一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法
2023-06-10 01:51:26
專利名稱:一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法
技術領域:
本發明涉及半導體製造工藝技術領域,且特別涉及一種改低壓化學氣 相沉積設備中粒子汙染的方法。
背景技術:
在半導體技術大發展的今天,低壓化學氣相沉積設備(LPCVD)廣泛 的應用於多晶矽、二氧化矽以及氮化矽等薄膜的沉積。在LPCVD設備使 用過程中,工藝過程中溫度和壓力時常變化。隨著反應管表面薄膜的累積 以及長時間溫度、壓力等參數的改變,導致薄膜變的越來越脆弱而容易剝 落。在設備內部的溫度壓力變化時,反應管表面比較脆弱的薄膜會因為溫 度的衝擊而剝落如該剝落髮生在沉積過程中,剝落的薄膜及粒子會粘染到 晶舟上的晶片上,便會使產品受到汙染和/或損害,從而影響產品的性能和 合格率。
發明內容
鑑於上述問題,本發明的目的便是提供一種改善LPCVD設備中粒子 汙染的方法,以減少對產品的汙染和/或損害,提高產品合格率。
本發明的技術方案為
一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法,
在沉積工藝完成後,將晶舟從反應管中取出,改變反應管內的溫度, 使反應管表面比較脆弱的薄膜因溫度衝擊而剝落;
然後,通入氣體清洗反應管,去除剝落的薄膜。
上述改變反應管內的溫度可以包括溫度升高和溫度降低。
3上述溫度升高或降低的幅度大於100'C 。
上述氣體可以為惰性氣體。
上述氣體可以為氮氣或氬氣。
通過在沉積完成後,較大幅度的改變反應管的溫度,可以使即將剝落 的薄膜因溫度的衝擊而剝落,然後用惰性氣體將剝落的薄膜清洗出,便會 大大減少在沉積過程中可能發生的的薄膜剝落和粒子汙染,減少對產品的 損害,提高產品的合格率。
圖1表示在沉積過程中LPCVD設備中反應管薄膜剝落的發生。 圖2、圖3表示本發明的一個實施例的實現過程。
具體實施例方式
下面結合附圖,對本發明的具體實施方式
作進一步的詳細說明。對於 所屬技術領域的技術人員而言,從對本發明的詳細說明中,本發明的上述 和其他目的、特徵和優點將顯而易見。
圖1表示在沉積過程中LPCVD設備中反應管薄膜剝落的發生。參見 圖l,其中l為反應管的外管,2為反應管的內管,4為擋板,3為晶舟, 用於承載晶片等待處理的產品。在長時間使用後內、外管2表面會生成一 層薄膜,而在長時間溫度和壓力等參數的變化將導致該薄膜變得越來越脆 弱而容易剝落,在沉積工藝中溫度和壓力會因沉積工藝的需求而變化,該 變化很容易會引起脆弱的薄膜的剝落,如圖1中反應管內的小箭頭8所示, 該剝落的薄膜或粒子會使產品受到汙染和/或損害。
圖2、圖3表示本發明的一個實施例的實現過程。
參見圖2,在沉積完成,晶舟3從反應管中移出。改變反應管內的溫 度,使較為脆弱的薄膜因溫度的改變而剝落。由於此時反應管中沒有待處 理的產品,因此不會對產品造成影響和/或損害。該溫度的變化可以是升高 或降低,也可以是交替的升高和降低,升高或降低的幅度一般大於IO(TC,當然,不應超過設備可以承受的最高溫度。
參照圖3,用例如氮氣、氬氣等的惰性氣體9清洗反應管,使剝落的
薄膜和粒子被衝洗出來。該清洗可以與溫度的變化同時進行,也可以晚於 溫度變化的進程,但至少應當在溫度變化後,期望剝落的薄膜剝落後,將
剝落的薄膜清洗出去;其中,清洗氣體可以從排氣口 5排出。這樣,在下 次的沉積中便不會有(或基本上不會有)薄膜的剝落,可以大大減少可能 發生的薄膜剝落和粒子對產品的汙染和/或損害。
雖然,本發明己通過以上實施例及其附圖而清楚說明,然而在不背離 本發明精神及其實質的情況下,所屬技術領域的技術人員當可根據本發明 作出各種相應的變化和修正,但這些相應的變化和修正都應屬於本發明的 權利要求的保護範圍。
權利要求
1. 一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法,其特徵在於在沉積工藝完成後,將晶舟從反應管中取出,改變反應管內的溫度,使反應管表面比較脆弱的薄膜因溫度衝擊而剝落;然後,通入氣體清洗反應管,去除剝落的薄膜。
2. 根據權利要求l所述的方法,其特徵在於上述改變反應管內的溫度 包括溫度升高和溫度降低。
3. 根據權利要求2所述的方法,其特徵在於上述溫度升高或降低的幅 度大於10(TC。
4. 根據權利要求l-3中任一項所述的方法,其特徵在於上述氣體為惰 性氣體。
5. 根據權利要求4所述的方法,其特徵在於上述氣體為氮氣或氬氣。
全文摘要
本發明涉及半導體製造工藝技術領域,且特別涉及一種改低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法。本發明的改善低壓化學氣相沉積設備中粒子汙染的方法,在沉積工藝完成後,將晶舟從反應管中取出,改變反應管內的溫度,使反應管表面比較脆弱的薄膜因溫度衝擊而剝落;然後,通入氣體清洗反應管,去除剝落的薄膜。通過在沉積完成後,較大幅度的改變反應管的溫度,可以使即將剝落的薄膜因溫度的衝擊而剝落,然後用惰性氣體將剝落的薄膜清洗出,便會大大減少在沉積過程中可能發生的薄膜剝落和粒子汙染,減少對產品的損害,提高產品的合格率。
文檔編號C23C16/44GK101451235SQ20071018779
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月30日 優先權日2007年11月30日
發明者柴利林 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司