率。製造片狀磁損耗層88的方法可以是濺射法或汽相澱積法。另外，片狀磁損耗層88可以用除了上述濺設法之外的層生成工藝，例如用化學汽相澱積工藝(CVD)等。
用上述方式，就能夠容易地將上述片狀磁損耗層88的製造工藝插入到PDP80的整個製造工藝中。
參考圖15，對根據本發明第二實施例的等離子體顯示面板(PDP)80A進行描述。除了將片狀磁損耗層形成在前襯底81的前內表面81a上，以代替前襯底81的前外表面81b上之外，等離子體顯示面板80A在結構的工作方面與圖14所說明的等離子體顯示面板80相同。具有這樣的結構，等離子體顯示面板80A具有與圖14所說明的等離子體顯示面板80相同的優點。
參考圖16，對根據本發明第三實施例的等離子體顯示面板(PDP)80B進行描述。除了對圖14所說明的等離子體顯示面板的磁損耗層進行修改(後面將清楚地描述)之外，等離子體顯示面板80B在結構和生產方面與圖14所說明的等離子體顯示面板80相同。在88A畫出了磁損耗層。
將磁損耗層88A形成為格狀，換句話說，磁損耗層88A是格狀磁損耗層。格狀磁損耗層88A的布置最好使前電極83的布置和後電極85的布置相關聯。
格狀磁損耗層88A由磁性物質製成，該磁性物質與圖14所說明的片狀磁損耗層88的磁性物質相同。格狀磁損耗層88A在頻帶特別是在MHz和GHz之間的頻帶中具有優異的電磁波吸收特性，能夠有效抑制在上述頻帶中從PDP80B所產生的電磁波。另外，由於磁損耗層88A是具有極大的磁損耗的組合物，因此相對於傳統的的片狀波吸收體，能使格狀磁損耗層88A特別薄。據此，格狀磁損耗層88A的厚度可以是幾十微米或更薄。在大約3GHz，與圖12所說明的傳統PDP80′中只是玻璃襯底的情況相比較，在所有顯示面區域，格狀磁損耗層88A中的電磁波吸收特性具有9至12分貝的電磁波吸收效率。
製造格狀磁損耗層88A的方法可以是用掩模的濺射法，或者是濺射法和布圖法相結合。另外，除了上述濺射法之外，還可以用層生成方法例如化學汽相澱積法等形成格狀磁損耗層88A。
用上面描述的方式，能夠容易地將上述格狀磁損耗層88A的製造工藝插入到PDP80B的整個製造工藝中。
參考圖17，對根據本發明第四實施例的等離子體顯示面板(PDP)80C進行描述。除了將格狀磁損耗層88A形成在前襯底81的前內表面81a上，以代替前襯底81的前外表面81b之外，等離子體顯示面板80C在結構和生產方面與圖16所說明的等離子體顯示面板80B相同。具有這樣的結構，等離子體顯示面板80C具有與圖16所說明的等離子體顯示面板80B相同的優點。
參考圖18，對根據本發明第五實施例的等離子體顯示面板(PDP)80D進行描述。除了對圖16所說明的等離子體顯示面板的磁損耗層進行修改(後面將清楚地描述)之外，等離子體顯示面板80D在結構和生產方面與圖16所說明的等離子體顯示面板80B相同。在88B畫出了磁損耗層。
將磁損耗層88B形成為帶狀，換句話說，磁損耗層88B是帶狀磁損耗層。具有這樣的結構，等離子體顯示面板80D具有與圖16所說明的的等離子體顯示面板80B相同的優點。
參考圖19，對根據本發明第六實施例的等離子體顯示面板(PDP)80E進行描述。除了將帶狀磁損耗層88B形成在前襯底81的前內表面81a上，以代替前襯底81的前外表面81b之外，等離子體顯示面板80E在結構的工作方面與圖18所說明的等離子體顯示面板80D相同。具有這樣的結構，等離子體顯示面板80E具有與圖18所說明的等離子體顯示面板80D相同的優點。
參考圖20，對根據本發明第七實施例的等離子體顯示面板(PDP)80F進行描述。除了對圖14所說明的等離子體顯示面板的磁損耗層進行修改(後面將清楚地描述)之外，等離子體顯示面板80F在結構和生產方面與圖14所說明的等離子體顯示面板80相同。在88C畫出了磁損耗層。
將磁損耗層88C形成為點狀，換句話說，磁損耗層88C是點狀磁損耗層。點狀磁損耗層88C的排列最好使前電極83的排列和後電極85的排列相關聯。
點狀磁損耗層88C由磁性物質製成，該磁性物質與圖14所說明的片狀磁損耗層88的磁性物質相同。點狀磁損耗層88C在頻帶特別是在MHz和GHz之間的頻帶中具有優異的電磁波吸收特性，能夠有效抑制在上述頻帶中從PDP80F所產生的電磁波。另外，由於點狀磁損耗層88C是具有極大的磁損耗的組合物，因此相對於傳統的的片狀波吸收體，能使點狀磁損耗層88C特別薄。據此，點狀磁損耗層88C的厚度可以是幾十微米或更薄。在大約3GHz，與圖12所說明的傳統PDP80′中只是玻璃襯底的情況相比較，在所有顯示面區域，點狀磁損耗層88C中的電磁波吸收特性具有9至12分貝的電磁波吸收效率。
製造點狀磁損耗層88C的方法可以是用掩模的濺射法，或者是濺射法和布圖法相結合。製造點狀磁損耗層88C的方法可以是用掩模的汽相澱積法，或者是汽相澱積法和布圖法相結合。另外，製造點狀磁損耗層88C的方法可以是用掩模的絲網印刷法，此外，除了上述濺射法之外，還可以用層生成方法例如化學汽相澱積法等形成點狀磁損耗層88C。
用上面描述的方式，能夠容易地將上述點狀磁損耗層88C的製造工藝插入到PDP80F的整個製造工藝中。
參考圖21，對根據本發明第八實施例的等離子體顯示面板(PDP)80G進行描述。除了將點狀磁損耗層88C形成在前襯底81的前內表面81a上，以代替前襯底81的前外表面81b之外，等離子體顯示面板80G在結構的工作方面與圖20所說明的等離子體顯示面板80F相同。具有這樣的結構，等離子體顯示面板80G具有與圖20所說明的等離子體顯示面板80F相同的優點。
參考圖22，將對作為顯示器件之一的傳統陰極射線管(CRT)顯示器件90′進行描述。在己知技術中，陰極射線管90′用作例如電視機的電視(TV)圖象管、個人計算機的監視器等。最初，公知的陰極射線管(CRT)為布老恩管或電子射線管。CRT顯示器件90′包括陰極射線管91或內部是真空的玻璃容器和偏轉線圈92。陰極射線管91包括具有內表面93a和外表面93b的顯示面板93、形成在顯示面板93的內表面93a上的具有預定圖形的螢光物質或94、與顯示面板93相對並且螢光物質94處於它們之間的蔭罩95和電子槍96。顯示面板93起顯示窗的作用。電子槍96發射電子束EB，穿過蔭罩95的孔之一併且擊中螢光物質94的位置，使螢光物質94的位置發光。
當電子束EB擊中螢光物質94的位置，使螢光物質94的位置發光時，CRT顯示器件90′產生或輻射幹擾電磁波。作為傳統CRT顯示器件90′中抑制幹擾電磁波的措施，如圖23的另一傳統CRT顯示器件90"所說明的，在陰極射線管91中的顯示面板93中嵌入導電網97′。
然而，具有導電網的CRT顯示器件90"在下面這些方面的不利的，由於導電網97′妨礙螢光物質94的光發射，使得CRT顯示器件90"的圖象質量降低，為了提高圖象質量，如果導電網97′具有低的排列密度，那麼導電網97′具有低的幹擾電磁波吸收效率。具有導電網97′的CRT顯示器件90"由於在顯示面板93中嵌入導電網97′而使其製造費用變高，這也是不利的。此外，導電網97′具有能吸收電磁波的頻帶，該頻帶最高限制在MHz的數量級。也就是說，由於導電網97′不能解決在GHz的數量級以上的頻帶時電磁波的吸收，如在本說明書的前序部分所提到的，這種電磁波吸收近來已成為一個問題，因此傳統的等離子體顯示在這些方面是不利的。
參考圖24、25和26，將對根據本發明的第一實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90進行描述。除了CRT顯示器件還包括磁損耗層97之外，CRT顯示器件90在結構和生產方面與圖22所說明的傳統CRT顯示器件90′相同。
磁損耗層97形成在顯示面板93的內表面93a上。在圖26所說明的例子中，磁損耗層97形成為格狀，換句話說，磁損耗層97是格狀磁損耗層。可以根據CRT91的形狀和尺寸以及CRT顯示器件所要達到的目的合理地選擇這種格狀磁損耗層97。
格狀磁損耗層97由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。在說明的例子中，片狀磁損耗層97是如上述例1所例舉的Fe72Al11O17組合物層。
具有上述組合物的格狀磁損耗層97在頻帶特別是在MHz和GHz之間的頻帶中具有優異的電磁波吸收特性，在上述頻帶內能夠有效抑制從PDP80產生的電磁波。
另外，由于格狀磁損耗層97具有極大的磁損耗，因此相對於傳統的的片狀波吸收體，能使格狀磁損耗層97特別薄。據此，片狀磁損耗層88的厚度可以是幾十微米或更薄。
在大約3GHz，與圖22所說明的傳統CRT顯示器件90′中只是玻璃容器的情況相比較，格狀磁損耗層97中的電磁波吸收特性具有大約10分貝的電磁波吸收效率。
製造格狀磁損耗層97的方法可以是用金屬掩模的濺射法或汽相澱積法。具體地說，製造格狀磁損耗層97的方法包括用金屬掩模進行濺射或汽相澱積的步驟和除去金屬掩模形成預定圖形的步驟。製造格狀磁損耗層97的方法可以是濺射工藝和布圖工藝的結合，具體地說，製造格狀磁損耗層97的方法包括進行濺射或汽相澱積的步驟和用抗蝕劑進行平板印刷，形成預定圖形的步驟。另外，格狀磁損耗層97可以用除了上述濺設法之外的層生成工藝，例如用化學汽相澱積工藝(CVD)等。
用上述容易理解的方式，就能夠容易地將上述格狀磁損耗層97的製造工藝，用與螢光物質94同樣的方式，插入到CRT顯示器件90的整個製造工藝中。
參考圖27和28，將對根據本發明的第二實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90A進行描述。除了將格狀磁損耗層97形成在顯示面板93的外表面93b上，以代替顯示面板93的內表面93a之外，CRT顯示器件90在結構和生產方面與圖24所說明的CRT顯示器件90相同。具有這樣的結構，CRT顯示器件90A具有與圖24至25所說明的CRT顯示器件90相同的優點。
另外，在大約3GHz，與像圖22所說明的傳統CRT顯示器件90′中只是玻璃容器的情況相比較，格狀磁損耗層97中的電磁波吸收特性具有大約7分貝的電磁波吸收效率。圖24至26所說明的CRT顯示器件90的電磁波吸收效率降低大約3分貝的原因是由於螢光物質94和格狀磁損耗層97彼此分開一定的距離，該距離相當於CRT91的顯示面板93的厚度。
以上述容易理解的方式，就能容易地將上述格狀磁損耗層97的製造工藝，插入到CRT顯示器件90A的整個製造工藝中的任意步驟。
參考圖29，將對根據本發明的第三實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90B進行描述。除了對圖26所說明的磁損耗層進行修改(下面將清楚地描述)外，CRT顯示器件90B在結構和生產方面與圖26所說明的CRT顯示器件90相同。在97A畫出了磁損耗層。
將磁損耗層97A形成為帶狀，換句話說，磁損耗層97A是帶狀磁損耗層。具有這樣的結構，CRT顯示器件90B具有與圖26所說明的CRT顯示器件90相同的優點。
參考圖30，將對根據本發明的第四實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90C進行描述。除了將帶狀磁損耗層97A形成在顯示面板93的外表面93b上，以代替顯示面板93的內表面93a之外，CRT顯示器件90C在結構和生產方面與圖29所說明的CRT顯示器件90B相同。具有這樣的結構，CRT顯示器件90C具有與圖28所說明的CRT顯示器件90A相同的優點。
參考圖31，將對根據本發明的第五實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90D進行描述。除了對圖26所說明的磁損耗層進行修改(下面將清楚地描述)外，CRT顯示器件90D在結構和生產方面與圖26所說明的CRT顯示器件90相同。在97B畫出了磁損耗層。
將磁損耗層97A形成為點狀，換句話說，磁損耗層97B是點狀磁損耗層。可以根據CRT91的尺寸和形狀以及CRT顯示器件所要達到的目的合理地選擇這種點狀磁損耗層97B。
點狀磁損耗層97B由磁性物質製成，該磁性物質與圖26所說明的格狀磁損耗層97的磁性物質相同。點狀磁損耗層97B在頻帶特別是在MHz和GHz之間的頻帶中具有優異的電磁波吸收特性，在上述頻帶內，能夠有效抑制從CRT顯示器件90D產生的電磁波。另外，由於點狀磁損耗層97B是具有極大的磁損耗的組合物，因此相對於傳統的的片狀波吸收體，能使點狀磁損耗層97B特別薄。據此，點狀磁損耗層97B的厚度可以是幾十微米或更薄。在大約3GHz，與像圖22所說明的傳統CRT顯示器件90′中只是玻璃容器的情況相比較，點狀磁損耗層97B中的電磁波吸收特性具有大約10分貝的電磁波吸收效率。
製造點狀磁損耗層97B的方法可以是用金屬掩模的濺射法或汽相澱積法。具體地說，製造點狀磁損耗層97B的方法包括用金屬掩模進行濺射或汽相澱積的步驟和除去金屬掩模形成預定圖形的步驟。製造點狀磁損耗層97B的方法可以是濺射工藝和布圖工藝的結合，具體地說，製造點狀磁損耗層97B的方法包括進行濺射或汽相澱積的步驟和用抗蝕劑進行平板印刷，形成預定圖形的步驟。另外，點狀磁損耗層97B可以用除了上述濺設工藝之外的層生成工藝，例如用化學汽相澱積工藝(CVD)等。
用上面描述的容易理解的方式，能夠容易地將上述點狀磁損耗層97B的製造工藝，以與螢光物質94同樣的方式，插入到CRT顯示器件90D的整個製造工藝中。
參考圖32，將對根據本發明的第六實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90E進行描述。除了將點狀磁損耗層97B形成在顯示面板93的外表面93b上，以代替顯示面板93的內表面93a之外，CRT顯示器件90E在結構和生產方面與圖31所說明的CRT顯示器件90D相同。具有這樣的結構，CRT顯示器件90E具有與圖30所說明的CRT顯示器件90C相同的優點。
參考圖33，將對根據本發明的第七實施例的陰極射線管(CRT)顯示器件90F進行描述。除了對圖28所說明的磁損耗層進行修改(下面將清楚地描述)外，CRT顯示器件90F在結構和生產方面與圖28所說明的CRT顯示器件90A相同。在97C畫出了磁損耗層。
將磁損耗層97C形成為片狀，換句話說，磁損耗層97C是片狀磁損耗層。可以根據CRT91的尺寸和形狀以及CRT顯示器件所要達到的目的合理地選擇這種片狀磁損耗層97C。
製造片狀磁損耗層97C的方法可以是濺射法或汽相澱積法。另外，片狀磁損耗層97C可以用除了上述濺設法之外的層生成工藝，例如用化學汽相澱積工藝(CVD)等。
以上述容易理解的方式，就能容易地將上述片狀磁損耗層97C的製造工藝，插入到CRT顯示器件90F的整個製造工藝中的任意步驟。
具有這樣的結構，CRT顯示器件90F具有與圖28所說明的CRT顯示器件90A相同的優點。
這樣，結合最佳實施例已經描述了本發明，本領域技術人員當然可以以各種方式實現本發明。例如能夠應用本發明的顯示器件並不限於上述實施例中的顯示器件。
權利要求
1．一種顯示器件(70,70A；80-80G；90-90G)，具有顯示窗(73,81,93)該顯示窗具有主表面，其特徵在於，至少在部分所述主表面上形成磁損耗層(75,75A；88-88C；97-97G)。
2．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是含有由M、X和Y組成的磁性組合物的粒狀磁性薄層，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
3．如權利要求2所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是用濺射工藝澱積在所述主表面上的。
4．如權利要求2所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是用汽相澱積工藝澱積在所述主表面上的。
5．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是具有光發射窗(73)作為所述顯示窗的光發射元件(70,70A)，所述光發射元件包括至少在所述主表面的一部分上形成的磁損耗層(75,75A)。
6．如權利要求5所述的顯示器件，其特徵在於，所述所述磁損耗層是含有由M、X和Y組成的磁性組合物的粒狀磁性薄層，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
7．如權利要求6所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層(75A)是用濺射工藝澱積在所述主表面上的。
8．如權利要求6所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是用汽相澱積工藝澱積在所述主表面上的。
9．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是具有光發射窗(73)作為所述顯示窗的光發射元件(70)，所述光發射元件包括至少在所述主表面的一部分上形成的網狀磁損耗層(75)。
10．如權利要求9所述的顯示器件，其特徵在於，所述網狀磁損耗層是含有由M、X和Y組成的磁性組合物的粒狀磁性薄層，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
11．如權利要求10所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述主表面上的。
12．如權利要求10所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述主表面上的。
13．如權利要求10所述的顯示器件，其特徵在於，所述粒狀磁性薄層是通過給由粒狀磁材料製成的磁損耗線畫交叉陰影線而形成的交叉陰影線膜(crosshatchedfilm)。
14．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是具有前玻璃襯底(81)作為所述顯示窗的等離子體顯示面板(80,80B,80D,80F)，所述前玻璃襯底具有作為所述主表面的外表面(81b)，所述等離子體顯示面板包括形成在所述外表面上的磁損耗層(88-88C)。
15．如權利要求14所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
16．如權利要求15所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為墊片狀(88)。
17．如權利要求16所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝澱積在所述外表面上的。
18．如權利要求17所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相澱積工藝澱積在所述外表面上的。
19．如權利要求15所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為格狀(88A)。
20．如權利要求15所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為帶狀(88B)。
21．如權利要求16所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為點狀(88C)。
22．如權利要求19-21中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述外表面上的。
23．如權利要求19-21中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述外表面上的。
24．如權利要求19-21中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝和布圖工藝相結合澱積在所述外表面上的。
25．如權利要求19-21中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相工藝和布圖工藝相結合澱積在所述外表面上的。
26．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是具有前玻璃襯底(81)作為所述顯示窗的等離子體顯示面板(80A,80C,80E,80G)，所述前玻璃襯底具有作為所述主表面的內表面(81a)，所述等離子體顯示面板包括形成在所述內表面上的磁損耗層(88-88C)。
27．如權利要求26所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
28．如權利要求27所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層製成墊片狀(88)。
29．如權利要求28所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝澱積在所述內表面上的。
30．如權利要求28所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相澱積工藝澱積在所述內表面上的。
31．如權利要求27所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層製成格狀(88A)。
32．如權利要求27所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層製成帶狀(88B)。
33．如權利要求27所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層製成點狀(88C)。
34．如權利要求31-33中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述內表面上的。
35．如權利要求31-33中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述內表面上的。
36．如權利要求31-33中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝和布圖工藝相結合澱積在所述內表面上的。
37．如權利要求31-33中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相工藝和布圖工藝相結合澱積在所述內表面上的。
38．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是包括陰極射線管(91)的陰極射線管(CRT)顯示器件(90,90B,90D)，該陰極射線管(91)具有作為所述顯示窗的顯示面板，所述顯示面板具有作為所述主表面的內表面(93a)，所述CRT顯示器件包括形成在所述內表面上的磁損耗層(97-97B)。
39．如權利要求39所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
40．如權利要求39所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為格狀(97)。
41．如權利要求39所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為帶狀(97A)。
42．如權利要求39所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為點狀(97B)。
43．如權利要求40-42中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述內表面上的。
44．如權利要求40-42中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述內表面上的。
45．如權利要求40-42中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝和布圖工藝相結合澱積在所述內表面上的。
46．如權利要求40-42中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相工藝和布圖工藝相結合澱積在所述內表面上的。
47．如權利要求1所述的顯示器件，其特徵在於，所述顯示器件是包括陰極射線管(91)的陰極射線管(CRT)顯示器件(90A,90C,90E,90F)，該陰極射線管(91)具有作為所述顯示窗的顯示面板，所述顯示面板具有作為所述主表面的外表面(93b)，所述CRT顯示器件包括形成在所述外表面上的磁損耗層(97-97C)。
48．如權利要求47所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
49．如權利要求48所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為格狀(97)。
50．如權利要求48所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為帶狀(97A)。
51．如權利要求48所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為點狀(7B)。
52．如權利要求49-51中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述外表面上的。
53．如權利要求49-51中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述外表面上的。
54．如權利要求49-51中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過濺射工藝和布圖工藝相結合澱積在所述外表面上的。
55．如權利要求49-51中任一權利要求所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是通過汽相工藝和布圖工藝相結合澱積在所述外表面上的。
56．如權利要求48所述的顯示器件，其特徵在於，將所述磁損耗層形成為墊片狀(97C)。
57．如權利要求56所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過濺射工藝澱積在所述外表面上的。
58．如權利要求56所述的顯示器件，其特徵在於，所述磁損耗層是用掩模通過汽相澱積工藝澱積在所述外表面上的。
全文摘要
在具有顯示窗(73,81,93)的顯示器件(70,70A,80－80G,90－90F)中,至少在顯示窗的部分主表面上形成磁損耗層(75,75A,88－88C,97－97C)。磁損耗層可以是粒狀磁性薄層,例如由包括M、X和Y的磁性組合物的磁性物質製成,其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料,X是除M和Y之外的元素,Y是F、N和/或O。形成的磁損耗層可以是從墊片狀、格狀、帶狀和點狀中選出的任一種形狀,該磁損耗層可以形成為網狀。
文檔編號H01J17/49GK1324090SQ01119208
公開日2001年11月28日 申請日期2001年4月4日 優先權日2000年4月4日
發明者渡邊真也, 龜井浩二, 小野裕司, 吉田榮吉, 根本道夫 申請人:株式會社東金