製造有機發光顯示面板的方法
2023-06-06 15:46:56
製造有機發光顯示面板的方法
【專利摘要】本發明公開了一種製造有機發光顯示面板的方法，該方法能在發光區域中形成保護絕緣膜而不導致圖案缺陷。製造有機發光顯示面板的方法包括：形成具有發光區域和焊盤區域的基板；在發光區域中形成發光單元，同時在焊盤區域中形成有機圖案；在所述基板上形成保護絕緣膜；使用形成在與所述發光區域對應的區域中的粘合膜，將設置有所述保護絕緣膜的所述基板與密封基板粘結；將設置有所述保護絕緣膜和所述密封基板的粘結後基板切割成多個單位面板，以暴露出所述焊盤區域；以及去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案。
【專利說明】製造有機發光顯示面板的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種製造有機發光顯示面板的方法，該方法能夠在發光區域中形成保護絕緣膜而不導致圖案缺陷。
【背景技術】
[0002]近年來，針對於陰極射線管(CRT)在重量和體積方面的缺點，已經引入了重量和體積減小的各種平板顯示裝置。平板顯示裝置的例子包括液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、等離子顯示面板(PDP)和有機電致發光顯示器(ELD)。
[0003]在這些顯示裝置之中，有機電致發光顯示器是自發光顯示裝置，具有諸如快速響應、高發光功效、高亮度和寬視角的優點。在常規的有機電致發光顯示器中，使用掩模框架組件在基板上形成多個薄膜圖案。
[0004]掩模框架組件包括分別對應於多個薄膜圖案的透射單元、具有形成在透射單元之間的阻擋單元的沉積掩模、以及固定沉積掩模的掩模框架。
[0005]沉積工藝過程中產生的等離子體會損壞沉積掩模，且由於沉積工藝過程中產生的熱量導致強度減小，會使沉積掩模變形。在這一點上，沉積掩模的變形的阻擋單元不能保持平坦表面，由此導致縫隙。因而，沉積掩模與基板之間的對準精度在沉積工藝過程中降低，導致沉積缺陷，由於該沉積缺陷，薄膜沉積在與阻擋單元相對應的基板上。特別是，由於沉積掩模的變形，使用沉積掩模本應當僅形成在發光區域中的保護絕緣膜也會形成在與沉積掩模的阻擋單元對應的焊盤區域中。
【發明內容】
[0006]本發明涉及一種製造有機發光顯示裝置的方法，其基本上克服了由於現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
[0007]本發明的一個目的是提供一種製造有機發光顯示面板的方法，該方法能在發光區域中形成保護絕緣膜而不導致圖案缺陷。
[0008]在下面的描述中將列出本發明的其它優點、目的和特徵，這些優點、目的和特徵的一部分從下面的描述對於本領域普通技術人員來說是顯而易見的，或者可從本發明的實施領會到。通過說明書、權利要求以及附圖中特別指出的結構可實現和獲得本發明的這些目的和其他優點。
[0009]為了實現這些和其他優點並根據本發明的目的，如在此具體和概括描述的，一種製造有機發光顯示面板的方法，包括:形成具有發光區域和焊盤區域的基板；在發光區域中形成發光單元，同時在焊盤區域中形成有機圖案；在所述基板上形成保護絕緣膜；使用形成在與所述發光區域對應的區域中的粘合膜，將設置有所述保護絕緣膜的所述基板與密封基板粘合；將設置有所述保護絕緣膜和所述密封基板的粘合後的基板切割成多個單位面板，以暴露出所述焊盤區域；以及去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案。
[0010]形成所述發光單元和所述有機圖案可包括:使用相同材料同時形成所述發光單元的有機發光層和界定所述有機發光層的堤絕緣膜中的至少一個和所述有機圖案。所述有機圖案與同時形成的所述有機發光層和堤絕緣膜中的所述至少一個分離。
[0011]去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案可包括:將膠粘帶粘附到所述基板；通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜；以及通過將去除了所述保護絕緣膜的整個基板或所述焊盤區域浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑中，去除所述焊盤區域的所述有機圖案。去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案可進一步包括:向浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑中的所述焊盤區域照射超聲波。
[0012]去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案可包括:將膠粘帶粘附到所述基板；通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜；以及將去除了所述保護絕緣膜的整個基板或所述焊盤區域浸沒在去離子水中；以及通過向浸沒在所述去離子水中的所述焊盤區域照射超聲波，去除所述焊盤區域的所述有機圖案。
[0013]去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案可包括:將膠粘帶粘附到所述基板；通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜；通過剝離所述膠粘帶去除粘附所述膠粘帶的所述焊盤區域中的所述保護絕緣膜；以及通過向由於去除所述保護絕緣膜而暴露出的所述焊盤區域的有機圖案照射雷射束，使所述有機圖案蒸發。
[0014]通過向所述焊盤區域的所述有機圖案照射雷射束使所述有機圖案蒸發可包括:使用被具有八角形或圓形形狀且形成在所述焊盤區域中的焊盤電極吸收的雷射束的能量，使所述有機圖案蒸發，以去除所述有機圖案。
[0015]將膠粘帶粘附到所述基板，所述膠粘帶從所述基板的多個邊中的至少一個邊突出。
[0016]去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案可包括:在所述切割工藝之後，將整個基板或所述焊盤區域浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑或去離子水中；通過向浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑或去離子水中的所述焊盤區域照射超聲波，同時去除所述焊盤區域的有機圖案和形成在所述有機圖案上的保護絕緣膜。
[0017]應當理解，本發明前面的一般性描述和下面的詳細描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護的內容提供進一步的解釋。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]附圖提供對本發明的進一步理解並且併入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發明的實施方式，並且與說明書文字一起用於解釋本發明的原理。在附圖中:
[0019]圖1是圖解根據本發明的有機發光顯示面板的剖面圖；
[0020]圖2A-2J示出製造圖1的有機發光顯示面板的方法的剖面圖；
[0021]圖3A和3B是圖解在參照圖21所述的去除保護絕緣膜的剝離工藝中使用的粘合膜的例子的透視圖；
[0022]圖4A和4B示出參照圖2J所述的去除有機圖案的方法的例子的視圖；
[0023]圖5示出參照圖2J所述的去除有機圖案的方法的另一個例子的視圖；[0024]圖6A和6B示出參照圖2J所述的去除有機圖案的方法的另一個例子的視圖。【具體實施方式】
[0025]現在將詳細描述本發明的優選實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。儘可能地，在整個附圖中使用相同的參考標記表示相同或相似的部件。
[0026]圖1是圖解根據本發明的有機發光顯示面板的剖面。
[0027]圖1中所示的有機發光顯示面板包括發光基板和通過粘合膜132粘結到發光基板的密封基板134。
[0028]發光基板包括形成在基板的發光區域中的多個薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接的發光單元、以及形成用來保護髮光單元的保護絕緣膜130。
[0029]每個薄膜電晶體都包括柵極電極106、與發光單元的第一電極122連接的漏極電極110、與漏極電極110相對的源極電極108、有源層114，有源層114與柵極電極106重疊，同時在有源層114與柵極電極106之間形成柵極絕緣層112從而在源極電極108與漏極電極110之間形成溝道、以及形成在除溝道區域之外的有源層114上的歐姆接觸層116，用於源極電極108和漏極電極110各自與有源層114之間的歐姆接觸。
[0030]在薄膜電晶體上依次層壓由無機絕緣材料形成的無機鈍化層118和由有機絕緣材料形成的有機鈍化層128。有機鈍化層128使其上形成有薄膜電晶體的基板101變平坦。無機鈍化層118提高有機鈍化層128與柵極絕緣層112及源極電極和漏極電極108和110中每一個之間的界面的穩定性。
[0031]發光單元包括形成在有機鈍化層128上的第一電極122、包括發光層並形成在第一電極122上的有機發光層124、以及形成在有機發光層124上的第二電極126。
[0032]有機發光層124包括依次或按相反順序形成在第一電極122上的空穴相關層、發光層、以及電子相關層。有機發光層124形成在由界定每個發光區域的堤絕緣膜102限定的堤孔104中。
[0033]第一電極122通過穿透無機鈍化層118和有機鈍化層128的像素接觸孔120與薄膜電晶體的漏極電極Iio電連接。第一電極122具有通過層壓諸如鋁(Al)的不透明導電材料和諸如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料形成的結構。或者，第一電極122由抗酸及抗侵蝕的不透明金屬形成。
[0034]第二電極126形成在有機發光層124上。第二電極126由透明導電材料如ITO形成。因而，有機發光層124中產生的光通過第二電極126向上發射。
[0035]保護絕緣膜130設置在發光單元與粘合膜132之間，以防止發光單元，特別是有機發光層124被溼氣或氧損壞，或者防止發光特性劣化。特別是，保護絕緣膜130形成為與粘合膜132接觸，以阻擋溼氣、氫和氧通過有機發光顯示面板的側面和前表面滲入。保護絕緣膜130使用SiNx、SiOx等形成為無機絕緣膜。
[0036]同時，在由密封基板134暴露出的基板101的焊盤區域中形成柵極焊盤140和數據焊盤150。
[0037]柵極焊盤140與柵極驅動集成電路(IC)和柵線連接，以將來自柵極驅動IC的驅動信號提供給柵線。為此，柵極焊盤140包括從柵線延伸的柵極焊盤下電極142和設置在柵極焊盤下電極142上並與柵極焊盤下電極142連接的柵極焊盤上電極146。在這一點上，柵極焊盤上電極146通過穿透柵極絕緣膜112、無機鈍化膜118和有機鈍化膜128的柵極接觸孔144與柵極焊盤下電極142連接。
[0038]數據焊盤150與數據驅動IC和數據線連接，以將來自數據驅動IC的驅動信號提供給數據線。為此，數據焊盤150包括從數據線104延伸的數據焊盤下電極152和設置在數據焊盤下電極152上並與數據焊盤下電極152連接的數據焊盤上電極156。在這一點上，數據焊盤上電極156通過穿透有機鈍化膜128和無機鈍化膜118的數據接觸孔154與數據焊盤下電極152連接。
[0039]密封基板134通過設置在密封基板134底表面上的粘合膜132粘結到設置有薄膜電晶體、發光單元和保護絕緣膜136的發光基板，以密封發光單元。因此，密封基板134防止外部溼氣或氧進入密封基板134。此外，因為粘合膜132設置在密封基板134底表面與發光基板頂表面之間，所以發光基板與密封基板134之間的空間被粘合膜132填充。因此，粘合膜132吸收外部撞擊，使得根據本發明的有機發光顯示面板的剛性提高。
[0040]圖2A-2J示出製造圖1的有機發光顯示面板的方法的剖面圖。
[0041]參照圖2A，在基板101上依次形成包括柵極電極106和柵極焊盤下電極142的柵極圖案、柵極絕緣膜112、半導體圖案114和116、以及包括源極電極和漏極電極108和110及數據焊盤下電極152的數據圖案。
[0042]特別是，通過諸如濺射的沉積方法在基板101上形成柵極金屬層。在這一點上，使用諸如鋁基金屬(Al和AINd)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鑰(Mo)和鎢(W)的金屬形成柵極金屬層。然後，通過光刻和蝕刻來構圖柵極金屬層，以形成包括柵極電極106和柵極焊盤下電極142的柵極圖案。
[0043]然後，在設置有柵極圖案的基板101上形成諸如矽的氧化物(SiOx)或矽的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料，以形成柵極絕緣膜112。然後，在設置有柵極絕緣膜112的基板101上依次形成非晶矽層和摻雜有雜質(n+或P+)的非晶矽層。然後，通過光刻和蝕刻來構圖非晶矽層和摻雜有雜質(n+或P+)的非晶矽層，以形成包括有源層114和歐姆接觸層116的半導體圖案。
[0044]然後，通過諸如濺射的沉積方法在設置有半導體圖案的基板101上形成數據金屬層。在這一點上，數據金屬層由鈦(Ti)、鎢(W)、鋁(Al)基金屬、鑰(Mo)、銅(Cu)等形成。然後，通過光刻和蝕刻來構圖數據金屬層，以形成包括源極電極和漏極電極108和110及數據焊盤下電極152的數據圖案。然後，使用源極電極108和漏極電極110作為掩模去除設置在源極電極108與漏極電極110之間的一部分歐姆接觸層116，以暴露出有源層114。
[0045]由於如上所述半導體圖案114和116及數據圖案是單獨形成，所以需要兩個掩模。此外，可通過使用衍射掩模或半透掩模形成半導體圖案114和116及數據圖案，或者可使用衍射掩模通過單個掩模工藝，即，同時形成半導體圖案114和116及數據圖案。
[0046]參照圖2B，在設置有數據圖案的基板101上形成具有像素接觸孔120、柵極接觸孔144和數據接觸孔154的無機鈍化膜118和有機鈍化膜128。
[0047]特別是，通過在設置有數據圖案的基板101上塗覆諸如矽的氧化物(SiOx)或矽的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料形成無機鈍化膜118。然後，通過在無機鈍化膜118上塗覆諸如丙烯酸類樹脂的有機絕緣材料形成有機鈍化膜128。然後，通過光刻和蝕刻來構圖無機鈍化膜118和有機鈍化膜128，以形成像素接觸孔120、柵極接觸孔144和數據接觸孔154。像素接觸孔120穿透無機鈍化膜118和有機鈍化膜128，暴露出漏極電極110。數據接觸孔154穿透無機鈍化膜118和有機鈍化膜128，暴露出數據焊盤下電極152。柵極接觸孔144穿透柵極絕緣膜112、無機鈍化膜118和有機鈍化膜128，暴露出柵極焊盤下電極142。
[0048]參照圖2C，在設置有有機鈍化膜128的基板101上形成第一電極122、柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156。
[0049]特別是，通過諸如濺射的沉積方法，在設置有有機鈍化膜128的基板101上形成具有高反射率和高抗酸性的不透明導電層，或者形成包括了具有高反射率的不透明導電層和具有高抗酸性的透明導電層的層疊結構。然後，通過光刻和蝕刻來構圖導電層，以形成第一電極122、柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156。
[0050]參照圖2D，在設置有第一電極122的基板101上形成具有堤孔104的堤絕緣膜102。同時，在柵極焊盤140和數據焊盤150上形成有機圖案148。
[0051]特別是，通過在設置有第一電極122的基板101上形成諸如丙烯酸類樹脂的有機絕緣材料並通過光刻和蝕刻或者僅通過光刻來構圖有機絕緣材料，同時形成具有堤孔104的堤絕緣膜102和有機圖案148。堤孔104穿透每個像素區域的堤絕緣膜102，以暴露出第一電極122。形成堤絕緣膜102用於界定實現不同顏色的發光單元。有機圖案148形成為覆蓋柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156。在這一點上，形成在發光區域中的堤絕緣膜102與覆蓋柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156的有機圖案148分離。
[0052]參照圖2E，在設置有堤絕緣膜102和有機圖案148的基板101上形成有機發光層124。
[0053]特別是，通過熱沉積、濺射或它們的任何組合，在由堤絕緣膜102暴露出的第一電極122上形成包括電子相關層、發.光層和空穴相關層的有機發光層124。
[0054]參照圖2F，在設置有有機發光層124的基板101上形成第二電極126。
[0055]特別是，通過在設置有有機發光層124的基板101上塗布透明導電膜以形成第二電極126。透明導電膜可由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、SnO2、^_晶氧化銦錫(a-1TO)等形成。
[0056]參照圖2G，通過在基板101整個表面上沉積矽的氧化物或矽的氮化物，在設置有第二電極126的基板101上形成保護絕緣膜130。在這一點上，不使用沉積掩模在基板101的整個表面上沉積保護絕緣膜130。因而，保護絕緣膜130形成在發光區域以及包括柵極焊盤140和數據焊盤150的焊盤區域上。然後，在保護絕緣膜130的頂表面或者密封基板134的底表面施用粘合膜132。因此，設置有發光單元的發光基板通過粘合膜132粘合到密封基板134。
[0057]參照圖2H，彼此粘合的密封基板134和發光基板被分割為多個發光面板。特別是，沿劃線將彼此粘合的密封基板134和發光基板切割為多個發光面板。在切割工藝之後，每個發光面板的包括柵極焊盤140和數據焊盤150的焊盤區域被密封基板134暴露到外部。
[0058]參照圖21，通過剝離工藝去除其中設置有柵極焊盤140和數據焊盤150的一部分保護絕緣膜130。特別是，將膠粘帶160粘附到基板101上，以覆蓋形成在由密封基板134暴露的焊盤區域中的保護絕緣膜130，如圖3A和3B中所示。在這一點上，圖3A中所示的膠粘帶160覆蓋粘合在一起的密封基板134和設置有發光單元的基板101，且膠粘帶160具有比設置有發光單元的基板101大的面積。圖3B中所示的膠粘帶160具有暴露出密封基板134的開口 162且具有比被密封基板134暴露的基板101大的面積。圖3A和3B中的膠粘帶160包括由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚醯亞胺形成的基膜和使用矽酮和丙烯酸類中至少一種形成在基膜上的粘結層，膠粘帶160具有50fg/in或更大的剝離強度。此外，圖3A和3B中所示的膠粘帶160具有比設置有發光單元的基板101大的面積，從而從設置有發光單元的基板101的至少一個邊突出。因而，膠粘帶160的突出部分可用於啟動剝離工藝，由此利於剝離工藝。
[0059]在膠粘帶160的剝離工藝過程中，粘合到膠粘帶160的保護絕緣膜130與有機圖案148分離。在這一點上，由無機絕緣材料形成的保護絕緣膜130與由有機絕緣材料形成的有機圖案148之間的粘結力低於設置有柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156的有機鈍化膜128與有機圖案148之間的粘結力，從而可通過剝離工藝僅去除保護絕緣膜130。
[0060]參照圖2J，通過圖4A-6B中所示的工藝之一去除設置在柵極焊盤140和數據焊盤150上的有機圖案148，從而暴露出柵極焊盤140和數據焊盤150。
[0061]特別是，如圖4A中所示，將形成有柵極焊盤140和數據焊盤150的焊盤區域或者整個有機發光顯示面板浸沒在蝕刻劑中幾分鐘到幾十分鐘，例如6-15分鐘。在這一點上，蝕刻劑可以是包括異丙醇(IPA)的溶液。因此，通過使用密封基板134作為掩模以及使用所述蝕刻劑，去除設置在柵極焊盤140和數據焊盤150上的有機圖案148，由此暴露出柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156。同時，除通過使用蝕刻劑去除有機圖案148的方法之外，還可通過將焊盤區域浸沒在蝕刻劑中並用40kHz到50kHz以及50W到60W的超聲波處理焊盤區域來去除有機圖案148，以減少處理時間，如圖4B中所示。
[0062]或者，如圖5中所示，僅將包括柵極焊盤140和數據焊盤150的焊盤區域浸沒在去離子水(DI)中，或者將密封基板和發光基板彼此粘合的整個有機發光顯示面板浸沒在去離子水中。然後，用40kHz到50kHz以及50W到60W的超聲波處理浸沒在去離子水中的焊盤區域，從而將設置在柵極焊盤140和數據焊盤150上的有機圖案148分離與柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156。同時，與圖4A中所示的使用IPA去除有機圖案148的工藝相比，使用去離子水和超聲波去除有機圖案148的工藝對大氣環境和工人危害較小。
[0063]同時，當在圖2H中所示的切割工藝之後，將包括柵極焊盤140和數據焊盤150的焊盤區域浸沒在包括IPA的蝕刻劑或去離子水中並用超聲波處理時，從柵極焊盤上電極146和數據焊盤上電極156去除有機圖案148，從而也可去除形成在有機圖案148上的保護絕緣膜130。因此，可使用蝕刻劑或去離子水和超聲波同時去除設置在柵極焊盤140和數據焊盤150上的保護絕緣膜130和有機圖案148，而不用進行用於去除設置在柵極焊盤140和數據焊盤150上的保護絕緣膜130的剝離工藝。
[0064]或者，通過使用圖6A中所示的短波長二極體雷射照射裝置166連續雷射照射，或者通過使用圖6B中所示的雷射照射裝置166成批照射雷射束，去除設置在由密封基板134暴露出的焊盤區域中的有機圖案148。特別是，向焊盤區域的柵極焊盤140照射短波長線性雷射束或短波長點雷射束，因為設置在有機圖案148下方的柵極焊盤下電極142和柵極焊盤上電極146中至少之一是由不透明材料形成，所以雷射束的能量部分被不透明材料吸收。因而，由有機材料形成並設置在柵極焊盤上電極146上的有機圖案148被吸收的能量蒸發並去除。以同樣的方式，當向焊盤區域的數據焊盤150照射雷射束時，因為設置在有機圖案148下方的數據焊盤下電極152和數據焊盤上電極156中至少之一是由不透明材料形成，所以雷射束的能量部分被不透明材料吸收。因此，由有機材料形成並設置在數據焊盤上電極156上的有機圖案148被吸收的能量蒸發並去除。
[0065]同時，當通過雷射照射裝置166去除有機圖案148時，雷射束照射到與焊盤電極142，152，146和156的中心對應的有機圖案148的區域。在該情形中，儘管很容易去除形成在每個都具有矩形表面區域的焊盤電極142，152，146和156的中心區域上的部分有機圖案148，但不容易去除形成在距焊盤電極142，152，146和156的中心最遠的每個焊盤電極142，152，146和156的角部上的部分有機圖案148。為了克服該問題，將每個焊盤電極142，152，146和156的角部變圓，以形成八角形或圓形形狀，從而每個焊盤電極142，152，146和156的中心與四周位置之間的距離彼此相同或相似。結果，因為具有八角形或圓形形狀的每個焊盤電極142，152，146和156在中心與每個邊或角部之間具有一致的距離，所以雷射束均勻地照射到每個焊盤電極142，152，146和156的整個區域。因而，可完全去除設置在每個焊盤電極142，152，146和156上的有機圖案148。
[0066]同時，因為有機圖案148的熔點低於由無機絕緣材料形成的柵極絕緣膜112和無機鈍化膜118的熔點以及焊盤電極142，152，146和156的熔點，所以可在雷射照射過程中去除有機圖案148而不會損壞柵極絕緣膜112、無機鈍化膜118和焊盤電極142，152，146和156。
[0067]同時，根據所示的實施方式，有機圖案148和堤絕緣膜102由相同材料同時形成。然而，有機圖案148可由與實現紅色光的有機發光層、實現綠色光的有機發光層和實現藍色光的有機發光層之中的至少一個有機發光層124相同的材料同時形成。
[0068]根據本發明，在焊盤區域中形成有機圖案且在整個表面上沉積保護絕緣膜之後，連續去除保護絕緣膜和有機圖案。因此，由於不使用沉積掩模形成本發明的保護絕緣膜，可在發光區域中形成保護絕緣膜，不會導致與沉積掩模相關的缺陷。此外，因為不使用沉積掩模形成保護絕緣膜，所以不需要掩模存儲器(mask stocker)、可視對位器和掩模框架，這些組件對於沉積掩模來說是必要的設備，由此可降低製造成本。
[0069]在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，本發明可進行各種修改和變化，這對於本領域技術人員來說是顯而易見的。因而，本發明意在覆蓋落入所附權利要求範圍及其等同範圍內的本發明的修改和變化。
【權利要求】
1.一種製造有機發光顯示面板的方法，所述方法包括: 形成具有發光區域和焊盤區域的基板； 在發光區域中形成發光單元，同時在焊盤區域中形成有機圖案； 在所述基板上形成保護絕緣膜； 使用形成在與所述發光區域相對應的區域中的粘合膜，將設置有所述保護絕緣膜的所述基板與密封基板粘合； 將設置有所述保護絕緣膜和所述密封基板的粘合後的基板切割成多個單位面板，以暴露出所述焊盤區域；以及 去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案。
2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述發光單元和所述有機圖案包括:使用相同材料同時形成發光單元的有機發光層和界定所述有機發光層的堤絕緣膜中的至少一個和所述有機圖案， 其中所述有機圖案與同時形成的所述有機發光層和堤絕緣膜中的所述至少一個分離。
3.根據權利要求1所述的方法，其中去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案包括: 將膠粘帶粘附到所述基板； 通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜；以及 通過將去除了所述保護絕緣膜的整個基板或將所述焊盤區域浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑中，去除所述焊盤區域的所述有機圖案。
4.根據權利要求3所述的方法，其中去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案進一步包括:向浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑中的所述焊盤區域照射超聲波。
5.根據權利要求1所述的方法，其中去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案包括: 將膠粘帶粘附到所述基板； 通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜；以及 將去除了所述保護絕緣膜的整個基板或將所述焊盤區域浸沒在去離子水中；以及通過向浸沒在所述去離子水中的所述焊盤區域照射超聲波，去除所述焊盤區域的所述有機圖案。
6.根據權利要求1所述的方法，其中去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案包括: 將膠粘帶粘附到所述基板； 通過剝離所述膠粘帶去除設置在所述焊盤區域中並粘附到所述膠粘帶的所述保護絕緣膜； 通過剝離所述膠粘帶去除其中粘附所述膠粘帶的所述焊盤區域中的所述保護絕緣膜；以及 通過向由於去除所述保護絕緣膜而暴露出的焊盤區域的所述有機圖案照射雷射束，使所述有機圖案蒸發。
7.根據權利要求6所述的方法，其中通過向焊盤區域的所述有機圖案照射雷射束使所述有機圖案蒸發包括:使用被具有八角形或圓形形狀且形成在所述焊盤區域中的焊盤電極吸收的雷射束的能量，使所述有機圖案蒸發，以去除所述有機圖案。
8.根據權利要求3、5和6中任一項所述的方法，其中將膠粘帶粘附到所述基板，所述膠粘帶從所述基板的多個邊中的至少一個邊突出。
9.根據權利要求1所述的方法，其中去除在暴露出的焊盤區域中的保護絕緣膜和有機圖案包括: 在所述切割工藝之後，將整個基板或所述焊盤區域浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑或去離子水中； 通過向浸沒在包括異丙醇的蝕刻劑或去離子水中的所述焊盤區域照射超聲波，同時去除所述焊盤 區域的所述有機圖案和形成在所述有機圖案上的所述保護絕緣膜。
【文檔編號】H01L51/56GK103427048SQ201310190075
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2013年5月21日 優先權日:2012年5月22日
【發明者】柳熙晟, 李成浩, 林玄澤, 金麟錫, 俞明在 申請人:樂金顯示有限公司