雙通道射頻mems開關及其製造方法
2023-06-05 20:04:41
專利名稱：雙通道射頻mems開關及其製造方法
技術領域：
本發明涉及射頻開關領域，特別是涉及一種雙通道多用途微電子機械系統(MEMS) 開關及其製造方法。
背景技術：
射頻微電子機械系統(MEMQ開關是利用MEMS技術的射頻元件中最為基礎的一種，通常被用於無線通信終端、信號傳輸等系統中。由於通信技術所採用的頻率越來越高， 相比於傳統的固態射頻開關，射頻MEMS開關具有更大的線性響應範圍、更低的微波損耗以及與IC工藝兼容等優點。典型的射頻MEMS開關具有3個主要組成部分即微機械模塊，驅動模塊，以及微波信號傳輸模塊。其中，所述微機械模塊依靠驅動模塊提供的動力能夠在兩個不同位置進行移動，分別對應於開關的斷開位置和閉合位置。當微機械模塊處於斷開位置時，相對於射頻信號不能通過開關進行傳輸，而微機械部分處於閉合位置時，射頻信號能通過開關傳輸到下級電路中。所述驅動模塊主要的作用是將開關外部能量(一般情況是通過施加電壓)轉換成靜電力、壓電、電磁、電熱等形式，驅動微機械模塊的運動。所述微波信號傳輸模塊一般有兩種形式常開式，平時微波信號可以通過，施加偏置電壓後，微波信號斷開；常閉式，平時微波信號不能導通，施加偏置電壓後，微波信號則可以通過開關。在現有技術中，傳統的射頻MEMS開關主要有橋膜式和懸臂梁式開關兩種類型，例如中國專利申請號200420111505. 7公開的串聯式射頻MEMS開關，以及中國專利申請號 200810102777. 3 —種應用於低頻段的高隔離度寬帶RF MEMS開關電路。但是傳統的射頻 MEMS存在以下問題第一，傳統的射頻MEMS開關只能用一個甚至多個微機械模塊來控制一個微波傳輸線，此類開關如果要控制兩個或者兩個以上的微波信號傳輸線則是依靠開關陣列來實現。第二，上述開關中，採用靜電力驅動的開關所需要的驅動電壓很高，一般大於 20V。第三，上述開關一般採用金屬作為橋膜(可動微機械結構)，由於金屬的楊氏模量低於矽，且在目前工藝條件下不能製作出很厚的金屬橋膜厚度，從而使可動微機械結構的剛度降低，從而增大了開關的響應時間。
發明內容
鑑於以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在於提供一種雙通道射頻MEMS開關及其製造方法，以實現利用左右兩個獨立的驅動電極對單個可動機械結構驅動，可以各自獨立的控制兩個信號傳輸通道，可以組成多種傳輸模式以及利用可動微機械結構的扭轉降低驅動電壓，同時可動微機械結構採用單晶矽材料，還能消除殘餘應力及縮短開關的響應時間。為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種雙通道射頻MEMS開關及其製造方法，其中，所述雙通道射頻MEMS開關至少包括基座，其周緣具有多個引腳；襯底，設置在所述基座上，所述襯底上表面的相對兩側分別凸設有呈矩形的第一下電極及第二下電極，鄰近所述第一下電極的縱向外緣具有第一微波傳輸線，鄰近所述第二下電極的縱向外緣具有第二微波傳輸線，所述第一下電極的一橫向外緣連接有第一下電極焊盤，所述第二下電極的一橫向外緣連接有第二下電極焊盤，位於所述第一下電極與第二下電極之間並鄰近所述第一下電極及第二下電極的橫向外緣的相對兩側分別具有第一錨點及第二錨點，且所述第一錨點連接有一錨點焊盤，其中，所述第一、第二下電極焊盤及錨點焊盤分別藉由一金屬引線與所述基座的引腳相連接；以及可動微機械結構，設置在所述襯底上，包括具有固定端及可動端的第一及第二摺疊梁，所述第一及第二摺疊梁的固定端分別與第一錨點與第二錨點連接，所述第一及第二摺疊梁的可動端分別連接於一十字梁之中心位置的縱向兩側，所述十字梁的橫向兩側分別連接有對應懸設於所述第一下電極上側的第一上電極以及對應懸設於所述第二下電極上側的第二上電極，所述第一上電極的縱向外緣通過第一彈性臂連接有對應懸設於所述第一微波傳輸線的上側用以接觸所述第一傳輸線的第一觸點，所述第二上電極的縱向外緣通過第二彈性臂連接有對應懸設於所述第二微波傳輸線的上側用以接觸所述第二微波傳輸線的第二觸點。本發明還提供一種雙通道射頻MEMS開關的製造方法，該方法至少包括以下步驟 1)提供一表面絕緣的襯底，於其上表面沉積一金層，並通過光刻及金屬腐蝕工藝將其圖形化，以於所述襯底的上表面形成第一下電極、第二下電極、第一微波傳輸線、第二微波傳輸線、第一下電極焊盤、第二下電極焊盤、錨點焊盤及錨點區域的金層；幻提供一單晶矽片， 在其下表面通過光刻和腐蝕工藝，製作對應所述錨點區域的凸臺，接著通過化學沉積、光刻及腐蝕工藝製作出第一上電極、第二上電極、第一觸點及第二觸點區域的絕緣層；幻採用金屬濺射、光刻和金屬腐蝕工藝在所述單晶矽片對應所述錨點區域凸臺的表面製作一層金層；4)利用鍵合工藝將所述單晶矽片與襯底鍵合在一起，並通過減薄工藝將所述單晶矽片減薄到預定厚度，以製備出雙通道射頻MEMS開關晶片；以及幻提供一個具有多個引腳的基座，將劃片後的雙通道射頻MEMS開關晶片固定在所述基座上，通過打線的工藝以使所述第一電極焊盤、第二電極焊盤和錨點焊盤分別藉由一金屬引線與所述基座的引腳相連接，將所述第一、第二微波傳輸線與射頻轉接頭連接。如上所述，本發明的雙通道射頻MEMS開關及其製造方法，利用左右兩對獨立的驅動電極對單個可動機械結構驅動(即一個可動微機械結構和兩對驅動電極)，來實現對兩個微波信號線進行各自獨立的控制，不但可以各自獨立的控制兩個信號傳輸通道，組成多種傳輸模式；還能利用可動微機械結構的扭轉降低驅動電壓；此外，採用體矽作為可動微機械結構層，降低殘餘應力的同時也縮短了開關的響應時間；再者，本發明的製造方法製造的雙通道射頻MEMS開關可用於批量生產，不僅使得雙通道射頻MEMS開關的驅動電壓低於 10V，還可以通過鍵合工藝使可動微機械結構減少因殘留應力而發生的彎曲現象，提高成品率，進而降低了生產成本。
圖1顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關中基座的側向剖面結構示意圖。圖2顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關中襯底的俯視圖。圖3A及圖;3B顯示為本發明中襯底的微波傳輸線在不同實施方式中的結構示意圖。
圖4顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關中可動微機械結構的俯視圖。圖5A至圖5C顯示為本發明中可動微機械結構的摺疊梁在不同實施方式中的結構示意圖。圖6A及圖6B顯示為本發明中可動微機械結構的觸點在不同實施方式中的結構示意圖。圖7A顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關晶片的俯視圖。圖7B顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關晶片的側向剖面結構示意圖。圖8顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關的側向剖面結構示意圖。
具體實施例方式以下的實施例進一步詳細說明本發明的技術手段，但並非用以限制本發明的範疇。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，並非用以限定本發明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。同時，本說明書中所引用的如「上、下」及「一」等的用語，也是僅為便於敘述的明了， 而非用以限定本發明可實施的範圍，其相對關係的改變或調整，在無實質變更技術內容下， 當亦視為本發明可實施的範疇。本發明提供一種雙通道射頻MEMS開關1，包括基座11、襯底12、以及可動微機械結構13。請參閱圖1，顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關中基座的側向剖面結構示意圖。如圖所示，所述基座11的周緣具有多個引腳111。請參閱圖2，顯示為本發明的雙通道射頻MEMS開關中襯底的俯視圖，如圖所示，所述襯底12設置在所述基座11上，所述襯底12的上表面形成有第一下電極121、第二下電極 122、第一微波傳輸線123、第二微波傳輸線124、第一下電極焊盤125、第二下電極焊盤126、 第一錨點127、第二錨點128、以及錨點焊盤129。在本實施方式中，所述襯底12的材料為單晶矽，所述襯底12的表面形成有絕緣層 120，具體地，所述絕緣層120例如為SiO2層。但並不局限於此，在其他的實施例中，所述襯底12的材料還可以為玻璃、或氮化鎵等非矽材料。所述第一下電極121及第二下電極122分別凸設於所述襯底12上表面的相對兩側，並均呈矩形結構。所述第一微波傳輸線123鄰近所述第一下電極121的縱向外緣。所述第二微波傳輸線1 鄰近所述第二下電極122的縱向外緣，於本實施方式中，所述第二微波傳輸線1 與所述第一微波傳輸線123相對平行布設，在本實施例中，所述第一微波傳輸線123及第二微波傳輸線124為微帶線或共面波導。需要特別說明的是，在本實施例中，所述雙通道射頻MEMS開關1為電容式，所述第一微波傳輸線123上對應所述第一觸點133的金屬導線為連續的物理形態，如圖3A所示。 所述第一觸點133的下表面具有一絕緣層1331。如圖6A所示。但並不局限於此，在另一種實施例中，所述雙通道射頻MEMS開關1為電阻式，所述第一微波傳輸線123上對應所述第一觸點133的金屬導線為斷開的物理形態，如圖:3B所示。相應地，所述第一觸點133下表面具有一絕緣層1331，且所述絕緣層表面覆蓋有一金屬層1332。如圖6B所示。再請參閱圖2，所述第一下電極121的一橫向外緣連接有第一下電極焊盤125，所述第二下電極122的一橫向外緣連接有第二下電極焊盤126，位於所述第一下電極121與第二下電極122之間並鄰近所述第一下電極121及第二下電極122的橫向外緣的相對兩側分別具有第一錨點127及第二錨點128，且所述第一錨點127連接有一錨點焊盤129。具體地，所述襯底11的第一及第二錨點127、1 通過金矽鍵合或矽玻璃鍵合的鍵合工藝固定在襯底11表面絕緣層120上。請參閱圖8，如圖所示，所述第一、第二下電極焊盤125、1沈及錨點焊盤1 分別藉由一金屬引線14與所述基座11的引腳111相連接。請參閱圖4、圖7A、圖7B、以及圖8，如圖所示，所述可動微機械結構13設置在所述襯底12上，具體地，所述襯底11的第一及第二錨點127、1 分別與第一及第二摺疊梁135、 136的固定端137、138相連接。所述可動微機械結構13包括形成在其下表面的第一及第二摺疊梁135、136的固定端137、138，第一摺疊梁135、第二摺疊梁136、十字梁140，第一上電極131、第二上電極 132、第一觸點133、第二觸點134、第一彈性臂130、第二彈性臂139。在本實施方式中，所述第一及第二摺疊梁135、136的固定端137、138呈凸臺結構。 在本實施方式中，所述第一摺疊梁135及第二摺疊梁136為互相對稱結構，具體地，所述第一摺疊梁135及第二摺疊梁136呈相互對稱的弓字形結構，呈如圖5A所示。但並不局限於此，在其他的實施方式中，所述第一摺疊梁135及第二摺疊梁136呈如圖5B所示的幾字形結構，或者如圖5C所示的Z字形結構。所述第一上電極131連接於所述十字梁140的橫向一側，並對應懸設於所述第一下電極121的上側，所述第二上電極132連接於所述十字梁140的橫向另一側，並對應懸設於所述第二下電極122的上側。相應地，所述第一上電極131及第二上電極132形同所述第一下電極121及第二下電極122亦呈矩形結構。所述第一上電極131的縱向外緣連接有對應懸設於所述第一微波傳輸線123的上側用以接觸所述第一微波傳輸線123的第一觸點133，所述第二上電極132的縱向外緣連接有對應懸設於所述第二微波傳輸線1 的上側用以接觸所述第二微波傳輸線IM的第二觸點134。在本實施方式中，所述第一觸點133由第一彈性臂130連接於所述第一上電極131 的縱向外緣，所述第二觸點134由第二彈性臂139連接於所述第二上電極132的縱向外緣， 用以在所述第一觸點133或第二觸點134電極受到驅動時，實現其與微波傳輸線的接觸或分離。在本實施例中，所述雙通道射頻MEMS開關1為電容式，所述第一觸點133的下表面具有一絕緣層1331。如圖6A所示。但並不局限於此，在另一種實施例中，所述第一觸點 133下表面具有一絕緣層1331，且所述絕緣層表面覆蓋有一金屬層1332。如圖6B所示。上述的雙通道射頻MEMS開關1利用左右兩對獨立的驅動電極對單個可動機械結構驅動，來實現對兩個微波信號線進行各自獨立的控制，不但可以各自獨立的控制兩個信號傳輸通道，組成多種傳輸模式，還能利用可動微機械結構的扭轉降低驅動電壓；此外，採用體矽作為可動微機械結構層，大大地降低殘餘應力的同時也縮短了開關的響應時間。本發明還提供一種雙通道射頻MEMS開關的製造方法，需要說明的是，結合上述雙通道射頻MEMS開關所提供的圖示，本領域技術人員通過以下描述應該可以了解本發明雙通道射頻MEMS開關的製造方法的原理及功效。所述雙通道射頻MEMS開關的製造方法至少包括以下步驟首先，提供一表面絕緣的襯底，於其上表面沉積一金層，並通過光刻及金屬腐蝕工藝將其圖形化，以於所述襯底的上表面形成第一下電極、第二下電極、第一微波傳輸線、第二微波傳輸線、第一下電極焊盤、第二下電極焊盤、錨點焊盤及錨點區域的金層，在本實施例中，所述襯底的材料為單晶矽、玻璃、或氮化鎵。在具體的實施過程中，所述襯底的材料為單晶矽時，採用整個襯底直接熱氧形成氧化矽絕緣層，或者在所述襯底正面上化學沉積氮化矽或氧化矽絕緣層。在本實施例中，所述第一下電極、第二下電極、第一微波傳輸線和第二微波傳輸線的製作方法，為採用濺射或蒸發金屬層後利用金屬腐蝕工藝腐蝕出所需結構，或者採用濺射金屬種子層後利用電鍍工藝電鍍出所需的結構。其次，提供一單晶矽片，在其下表面通過光刻和腐蝕工藝，製作對應所述錨點區域的凸臺，接著通過化學沉積、光刻及腐蝕工藝製作出第一上電極、第二上電極、第一觸點及第二觸點區域的絕緣層，在本實施例中，製作對應所述錨點區域的凸臺為採用溼法腐蝕或者幹法刻蝕方法製備。所述第一上電極、第二上電極、第一觸點和第二觸點區域的絕緣層為採用熱氧方法或化學沉積方法製備。然後，採用金屬濺射、光刻和金屬腐蝕工藝在所述單晶矽片對應所述錨點區域凸臺的表面製作一層金層，在本實施例中，當製作的雙通道射頻MEMS開關為電阻式時，還包括在所述第一觸點、第二觸點絕緣層表面製作一層金屬的步驟。接著，利用鍵合工藝將所述單晶矽片與襯底鍵合在一起，並通過減薄工藝將所述單晶矽片減薄到預定厚度，以製備出雙通道射頻MEMS開關晶片，在本實施例中，所述襯底和單晶矽片的鍵合工藝為金矽鍵合工藝、銅錫鍵合工藝或矽玻璃陽極鍵合工藝。所述單晶矽片的上表面減薄工藝為採用KOH溶液腐蝕或TMAH溶液腐蝕工藝，或採用磨片減薄拋光工藝。在具體的實施過程中，還包括一採用KOH溶液腐蝕、TMAH溶液腐蝕、或等離子刻蝕的方法釋放可動微機械結構的步驟。最後，提供一個具有多個引腳的基座，將劃片後的雙通道射頻MEMS開關晶片固定在所述基座上，通過打線的工藝以使所述第一電極焊盤、第二電極焊盤和錨點焊盤分別藉由一金屬引線與所述基座的引腳相連接，將所述第一、第二微波傳輸線與射頻轉接頭連接。綜上所述，本發明的雙通道射頻MEMS開關及其製造方法，利用左右兩個獨立的驅動電極對單個可動機械結構驅動(即一個可動微機械結構和兩個驅動電極)，來實現對兩個微波信號線進行各自獨立的控制，不但可以各自獨立的控制兩個信號傳輸通道，組成多種傳輸模式；還能利用可動微機械結構的扭轉降低驅動電壓；此外，採用體矽作為可動微機械結構層，降低殘餘應力的同時也縮短了開關的響應時間；再者，本發明的製造方法製造的雙通道射頻MEMS開關可用於批量生產，不僅使得雙通道射頻MEMS開關的驅動電壓低於 10V，還可以通過鍵合工藝使可動微機械結構減少因殘留應力而發生的彎曲現象，提高成品率，進而降低了生產成本。所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。 上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。
權利要求
1.一種雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於，至少包括基座，其周緣具有多個引腳；襯底，設置在所述基座上，所述襯底上表面的相對兩側分別凸設有呈矩形的第一下電極及第二下電極，鄰近所述第一下電極的縱向外緣具有第一微波傳輸線，鄰近所述第二下電極的縱向外緣具有第二微波傳輸線，所述第一下電極的一橫向外緣連接有第一下電極焊盤，所述第二下電極的一橫向外緣連接有第二下電極焊盤，位於所述第一下電極與第二下電極之間並鄰近所述第一下電極及第二下電極的橫向外緣的相對兩側分別具有第一錨點及第二錨點，且所述第一錨點連接有一錨點焊盤，其中，所述第一、第二下電極焊盤及錨點焊盤分別藉由一金屬引線與所述基座的引腳相連接；以及可動微機械結構，設置在所述襯底上，包括具有固定端及可動端的第一及第二摺疊梁， 所述第一及第二摺疊梁的固定端分別與第一錨點與第二錨點連接，所述第一及第二摺疊梁的可動端分別連接於一十字梁之中心位置的縱向兩側，所述十字梁的橫向兩側分別連接有對應懸設於所述第一下電極上側的第一上電極以及對應懸設於所述第二下電極上側的第二上電極，所述第一上電極的縱向外緣通過第一彈性臂連接有對應懸設於所述第一微波傳輸線的上側用以接觸所述第一傳輸線的第一觸點，所述第二上電極的縱向外緣通過第二彈性臂連接有對應懸設於所述第二微波傳輸線的上側用以接觸所述第二微波傳輸線的第二觸點。
2.根據權利要求1所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述襯底的材料為單晶矽、玻璃、或氮化鎵。
3.根據權利要求2所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述襯底的表面形成有絕緣層。
4.根據權利要求3所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述襯底的第一及第二錨點通過金矽鍵合或矽玻璃鍵合的鍵合工藝固定在襯底表面絕緣層上。
5.根據權利要求1所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述第一微波傳輸線及第二微波傳輸線為微帶線或共面波導。
6.根據權利要求5所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述雙通道射頻MEMS開關為電阻式，所述第一微波傳輸線及第二微波傳輸線上對應所述第一觸點及第二觸點的金屬導線為斷開的物理形態，所述第一觸點及第二觸點的下表面具有一絕緣層，且所述絕緣層表面覆蓋有一金屬層。
7.根據權利要求5所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述雙通道射頻MEMS開關為電容式，所述第一微波傳輸線及第二微波傳輸線上對應所述第一觸點及第二觸點的金屬導線為連續的物理形態，所述第一觸點及第二觸點的下表面具有一絕緣層。
8.根據權利要求1所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述第一摺疊梁及第二摺疊梁為互相對稱結構。
9.根據權利要求8所述的雙通道射頻MEMS開關，其特徵在於所述第一摺疊梁及第二摺疊梁呈Z字形結構、幾字形結構、或弓字形結構。
10.一種雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在於，至少包括以下步驟1)提供一表面絕緣的襯底，於其上表面沉積一金層，並通過光刻及金屬腐蝕工藝將其圖形化，以於所述襯底的上表面形成第一下電極、第二下電極、第一微波傳輸線、第二微波傳輸線、第一下電極焊盤、第二下電極焊盤、錨點焊盤及錨點區域的金層；2)提供一單晶矽片，在其下表面通過光刻和腐蝕工藝，製作對應所述錨點區域的凸臺， 接著通過化學沉積、光刻及腐蝕工藝製作出第一上電極、第二上電極、第一觸點及第二觸點區域的絕緣層；3)採用金屬濺射、光刻和金屬腐蝕工藝在所述單晶矽片對應所述錨點區域凸臺的表面製作一層金層；4)利用鍵合工藝將所述單晶矽片與襯底鍵合在一起，並通過減薄工藝將所述單晶矽片減薄到預定厚度，以製備出雙通道射頻MEMS開關晶片；以及5)提供一個具有多個引腳的基座，將劃片後的雙通道射頻MEMS開關晶片固定在所述基座上，通過打線的工藝以使所述第一電極焊盤、第二電極焊盤和錨點焊盤分別藉由一金屬引線與所述基座的引腳相連接，將所述第一、第二微波傳輸線與射頻轉接頭連接。
11.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟1)中，所述襯底的材料為單晶矽、玻璃、或氮化鎵。
12.根據權利要求11所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟1)中的襯底的材料為單晶矽時，採用整個襯底直接熱氧形成氧化矽絕緣層，或者在所述襯底正面上化學沉積氮化矽或氧化矽絕緣層。
13.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟1)中，所述第一下電極、第二下電極、第一微波傳輸線和第二微波傳輸線的製作方法，為採用濺射或蒸發金屬層後利用金屬腐蝕工藝腐蝕出所需結構，或者採用濺射金屬種子層後利用電鍍工藝電鍍出所需的結構。
14.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟2)中，製作對應所述錨點區域的凸臺為採用溼法腐蝕或者幹法刻蝕方法製備。
15.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟2)中，所述第一上電極、第二上電極、第一觸點和第二觸點區域的絕緣層為採用熱氧方法或化學沉積方法製備。
16.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟3)中，當製作的雙通道射頻MEMS開關為電阻式時，還包括在所述第一觸點、第二觸點絕緣層表面製作一層金屬的步驟。
17.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟4)中，所述襯底和單晶矽片的鍵合工藝為金矽鍵合工藝、銅錫鍵合工藝或矽玻璃陽極鍵合工乙ο
18.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟4)中，所述單晶矽片的上表面減薄工藝為採用KOH溶液腐蝕或TMAH溶液腐蝕工藝，或採用磨片減薄拋光工藝。
19.根據權利要求10所述的雙通道射頻MEMS開關的製造方法，其特徵在于于所述步驟4)中，還包括採用KOH溶液腐蝕、TMAH溶液腐蝕、或等離子刻蝕的方法釋放可動微機械結構的步驟。
全文摘要
本發明提供一種雙通道射頻MEMS開關及其製造方法，該雙通道射頻MEMS開關包括一具有多個引腳的基座，一設置在該基座上的襯底以及一設置在該襯底上的可動微機械結構。襯底上具有兩個微波傳輸線及錨點，可動微機械結構是由摺疊梁、直梁、上電極、連接梁及觸點構成。本發明可利用左右兩對獨立的驅動電極對單個可動微機械結構驅動來實現對兩個微波傳輸線進行各自獨立的控制，組成多種傳輸模式。同時依靠利用摺疊梁的扭轉來實現開關斷開與閉合、控制摺疊梁的厚度及縮短驅動電極間距三種手段，能夠使雙通道射頻MEMS開關的驅動電壓低於5V。此外，本發明採用鍵合技術製作的單晶矽摺疊梁，消除了因殘餘應力發生的翹曲現象，提高成品率。
文檔編號H01H1/58GK102486972SQ20111025724
公開日2012年6月6日 申請日期2011年9月1日 優先權日2011年9月1日
發明者劉米豐, 熊斌, 王躍林 申請人:中國科學院上海微系統與信息技術研究所