放大器的製造方法
2023-06-17 18:23:56
放大器的製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及放大器。根據本技術的一方面公開了一種增益增強放大器。增益增強可以用於改善放大器的噪聲係數，並且可以通過向放大器中的多個電晶體的柵極饋送輸入信號來實現，其中每個電晶體提供有助於放大器的總電流增益的電流增益。放大器還可以包括用於增加放大器的驅動能力的輸出驅動器級。放大器還可以包括反饋電阻器和輸入電阻器以獲得高線性度增益。
【專利說明】放大器
【技術領域】
[0001]本描述總體涉及放大器，更具體地，涉及摺疊式共源共柵放大器。
【背景技術】
[0002]低噪聲放大器(LNA)可以在系統的前端接收器中用來放大輸入信號，並且將所放大的信號輸出至系統中的其他電路(例如，調諧器、解調器等)，用於進行進一步處理。為了讓系統實現高輸入靈敏度，LNA具有低噪聲和高線性度是很重要的。
[0003]在傳統LNA中，線性度由gm*Ro限制，其中gm是LNA的跨導並且Ro是LNA的輸出阻抗。結果，傳統LNA需要高電流，因此需要高功率，從而實現高線性度。在傳統LNA中，感應器可以用於實現低噪聲。然而，感應器佔據較大的晶片面積，顯著增大了 LNA的大小。
實用新型內容
[0004]本實用新型解決如下問題:輸入端參考噪聲大，噪聲係數大。
[0005]( I) 一种放大器，包括:
[0006]第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；
[0007]第二電流增益電晶體，具有經由第一增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；
[0008]第一共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極和所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第一 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極；
[0009]第三電流增益電晶體，具有經由第二增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；以及
[0010]第二共源共柵電晶體，具有與所述第三電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第二 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的所述增益輸出端耦接的漏極。
[0011](2)根據(I)所述的放大器，其中，所述第一增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第二電流增益電晶體的柵極之間的第一電容器，並且所述第二增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第三電流增益電晶體的柵極之間的第二電容器。
[0012]( 3 )根據(2 )所述的放大器，進一步包括:
[0013]第一電阻器，耦接在所述第二電流增益電晶體的柵極與第三DC偏置電壓之間；以及
[0014]第二電阻器，耦接在所述第三電流增益電晶體的柵極與第四DC偏置電壓之間。
[0015](4)根據(I)所述的放大器，進一步包括源極跟隨器電晶體，所述源極跟隨器電晶體具有與所述放大器的所述增益輸出端耦接的柵極，以及與所述放大器的驅動器輸出端耦接的源極。
[0016]( 5 )根據(4 )所述的放大器，進一步包括:
[0017]反饋電阻器，耦接在所述放大器的所述驅動器輸出端與所述放大器的所述輸入端之間；以及
[0018]輸入電阻器，耦接至所述放大器的所述輸入端。
[0019](6) 一种放大器,包括:
[0020]第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；
[0021]第二電流增益電晶體，具有經由增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；以及
[0022]共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極和所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第一 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極。
[0023](7)根據(6)所述的放大器，進一步包括源極跟隨器電晶體，所述源極跟隨器電晶體具有與所述放大器的所述增益輸出端耦接的柵極，以及與所述放大器的驅動器輸出端耦接的源極。
[0024](8)根據(7)所述的放大器，進一步包括:
[0025]反饋電阻器，耦接在所述放大器的所述驅動器輸出端與所述放大器的所述輸入端之間；以及
[0026]輸入電阻器，耦接至所述放大器的所述輸入端。
[0027](9) 一种放大器，包括:
[0028]第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；
[0029]第二電流增益電晶體，具有經由增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；
[0030]第一共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第
一DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極；以及
[0031]第二共源共柵電晶體，具有與所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第
二DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的所述增益輸出端耦接的漏極。
[0032](10)根據(9)所述的放大器，其中，所述增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第二電流增益電晶體的柵極之間的電容器。
[0033]本實用新型提供的放大器，增益增強明顯較少了輸入端參考噪聲，由此改善了噪聲係數。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]在所附權利要求中陳述了本技術的某些特徵。然而，為了闡述目的，在下圖中陳述了本技術的幾個實施方式。
[0035]圖1示出了摺疊式共源共柵放大器的實例。
[0036]圖2示出了根據本實用新型的一方面的增益增強示例性摺疊式共源共柵放大器。
[0037]圖3示出了根據本實用新型的一方面的增益增強示例性摺疊式共源共柵放大器和輸出驅動器級。
[0038]圖4示出了根據本實用新型的一方面的示例性放大器。
[0039]圖5示出了根據本實用新型的一方面的放大器的噪聲模型的實例。
[0040]圖6示出了根據本實用新型的一方面的示例性系統。【具體實施方式】
[0041]下面陳述的【具體實施方式】旨在作為本技術的各個配置的描述並且不旨在僅表示可以實施本技術的配置。附圖併入本文中並構成【具體實施方式】的一部分。出於對本技術提供徹底理解的目的，【具體實施方式】包括具體細節。然而，本技術不限於本文中陳述的具體細節並且可以在沒有一點或多點具體細節的情況下實施。在某些情況下，以框圖形式示出結構和組件以免淡化本技術的概念。
[0042]圖1示出了傳統的差分摺疊式共源共柵放大器100的實例。放大器100被配置為放大包括第一輸入信號vin和第二輸入信號vip的差分輸入信號，並輸出包括第一輸出信號VOUtp和第二輸出信號VOUtn的差分輸出信號。放大器100包括形成差分輸入對的第一輸入電晶體M3和第二輸入電晶體M8，以及配置為提供偏置電流的電流偏置電晶體M4，該偏置電流在第一和第二輸入電晶體M3和M8之間分流。電晶體M4的柵極偏置DC電壓vbiasp3。
[0043]放大器100進一步包括與第一輸入電晶體M3耦合的第一增益級115。總的看來，第一輸入電晶體M3和第一增益級115形成放大器100的右半部分。第一增益級115耦合在電源總線Vdd和Vss之間。第一增益級115包括以共源共柵配置連接的P溝道電晶體M16，M17和η溝道電晶體Ml5和MlI，其中電晶體Μ16，Ml7，Ml5和Mll的柵極分別偏置DC電壓vbiaspl, vbiasp2, vbiasn2和vbiasnl。電晶體M15和M17是共柵極共源共柵電晶體,該等共柵極共源共柵電晶體在第一增益級115的輸出端提供高阻抗，並因此在第一增益級115的輸出端提供高電壓增益。
[0044]當向第一輸入電晶體M3的柵極饋送第一輸入信號vin時，第一輸入電晶體M3在其漏極輸出vin*gm3的信號電流。電晶體M3的幾乎所有輸出信號電流都流入第一增益級115的電晶體M15，由此產生大約vin*gm3的輸出電流增益。這是因為電晶體M15以共柵極配置連接，並因此在其源極具有低輸入阻抗。
[0045]在放大器100的右半部分中，最嘈雜的源是電晶體M3，Mll和M16。來自主要噪聲源電晶體(即，電晶體M3，Ml I和M16 )的總噪聲電流為:Ιη—_—_ε=ν8η—Μ:^πι3+Ιη—^Vgn-M11*gml 1+In—M11+Vgn—M16*gml6+In—M16 (I)
[0046]其中，In tjut s_是輸出端的總噪聲電流，Vgn是各個電晶體的柵極的噪聲電壓，1?是各個電晶體的電流噪聲，並且gm是各個電晶體的跨導。如上所討論的，放大器100的右半部分具有大約gm3*vin的輸出電流增益。結果，放大器的右半部分的輸入端參考噪聲為:
[0047]Vninputrefer=Inoutstage/gm3(2)
[0048]其中Vn input _是輸入端參考噪聲。
[0049]放大器100還包括與第二輸入電晶體M8耦合的第二增益級120。總的看來，第二輸入電晶體M8和第二增益級120形成放大器100的左半部分。第二增益級120包括以共源共柵配置連接的η溝道電晶體Μ21，Μ23和ρ溝道電晶體Μ20和Μ25，其中電晶體Μ21，Μ23，Μ20和Μ25的棚極分別偏置DC電壓vbiasnl, vbiasn2,vbiasp2和vbiaspl。電晶體M23和M20是共柵極共源共柵電晶體，這些共柵極共源共柵電晶體在第二增益級120的輸出端提供高輸出阻抗，並因此在第二增益級120的輸出端提供高電壓增益。放大器100的左半部分具有與放大器的右半部分類似的輸入端參考噪聲，這種情況通過按照放大器100的左半部分的上述分析來證明。[0050]圖2示出了根據本實用新型的一方面的增益增強示例性差分摺疊式共源共柵放大器200 (或「放大器」)。與圖1中的放大器100相比，增益增強明顯減少了輸入端參考噪聲，由此改善噪聲係數，如下面進一步討論的。
[0051]放大器200的右半部分包括增益增強電容器C2和C4以及電阻器Rl和R3。電容器C2和C4將第一輸入信號vin從放大器200的第一輸入端205分別傳遞至電晶體Mll和M16的柵極，同時分別阻斷來自放大器200的第一輸入端205的DC偏置電壓vbiasnl和vbiaspl。因此，電容器C2和C4提供從放大器200的第一輸入端205分別至第一增益級215的電晶體Mll和M16的增益通路。在某些實現中，電容器C2和C4中的任一個或兩個可以具有例如大約4pF的電容。
[0052]電阻器Rl和R3將DC偏置電壓vbiaspl和vbiasnl分別傳遞至電晶體M16和Mll的柵極。另外，電阻器Rl和R3分別防止電晶體M16和Mll的柵極被短接至信號地面，從而允許第一輸入信號vin的電壓分別施加給電晶體M16和Mll的柵極。在某些實現中，電阻器Rl和R3中的任一個或兩個可以具有例如大約660ΚΩ的電阻或其他電阻。
[0053]來自電晶體Mll的輸出電流增益大約為vin*gmll，其中gmll是電晶體Mll的跨導。這是因為電晶體Mll的幾乎所有輸出信號電流都流入共柵極共源共柵電晶體M15的低阻抗輸入端。來自電晶體M16的輸出電流增益大約為vin*gml6,其中gml6是電晶體M16的跨導。因此，放大器的右半部分的總輸出電流增益大約為vin*(gm3+gmll+gml6)。結果,放大器200的右半部分的輸入端參考噪聲為:
[0054]Vn input refer=In rat stage/(gm3+gmll+gml6)(3)
[0055]其明顯小於圖1中的放大器100的輸入端參考噪聲。輸入端參考噪聲減少到gm3/(gm3+gmll+gml6)。例如,如果gm3=gmll=gml6,則輸入端參考噪聲減少到1/3並且增益增加3倍。因此，根據本技術的增 益增強可以明顯改善放大器200的噪聲係數。
[0056]在這方面，電晶體M3，Mll和M16有助於放大器200的右半部分的總電流增益，並且因此可以被視為電流增益電晶體。
[0057]放大器200的左半部分包括增益增強電容器CO和Cl以及電阻器RO和R2。電容器CO和Cl將第二輸入信號Vip從放大器200的第二輸入端210分別傳遞至電晶體M25和M21的柵極，同時分別阻斷來自放大器200的第二輸入端210的DC偏置電壓vbiaspl和vbiasnl。因此，電容器CO和Cl將提供從放大器200的第二輸入端210分別至第二增益級220的電晶體M25和M21的增益通路。在某些實現中，電容器CO和Cl中的一個或兩個可以具有例如大約4pF的電容。
[0058]電阻器RO和R2將DC偏置電壓vbiaspl和vbiasnl分別傳遞至電晶體M25和M21的柵極。另外，電阻器RO和R2分別防止電晶體M25和M21的柵極被短接至信號地面，從而允許第二輸入信號ViP的電壓分別施加給電晶體M25和M21的柵極。在某些實現中，電阻器RO和R2中的一個或兩個可以具有例如大約660ΚΩ的電阻。
[0059]來自電晶體M25的輸出電流增益大約為vip*gm25，並且來自電晶體M21的輸出電流增益大約為vip*gm21，其中gm25和gm21分別是電晶體M25和M21的跨導。因此，放大器的左半部分的總輸出電流增益大約為vip*(gm8+gm21+gm25)。結果,與圖1中的放大器100相比，放大器200的左半部分的輸入端參考噪聲減少到gm8/(gm8+gm21+gm25)。
[0060]在這方面，電晶體M8，M21和M25有助於放大器200的左半部分的總電流增益，並且因此可以被視為電流增益電晶體。
[0061]如上所討論的，放大器200的第一增益級215具有由於共源共柵電晶體M15和M17導致的高輸出阻抗。類似地，放大器200的第二增益級220具有由於共源共柵電晶體M23和M20導致的高輸出阻抗。例如，每個增益級可以具有大約500 Ω的輸出阻抗。結果，放大器200可能不能良好驅動低電阻負載(例如，具有大約100Ω的電阻的負載)。這是因為當與電阻明顯小於放大器200的輸出阻抗的負載耦合時，可以明顯降低放大器200的高增益。為了驅動低電阻負載，根據本技術的一方面，可以對放大器進行修改，如圖3所示。
[0062]在這方面，放大器300的右半部分進一步包括與第一增益級215的輸出端225耦合的第一輸出驅動器級315。第一輸出驅動器級315包括電晶體M18和M19。電晶體M19以源極跟隨器(即，共漏極)配置連接，其中電晶體M19的柵極與第一增益級215的輸出端225率禹合，並且源極與輸出VOUtp的放大器300的第一輸出端305 f禹合。電晶體M19在放大器300的第一輸出端305提供低輸出阻抗(例如，大約10 Ω )，從而允許放大器300的右半部分驅動低電阻負載(例如，具有大約100Ω的電阻的負載)。電晶體M19還向第一增益級215提供高輸入阻抗，並因此保持第一增益級215提供的高電壓增益。電晶體M18為電晶體M19建立偏置電流，其中電晶體M18的柵極偏置DC電壓vbiasn3。
[0063]類似地，放大器300的左半部分進一步包括與第二增益級220的輸出端230耦合的第二輸出驅動器級320。輸出驅動器級320包括電晶體M24和M22。電晶體M24以源極跟隨器(即，共漏極)配置連接，其中電晶體M24的柵極與第二增益級220的輸出端230耦合，並且源極與輸出voutn的放大器300的第二輸出端310耦合。電晶體M24在放大器300的第二輸出端310提供低輸出阻抗(例如，大約10 Ω )，從而允許放大器300的左半部分驅動低電阻負載(例如，具有大約100Ω的電阻的負載)。電晶體M24還向第二增益級220提供高輸入阻抗，並因此保持第二增益級220提供的高電壓增益。電晶體M22為電晶體M24建立偏置電流，其中電晶體M22的柵極偏置DC電壓Vbiasn3。
[0064]圖4示出了能夠實現高線性度的示例性放大器400。放大器400可以包括圖3中所示的摺疊式共源共柵放大器300，與放大器300的每個輸入端耦合的輸入電阻器Re以及耦合在放大器300的每個輸出端和對應輸入端之間的反饋電阻器Rf。因為放大器300具有高增益(例如，至少一個大於&/&)的數量級)，所以放大器400具有大約RF/Re的線性增益。因此，放大器400可以在不使用感應器的情況下實現高線性度，從而允許放大器400集成在較小的晶片面積(例如，大約為具有感應器的放大器的晶片面積的二分之一)內。
[0065]在一個方面，每個輸入電阻器Re可以具有低電阻。例如，放大器400可以從低阻抗源極(例如，同軸電纜)接收輸入信號，並且每個輸入電阻器Re可以具有低電阻(例如，在50 Ω至100Ω的範圍內)以便提供與低阻抗源極的阻抗匹配。結果，每個反饋電阻器Rf也可以具有相對較低的電阻。例如，對於6dB的增益而言,每個輸入電阻器Rg可以具有50 Ω的電阻並且每個反饋電阻器&可以具有100Ω的電阻。在該實例中，放大器400具有100Ω的差分輸入電阻Zin。
[0066]因為放大器300的輸出驅動器級315和320具有低輸出阻抗(例如，大約10 Ω )，所以這些輸出驅動器級315和320具有高驅動能力(即，能夠驅動低電阻負載)。這使得放大器300能夠良好驅動低電阻反饋電阻器Rf。應理解的是，放大器300不限於在圖4中所示的放大器400中使用，並且可以在其他放大器設計(包括使用低電阻反饋電阻器的其他放大器設計)中使用。
[0067]放大器400例如可以在機頂盒的前端接收器或電纜數據機中用來放大來自電纜的寬帶信號。在某些實現中，寬帶信號可以具有50MHz至IGHz的頻率範圍。在其他實現中，可以使用其他頻率範圍。寬帶信號可以源自電纜服務提供商或與電纜的另一端耦合的天線。如上所討論的，放大器400的每個輸入電阻器Re可以具有低電阻(例如，50Ω)以便提供與低阻抗電纜的阻抗匹配。阻抗匹配最小化電纜與放大器400之間的信號損失。由此產生的放大信號可以輸出至其他電路(例如，調諧器、解調器等)，便於進行進一步信號處理。應理解的是，放大器400不限於上述實例應用，並且可以在要求信號放大的其他應用中使用。
[0068]放大器400可以進一步包括與每個反饋電阻器Rf耦合的電容器CF，以及與每個輸入電阻器Re耦合的電容器Cib和電阻器Rib以便在不使用感應器的情況下對放大器400的帶寬進行控制，如圖4所示。在這方面，每個電容器Cf可以與各個反饋電阻器Rf並聯耦合以便形成具有大約為以下的截止頻率的低通濾波器:
[0069]fc=l/(2 π RfCf)(4)
[0070]低通濾波器的目的在於在放大的信號的頻率範圍內提供相對恆定的增益，同時降低較高頻率信號的增益。例如，放大的信號可以是來自頻率範圍為50MHz至IGHz的電纜的寬帶信號。在該實例中，低通濾波器可以具有大約IOGHz的截止頻率。使截止頻率高於寬帶信號的最大頻率。這是因為低通濾波器在達到截止頻率之前開始降低增益。將低通濾波器的截止頻率置於遠離寬帶信號的最大頻率幫助確保增益在寬帶信號的頻率範圍內基本上保持持平。在該實例中，每個反饋電阻器&可以具有100Ω的電阻並且每個電容器(^可以具有150fF的電容。
[0071]每個電容器Cib和各個電阻器Rib形成與各個輸入電阻器Re並聯耦合的高通濾波器。結果，放大器400的每個輸入端的輸入電阻可以大約為低於截止頻率的Re並且大約為等於或高於截止頻率(例如，IGHz)的Re| I Rib，其中截止頻率大約為:
[0072]fc=l/(2Π (Rib+RG)Cib)(5)
[0073]因此，將輸入電阻降至等於或高於截止頻率的Re| Ribo降低的輸入電阻可以用於以截止頻率周圍的頻率補償放大器400中的增益損失。增益損失可能是由於放大器300中的增益損失、來自低通濾波器的增益損失和/或其他增益損失導致的。
[0074]例如，截止頻率(例如，IGHz )周圍的增益損失可以通過損耗因子GF量化，其中截止頻率和GF周圍的GF〈1大約是以截止頻率以下的頻率的一個。因此，截止頻率周圍的增益可以大約為RF/Re| |Rib*GF，並且較低頻率的增益可以大約為RF/Re。在該實例中，Rib的電阻可以經選擇使得RF/Re| |Rib*GF大約等於％/1^，以便增益在放大的寬帶信號的頻率範圍內大約持平。在該實例中，在沒有高通濾波器的情況下，增益降至截止頻率(例如，IGHz)周圍的大約RF/Re*GF。在該實例中，每個電阻器Rib可以具有400 Ω的電阻並且每個電容器Cib可以具有400fF的電容。高通濾波器是任選的並且可以被省略，例如，當放大的信號的頻率範圍內沒有明顯的增益損失時。
[0075]如上所討論的，增益增強減少了放大器的輸入端參考噪聲，由此改善放大器的噪聲係數。為了說明這一點，圖5示出了具有輸入和反饋電阻器的放大器400的噪聲模型。在圖5中，eF和ee分別表不來自電阻器Rf和Rg的噪聲，Vn input refer是放大器的右半部分的輸入端參考噪聲，Rs是表示源埠的電阻的電阻器，並且eF表示來自電阻器Rs的噪聲。 [0076] 使用圖5中的噪聲模型，放大器400的噪聲係數（NF)可以由下式給出：
【權利要求】
1.一种放大器，包括:第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；第二電流增益電晶體，具有經由第一增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；第一共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極和所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第一 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極；第三電流增益電晶體，具有經由第二增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；以及第二共源共柵電晶體，具有與所述第三電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第二 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的所述增益輸出端耦接的漏極。
2.根據權利要求1所述的放大器，其中，所述第一增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第二電流增益電晶體的柵極之間的第一電容器，並且所述第二增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第三電流增益電晶體的柵極之間的第二電容器。
3.根據權利要求2所述的放大器，進一步包括:第一電阻器，耦接在所述第二電流增益電晶體的柵極與第三DC偏置電壓之間；以及第二電阻器，耦接在所述第三電流增益電晶體的柵極與第四DC偏置電壓之間。
4.根據權利要求1所述的放大器，進一步包括源極跟隨器電晶體，所述源極跟隨器電晶體具有與所述放大器的所述增益輸出端耦接的柵極以及與所述放大器的驅動器輸出端耦接的源極。
5.根據權利要求4所述的放大器，進一步包括:反饋電阻器，耦接在所述放大器的所述驅動器輸出端與所述放大器的所述輸入端之間；以及輸入電阻器，耦接至所述放大器的所述輸入端。
6.一种放大器，包括:第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；第二電流增益電晶體，具有經由增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；以及共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極和所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第一 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極。
7.根據權利要求6所述的放大器，進一步包括源極跟隨器電晶體，所述源極跟隨器電晶體具有與所述放大器的所述增益輸出端耦接的柵極以及與所述放大器的驅動器輸出端耦接的源極。
8.根據權利要求7所述的放大器，進一步包括:反饋電阻器，耦接在所述放大器的所述驅動器輸出端與所述放大器的所述輸入端之間；以及輸入電阻器，耦接至所述放大器的所述輸入端。
9.一种放大器，包括:第一電流增益電晶體，具有與所述放大器的輸入端耦接的柵極；第二電流增益電晶體，具有經由增益通路與所述放大器的所述輸入端耦接的柵極；第一共源共柵電晶體，具有與所述第一電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第一 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的增益輸出端耦接的漏極；以及第二共源共柵電晶體，具有與所述第二電流增益電晶體的漏極耦接的源極、與第二 DC偏置電壓耦接的柵極以及與所述放大器的所述增益輸出端耦接的漏極。
10.根據權利要求9所述的放大器，其中，所述增益通路包括耦接在所述放大器的所述輸入端與所述第二電流增益電晶體的柵極之間的電容器。
【文檔編號】H03F1/26GK203457107SQ201320555227
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月6日 優先權日:2012年9月18日
【發明者】謝明宏 申請人:美國博通公司