高壓器件和低壓器件集成結構和集成方法
2023-06-12 09:13:21 1
高壓器件和低壓器件集成結構和集成方法
【專利摘要】本發明公開了一種高壓器件和低壓器件集成結構，高低壓器件集成在同一P型矽襯底上，在矽襯底中形成有和矽襯底相同面積的P型懸浮深阱，在矽襯底中的部分面積中形成有N型深阱，N型深阱位於P型懸浮深阱的頂部並相接觸。高壓器件的溝道區、漏區擴展區和隔離阱區都採用和低壓器件相同的N阱或P阱組成。在N型深阱之外的區域，P型懸浮深阱能夠對其頂部的N阱進行隔離；N型深阱能夠對其頂部的P阱進行隔離。本發明還公開了一種高壓器件和低壓器件集成方法。本發明能實現高低壓器件集成，不需要增加新的注入掩膜版、成本較低，能使低壓器件的參數保持不變，能減少低壓器件之間的隔離區的寬度、縮小器件面積，能改善整個電路的閂鎖效應。
【專利說明】高壓器件和低壓器件集成結構和集成方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體集成電路製造領域，特別是涉及一種高壓器件和低壓器件集成結構。本發明還涉及一種高壓器件和低壓器件集成方法。
【背景技術】
[0002]低壓器件為CMOS器件，包括NMOS管和PMOS管；如圖1所示，是現有低壓器件的結構示意圖；在？型矽襯底101上形成有由阱區102，該阱區102作為溝道區，對於NMOS管，所述阱區102為P阱；對於PMOS管，所述阱區102為N阱。在所述矽襯底101上形成有場氧隔離結構103，由所述場氧隔離結構103隔離出有源區，所述場氧隔離結構103為局部場氧(LOCOS)或淺溝槽場氧(STI)。所述溝道區102將一個有源區包覆，在溝道區102的表面依次形成有柵介質層如柵氧化層和多晶矽柵104，被所述多晶矽柵104所覆蓋的所述溝道區102用於形成溝道。在所述多晶矽柵104兩側的所述溝道區102中形成有重摻雜的源漏區105，源漏區105分別和所述多晶矽柵104的兩側自對準。對於NMOS管，所述源漏區105為一 N+區；對於PMOS管，所述源漏區105為一 P+區。在所述多晶矽柵104的側面形成有側牆。如圖1所示的現有低壓器件在工作時會在所述源漏區105中的漏區加高電壓，器件的擊穿電壓(BV)主要受限於所述源漏區105和所述阱區102之間的結擊穿電壓。相鄰兩個低壓器件之間不僅通過所述場氧隔離結構103隔離，還通過位於相鄰兩個低壓器件之間的阱區106隔離，所述阱區106的摻雜類型和所述阱區102的摻雜類型相反。
[0003]如圖2所示，是現有低壓器件的隔離結構示意圖；圖2中省略了圖1中所示的柵極結構。從圖2可以看出，以NMOS管為例，相鄰兩個低壓器件的N型溝道區102即N型阱區102之間包括有P型阱區106，N型阱區102和周圍的P型阱區106以及所述矽襯底101之間會形成PN結，圖2中的虛線為N型阱區102和周圍的P型阱區106以及所述矽襯底101之間的PN結的耗盡線。由於P型阱區106和N型阱區102的結深相當，故在P型阱區106的結深範圍內，兩個相鄰的所述N型阱區102的耗盡線相隔的距離較大；但是在P型阱區106的底部，該底部的摻雜之間為所述矽襯底101的P型摻雜，摻雜濃度較淡，這樣在P型阱區106的底部的耗盡區的範圍較大，兩個相鄰的所述N型阱區102的耗盡線相隔的距離較小。當P型阱區106的底部的兩個相鄰的所述N型阱區102的耗盡線相連接使會使兩個相鄰的所述N型阱區102之間互相貫通，為了避免兩個相鄰的所述N型阱區102之間的貫通，需要將兩個相鄰的所述N型阱區102之間的場氧隔離結構103a的寬度做大，這樣會使器件的面積過大。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是提供一種高壓器件和低壓器件集成結構，能實現高低壓器件集成，不需要增加新的注入掩膜版、成本較低，能使低壓器件的參數保持不變，能減少低壓器件之間的隔離區的寬度、縮小器件面積，能改善整個電路的閂鎖效應。為此，本發明還提供一種高壓器件和低壓器件集成方法。
[0005]為解決上述技術問題，本發明提供的高壓器件和低壓器件集成結構的低壓器件為CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管；高壓器件的擊穿電壓大於所述低壓器件的擊穿電壓。
[0006]所述低壓器件和所述高壓器件都形成於同一 P型矽襯底上，在所述矽襯底中形成有P型懸浮深阱，在橫向上所述P型懸浮深阱位於所述矽襯底的整個橫向區域內，在縱向上所述P型懸浮深阱的頂部表面和所述矽襯底的頂部表面相隔一段距離。
[0007]在所述矽襯底中形成有N型深阱，在縱向上所述N型深阱位於所述P型懸浮深阱的頂部表面到所述矽襯底的頂部表面之間，在橫向上所述N型深阱位於所述矽襯底的部分橫向區域內。
[0008]在所述N型深阱中以及所述N型深阱外的所述矽襯底中分別形成有N阱和P阱，所述N阱和所述P阱的底部都和所述P型懸浮深阱的頂部表面相隔一段距離。
[0009]在所述矽襯底中形成有場氧隔離結構，由所述場氧隔離結構隔離出有源區，所述N阱和所述P阱的深度大於所述場氧隔離結構的深度。
[0010]所述NMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述P阱組成，所述NMOS管的溝道區的所述P阱包覆一個所述有源區。
[0011]所述PMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述N阱組成，所述PMOS管的溝道區的所述N阱包覆一個所述有源區，多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱之間由所述P阱進行隔離、多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱的底部由所述P型懸浮深阱進行隔離。
[0012]所述N型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述P阱組成，所述N型高壓器件包括兩個由所述N阱組成的源漏擴展區，所述N型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述N型高壓器件的溝道區的兩側，所述N型高壓器件的溝道區和源漏擴展區位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱之間由所述P阱進行隔離、多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱的底部由所述P型懸浮深阱進行隔離。
[0013]所述P型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱中的所述N阱組成，所述P型高壓器件包括兩個由所述P阱組成的源漏擴展區，所述P型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述P型高壓器件的溝道區的兩側，所述P型高壓器件的溝道區和源漏擴展區都位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱之間由所述N阱進行隔離、多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱的底部由所述N型深阱進行隔離。
[0014]進一步的改進是，在所述NMOS管的溝道區的表面依次形成有第一柵介質層和第一多晶矽柵，被所述第一多晶矽柵所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第一多晶矽柵兩側的所述溝道區中形成有由N+區組成的第一源漏區，該兩個第一源漏區分別和所述第一多晶娃柵的一側自對準。
[0015]在所述PMOS管的溝道區的表面依次形成有第二柵介質層和第二多晶矽柵，被所述第二多晶矽柵所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第二多晶矽柵兩側的所述溝道區中形成有由P+區組成的第二源漏區，該兩個第二源漏區分別和所述第二多晶矽柵的一側自對準。
[0016]所述N型高壓器件的溝道區表面依次形成有第三柵介質層和第三多晶矽柵，所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵還分別延伸到所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由N+區組成的第三源漏區，該兩個第三源漏區分別和所述第三多晶矽柵的一側相隔一段距離。
[0017]所述P型高壓器件的溝道區表面依次形成有第四柵介質層和第四多晶矽柵，所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵還分別延伸到所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由P+區組成的第四源漏區，該兩個第四源漏區分別和所述第四多晶矽柵的一側相隔一段距離。
[0018]為解決上述技術問題，本發明提供的高壓器件和低壓器件集成方法包括如下步驟:
[0019]步驟一、在所述矽襯底上進行全面硼注入形成所述P型懸浮深阱。
[0020]步驟二、在所述矽襯底中形成所述場氧隔離結構。
[0021]步驟三、在所述矽襯底上的選定區域進行N型離子注入形成所述N型深阱。
[0022]步驟四、採用離子注入工藝分別在所述N型深阱中以及所述N型深阱外的所述矽襯底中的選定區域形成所述N阱和所述P阱。
[0023]步驟五、在所述矽襯底表面依次形成柵介質層和多晶矽柵，對所述柵介質層和所述多晶矽柵進行光刻刻蝕分別形成所述第一柵介質層和所述第一多晶矽柵、所述第二柵介質層和所述第二多晶矽柵、所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵、所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵。
[0024]步驟六、進行N+區注入同時形成所述第一源漏區和所述第三源漏區；進行P+區注入同時形成所述第二源漏區和所述第四源漏區。
[0025]進一步的改進是，步驟一所述硼注入的能量為800Kev?3000Kev。
[0026]進一步的改進是，所述場氧隔離結構為局部場氧，或者所述場氧隔離結構為淺溝槽場氧。
[0027]本發明通過低壓器件的P阱和N阱來形成高壓器件的溝道區、源漏擴展區或隔離阱區，能實現高低壓器件集成，不需要增加新的注入掩膜版、成本較低；相對於現有技術，本發明能節省4至5塊掩膜版。
[0028]本發明通過P型懸浮深阱和N型深阱的設置，能夠從底部對高壓器件的阱區進行耗盡，從而能加強高壓器件的N阱或P阱的隔離。
[0029]本發明P型懸浮深阱不和P阱或N阱接觸，故能使低壓器件的參數保持不變；P型懸浮深阱能夠從底部對低壓器件的阱區進行耗盡，能減少低壓器件之間的隔離區的寬度、縮小器件面積。
[0030]本發明的P型懸浮深阱還能改善整個電路的閂鎖效應。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明:
[0032]圖1是現有低壓器件的結構示意圖；
[0033]圖2是現有低壓器件的隔離結構示意圖；
[0034]圖3是本發明實施例集成結構的低壓器件的NMOS管的示意圖；
[0035]圖4是本發明實施例集成結構的低壓器件的PMOS管的示意圖；
[0036]圖5是本發明實施例集成結構的N型高壓器件的示意圖；
[0037]圖6是本發明實施例集成結構的P型高壓器件的示意圖。
【具體實施方式】
[0038]如圖3所示，是本發明實施例集成結構的低壓器件的NMOS管的示意圖；如圖4所示，是本發明實施例集成結構的低壓器件的PMOS管的示意圖；如圖5所示，是本發明實施例集成結構的N型高壓器件的示意圖；如圖6所示，是本發明實施例集成結構的P型高壓器件的示意圖。本發明實施例高壓器件和低壓器件集成結構的低壓器件為CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管；高壓器件的擊穿電壓大於所述低壓器件的擊穿電壓。
[0039]所述低壓器件和所述高壓器件都形成於同一 P型矽襯底I上，在所述矽襯底I中形成有P型懸浮深阱2，在橫向上所述P型懸浮深阱2位於所述矽襯底I的整個橫向區域內，在縱向上所述P型懸浮深阱2的頂部表面和所述矽襯底I的頂部表面相隔一段距離。
[0040]在所述矽襯底I中形成有N型深阱3，在縱向上所述N型深阱3位於所述P型懸浮深阱2的頂部表面到所述矽襯底I的頂部表面之間，在橫向上所述N型深阱3位於所述矽襯底I的部分橫向區域內，如圖6中則顯示有所述N型深阱3，圖3、圖4和圖5中則沒有顯示有所述N型深阱3。
[0041]在所述N型深阱3中以及所述N型深阱3外的所述矽襯底I中分別形成有N阱5和P阱6，所述N阱5和所述P阱6的底部都和所述P型懸浮深阱2的頂部表面相隔一段距離。
[0042]在所述矽襯底I中形成有場氧隔離結構4，由所述場氧隔離結構4隔離出有源區，所述N阱5和所述P阱6的深度大於所述場氧隔離結構4的深度。所述場氧隔離結構4為局部場氧或淺溝槽場氧。
[0043]如圖3所示，所述NMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱3外的所述矽襯底I中的所述P阱6組成，所述NMOS管的溝道區的所述P阱6包覆一個所述有源區。在所述NMOS管的溝道區的表面依次形成有第一柵介質層和第一多晶娃柵7a,被所述第一多晶娃柵7a所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第一多晶矽柵7a兩側的所述溝道區中形成有由N+區組成的第一源漏區8a，該兩個第一源漏區8a分別和所述第一多晶矽柵7a的一側自對準。
[0044]如圖4所示，所述PMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱3外的所述矽襯底I中的所述N阱5組成，所述PMOS管的溝道區的所述N阱5包覆一個所述有源區，多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱5之間由所述P阱6進行隔離、多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱5的底部由所述P型懸浮深阱2進行隔離。在所述PMOS管的溝道區的表面依次形成有第二柵介質層和第二多晶矽柵7b，被所述第二多晶矽柵7b所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第二多晶矽柵7b兩側的所述溝道區中形成有由P+區組成的第二源漏區8b，該兩個第二源漏區Sb分別和所述第二多晶矽柵7b的一側自對準。
[0045]如圖5所示，所述N型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱3外的所述矽襯底I中的所述P阱6組成，所述N型高壓器件包括兩個由所述N阱5組成的源漏擴展區，所述N型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述N型高壓器件的溝道區的兩側，所述N型高壓器件的溝道區和源漏擴展區位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱5之間由所述P阱6進行隔離、多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱5的底部由所述P型懸浮深阱2進行隔離。圖5中所示虛線為所述N阱5和周側的所述P阱6、所述矽襯底或所述P型懸浮深阱2形成的耗盡線，由於所述N阱5和所述P阱6的結深相當，可以看出在所述P阱6的結深範圍內所述P阱6能夠對所述N阱5進行良好的耗盡；而在所述P阱6的底部，由於增加了所述P型懸浮深阱2，所述P型懸浮深阱2能夠從底部實現對所述N阱5的耗盡，所以所述P型懸浮深阱2的存在會使相鄰兩個所述N阱5底部的耗盡線的寬度較大，加強了兩個相鄰的所述N阱5之間的隔離。
[0046]所述N型高壓器件的溝道區表面依次形成有第三柵介質層和第三多晶矽柵7c，所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵7c還分別延伸到所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由N+區組成的第三源漏區Sc，該兩個第三源漏區Sc分別和所述第三多晶矽柵7c的一側相隔一段距離。
[0047]如圖6所示，所述P型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱3中的所述N阱5組成，所述P型高壓器件包括兩個由所述P阱6組成的源漏擴展區，所述P型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述P型高壓器件的溝道區的兩側，所述P型高壓器件的溝道區和源漏擴展區都位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱6之間由所述N阱5進行隔離、多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱6的底部由所述N型深阱3進行隔離。圖6中，沒有畫出所述P阱6的耗盡線，但是同圖5的所述N阱5的耗盡線類似，所述N型深阱3的存在會使相鄰兩個所述P阱6底部的耗盡線的寬度較大，加強了兩個相鄰的所述P阱6之間的隔離。
[0048]所述P型高壓器件的溝道區表面依次形成有第四柵介質層和第四多晶矽柵7d，所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵7d還分別延伸到所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由P+區組成的第四源漏區8d，該兩個第四源漏區8d分別和所述第四多晶矽柵7d的一側相隔一段距離。
[0049]由上可知，本發明實施例通過低壓器件的P阱6和N阱5來形成高壓器件的溝道區、源漏擴展區或隔離阱區，能實現高低壓器件集成，不需要增加新的注入掩膜版、成本較低；相對於現有技術，本發明實施例能節省4至5塊掩膜版。
[0050]本發明實施例通過P型懸浮深阱2和N型深阱3的設置，能夠從底部對高壓器件的阱區5或6進行耗盡，從而能加強高壓器件的N阱5或P阱6的隔離。
[0051]本發明實施例P型懸浮深阱2不和P阱6或N阱5接觸，故能使低壓器件的參數保持不變；P型懸浮深阱2能夠從底部對低壓器件的阱區5或6進行耗盡，能減少低壓器件之間的隔離區的寬度、縮小器件面積。
[0052]本發明實施例的P型懸浮深阱2還能改善整個電路的閂鎖效應。
[0053]如圖3至圖6所示，本發明實施例高壓器件和低壓器件集成方法包括如下步驟:
[0054]步驟一、在所述矽襯底I上進行全面硼注入形成所述P型懸浮深阱2。所述硼注入的能量為800Kev?3000Kev。
[0055]步驟二、在所述矽襯底I中形成所述場氧隔離結構4。所述場氧隔離結構4為局部場氧，或者所述場氧隔離結構4為淺溝槽場氧。
[0056]步驟三、在所述矽襯底I上的選定區域進行N型離子注入形成所述N型深阱3。
[0057]步驟四、採用離子注入工藝分別在所述N型深阱3中以及所述N型深阱3外的所述矽襯底I中的選定區域形成所述N阱5和所述P阱6。
[0058]步驟五、在所述矽襯底I表面依次形成柵介質層和多晶矽柵，對所述柵介質層和所述多晶矽柵進行光刻刻蝕分別形成所述第一柵介質層和所述第一多晶矽柵7a、所述第二柵介質層和所述第二多晶矽柵7b、所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵7c、所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵7d。
[0059]步驟六、進行N+區注入同時形成所述第一源漏區8a和所述第三源漏區Sc ;進行P+區注入同時形成所述第二源漏區8b和所述第四源漏區8d。
[0060]以上通過具體實施例對本發明進行了詳細的說明，但這些並非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種高壓器件和低壓器件集成結構，其特徵在於:低壓器件為CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管；高壓器件的擊穿電壓大於所述低壓器件的擊穿電壓； 所述低壓器件和所述高壓器件都形成於同一 P型矽襯底上，在所述矽襯底中形成有P型懸浮深阱，在橫向上所述P型懸浮深阱位於所述矽襯底的整個橫向區域內，在縱向上所述P型懸浮深阱的頂部表面和所述矽襯底的頂部表面相隔一段距離； 在所述矽襯底中形成有N型深阱，在縱向上所述N型深阱位於所述P型懸浮深阱的頂部表面到所述矽襯底的頂部表面之間，在橫向上所述N型深阱位於所述矽襯底的部分橫向區域內； 在所述N型深阱中以及所述N型深阱外的所述矽襯底中分別形成有N阱和P阱，所述N阱和所述P阱的底部都和所述P型懸浮深阱的頂部表面相隔一段距離； 在所述矽襯底中形成有場氧隔離結構，由所述場氧隔離結構隔離出有源區，所述N阱和所述P阱的深度大於所述場氧隔離結構的深度； 所述NMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述P阱組成，所述NMOS管的溝道區的所述P阱包覆一個所述有源區； 所述PMOS管的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述N阱組成，所述PMOS管的溝道區的所述N阱包覆一個所述有源區，多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱之間由所述P阱進行隔離、多個所述PMOS管的各相鄰的所述N阱的底部由所述P型懸浮深阱進行隔離； 所述N型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱外的所述矽襯底中的所述P阱組成，所述N型高壓器件包括兩個由所述N阱組成的源漏擴展區，所述N型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述N型高壓器件的溝道區的兩側，所述N型高壓器件的溝道區和源漏擴展區位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱之間由所述P阱進行隔離、多個所述N型高壓器件的各相鄰的所述N阱的底部由所述P型懸浮深阱進行隔離； 所述P型高壓器件的溝道區由一個形成於所述N型深阱中的所述N阱組成，所述P型高壓器件包括兩個由所述P阱組成的源漏擴展區，所述P型高壓器件的兩個所述源漏擴展區對稱的分布在所述P型高壓器件的溝道區的兩側，所述P型高壓器件的溝道區和源漏擴展區都位於同一個所述有源區中並將該有源區包覆；多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱之間由所述N阱進行隔離、多個所述P型高壓器件的各相鄰的所述P阱的底部由所述N型深阱進行隔離。
2.如權利要求1所述的高壓器件和低壓器件集成結構，其特徵在於: 在所述NMOS管的溝道區的表面依次形成有第一柵介質層和第一多晶矽柵，被所述第一多晶矽柵所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第一多晶矽柵兩側的所述溝道區中形成有由N+區組成的第一源漏區，該兩個第一源漏區分別和所述第一多晶矽柵的一側自對準； 在所述PMOS管的溝道區的表面依次形成有第二柵介質層和第二多晶矽柵，被所述第二多晶矽柵所述覆蓋的所述溝道區用於形成溝道，在所述第二多晶矽柵兩側的所述溝道區中形成有由P+區組成的第二源漏區，該兩個第二源漏區分別和所述第二多晶矽柵的一側自對準； 所述N型高壓器件的溝道區表面依次形成有第三柵介質層和第三多晶矽柵，所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵還分別延伸到所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述N型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由N+區組成的第三源漏區，該兩個第三源漏區分別和所述第三多晶矽柵的一側相隔一段距離； 所述P型高壓器件的溝道區表面依次形成有第四柵介質層和第四多晶矽柵，所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵還分別延伸到所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區上方，在所述P型高壓器件的溝道區兩側的所述源漏擴展區分別形成有一個由P+區組成的第四源漏區，該兩個第四源漏區分別和所述第四多晶矽柵的一側相隔一段距離。
3.一種集成如權利要求1所述的高壓器件和低壓器件集成結構的方法，其特徵在於，包括如下步驟: 步驟一、在所述矽襯底上進行全面硼注入形成所述P型懸浮深阱； 步驟二、在所述矽襯底中形成所述場氧隔離結構； 步驟三、在所述矽襯底上的選定區域進行N型離子注入形成所述N型深阱； 步驟四、採用離子注入工藝分別在所述N型深阱中以及所述N型深阱外的所述矽襯底中的選定區域形成所述N阱和所述P阱； 步驟五、在所述矽襯底表面依次形成柵介質層和多晶矽柵，對所述柵介質層和所述多晶矽柵進行光刻刻蝕分別形成所述第一柵介質層和所述第一多晶矽柵、所述第二柵介質層和所述第二多晶矽柵、所述第三柵介質層和所述第三多晶矽柵、所述第四柵介質層和所述第四多晶矽柵； 步驟六、進行N+區注入同時形成所述第一源漏區和所述第三源漏區；進行P+區注入同時形成所述第二源漏區和所述第四源漏區。
4.如權利要求3所述的方法，其特徵在於:步驟一所述硼注入的能量為SOOKev?3000Kevo
5.如權利要求3所述的方法，其特徵在於:所述場氧隔離結構為局部場氧，或者所述場氧隔離結構為淺溝槽場氧。
【文檔編號】H01L29/06GK104425489SQ201310365045
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月20日 優先權日:2013年8月20日
【發明者】郭振強, 陳瑜, 邢超 申請人:上海華虹宏力半導體製造有限公司