旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備的製作方法
2023-05-28 19:47:16 1
專利名稱：旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種鍍膜玻璃生產的磁控濺射設備，尤其是一種旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備。
背景技術：
鍍膜玻璃在建築、交通等領域有著廣泛的用途，原有的生產鍍膜玻璃的磁控濺射設備，由預抽室、電解質鍍層鍍膜室、導電鍍層鍍膜室組成，玻璃經預抽室抽真空後直接進入電解質鍍層鍍膜室，電解質鍍層鍍膜室內的氣體真空度難以達到理想狀態，所生產的鍍膜玻璃均勻性較差，而低輻射膜玻璃、陽光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等對均勻性要求較高，原有的生產鍍膜玻璃的磁控濺射設備不能滿足要求。在鍍制導電鍍層時，常用的平面靶的靶材利用率較低，僅為30％，由於導電鍍層多採用貴重金屬(常用銀)，對於電解質鍍層鍍膜室、導電鍍層鍍膜室內的空氣的壓力與成份有較高的要求，用原有設備生產鍍膜玻璃，生產成本高、質量差。
發明內容
為了提高靶室內氣體的真空度和靶材的利用率，本實用新型提供一種低輻射鍍膜玻璃的生產設備，該設備通過設備結構改進，可以提高靶室內氣體的真空度和靶材的利用率。
本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是一種旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，具有電解質鍍層鍍膜室和導電鍍層鍍膜室，電解質鍍層鍍膜室的一側設置有預抽室，另一側與導電鍍層鍍膜室連接，電解質鍍層鍍膜室內設置有鍍電解質鍍層的磁控靶，導電鍍層鍍膜室內設置有鍍導電鍍層的磁控靶鍍電解質鍍層的磁控靶是平面式磁控靶，並與中頻交流專用電源連接，鍍導電鍍層的磁控靶是圓柱形旋轉式磁控靶，並與恆流式直流專用電源連接。
為提高鍍膜室內的氣體真空度，進一步地在電解質鍍層鍍膜室與預抽室間設置有緩衝室，在預抽室與外界、預抽室與緩衝室間、緩衝室與電解質鍍層鍍膜室間分別設置有隔離密封縫閥。
為了使設備能反向可逆工作，再進一步地設備具有一個導電鍍層鍍膜室和二個預抽室、緩衝室、電解質鍍層鍍膜室，連接方式為預抽室、緩衝室、電解質鍍層鍍膜室、導電鍍層鍍膜室、電解質鍍層鍍膜室、緩衝室、預抽室依次連接。
本實用新型的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，設計合理，結構簡單，通過增加緩衝室以及改變磁控靶的結構，提高了靶室內氣體的真空度，提高了靶材的利用率，提升了低輻射鍍膜玻璃的產品質量，降低了生產成本。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖2是本實用新型的生產流程圖。
圖中1.預抽室，2.緩衝室，3.電解質鍍層鍍膜室，4.導電鍍層鍍膜室，5.平面式磁控靶，6.圓柱型旋轉式磁控靶，7.隔離密封縫閥，8.中頻交流專用電源，9.恆流式直流專用電源。
具體實施方式
如
圖1所示的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，具有一個導電鍍層鍍膜室4和二個預抽室1、緩衝室2、電解質鍍層鍍膜室3，連接方式為預抽室1、緩衝室2、電解質鍍層鍍膜室3、導電鍍層鍍膜室4、電解質鍍層鍍膜室3、緩衝室2、預抽室1依次連接。電解質鍍層鍍膜室3內設置有鍍電解質鍍層的平面式磁控靶5，並與中頻交流專用電源8連接，導電鍍層鍍膜室4內設置有鍍導電鍍層的圓柱形旋轉式磁控靶6，並與恆流式直流專用電源9連接，在預抽室1與外界、預抽室1與緩衝室2間、緩衝室2與電解質鍍層鍍膜室3間分別設置有隔離密封縫閥7。
如圖2所示，工作時關閉所有隔離密封縫閥7，確保設備正常運行。
打開預抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，待外界大氣進入預抽室1後將待鍍膜的玻璃送入預抽室1，然後關閉預抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，進行空氣預抽達到要求的真空度。
打開緩衝室2與預抽室1連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進入緩衝室2，關閉緩衝室2與預抽室1連接處的隔離密封縫閥7，較好地實現了氣體隔離，消除玻璃進出對鍍膜室的影響。
打開電解質鍍層鍍膜室3與緩衝室2連接處的隔離密封縫閥7，玻璃在電解質鍍層鍍膜室3氧氣濃度較高的氣氛中濺射鍍膜，該室採用了兩個平面式磁控靶5，採用中頻交流專用電源8供電，能有效防止靶的中毒現象，能提高膜層質量及延長靶面清理的時間，然後玻璃進入導電鍍層鍍膜室4，該室具有三個圓柱形旋轉式磁控靶6，採用恆流式直流專用電源9供電，玻璃在導電鍍層鍍膜室4分別鍍制保護層(一般為NiCr或Ti)、導電鍍層(一般為Ag)、保護層(一般為NiCr或Ti)，三層膜一次鍍成，由於低輻射玻璃中起關健作用的導電鍍層(一般為Ag)在鍍膜前後很容易受環境影響而產生氧化現象，通過增加緩衝室2和鍍制保護層，有效防止了導電鍍層的氧化，然後鍍膜後的玻璃進入後電解質鍍層鍍膜室3，再次鍍電解質層，之後，打開電解質鍍層鍍膜室3與緩衝室2連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進入緩衝室2後，關閉電解質鍍層鍍膜室3與緩衝室2連接處的隔離密封縫閥7，再打開緩衝室2與預抽室1連接處的隔離密封縫閥7，玻璃進入預抽室1，充大氣，打開預抽室1與外界連接處的隔離密封縫閥7，玻璃送出外界。
本實用新型的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，是一種適用於大規模生產低輻射玻璃及陽光控制膜玻璃的磁控濺射鍍膜生產線，採用臥式可逆式結構，具有生產效率高，均勻性好，可控性強等特點，能鍍制低輻射玻璃、陽光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等產品，為目前磁控濺射鍍膜玻璃生產線的升級換代產品。
權利要求1.一種旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，具有電解質鍍層鍍膜室(3)和導電鍍層鍍膜室(4)，電解質鍍層鍍膜室(3)的一側設置有預抽室(1)，另一側與導電鍍層鍍膜室(4)連接，電解質鍍層鍍膜室(3)內設置有鍍電解質鍍層的磁控靶(5)，導電鍍層鍍膜室(4)內設置有鍍導電鍍層的磁控靶(6)，其特徵是鍍電解質鍍層的磁控靶(5)是平面式磁控靶(5)，並與中頻交流專用電源(8)連接，鍍導電鍍層的磁控靶(6)是圓柱形旋轉式磁控靶(6)，並與恆流式直流專用電源(9)連接。
2.根據權利要求1所述的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，其特徵是在電解質鍍層鍍膜室(3)與預抽室間設置有緩衝室(2)，在預抽室(1)與外界、預抽室(1)與緩衝室(2)間、緩衝室(2)與電解質鍍層鍍膜室(3)間分別設置有隔離密封縫閥(7)。
3.根據權利要求1所述的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，其特徵是設備具有一個導電鍍層鍍膜室(4)和二個預抽室(1)、緩衝室(2)、電解質鍍層鍍膜室(3)，連接方式為預抽室(1)、緩衝室(2)、電解質鍍層鍍膜室(3)、導電鍍層鍍膜室(4)、電解質鍍層鍍膜室(3)、緩衝室(2)、預抽室(1)依次連接。
專利摘要本實用新型涉及一種旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備，具有電解質鍍層鍍膜室和導電鍍層鍍膜室，電解質鍍層鍍膜室的一側設置有預抽室，電解質鍍層鍍膜室內設置有鍍電解質鍍層的磁控靶，導電鍍層鍍膜室內設置有鍍導電鍍層的磁控靶，在電解質鍍層鍍膜室與預抽室間設置有緩衝室，在預抽室與外界、預抽室與緩衝室間、緩衝室與電解質鍍層鍍膜室間分別設置有隔離密封縫閥，本實用新型的旋轉磁靶式膜玻璃磁控濺射設備具有生產效率高，均勻性好，可控性強等特點，能鍍制低輻射玻璃、陽光控制膜玻璃、單向透視玻璃、高反射鏡面玻璃等產品，為目前磁控濺射鍍膜玻璃生產線的升級換代產品。
文檔編號C23C14/35GK2663431SQ200320110408
公開日2004年12月15日 申請日期2003年10月24日 優先權日2003年10月24日
發明者沈琪 申請人:沈琪