光控制單元及其形成方法
2023-06-18 09:47:06
專利名稱：光控制單元及其形成方法
技術領域：
本發明涉及一種包含光子結晶的光控制單元及其形成方法。
背景技術：
所謂光子結晶，指內部具有的折射率變化其周期性通常與光波長為相同量級的新型結晶，可舉出具有3維折射率分布的3維光子結晶、具有2維折射率分布的2維光子結晶等。這種結構具有以下特長與半導體中原子核周期性勢致使電子受到布喇格Bragg反射而形成禁帶寬度相同，周期性折射率分布致使光波受到Bragg反射，形成對於光的禁帶寬度(光子禁帶寬度)。因此，近年來一直進行著將光子結晶用於光控制的開發研究。
發明內容
作為上述光控制，可以考慮例如通過在光纖的端面配置光子結晶，來控制光纖輸入輸出光的波長選擇、傳播方向等。作為在光纖端面配置光子結晶的方法，可以考慮例如靠平板印刷在光纖端面直接形成光子結晶的方法。但該方法在製造光子結晶時需要昂貴的裝置，而且光子結晶的製造需要較長的時間。
在光纖端面配置光子結晶的其他方法，有用聚苯乙烯等微小球另行製造光子結晶，並將其切成規定的大小且切面在規定方向上，將所切出的光子結晶配置於光纖端面的方法。但該方法需要在切出光子結晶時使光子結晶具有規定的波長選擇性，為此需要操作相當熟練。
本發明其目的在於，提供一種容易在光纖這種光傳輸路上形成包含光子結晶的光控制單元的方法以及利用該方法所形成的光控制單元。
本發明的光控制單元形成方法，該方法在包含光的入射面及出射面其中至少之一所構成的端面在內的光傳輸路上，形成對光傳輸路輸入光及輸出光其中至少之一進行控制的光控制單元，其特徵在於，通過將含有作為光子結晶材料的微顆粒的溶液放入端面所處的空間部，使光子結晶在端面上生長，從而在端面上形成包含光子結晶的光控制單元。
採用本發明，將含有微顆粒的溶液注入空間部，使光子結晶在光傳輸路的端面上生長，以便在端面形成光控制單元。因而，採用本發明能夠很容易地在光傳輸路的端面上形成作為光控制單元的光子結晶。
還有，所謂光傳輸路是指例如光纖、光封閉型的光波導路。光傳輸路由例如絕緣性透明基板(由玻璃、石英、鈮酸鋰等構成)、光學結晶所構成。所謂控制是指例如波長選擇、光傳輸特性調製。
本發明中，使光子結晶在端面上生長時，可以測定光子結晶的光學特性。採用這種方法，可以實時地得到光子結晶生長過程中光子結晶的光學特性信息。所謂光學特性是指例如波長透過性、反射特性。
本發明中，根據測定判定光子結晶具有規定的光學特性時，對溶液照射規定波長光，使溶液凝膠化，以便在端面形成具有可塑性的半固化的光控制單元。採取這種方法，能夠在光傳輸路的端面上可靠地形成具有規定光學特性的光控制單元。
本發明中，可通過使溶液凝膠化在端面上形成具有可塑性的半固化的光控制單元。採用這種方法，能夠通過使力作用於光子結晶來形成光學特性變化的光控制單元。
本發明中，通過放置空間部的溶液使微顆粒自然地排列，以便使光子結晶在端面上生長。
本發明中，可以使溶液中的微顆粒帶靜電，靠作用於微顆粒上的重力和微顆粒彼此間靜電作用力這兩者間的平衡，控制端面上生長的光子結晶的生長方向以及生長速度其中至少之一。
本發明中，可以在端面及其附近的光傳輸路其中至少一處形成用於使光子結晶穩定生長的電荷層以及微細結構層其中至少之一。
本發明中，可在溶液注入空間部時對端面加上振動，以便使微顆粒分散後使光子結晶在端面上生長。
本發明中，可通過將另一光傳輸路的端面與光傳輸路的端面相互平行配置以形成空間部，使光子結晶不僅在光傳輸路的端面而且在另一光傳輸路的端面上生長，以便形成將另一光傳輸路的端面與光傳輸路的端面連在一起的光子結晶。
本發明中，可通過使光傳輸路的端面相對於光傳輸路的光軸傾斜，並使另一光傳輸路的端面相對於另一光傳輸路的光軸傾斜，使光子結晶的生長軸相對於各光軸呈規定的角度，以便使光子結晶具有規定的光學特性。
本發明中，可在配置限定空間部的間隔體後將溶液注入空間部。
本發明的光控制單元按上述本發明方法形成。
圖1是將包含光子結晶的光控制單元作為波長選擇裝置使用時的示意圖；圖2是示出一例光子結晶的立體圖；圖3A、圖3B以及圖3C是表示1維光子結晶(多層膜結構)中光反射率(任意常數)與波長(nm)之間所存在關係的曲線圖；圖4是本發明第1實施方式的第1工序圖；圖5是本發明第1實施方式的第2工序圖；圖6是表示用本實施方式自然生長出的光子結晶其一例光學特性的曲線圖；圖7是在使光子結晶在端面上生長過程中用以測定光子結晶光學特性的框圖；圖8是分別表示通過光子結晶的紅外線波長分量IR、用於溶液凝膠化的紫外線波長分量UV的曲線圖；圖9是第2實施方式光纖的剖面圖；圖10是示出第2實施方式間隔體的立體圖；圖11是第3實施方式光纖的剖面圖；圖12是第4實施方式光纖的剖面圖；圖13A和圖13B是第5實施方式光纖的剖面圖；圖14A和圖14B是第6實施方式光波導路的平面圖。
具體實施例方式
下面利用附圖對本發明的最佳實施方式進行詳細說明。通過在各圖中對相同的組成部分用相同標號來省略其說明。
先說明作為本實施方式前提、包含光子結晶的光控制單元。圖1是將包含光子結晶的光控制單元作為波長選擇裝置使用時的示意圖。圖1所示的波長選擇裝置包含基座1、在基座1上設置的包含具有可塑性的光子結晶2的光控制單元3、對光子結晶2加上外力(使外力增加或減少)的壓電元件4、以及高精度控制壓電元件4的驅動電源5。
光控制單元3包含形成為覆蓋光子結晶2表面的薄膜6。光子結晶2是凝膠狀的，因此包含水分。利用薄膜6防止該水分的蒸發。在光控制單元3的輸入側配置光纖7，在其輸出側配置光纖8。光纖7、8分別包含芯部9和配置於其周圍的包覆層10。分別對光纖7、8去除從芯部9的端面起規定長度的頂端部11周圍的包覆層10。將頂端部11載置於基座1上配置的定位臺12並使光纖7、8各自的芯部9與光子結晶2相對。基座1上安裝有箱13。光控制單元3、壓電元件4及頂端部11位於由基座1和箱13所形成的空間。
圖1的波長選擇裝置中，可利用光控制單元3的光子結晶2上所加的外力，使光纖7傳送至光纖8的光波長可變。
下面說明可塑性光子結晶2。圖2是示出一例光子結晶2的立體圖。光子結晶2是在凝膠狀物質2G中包含二氧化矽或鈦酸鋇、氧化鈦和氧化釓等的許多微小球(光學性微晶)2B形成的。這種光子結晶2是可塑性的，可很容易使其變形。微小球2B在物質2G內按光波長量級的周期有規則地均勻排列。
微小球2B的間隔，根據輸入光的波長波段設定為例如波長的一半至1/4這種大小。利用該結晶結構，在光子結晶2內生成光子能帶結構。而且，凝膠容易受外力的作用而變形，因此光子結晶2的結晶結構以及該光子能帶結構容易變化。由於這種變化，通過光子結晶2的光波長也同樣發生變化。另外，微小球2B與物質2G其折射率不同，而且兩者均對所選擇光的波長呈透明，或是具有合適的透射率。
例如，作為溶膠材料採用混合紫外線硬化樹脂的材料，對其照射紫外線使其凝膠化，從而得到上述凝膠狀物質2G。代表性的紫外線硬化樹脂是在丙烯醯胺(acrylamide)中添加交聯劑及光聚合引發劑的混合物，已知的就有許多種。而且，這種微小球2B的周期結構數為50左右即可，因此光子結晶2最大為100微米見方這種大小的元件就能夠充分發揮作用。
下面說明光子結晶的波長選擇性的可變性。圖3A、圖3B以及圖3C是表示1維光子結晶(多層膜結構)中光反射率(任意常數)與波長(nm)之間所存在關係的曲線圖。圖3A是未用壓電元件對光子結晶施加外力時的曲線圖；圖3B是用壓電元件在壓縮方向上對光子結晶施加使其產生1％的晶格畸變的壓力(外力)時的曲線圖；而圖3C是用壓電元件在延展方向上對光子結晶施加使其產生1％的晶格畸變的壓力時的曲線圖。
根據這些曲線圖，未施加外力時的反射強度峰值處于波長λc＝1500nm大小的位置(圖3A)。而加上1％壓縮畸變時該波長λc偏移至短波長一側約為1470nm(圖3B)；而加上1％延展畸變時該波長λc偏移至長波長一側約為1530nm(圖3C)。
具體來說，一旦光子結晶導入外力引起的微小晶格畸變，光子能帶結構便隨結晶內結晶結構的變化而發生變化，從而光反射特性發生變化。所以，可以靠光子結晶2上所加的外力使從光纖7傳送至光纖8的光波長可變。另外，圖3是對多層膜結構的鏡子那樣的1維光子結晶結構的光透過特性的計算例。但即便是微晶完全等間隔排列的3維結晶結構，也在特定的結晶方位顯示出同樣的光透過特性。
下面對本發明第1實施方式進行說明。圖4和圖5是第1實施方式的工序圖。如圖4所示，V槽連接器20包含厚板狀的基座21，基座21的上表面形成有V槽23。V槽23在基座21的長度方向上直線延伸。V槽23配置有光纖7、8。光纖7的端面7a和光纖8的端面8a相對設置並保持規定距離。這裡，所謂規定距離，在所用光的波長為1.55微米時約為20～80微米。由端面7a、端面8a以及V槽23形成空間部25。端面7a、8a分別為光入射面和出射面其中至少之一所形成的端面。
溶液27是在超純水中加入粒徑約120nm的二氧化矽微顆粒或粒徑約150nm的聚苯乙烯微顆粒等微顆粒43形成體積濃度1～4％的懸濁液。通過將該溶液27滴入空間部25，空間部25充滿溶液27。溶液27以規定量和規定速度滴入空間部25。而且，溶液27通過溶解約1摩爾氫氧化鈉對離子濃度等進行化學調整。然後，在清靜狀態下將空間部25的溶液27放置規定時間。這樣，靠微顆粒所帶電荷使微顆粒自然排列，分別以端面7a、8a為初始面生成光子結晶。隨該結晶生長的進行，如圖5所示在空間部25形成有分別與端面7a、8a連接的光子結晶2。溶液27包含紫外線硬化的成分，通過對空間部25的溶液27照射紫外線，光子結晶2便成為凝膠狀。由此，可得到包含具有可塑性的半固化的光子結晶2的光控制單元。光子結晶2作為對光纖7、8各自的輸入光和輸出光其中至少之一進行控制的光控制單元起作用。
這裡光子結晶的生長，有下述考慮。由用微顆粒的光子結晶的現有生長試驗可知，將微顆粒放入玻璃容器，再向該玻璃容器中注入控制了離子濃度等的溶液，在充分擴散後放置十分鐘乃至於長達一個月，微顆粒便帶電，從而在靜電相斥作用下形成均勻的空間排列。已知此時決定半長方位的，是玻璃面與溶液的邊界條件。本實施方式的光子結晶的生長是根據這些事實的。另外，儘管未圖示，但為了防止將溶液27滴入空間部25時發生微顆粒凝集，還可以使用分別對端面7a、8a加上規定頻率振動的裝置。這裡，所謂規定頻率是38～45kHz。而且，也可以通過施加38～45kHz頻率的振動，在溶液27中微顆粒完全分散之後，再用約10Hz頻率的振動使微顆粒分散。由此，可以在使溶液27中的微顆粒分散後使光子結晶2在端面7a、8a上分別生長。
本申請發明人用本實施方式使光子結晶在一個光纖陣列的端面上自然生長。圖6中的曲線給出該光子結晶的一例光學特性。圖6中橫軸表示光的波長，縱軸表示光的透射率。採用這種光子結晶，能夠有選擇地截取光當中600nm的波長分量。所以，光子結晶2可以作為例如具有波長選擇用功能的光控制單元使用。可通過對圖5所示的光子結晶2裝壓電元件，將驅動電源與壓電元件連接，來製作與圖1所示裝置相同的裝置。
在使光子結晶分別生長於端面7a、8a上的過程中，可以實時測定光子結晶2的光學特性(例如波長透過性、反射特性)。圖7是進行這種測定用的框圖。如圖7所示，雷射器31(也可以用燈代替雷射器)的出射光射到光子結晶2上。出射光中通過光子結晶2的波長分量由檢測單元33檢測。檢測出的波長分量數據被送到光譜分析單元35。由光譜分析單元35對透過光子結晶2的波長分量進行分析。由此實時測定光子結晶2的光學特性。該分析數據被發送到例如個人計算機構成的管理單元37，在管理單元37的顯示器上顯示。由此能夠對光子結晶2的光學特性進行實時監視。這裡所說的規定光學特性是指使例如紅外線波長分量透過的特性。管理單元37判定光子結晶2具有規定光學特性時，管理單元37對波長控制單元39發送波長變更信號。根據該信號，波長控制單元39變更雷射器31的波長，射出紫外線波長分量。由此可以使溶液27凝膠化，在光纖7、8的端面7a、8a上形成具有可塑性的半固化的光子結晶2所構成的光控制單元。另外，圖8中的曲線分別給出通過光子結晶的紅外線波長分量IR、溶液27凝膠化用的紫外線波長分量UV。縱軸是波長分量的強度，橫軸是波長。上面說明的光學特性測定和利用紫外線的硬化處理在下面說明的實施方式中也適用。
採用第1實施方式，與將作為光控制單元的光子結晶用平板印刷方法配置於光纖的端面的方法相比，光子結晶的製造不需要昂貴的裝置，而且光子結晶的製造不需要很長時間。而且，採用第1實施方式不用切下光子結晶那樣需要熟練的技術。根據上述理由，採用第1實施方式容易製造出包含光子結晶2的光控制單元3。而且，光子結晶2按波長10倍大小滿足其光學特性，因而其尺寸為數十微米。所以，光控制單元3是緊湊的，因此光控制單元3與光纖7、8的尺寸容易配合。這些效果在以下說明的實施方式中相同。
對於本發明的第2實施方式，下面以和第1實施方式的不同點為中心進行說明。圖9是光纖7、8的剖面圖。光纖7的端面7a、光纖8的端面8a隔著間隔體41相互平行配置。間隔體41與端面7a的包覆層10及端面8a的包覆層10接觸。由此形成空間部25。
準備包含作為光子結晶材料的微顆粒43，離子濃度等經過化學調整的溶液27。將溶液27以規定速度向空間部25滴入規定量。微顆粒43因溶液27而帶靜電。該靜電的電荷量可以通過改變溶液27的離子濃度、PH值等來調整。由於靜電作用，微顆粒43之間由於存在同性相斥的庫侖相互作用而自然排列，微顆粒43保持著由其濃度決定的特定間隔。經過規定時間後，在圖9所示的空間部25，也就是端面7a的芯部9和端面8a的芯部9之間形成圖5所示的光子結晶2。由該光子結晶將端面7a的芯部9和端面8a的芯部9相連。
光纖7、8的芯部9中與溶液27的接觸面和間隔體41中與溶液27的接觸面對自然生長的生長方向、排列間隔等提供邊界條件。其結果是，可以利用這一邊界條件控制光子結晶2的結晶方位等。決定邊界條件的是上述接觸面的形狀、電氣特性、化學特性等。
一般的光纖是石英等二氧化矽系的母材中摻雜某種離子形成的。其電氣特性和化學特性決定要傳播的波長，因此母材和離子的種類在某種程度上受到限制。因而，可以通過將間隔體41的形狀、材質及其表面處理方法作為參數來控制光子結晶2的生長條件等。
圖10是表示作為間隔體41一例的間隔體41a的立體圖。間隔體41a是在長方體上形成槽部45、47構成的。長方體的上表面53形成有從長方體的側面49至與該側面相對的側面51的槽部45。而槽部45的底部，從側面49到側面51形成槽部47。槽部47的寬度比槽部45的寬度小。使光纖7的端面7a與側面49位置一致，光纖8的端面8a與側面51位置一致。槽部47的兩個端面中，一個端面對應於端面7a的芯部9，另一個端面對應於端面8a的芯部9。
槽部47上利用本實施方式的方法形成光子結晶2。然後在光子結晶2上施加外力將壓電元件4配置於槽部45。採用間隔體41a能夠在規定光纖7的端面7a和光纖8的端面8a之間的距離的同時方便地滴下溶液27並保持溶液27。但是，間隔體41的形狀不限於圖10所示的形狀，只要考慮配置壓電元件4等其他構件，形成如圖10所示使上方開放的形狀即可。
如上所述，採用間隔體41，可以高精度地配置端面7a、7b，並且能夠高精度地控制光子結晶2的生長方向。
下面以和第1、第2實施方式的不同點為中心對本發明第3實施方式進行說明。圖11是光纖7、8的剖面圖。光纖7的端面7a、光纖8的端面8a隔著間隔體41相互平行配置。端面7a、8a相對於光纖7、8的長度方向傾斜比90°小的規定角度θ。通過對端面7a、8a進行研磨可以使端面7a、8a形成傾斜。另外，圖9所示的第2實施方式中這些角度為90°。
例如，若將微顆粒43的濃度與圖9中溶液27相同的溶液27用於圖11情形，由於圖11的端面7a、8a的傾斜，端面7a、8a上生長的光子結晶的生長軸便產生與圖9中端面7a、8a上生長的光子結晶的生長軸不同的傾斜。其結果是在光纖7、8的光傳播與光子結晶內部的光傳播模式之間存在由生長軸傾斜、即結晶角度所控制的耦合關係。因而，改變端面7a、8a的研磨麵的傾斜、溶液27的微顆粒濃度等，可以控制包括光纖7、8等的光學裝置總體的光學特性(例如波長透過性、反射特性)。
還有，圖9、圖11表示光纖7、8的端面7a、8a相互平行配置的例子，但是考慮到光子結晶的光傳播特性，也可以有端面7a、8a不相互平行的情況。端面7a、8a的配置也可以在分析光子結晶特性後改變。
下面以和第1～第3實施方式的不同點為中心對本發明第4實施方式進行說明。圖12是光纖7、8的剖面圖。在第4實施方式中，對於圖11所示的光纖7、8，相對於鉛直方向，端面7a配置於端面8a上方。端面7a、8a在水平方向上配置間隔體41夾著光纖7、8的端部配置。空間部25也形成於端面7a的包覆層10與端面8a的包覆層10之間。因而，光子結晶除了在端面7a的芯部9與端面8a的芯部9之間形成外，也在端面7a的包覆層10與端面8a的包覆層10之間形成。
在光子結晶生長過程中，有時除了邊界條件、溶液27條件之外考慮重力則更加有效。因而，在第4實施方式中，端面7a、8a配置於與重力方向垂直的位置使光子結晶生長。利用作用於微顆粒43的重力與微顆粒彼此間的靜電作用力這兩者的平衡，控制端面7a、8a上生長的光子結晶2的生長方向和生長速度其中至少之一。作為微顆粒43，如果使用其比重大的材料，例如氧化釓、氧化鈦及鈦酸鋇等，重力影響便可以忽略不計。如圖12所示，光子結晶2的生長主要是從下側的邊界、即端面8a與溶液27之間的邊界面開始生長。
下面以和第1～第4實施方式的不同點為中心對本發明第5實施方式進行說明。圖13A和13B是光纖7、8的剖面圖。圖13A所示光纖7、8與圖11所示光纖7、8不同點在於，端面7a、8a的芯部9的近旁形成電荷層55。電荷層55例如可以經端面7a、8a通過對芯部9的離子注入來形成。用預先形成的電荷層55控制端面7a、8a的表面電荷密度，可以使光子結晶穩定生長。
圖13B所示光纖7、8與圖11所示光纖7、8不同點在於，端面7a、8a的芯部9上形成微細結構層57。微細結構層57形成包含與微顆粒43大約相同大小的凹凸的空間結構。用預先形成的微細結構層57可以使光子結晶穩定生長。
下面以和第1～第5實施方式的不同點為中心對本發明第6實施方式進行說明。圖14A和14B是第6實施方式光封閉型光波導路的平面圖。
如圖14所示，1維的光波導路59形成於基板61上。光波導路19的規定部位形成適當形狀的孔，以便將光波導路59一分為二。斷開的其中之一的光波導路59的端面59a和斷開的另一光波導路59的端面59b均處於該孔位置。第6實施方式中，該孔的形狀大致為菱形。構成大致為菱形的邊中，將光波導路59斷開的兩個邊相對於光波導路59延伸的方向形成規定的傾斜度。在該孔中滴入溶液27以使光子結晶2從端面59a、59b開始生長，以光子結晶2填埋該孔。作為光波導路59有採用鈮酸鋰的光波導路和在玻璃等當中注入離子的光波導路等。
如圖14B所示，光波導路59在基板61上形成十字形狀。在包含十字狀交叉點部位形成孔。四個斷開的光波導路59的端面59a、59b、59c、59d均處於該孔位置。在該孔中滴入溶液27以使光子結晶2從端面59a、59b、59c、59d開始生長，以光子結晶2填埋該孔。在該結構中對於兩個不同的波導路以不同的生長角度使光子結晶2生長。當然，需要在不破壞光子結晶結構的範圍內使這兩個角度最優。在圖14B所示的裝置的情況下，特別是一邊監視光子結晶的光學特性，一邊使光子結晶2生長是很重要的。可考慮在圖14B所示的光波導路59的交叉部位使光子結晶2優化生長，使對在各光波導路之間傳輸光進行切換成為可能。
工業應用性採用本發明，將包含微顆粒的溶液滴注入空間部，使光子結晶在光傳輸路的端面上生長，由此在端面上形成光控制單元。因而，採用本發明能夠容易地在光傳輸路的端面上製作作為光控制單元的光子結晶。
權利要求
1.一種光控制單元形成方法，該方法在包含光的入射面及出射面其中至少之一所構成的端面在內的光傳輸路上，形成對所述光傳輸路輸入光及輸出光其中至少之一進行控制的光控制單元，其特徵在於，通過將含有作為光子結晶材料的微顆粒的溶液放入所述端面所處的空間部，使所述光子結晶在所述端面上生長，從而在所述端面上形成包含所述光子結晶的所述光控制單元。
2.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，使所述光子結晶在所述端面上生長時，測定所述光子結晶的光學特性。
3.如權利要求2所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，根據所述測定判定所述光子結晶具有規定的光學特性時，通過對所述溶液照射規定波長光，使所述溶液凝膠化，以便在所述端面形成具有可塑性的半固化的所述光控制單元。
4.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，通過使所述溶液凝膠化，在所述端面上形成具有可塑性的半固化的所述光控制單元。
5.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，通過放置所述空間部的所述溶液使所述微顆粒自然排列，以便使所述光子結晶在所述端面上生長。
6.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，使所述溶液中的所述微顆粒帶靜電，靠作用於所述微顆粒的重力和所述微顆粒彼此間靜電作用力這兩者間的平衡，控制所述端面上生長的所述光子結晶的生長方向和生長速度其中至少之一。
7.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，在所述端面及其附近的所述光傳輸路其中至少一處形成用於使所述光子結晶穩定生長的電荷層和微細結構層其中至少之一。
8.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，通過在將所述溶液放入了所述空間部時對所述端面加上振動，以便使所述微顆粒分散後使所述光子結晶在所述端面上生長。
9.如權利要求1所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，通過將另一光傳輸路的端面與所述光傳輸路的所述端面相互平行配置形成所述空間部，使所述光子結晶不僅在所述光傳輸路的所述端面而且在所述另一光傳輸路的端面上生長，以便形成將所述另一光傳輸路的端面與所述光傳輸路的所述端面連在一起的所述光子結晶。
10.如權利要求9所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，通過使所述光傳輸路的所述端面相對於所述光傳輸路的光軸傾斜，並使所述另一光傳輸路的端面相對於所述另一光傳輸路的光軸傾斜，使所述光子結晶的生長軸相對於各所述光軸呈規定的角度，以便使所述光子結晶具有規定的光學特性。
11.如權利要求9所述的光控制單元形成方法，其特徵在於，配置限定所述空間部的間隔體後，再將所述溶液放入所述空間部。
12.一種光控制單元，其特徵在於，按權利要求1所述的光控制單元形成方法形成。
全文摘要
本發明涉及一種光控制單元及其形成方法。該方法是這樣一種方法，即以規定間隔將光纖(7)的端面(7a)與光纖(8)的端面(8a)相對配置於基座(21)的V槽(23)。將含有作為光子結晶材料的微顆粒的溶液(27)滴注至端面(7a)、端面(8a)以及V槽(23)所形成的空間部(25)。由此分別從端面(7a)、端面(8a)開始生長光子結晶，以便分別在端面(7a)、端面(8a)上形成包含光子結晶(2)的光控制單元。
文檔編號G02B26/00GK1516820SQ0281192
公開日2004年7月28日 申請日期2002年6月14日 優先權日2001年6月15日
發明者瀧口義浩, 伊藤研策, 策 申請人:浜松光子學株式會社