具有射頻屏蔽或外罩的磁共振兼容電子裝置的製作方法

2023-05-29 13:54:01 1

專利名稱：具有射頻屏蔽或外罩的磁共振兼容電子裝置的製作方法
具有射頻屏蔽或外罩的磁共振兼容電子裝置下文涉及磁共振領域、電子器件領域以及相關領域。
經歷諸如磁共振(MR)成像流程的MR流程的受檢者被定位在MR掃描器的膛的內部。在該膛中生成靜(Bci)磁場，並以磁共振頻率施加射頻場(B1)脈衝以激勵受檢者體內的質子。MR頻率取決於感興趣核素以及磁場強度。作為兩個範例，對於1H激勵，MR頻率分別在I. 5T為64MHz，而在3. OT為128MHz。施加磁場梯度以在空間上限制MR激勵的區域，從而對磁共振的相位和/或頻率進行空間編碼，以壓制磁共振，或者用於其他目的。磁場梯度是時變的，但所在的頻率大大低於B1場射頻。在MR掃描器膛內部或附近操作的電子裝置，諸如患者監測器，暴露於靜Btl磁場、B1射頻場以及時變磁場梯度。靜(Btl)磁場是恆定生成的，而B1射頻場和磁場梯度僅在成像或其他MR數據採集序列期間生成。面對由B1場和磁場梯度引起的幹擾，MR兼容的電子裝置必須在指定的規格之內操作。通過採用諸如將板上屏蔽焊接到印刷電路板上來屏蔽敏感的電子器件的射頻屏蔽技術、使用罩住整個組件的外罩等，能夠減小B1射頻場的影響。射頻屏蔽的另一益處在於其能減輕源自電子裝置的射頻幹擾。時變磁場梯度呈現為在導體中感生渦流的快速變化的磁場。這些渦流與MR膛中的Btl和其他電磁場相互作用並且能夠引起導體機械振動。渦流還能夠在導體中誘發發熱。下文提供了新的經改進的設備和方法，其克服了上述問題和其他問題。根據ー個公開的方面，一種設備包括電子裝置或部件以及被布置成屏蔽所述電子裝置或部件的射頻屏蔽。所述設備被設置在由磁共振掃描器生成的射頻(B1)場以及由磁共振掃描器生成的時變磁場梯度中。所述射頻屏蔽包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的射頻屏蔽的振動的開ロ的導電片或層結構。根據另一公開的方面，一種設備包括電子裝置或部件以及罩住所述電子裝置或部件的外罩。所述設備被設置在由磁共振掃描器生成的射頻(B1)場以及由磁共振掃描器生成的時變磁場梯度中。所述外罩包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的外罩的振動的開ロ的導電片或層。根據另一公開的方面，ー種磁共振系統包括磁共振掃描器，所述磁共振掃描器包括在檢查區域中生成靜(B0)磁場的主磁體、用於在檢查區域之內的選定方向上疊加時變磁場梯度的磁場梯度繞組以及用於在檢查區域中生成射頻(B1)場的ー個或多個射頻線圈；以及在前兩段中的任一段中所述的設備，所述設備被設置在由磁共振掃描器生成的射頻(B1)場以及由磁共振掃描器生成的時變磁場梯度中。ー個優點在於提供在MR環境中不易受到機械振動影響的電子部件。另ー優點在於實現在MR環境中減小由於渦流而導致的導體發熱。另ー優點在於實現在MR環境中減小對於由磁共振系統生成的場的反作用磁場。另ー優點在於提供更為有效的射頻(RF)屏蔽，以及具有更為有效的RF屏蔽的電子裝置，以供在MR環境中使用。本領域技術人員在閱讀和理解下文的詳細描述的基礎上將明白進ー步的優點。
圖I概要圖示了包括具有膛的MR掃描器以及設置在所述膛中的電子裝置或部件的磁共振(MR)系統，其中，電子裝置包括如本文所公開的射頻屏蔽。圖IA概要圖示了電子裝置或部件的放大視圖。圖2概要圖示了包括抑制由時變磁場梯度誘發的材料的振動的開ロ的導電材料的一個實施例，其中，所述材料包括導電網格(在圖2中以頂視圖示出)。圖3、4和5概要示出了包括抑制由時變磁場梯度誘發的層或片的振動的開ロ的三個導電層或片的頂視圖。圖6概要示出了由導電元件構造的導電層或片的頂視圖，所述導電元件由小的互連的導電條接合，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述層或片的振動的開ロ。圖7概要示出了由分散於電絕緣粘合劑中的通常接觸的導電顆粒構造的導電層或片的頂視圖，其中，顆粒之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述層或片的振動的開ロ。 圖8概要示出了由交織的導電纖維構造的導電層或片的頂視圖，其中，交織的纖維之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述層或片的振動的開ロ。圖9圖示了由絕緣層或片分隔開的導電材料的兩個層或片(例如，圖2-6的導電層或片中的任意的)的側視圖，所述導電材料包括抑制由時變磁場梯度誘發的所述層或片的振動的開ロ。

圖10和11繪製了如本文所述的ー些實驗結果。參考圖I，磁共振(MR)系統包括MR掃描器10，MR掃描器10包括通常為圓柱形或環形的外殼12，外殼12在圖I中以局部截面示出，從而概要掲示選定的內部部件。外殼12界定了與外殼12的圓柱體或環形軸16同軸的膛14。在膛14中接收受檢者以進行成像。由螺旋導電繞組定義的主磁體20至少在膛14的檢查區域之內生成場方向與圓柱體或環形軸大致平行的靜(Btl)磁場。主磁體20的繞組可以是電阻性的或超導的；在後者的情況下，繞組通常被設置在包含氦或另一種適當的低溫流體的低溫保持器(未示出)中。電阻性繞組可以具有例如採用水、受迫空氣或液氮作為冷卻流體的冷卻裝置。外殼12還包含或支撐多個磁場梯度繞組22，用於在膛14的檢查區域之內的選定方向上疊加磁場梯度。該磁場梯度通常是時變的。作為說明性範例，可以在磁共振激勵期間沿著膛的軸16施加切片選擇性磁場梯度以選擇軸向切片，隨後為靜止期，在此期間橫穿所述軸向切片施加相位編碼磁場梯度，隨後為讀取期，在此期間在橫穿軸16和相位編碼方向兩者的方向上施加頻率編碼磁場梯度。在諸如平面回波成像(EPI)的更為複雜的序列中，通過有選擇地激活梯度繞組22可以施加正弦或其他快速時變磁場梯度。通過以磁共振頻率(例如，在3. OT場中針對1H激勵為128MHz)將射頻(B1)脈衝施加到ー個或多個射頻線圈24來生成磁共振激勵。在說明性實施例中，射頻線圈24是布置在與軸16同軸的外殼12上或外殼12中的諸如鳥籠線圈或橫向電磁(TEM)線圈的「全身」體積線圏。更具體而言，諸如頭部線圈、肢體線圈、表面線圈等的局部線圈或線圈陣列被用於MR激勵。可以使用與用於激勵的線圈相同的一個或多個線圈24來執行MR讀取，或者可以由ー個或多個不同的射頻線圈(未示出)來執行MR讀取。在說明性實施例中，患者裝載系統包括被布置在外殼12的一端的臥塌30，使得床32上的患者能夠被轉移到MR掃描器10的膛14中。臥塌30可以被永久安裝在圖示的位置中，或者可以是具有輪子、滾軸等的移動臥塌，以使得受檢者能夠被裝載並且然後隨MR掃描器10進行移動和停靠。MR系統還包括適當的MR電子器件模塊34，其用於控制MR掃描器10以採集MR數據並處理所採集的MR數據。例如，MR電子器件模塊34可以包括圖像重建模塊。計算機36提供與MR系統的用戶界面。並且還可以將MR電子器件模塊34中的一些或全部實現為在計算機36上運行的軟體。說明性的MR掃描器10是ー範例。本文所公開方法用於通過使用包括抑制由時變磁場梯度誘發的導電體的振動的開ロ的導電體材料來減小導電體與時變磁場梯度的有害的交互作用，所述方法通常適於與任何類型的MR掃描器一起使用，包括圖示的水平圓柱形 膛掃描器10或開放式MR掃描器、垂直磁體MR掃描器等。繼續參考圖1，概要示出了電子裝置或部件40。電子裝置或部件40例如可以是諸如生理監測器(心電圖儀、呼吸監測器、血壓監測器等)的患者監測裝置。在MR掃描器10的膛14中設置說明性的電子裝置或部件40 ;然而，被配置成用於在磁共振系統中使用的電子裝置或部件可以被設置在膛14的外部(或者，更一般而言，在開放式MR掃描器等的情況下，在MR檢查區域外部)，但足夠接近膛或MR檢查區域以受到射頻(B1)場以及磁場梯度的影響。繼續參考圖1，並進ー步參考示出了電子裝置或部件40的放大視圖的圖1A，所述電子裝置包括ー個或多個電子元件42，諸如集成電路(IC)晶片，傳感器裝置，諸如電阻器、電容器或電感器的無源部件等。在說明性實施例中，兩個代表性的電子元件42被設置在電路板44上並通過電路板44的導電軌線(未示出)以電子方式互相連接。電子裝置或部件40任選地可以包括其他元件(未示出)，諸如與MR電子器件模塊34的ー個或多個有線連接或位於膛14外部的其他部件、或者用於提供與MR電子器件模塊34的無線連接的射頻收發
取坐-nfr サ ο繼續參考圖I和1A，還提供射頻屏蔽以抑制B1射頻場對電子裝置或部件40的有害影響，以及抑制源自電子裝置或部件40的射頻(RF)幹擾。說明性的射頻屏蔽包括電路板44的導電地平面50以及圍繞電子裝置或部件40的導電外罩52。應當注意的是，導電外罩52通常是部分或整體光學不透明的(例如，整體或部分由金屬製成)，但以虛像的形式示出(即，透明)以便示出所包含的電子裝置或部件40以及地平面50。在一些實施例中，射頻屏蔽可以僅包括地平面50 (省略外罩52)。在一些實施例中，射頻屏蔽可以僅包括外罩52(省略地平面50)。在一些實施例中，地平面50和外罩52可以是單一組合元件，例如，通過使外罩的ー側也用作電路板的地平面。外罩52 (如果包括的話)通常可以是板上外罩、箱式(coffin-style)式外罩等。一般而言，導電射頻屏蔽易於受到由梯度線圈22生成的磁場梯度引起的振動以及渦流誘發的發熱的影響。當在射頻屏蔽中感生渦流以引起振動時，小的電壓或電流經由環形和偶極子天線效應被引入到包含低幅度(例如，微伏到毫伏水平)生理波形數據的電路板的電軌線中。當有時也被用作射頻屏蔽材料的諸如銅的抗磁材料被放置在由時變磁場梯度產生的變化磁場的路徑中時，生成能夠引起測量誤差或其他電子裝置誤差的小幹擾電壓/電流。本文公開了在同時抑制渦流及其隨之諸如機械振動和信號誤差的效應時，通過使用一個或多個網格(參見圖2)、或穿孔金屬板(參見圖3-5)、或由小的互連的導電條接合的導電元件構造的導電片(參見圖6)、或分散於電絕緣粘合劑中的通常接觸的導電顆粒的片或層(參見圖7)、或交織的導電纖維的片或層(參見圖8)或者其他布置構造射頻屏蔽50、52，來提供射頻屏蔽50、52，其中，射頻屏蔽50、52包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的射頻屏蔽的振動的開ロ的導電材料。然而，包括這樣的開ロ通常能夠被預期降低射頻屏蔽在阻礙B1場和/或遏制源自電子裝置的RF幹擾方面的效力。本文還公開了使用由絕緣體(參見圖9)間隔開的導電片或層(諸如在圖2-8中所示的那些)的ー堆薄片。本文還示出了(參見圖10和11)由單個絕緣層(參見圖9)絕緣的僅兩個網格層(參見圖2)能夠在抑制梯度誘發的振動的同時提供有效的屏蔽。射頻屏蔽50、52適於由銅構造，或者任選地可以由諸如鎳銀合金(例如，NiAg)的較低導電率的材料構造。較低導電率的材料(與銅相比)表現出對渦流較高的電阻率。因此，在減小機械振動和渦流的其他不利效應，由此減小用於在MR膛中使用的患者監測器的測量誤差和波形失真的同時，提供有效的射頻屏蔽。 本文公開了用於通過使用包括抑制由時變磁場梯度誘發的導電體的振動的開ロ的導電材料來減小導電體與時變磁場梯度的不利的交互作用的技術。這些技術適於用於射頻屏蔽，或者通常用於導電外罩中，或者用於需要將導電體放置在MR膛中或MR膛附近的其他應用。參考圖2-8，描述了包括抑制由時變磁場梯度誘發的射頻屏蔽50、52的振動的開ロ的導電材料的片或層的各種實施例。圖2示出了包括導電網格的導電片或層60的頂視圖。在這ー實施例中，網格的開ロ界定了抑制由時變磁場梯度誘發的網格60的振動的開ロ。圖3示出了導電片或層70的頂視圖，其中，以規則的圖案形成方形開ロ 72，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片70的振動的開ロ。導電片或層70例如可以是金屬箔，優選使用自動化機械向所述金屬箔中衝壓方形開ロ 72。開ロ可以具有方形以外的諸如圓形、六角形等的其他形狀。圖4示出了導電片或層80的頂視圖，其中，以無規則或隨機圖案形成圓形開ロ 82，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片80的振動的開ロ。圖4圖示了用於抑制振動的開ロ無需規則地間隔開。圖5示出了導電片或層90的頂視圖，其中，以無規則或隨機圖案形成槽92，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片90的振動的開ロ。圖5圖示了用於抑制振動的開ロ無需為正方形，而更可能具有大的長寬比。圖3-5的方法採用連續的金屬片，例如，NiAg，而非如圖2的實施例中的網格。通常，針對圖3-5的方法的材料成本低於針對導電網格60的材料成本，並且還使其自身有助於更好加工和形成，以機械實施為諸如說明性的外罩52的特定射頻屏蔽結構或者諸如被結合到電路板44的地平面50的結合結構。圖6示出了導電元件102構造的導電片或層100的頂視圖，所述導電元件102由小的互連的導電條104接合，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片100的振動的開ロ。圖7示出了由分散於電絕緣粘合劑114中的通常接觸的導電顆粒112構造的導電片或層110的頂視圖，其中，顆粒112之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片的振動的開ロ。圖8示出了由交織的導電纖維122構造的導電片或層120的頂視圖，其中，交織的纖維122之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的層或片的振動的開ロ。任選地，纖維122可以被嵌入或被分散於電絕緣粘結劑124 (以虛像的形式示出)中。繼續參考圖2-8，抑制由時變磁場梯度誘發的層或片的振動的開ロ具有將渦流分解為小環流的效果，以便驅散在屏蔽中吸收的梯度能量並減小渦流誘發的振動。選擇開ロ的(平均)尺寸以抑制振動，同時繼續提供可接受的射頻屏蔽。如果開ロ過大，射頻屏蔽被折衷；相反，如果開ロ太小則振動抑制被折衷。在一些實施例中，射頻屏蔽50、52的開ロ的尺寸被設定為小於自由空間(free-space)磁共振波長的二十分之一，這確保在磁共振頻率下的有效射頻屏蔽。具有尺寸被設定為小於自由空間磁共振波長的二十分之ー的開ロ，射頻屏蔽50、52預期有效地將從電子裝置或部件輻射的射頻能量減小至少80分貝。自由空間波長為c/f，其中，c=3. 00 X 1010cm/sec是光在自由空間中的速度，而f是磁共振頻率。作為範例，針對1H激勵並且Btl=L 5T，MR頻率為64MHz，自由空間波長的二十分之一為大約23cm。針對1H激勵並1^=3. 0T, MR頻率為128MHz，自由空間波長的二十分之一為大約12cm。這對(平均)開ロ尺寸設置了上限。對射頻屏蔽50、52的另ー約束是射頻屏蔽應當具有大於在導電材料中磁共振波長的趨膚深度的十倍的最小尺寸。這ー約束影響導電層或片的最小厚度，並且也間接影響在開ロ尺寸上的上限，只要不便得開ロ過大，在開ロ之間的剩餘導電材料(平均)小於在導電材料中磁共振波長的趨膚深度的十倍。另ー方面，如果使得開ロ平均過小，那麼它們將不能有效地抑制渦流誘發的振動。通常，期望將時變磁場梯度誘發的射頻屏蔽的振動減小至少3分貝。有效提供期望的3分貝振動減小的開ロ的最小平均尺寸容易通過實驗方式確定。在一些實施例中，(i)維持有效射頻屏蔽(這趨向較小的平均開ロ)以及(ii)減小梯度誘發的振動(這驅向較大的平均開ロ)的相反約束可能難以利用諸如在圖2-8中所示的那些的單片或單層導電材料同時滿足。參考圖9，在這樣的情況中，想到了採用多層或多片導電材料。圖9示出了其中兩個導電層或片60的實施例，包括如圖2中所示的網格的每個導電層或片由介電層130間隔開。在圖9的實施例中，兩個導電層或片60可以由如其他片或層實施例70、80、90、100、110、120中的任何ー個中所示的包括抑制由時變磁場梯度誘發的射頻屏蔽的振動的開ロ的兩個導電層或片來替代。此外，雖然圖示了由介電層130分隔開的兩個導電層或片60，這能夠擴展到具有兩個間隔介電層的三個導電層或片，或者具有三個間隔介電層的四個導電層或片，或者更一般地擴展到由(N-I)個間隔介電層分隔開的N個導電層或片(其中，N>1)。多個片的有利效果包括(I)進ー步消散在多個片或層之間的磁場梯度；(2)相對於組成的(constituent) N個導電層或片的組合厚度的單ー連續的層或片,提高電阻,較高的電阻減小渦流；以及(3)相對於單個片提供改善的射頻屏蔽。通常，如圖9中所示的N=2被預期是充分的。與單層效力(SE單)相比，針對雙層 (SE雙)的屏蔽效力(SE)的改善近似為Λ SE=SEs-SE單=2Olog10 [(Ji ·1空隙/入0)/ η/Ζω|],其中，Isii是介電層130的厚度(在這ー範例中，其被假設為空氣；換言之，在圖9的實施例中，Isis是兩個導電層或片60之間的間距)，Ζω是導電層或片60的網格線的單位長度的內部阻杭，λ ^是自由空間磁共振波長，而η是導電層或片60的固有阻杭。參見Losito在Progress in Electromagnetics Research Symposium,Cambridge,MA,USA July 2—6,2008上的「An Analytical Characterization of Metal Foams for Shielding Applications，，一文。圖10和11繪製了針對圖2的實施例，S卩，使用單層網格60的一些實驗結果。在近場中使用測試設備測試在I. 5T (圖10)以及3. OT (圖11)的輻射發射以針對工作在膛14內部的裝置確定可接受 的發射水平。圖10和11的曲線圖示出了在臨界磁頻率下使用噪聲發生器電路針對不同的銅網格尺寸(20、40、80和2000PI)以及針對實心Cu和NiAg層的輻射發射水平。對於網格結構的近場發射性能，隨著口徑尺寸的變大以及線直徑的減小，存在變小的結果。圖11示出了在3. OT存在最佳條件，其中，在臨界頻率下網格能夠提供比實心結構更多的插入損耗(衰減)。在3. 0T,80-規格的網格看來是最佳的。執行對屏蔽原型心電圖儀(ECG)模塊的測試，所述模塊已經使用如圖9所示的由介電層分隔開的兩層80-規格的網格進行屏蔽。結果顯示，在I. 5T頻率下，實心屏蔽的性能好於80-規格的網格大約5分貝，但仍然在可接受的限制內(低於_145dB)。在3. 0T,圖9的雙層網格結構與實心屏蔽相比提供大約10分貝的更多的衰減。本申請已經描述了ー個或多個優選實施例。在閱讀和理解上述詳細說明的基礎上，可以做出修改和變更。g在將本申請解讀為包括所有這樣的修改和變更，只要其涵蓋在權利要求及與其等價的範圍之內。
權利要求
1.一種設備，包括 電子裝置或部件(40、42、44);以及 射頻屏蔽(50、52 )，其被布置成屏蔽所述電子裝置或部件； 其中，所述設備被設置在由磁共振掃描器(10)生成的射頻(B1)場以及由所述磁共振掃描器生成的時變磁場梯度中；並且 其中，所述射頻屏蔽包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的開ロ(72、82、92)的導電片或層(60、 70、80、90、100、110、120)。
2.根據權利要求I所述的設備，其中，所述電子裝置或部件(40、42、44)包括電路板(44)，並且所述射頻屏蔽(50、52)包括 所述電路板的地平面(50 )。
3.根據權利要求1-2中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)包括 外罩(52)，其充分罩住所述電子裝置或部件(40、42、44)。
4.根據權利要求1-3中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60)包括導電網格，所述網格的開ロ界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的所述開ロ。
5.根據權利要求1-3中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(70、80、90)包括金屬片或層，所述金屬片或層具有形成於其中的抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的所述開ロ(72、82、92)。
6.根據權利要求1-3中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(100)包括由小的互連的導電條(104)接合的導電元件(102)，從而界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的所述開ロ。
7.根據權利要求1-3中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(110)包括分散於電絕緣粘合劑(114)中的導電顆粒(112)，所述顆粒之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的所述開ロ。
8.根據權利要求1-3中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(120)包括交織的導電纖維(122)，所述纖維之間的間隙界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的所述開ロ。
9.根據權利要求1-8中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)的所述開ロ(72、82、92)的尺寸被設定為小於自由空間磁共振波長的二十分之一。
10.根據權利要求1-9中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)具有大於在所述導電片或層的導電材料中所述磁共振波長的趨膚深度的十倍的最小厚度。
11.根據權利要求1-10中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)包括由ー個或多個介電層(130)間隔開的多個平行組成的導電片或層(60)。
12.根據權利要求11所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60、.70、80、90、100、110、120)包括由單個介電層(130)間隔開的兩個平行組成的導電片或層(60)。
13.根據權利要求1-12中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)將從所述電子裝置或部件(40、42、44)輻射的射頻能量有效地減小至少80分貝。
14.根據權利要求1-13中的任一項所述的設備，其中，所述射頻屏蔽(50、52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)的所述開ロ(72、82、92)將由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動有效地減小至少3分貝。
15.一種設備，包括 電子裝置或部件(40、42、44);以及 外罩(52)，其罩住所述電子裝置或部件； 其中，所述設備被設置在由磁共振掃描器(10)生成的射頻(B1)場以及由所述磁共振掃 描器生成的時變磁場梯度中；並且 其中，所述外罩包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的所述外罩的振動的開ロ(72、82、98)的導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)。
16.根據權利要求15所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60)包括導電網格，所述網格的開ロ界定了抑制由時變磁場梯度誘發的所述外罩的振動的所述開ロ。
17.根據權利要求15所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(70、80、90)包括金屬片或層，所述金屬片或層具有形成於其中的抑制由時變磁場梯度誘發的所述外罩的振動的所述開ロ(72、82、92)。
18.根據權利要求15-17中的任一項所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)的所述開ロ(72、82、92)的尺寸被設定為小於自由空間磁共振波長的二十分之一。
19.根據權利要求15-18中的任一項所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)具有大於在所述導電片或層的導電材料中磁共振波長的趨膚深度的十倍的最小厚度。
20.根據權利要求15-19中的任一項所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)包括由ー個或多個介電層(130)間隔開的多個平行組成的導電片或層(60)。
21.根據權利要求20所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)包括由單個介電層(130)間隔開的兩個平行組成的導電片或層(60)。
22.根據權利要求15-21中的任一項所述的設備，其中，所述外罩(52)的所述導電片或層(60、70、80、90、100、110、120)的所述開ロ(72、82、92)將由時變磁場梯度誘發的所述外罩的振動有效地減小至少3分貝。
23.—種磁共振系統,包括 磁共振掃描器(10)，其包括在檢查區域中生成靜(Btl)磁場的主磁體(20)、用於在所述檢查區域之內的選定方向上疊加時變磁場梯度的磁場梯度繞組(22)以及用於在所述檢查區域中生成射頻(B1)場的ー個或多個射頻線圈(24);以及 根據權利要求1-22中的任一項所述的設備，其被設置在由所述磁共振掃描器生成的所述射頻(B1)場以及由所述磁共振掃描器生成的所述時變磁場梯度中。
全文摘要
一種設備包括電子裝置或部件(40)以及被布置成屏蔽所述電子裝置或部件的射頻屏蔽。所述設備被設置在由磁共振掃描器生成的射頻(Bi)場以及由磁共振掃描器(10)生成的時變磁場梯度中。所述射頻屏蔽包括具有抑制由時變磁場梯度誘發的所述射頻屏蔽的振動的開口的導電片或層。
文檔編號H05K9/00GK102652027SQ201080055496
公開日2012年8月29日 申請日期2010年11月18日 優先權日2009年12月10日
發明者E·M·雷伊, R·A·哈韋爾 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司