等離子顯示面板的製造方法

2023-06-12 08:02:16 4

專利名稱：等離子顯示面板的製造方法
技術領域：
在此所公開的技術涉及一種在顯示設備等中使用的等離子顯示面板的製造方法。
背景技術：
等離子顯示面板(以下稱為rop)由前面板和背面板構成。前面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一個主面上的顯示電極、覆蓋顯示電極來發揮電容器的作用的電介質層、以及形成在電介質層上的由氧化鎂(MgO)構成的保護層構成。另一方面，背面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一個主面上的數據電極、覆蓋數據電極的襯底電介質層、形成在襯底電介質層上的隔壁、以及形成在各隔壁之間的分別發出紅色光、綠色光及藍色光的螢光體層構成。前面板和背面板將電極形成面側對置而被氣密地密封。向被隔壁劃分的放電空間 封入氖(Ne)及氙(Xe)的放電氣體。放電氣體通過選擇性地施加在顯示電極上的影像信號電壓來放電。通過放電產生的紫外線激發各色螢光體層。所激發的螢光體層發出紅色光、綠色光、藍色光。PDP這樣實現彩色圖像顯示(參照專利文獻I)。保護層主要具有4個功能。第1，從放電產生的離子衝擊中保護電介質層。第2，放射用於產生數據放電的初始電子。第3，保持用於產生放電的電荷。第4，在維持放電時放射二次電子。由於在離子衝擊中電介質層受到保護，因此放電電壓的上升被抑制。由於初始電子放射數量增加，因此成為圖像閃爍的原因的數據放電錯誤減少。由於能提高電荷保持性，因此可降低施加電壓。由於二次電子放射數量增加，因此可降低維持放電電壓。為了增加初始電子放射數量，進行了例如在保護層的MgO中添加矽(Si)、鋁(Al)等嘗試(例如，參照專利文獻1、2、3、4、5等)。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2002-260535號公報專利文獻2 :日本特開平11-339665號公報專利文獻3 日本特開2006-59779號公報專利文獻4 :日本特開平8-236028號公報專利文獻5 :日本特開平10-334809號公報

發明內容
一種PDP的製造方法，PDP包括背面板、以及在與背面板之間設置放電空間而被密封的前面板。前面板具有電介質層、和覆蓋電介質層的保護層。保護層包括形成在電介質層上的襯底層。在襯底層的整個面上分散配置由多個氧化鎂的結晶粒子凝集而成的凝集粒子。襯底層至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底層在X射線衍射分析中具有至少一個峰值。襯底層的峰值位於第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與襯底層的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構成的組中選擇的2種化合物。該rop的製造方法包括以下エ藝。在電介質層上形成襯底層。接著，在襯底層上塗布第I有機溶劑，從而形成第I塗布層。接著，在第I塗布層上塗布分散有凝集粒子的第2有機溶剤，從而形成第2塗布層。接著，加熱第I塗布層及第2塗布層，從而使第I有機溶劑及第2有機溶劑蒸發，並且在襯底層上分散配置凝集粒子。


圖I是表示實施方式所涉及的rop的結構的立體圖。圖2是表示實施方式所涉及的前面板的結構的剖視圖。圖3是表示實施方式所涉及的rop的製造エ序的流程圖。
圖4是表示實施方式所涉及的襯底膜的X射線衍射分析的結果的圖。圖5是表示實施方式所涉及的其他結構的襯底膜的X射線衍射分析的結果的圖。圖6是實施方式所涉及的凝集粒子的放大圖。圖7是表示實施方式所涉及的PDP的放電延遲與保護層中的鈣(Ca)濃度之間的關係的圖。圖8是表示該PDP所涉及的電子放射性能與Vscn點亮電壓之間的關係的圖。圖9是表示實施方式所涉及的凝集粒子的平均粒徑與電子放射性能之間的關係的圖。圖10是表示實施方式所涉及的凝集粒子的平均粒徑與隔壁破壞概率之間的關係的圖。圖11是表示實施方式所涉及的保護層形成エ序的流程圖。圖12是表示實施方式所涉及的保護層形成エ序的圖。
具體實施例方式[I. PDP的基本結構]PDP的基本結構為普通的交流面放電型TOP。如圖I所示，PDPl對置配置了由前面玻璃基板3等構成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構成的背面板10。前面板2和背面板10的外周部通過由玻璃粉等構成的密封件氣密地密封。在被密封的ropi內部的放電空間16中，以53kPa 80kPa的壓カ封入了 Ne及Xe等放電氣體。在前面玻璃基板3上，彼此平行地分別配置有多列由掃描電極4及維持電極5構成的ー對帶狀的顯示電極6及黑條(black stripe) 7。在前面玻璃基板3上以覆蓋顯示電極6和黑條7的方式形成起到電容器作用的電介質層8。此外，在電介質層8的表面上形成有由MgO等構成的保護層9。此外，如圖2所示，本實施方式中的保護層9包括層疊在電介質層8上的襯底層、即襯底膜91和附著在襯底膜91上的凝集粒子92。掃描電極4及維持電極5分別在由銦錫氧化物(ITO)、ニ氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等導電性金屬氧化物構成的透明電極上層疊了含有Ag的總線電扱。在背面玻璃基板11上，在與顯示電極6正交的方向上彼此平行地配置了由以銀(Ag)為主要成分的導電性材料構成的多個數據電極12。數據電極12被襯底電介質層13覆蓋。此外，在數據電極12之間的襯底電介質層13上形成有劃分放電空間16的規定高度的隔壁14。在襯底電介質層13上及隔壁14的側面，按每個數據電極12依次塗布形成有通過紫外線發出紅色光的螢光體層15、發出綠色光的螢光體層15及發出藍色光的螢光體層15。在顯示電極6與數據電極12交叉的位置上形成有放電單元。在顯示電極6的方向上排列的具有紅色、綠色及藍色的螢光體層15的放電單元是用於進行彩色顯示的像素。另外，在本實施方式中，封入到放電空間16中的放電氣體包含10體積％以上且30%體積以下的Xe。[2. PDP的製造方法]接著，說明I3DPl的製造方法。 首先，說明前面板2的製造方法。如圖3所示，在電極形成工序Sll中，通過光刻法，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5和黑條7。掃描電極4及維持電極5具有用於確保導電性的含有Ag的總線電極4b、5b。此外，掃描電極4及維持電極5包括透明電極4a、5a。總線電極4b層疊在透明電極4a上。總線電極5b層疊在透明電極5a上。透明電極4a、5a的材料為了確保透明度和電傳導性而使用ITO等。首先，通過濺射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接著通過平面印刷法形成規定圖案的透明電極 4a、5a。總線電極4b、5b的材料使用含有Ag、用於使Ag粘結的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的白色糊劑。首先，通過絲網印刷法等，在前面玻璃基板3上塗布白色糊劑。接著，通過乾燥爐去除白色糊劑中的溶劑。接著，通過規定圖案的光掩模，使白色糊劑曝光。接著，白色糊劑被顯影，形成總線電極圖案。最後，通過燒成爐，在規定的溫度下燒成總線電極圖案。即，總線電極圖案中的感光性樹脂被去除。此外，總線電極圖案中的玻璃粉熔化。熔化後的玻璃粉在燒成後再次被玻璃化。通過以上工序,形成總線電極4b、5b。黑條7使用含有黑色顏料的材料。採用絲網印刷法等，在顯示電極6之間形成黑條7。接著，在電介質層形成工序S12中，形成電介質層8。電介質層8的材料使用含有電介質玻璃粉、樹脂及溶劑等的電介質糊劑。首先，通過模塗(die coat method)法等，以規定的厚度覆蓋掃描電極4、維持電極5及黑條7的方式在前面玻璃基板3上塗布電介質糊齊U。接著，通過乾燥爐，去除電介質糊劑中的溶劑。最後，通過燒成爐，在規定的溫度下燒成電介質糊劑。即，電介質糊劑中的樹脂被去除。此外，電介質玻璃粉熔化。熔化後的玻璃粉在燒成後再次被玻璃化。通過以上工序S12，形成電介質層8。在此，除了對電介質糊劑進行模塗的方法以外，還可以使用絲網印刷法、旋塗法等。此外，也可以不使用電介質糊劑，而是通過CVD (Chemical Vapor Deposition)法等形成成為電介質層8的膜。電介質層8的詳細情況將在後面進行說明。接著，在保護層形成工序S13中，在電介質層8上形成具有襯底膜91及凝集粒子92的保護層9。保護層9的詳細情況及保護層形成工序S13的詳細情況將在後文進行說明。通過以上工序Sll S13，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5、黑條7、電介質層8及保護層9，製作完成前面板2。接著，說明背面板製作工序S21。通過光刻法，在背面玻璃基板11上形成數據電極12。數據電極12的材料使用含有用於確保導電性的Ag、用於使Ag粘結的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的數據電極糊劑。首先，通過絲網印刷法等，數據電極糊劑以規定的厚度被塗布在背面玻璃基板11上。接著，通過乾燥爐，去除數據電極糊劑中的溶剤。接著，通過規定圖案的光掩模，曝光數據電極糊劑。接著，數據電極糊劑被顯影，形成數據電極圖案。最後，通過燒成爐，在規定的溫度下燒成數據電極圖案。即，數據電極圖案中的感光性樹脂被去除。此外，數據電極圖案中的玻璃粉熔化。熔化後的玻璃粉在燒成後再次被玻璃化。通過以上エ序，形成數據電極12。在此，除了對數據電極糊劑進行絲網印刷的方法以外，還可以採用濺射法、蒸鍍法等。
接著，形成襯底電介質層13。襯底電介質層13的材料使用含有電介質玻璃粉、樹脂及溶劑等的襯底電介質糊劑。首先，通過絲網印刷法等，襯底電介質糊劑以規定的厚度在形成有數據電極12的背面玻璃基板11上被塗布成覆蓋數據電極12。接著，通過乾燥爐，去除襯底電介質糊劑中的溶劑。最後，通過燒成爐,在規定的溫度下燒成襯底電介質糊劑。即，襯底電介質糊劑中的樹脂被去除。此外，電介質玻璃粉熔化。熔化後的玻璃粉在燒成後再次被玻璃化。通過以上エ序，形成襯底電介質層13。在此,除了對襯底電介質糊劑進行絲網印刷的方法以外，還可以採用模塗法、旋塗法等。此外，也可以不使用襯底電介質糊劑，而是通過CVD法等形成成為襯底電介質層13的膜。接著，通過光刻法形成隔壁14。隔壁14的材料使用含有填料、用於使填料粘結的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的隔壁糊劑。首先，通過模塗法等，隔壁糊劑以規定的厚度被塗布在襯底電介質層13上。接著，通過乾燥爐去除隔壁糊劑中的溶剤。接著，通過規定圖案的光掩模，曝光隔壁糊劑。接著，隔壁糊劑被顯影，形成隔壁圖案。最後，通過燒成爐，在規定的溫度下燒成隔壁圖案。即，隔壁圖案中的感光性樹脂被去除。此外，隔壁圖案中的玻璃粉熔化。熔化後的玻璃粉在燒成後再次被玻璃化。通過以上エ序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，還可以採用噴沙法等。接著，形成螢光體層15。螢光體層15的材料使用含有螢光體、粘合劑及溶劑等的突光體糊劑。首先，通過分配法(dispensing method)等,突光體糊劑以規定的厚度被塗布在相鄰的隔壁14之間的襯底電介質層13上及隔壁14的側面上。接著，通過乾燥爐，去除螢光體糊劑中的溶剤。最後，通過燒成爐，在規定的溫度下燒成螢光體糊劑。即，螢光體糊劑中的樹脂被去除。通過以上エ序，形成螢光體層15。在此，除了分配法以外，還可以採用絲網印刷法、噴墨法等。通過以上背面板製作エ序S21，製作完成在背面玻璃基板11上具有規定的構成部件的背面板10。接著，在玻璃料(frit)塗布エ序S22中，通過分配法，在背面板10的周圍形成密封件(未圖示)。密封件(未圖示)的材料使用含有玻璃粉、粘合劑及溶劑等的密封糊劑。接著，通過乾燥爐，去除密封糊劑中的溶劑。並且，組裝前面板2和背面板10。在校準エ序S31中，以顯示電極6與數據電極12正交的方式，對置配置前面板2和背面板10。接著，在密封排氣エ序S32中，前面板2和背面板10的周圍被玻璃粉密封，放電空間16內被排氣。最後，在放電氣體供給エ序S33中，向放電空間16封入含有Ne、Xe等的放電氣體。通過以上エ序，製作完成PDPl。
[3.電介質層的詳細情況]詳細說明電介質層8。電介質層8由第I電介質層81和第2電介質層82構成。第I電介質層81的電介質材料包含以下成分。三氧化二鉍(Bi2O3)為20重量％ 40重量％。從由氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)及氧化鋇(BaO)構成的組中選擇的至少I種為O. 5重 量％ 12重量％。從由三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)及二氧化錳(MnO2)構成的組中選擇的至少I種為O. I重量％ 7重量％。另外，也可以代替由此03、冊3、0602及胞02構成的組，也可以含有0. I重量％ 7重量％的從由氧化銅(CuO)、三氧化二鉻(Cr2O3)、三氧化二鈷(Co2O3)、七氧化二釩(V2O7)及三氧化二銻(Sb2O3)構成的組中選擇的至少I種。此外，作為上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的氧化硼(B2O3)、0重量％ 15重量％的二氧化矽(SiO2)、0重量％ 10重量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的成分。電介質材料是通過溼式噴磨機、球磨機粉碎成平均粒徑達到O. 5μηι 2. 5μηι來製作出電介質材料粉末。接著，用三輥機(three-roll mill)充分混煉55重量％ 70重量％的該電介質材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合劑成分來製作完成模塗用或印刷用的第I電介質層用糊劑。粘合劑成分為乙基纖維素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根據需要在糊劑中添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑。此外，也可以添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (Kao Corporation公司產品名)、燒基烯丙基的磷酸酯等作為分散齊U。若添加分散劑，則可提高印刷性。第I電介質層用糊劑覆蓋顯示電極6，且通過模塗法或絲網印刷法將其印刷在前面玻璃基板3上。所印刷的第I電介質層用糊劑在乾燥後在比電介質材料的軟化點稍高的溫度、即575°C 590°C下被燒成,形成第I電介質層81。接著，說明第2電介質層82。第2電介質層82的電介質材料含有以下成分。Bi2O3為11重量％ 20重量％。從Ca0、Sr0、Ba0中選擇的至少I種為I. 6重量％ 21重量％。從MoO3、WO3、CeO2選擇的至少I種為0. I重量％ 7重量％。另夕卜，也可以代替MoO3、WO3、CeO2，從 CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3、MnO2 中選擇的至少I種含有O. I重量％ 7重量％。此外，作為除了上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的民03、0重量％ 15重量％的Si02、0重量％ 10重量％的Al2O3等不含鉛成分的成分。電介質材料是通過溼式噴磨機、球磨機被粉碎成平均粒徑達到O. 5μπι 2. 5μπι而製作出電介質材料粉末。接著，利用三輥機充分混煉55重量％ 70重量％的該電介質材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合劑成分來製作完成模塗用或印刷用的第2電介質層用糊劑。粘合劑成分為乙基纖維素、或含有丙烯酸樹脂I重量％ 20重量％的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根據需要在糊劑中添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑。此外，也可以添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酷、homogenoll (Kao Corporation公司產品名)、燒基烯丙基的磷酸酯等作為分散齊U。若添加分散劑，則印刷性提高。第2電介質層用糊劑是通過絲網印刷法或模塗法被印刷在第I電介質層81上的。所印刷的第2電介質層用糊劑在乾燥後，在比電介質材料的軟化點稍高的溫度即550°C 590°C下被燒成,形成第2電介質層82。另外，關於電介質層8的膜厚，為了確保可見光透過率，優選第I電介質層81和第2電介質層82加起來在41 μ m以下。第I電介質層81為了抑制與總線電極4b、5b的Ag反應,將Bi2O3的含量設為大於第2電介質層82的Bi2O3的含量，即設為20重量％ 40重量％。於是，第I電介質層81的可見光透過率低於第2電介質層82的可見光透過率，因此第I電介質層81的膜厚比第2電介質層82的膜厚薄。 第2電介質層82在Bi2O3的含量小於11重量％時，雖然難以著色，但在第2電介質層82中容易產生氣泡。因此，不優選Bi2O3的含量小於11重量％。另ー方面，在Bi2O3的含量超過40重量％吋，容易產生著色，因此可見光透過率減小。因此，不優選Bi2O3的含量超過40重量％。此外，電介質層8的膜厚越小，亮度提高和放電電壓降低的效果就越顯著。因此，優選的是，只要在絕緣耐壓不降低的範圍內，則儘可能將膜厚設定得較小。根據以上觀點，在本實施方式中，將電介質層8的膜厚設定為41 μ m以下，將第I電介質層81設定為5 μ m 15 μ m,將第2電介質層82設定為20 μ m 36 μ m。如上所述製造的I3DPl即使在顯示電極6上使用Ag材料，也能夠抑制前面玻璃基板3的著色現象(泛黃)及在電介質層8中產生氣泡等，能夠實現絕緣耐壓性能優異的電介質層8,這一點已得到確認。接著，分析在本實施方式的ropi中通過這些電介質材料能夠抑制在第I電介質層81中產生泛黃及氣泡的原因。即，公知的是，在含有Bi2O3的電介質玻璃中添加MoO3或WO3,在 5800C 以下的低溫下容易生成 Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4,Ag2W2O7,Ag2W4O13 這樣的化合物。在本實施方式中，電介質層8的燒成溫度為550°C 590°C,因此在燒成中向電介質層8中擴散的銀離子(Ag+)與電介質層8中的MoO3、WO3、CeO2、MnO2反應，生成穩定的化合物而穩定化。即，Ag+不會被還原而是被穩定化，因此不會凝集並生成肢體。從而，由於Ag+穩定化，因此伴隨Ag的膠體化而產生的氧也減少，因此在電介質層8中產生的氣泡也減少。另ー方面，為了有效地獲得上述效果，優選的是，在含有Bi2O3的電介質玻璃中將MoO3> WO3> CeO2, MnO2的含量設為O. I重量％以上，更優選在O. I重量％以上且7重量％以下。尤其是若小於O. I重量％，則抑制泛黃的效果減小，若超過7重量％，則容易在玻璃上引起著色，因此不優選。即，本實施方式的I3DPl的電介質層8通過與由Ag材料構成的總線電極4b、5b接觸的第I電介質層81抑制泛黃現象和產生氣泡，通過在第I電介質層81上設置的第2電介質層82來實現高光透過率。其結果，能夠實現電介質層8整體的氣泡及泛黃的產生極少的高透過率的rop。[4.保護層的詳細情況]保護層9包括襯底層、即襯底膜91和凝集粒子92。襯底膜91至少包括第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由MgO、CaO、SrO及BaO構成的組中選擇的2種化合物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個峰值。該峰值位於第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值和第2峰值表示與襯底膜91的峰值所示的面取向相同的面取向。[4-1.襯底膜的詳細情況]圖4表示構成本實施方式中的I3DPl的保護層9的襯底膜91面的X射線衍射結果。此外，圖4中還表示MgO單體、CaO單體、SrO單體及BaO單體的X射線衍射分析的結果。在圖4中，橫軸為布拉格衍射角(2 Θ )，縱軸為X射線衍射波的強度。衍射 角的單位是以I周為360度的度數來表示的,強度用任意單位(arbitrary unit)來表示。作為特定取向面的結晶取向面是帶上括弧來表示的。如圖4所示，在(111)的面取向上，CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。SrO單體在衍射角30. O度處具有峰值。BaO單體的峰值在衍射角27. 9度處具有峰值。在本實施方式的I3DPl中，保護層9的襯底膜91含有從由MgO、CaO、SrO及BaO構成的組中選擇的至少2種以上的金屬氧化物。在圖4中表示構成襯底膜91的單體成分為雙成分時的X射線衍射結果。A點是作為單體成分使用MgO和CaO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。B點是作為單體成分使用MgO和SrO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。C點是作為單體成分使用MgO和BaO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。如圖4所示，A點在(111)的面取向上在衍射角36. I度處具有峰值。作為第I金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。作為第2金屬氧化物的CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。即，A點的峰值位於MgO單體的峰值與CaO單體的峰值之間。同樣地，B點的峰值是衍射角35. 7度,位於作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的SrO單體的峰值之間。C點的峰值也是衍射角35. 4度,位於作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。此外，圖5表示構成襯底膜91的單體成分為3成分以上時的X射線衍射結果。D點是作為單體成分使用MgO、CaO及SrO而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。E點是作為單體成分使用MgO、CaO及BaO而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。F點是作為單體成分使用CaO、SrO及BaO而形成的襯底膜91的X射線衍射結果。如圖5所示，D點在(111)的面取向上在衍射角33. 4度處具有峰值。作為第I金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。作為第2金屬氧化物的SrO單體在衍射角30. O度處具有峰值。即，D點的峰值位於MgO單體的峰值與SrO單體的峰值之間。同樣，E點的峰值是衍射角32. 8度，位於作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。F點的峰值也是衍射角30. 2度,位於作為第I金屬氧化物的CaO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。因此，本實施方式的I3DPl的襯底膜91至少含有第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個峰值。該峰值位於第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值和第2峰值表示與襯底膜91的峰值所表示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由MgO、CaO、SrO及BaO構成的組中選擇的2種化合物。另外，在以上說明中，作為結晶的面取向面以(111)為對象進行了說明，但是在以其他面取向為對象的情況下，金屬氧化物的峰值的位置也與上述情況相同。CaO、SrO及BaO距離真空能級(vacuum level)的深度與MgO相比位於較淺的區域。因此認為，在驅動I3DPl的情況下，Ca0、Sr0、Ba0的位於能級上的電子向Xe離子的基態遷移時，由於俄歇效應(Auger effect)而放射的電子數與從 MgO的能級遷移時相比更多。此外，如上所述，本實施方式中的襯底膜91的峰值位於第I金屬氧化物的峰值與第2金屬氧化物的峰值之間。即，襯底膜91的能級位於単體的金屬氧化物之間，認為由於俄歇效應而放射的電子數與從MgO的能級遷移時相比更多。其結果，與MgO単體相比，通過襯底膜91能夠發揮良好的二次電子放射特性，其結果能夠減小維持電壓。因此，尤其在為了提高亮度而提高了作為放電氣體的Xe分壓的情況下，能夠減小放電電壓，能夠實現低電壓且高亮度的rop I。表I表示在本實施方式的I3DPl中封入60kPa的Xe及Ne的混合氣體(Xe，15% ),並改變襯底膜91的構成時的維持電壓的結果。[表 I]
__樣品A —樣品B —樣品C —樣品D —樣品E 比較例_
維持電壓 9087858182100
(a.u.)另外，表I的維持電壓是通過將比較例的值設為「100」時的相對值來表示的。樣品A的襯底膜91由MgO和CaO構成。樣品B的襯底膜91由MgO和SrO構成。樣品C的襯底膜91由MgO和BaO構成。樣品D的襯底膜91由Mg0、Ca0及SrO構成。樣品E的襯底膜91由MgO、CaO及BaO構成。此外，比較例中，襯底膜91由MgO單體構成。在將放電氣體的Xe的分壓從10%提高到15%的情況下，亮度約上升30%，但是在襯底膜91為MgO單體時的比較例中，維持電壓約上升10%。另一方面,在本實施方式的F1DP中，樣品A、樣品B、樣品C、樣品D、樣品E與比較例相比均能夠使維持電壓約降低10% 20%。因此，能夠設置為通常動作範圍內的放電開始電壓，能夠實現高亮度且低電壓驅動的rop。另外，CaO、SrO、BaO在單體的情況下反應性高，因此容易與雜質反應，所以存在電子放射性能下降的課題。然而，在本實施方式中，通過採用它們的金屬氧化物的構成，從而降低反應性，由雜質混入及氧缺損少的結晶結構形成。因此，在驅動PDP時過度放射電子的情況被抑制，除了低電壓驅動和二次電子放射性能這兩方面的效果以外，還能夠發揮適度的電子保持特性的效果。該電荷保持特性尤其是在保持初始化期間內所蓄積的壁電荷，在寫入期間內防止寫入不良來進行可靠的寫入放電方面有效。[4-2.凝集粒子的詳細情況]接著，詳細說明本實施方式中的在襯底膜91上設置的凝集粒子92。如圖6所示,凝集粒子92由多個MgO的結晶粒子92a凝集而成。形狀能夠通過掃描型電子顯微鏡(SEM)來確認。在本實施方式中，多個凝集粒子92分散配置在襯底膜91的整個面上。凝集粒子92是平均粒徑為O. 9μπι 2. 5μπι範圍的粒子。另外，在本實施方式中，平均粒徑是指體積累積平均直徑(D50)。此外，在測量平均粒徑時使用雷射衍射式粒度分布測量裝置ΜΤ-3300(日機裝株式會社製造)。凝集粒子92不是作為固體通過強結合力而結合的。凝集粒子92是由多個一次粒子通過靜電、範德華力等聚合而成的。此外，凝集粒子92是通過其一部分或全部能夠因超聲波等外力而分解為一次粒子的狀態的程度的力結合的。作為凝集粒子92的粒徑，約為Iym左右，作為結晶粒子92a，具有14面體、12面體等具備7面以上的面的多面體形狀。此夕卜，結晶粒子92a能夠通過以下所示的氣相合成法或前體燒成法的任意方法來製造。在氣相合成法中，在充滿了惰性氣體的環境下，加熱純度為99. 9%以上的鎂(Mg)金屬材料。進一步，向環境中導入少量的氧並加熱，從而直接使Mg氧化。由此製作出MgO 的結晶粒子92a。另一方面，在前體燒成法中，通過以下方法製作結晶粒子92a。在前體燒成法中，在7000C以上的高溫下均勻地燒成MgO的前體。並且，燒成後的MgO逐漸被冷卻而得到MgO的結晶粒子92a。作為前體，可以選擇例如鎂醇鹽(Mg(OR)2)、乙醯基丙酮鎂(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂(MgCO2)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝酸鎂(Mg(NO3)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的任意I種以上的化合物。另外，根據所選擇的化合物，通常還會取水合物的形態，但也可以使用這種水合物。這些化合物被調整為燒成後獲得的MgO的純度達到99. 95%以上，優選達到99. 98%以上。這是因為，若在這些化合物中混有一定量以上的各種鹼金屬、B、Si、Fe、Al等雜質元素，則在熱處理時產生無用的粒子間粘連及燒結，難以得到高結晶性的MgO的結晶粒子92a。因此，需要通過進行雜質元素的去除等來預先調整前體。通過調整前體燒成法的燒成溫度及燒成環境，能夠控制粒徑。燒成溫度可在700°C左右到1500°C左右的範圍內進行選擇。當燒成溫度在1000°C以上時，能夠將一次粒徑控制為O. 3 2 μ m左右。在前體燒成法的生成過程中以多個一次粒子彼此凝集的凝集粒子92的狀態得到結晶粒子92a。MgO的凝集粒子92通過本發明人的實驗確認了主要抑制寫入放電中的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。因此，在本實施方式中，利用凝集粒子92與襯底膜91相比初始電子放射特性非常優異的性質，作為放電脈衝上升時所需的初始電子供給部來配置。放電延遲的主要原因認為是，在放電開始時，作為觸發的初始電子從襯底膜91表面向放電空間16中放射的量不足。因此，為了輔助向放電空間16穩定地供給初始電子，將MgO的凝集粒子92分散配置在襯底膜91的表面上。由此，放電脈衝上升時在放電空間16中存在大量電子，實現放電延遲的解除。因此，通過這種初始電子放射特性，即使在TOPl為聞精細的情況等下，也能夠實現放電響應性良好的聞速驅動。另外，在襯底I旲91的表面上配置金屬氧化物的凝集粒子92的結構中，除了主要抑制寫入放電時的放電延遲的效果以夕卜，還能夠獲得改善放電延遲的溫度依賴性的效果。如上所述，在本實施方式的ropi中，通過起到低電壓驅動及電荷保持這兩個效果的襯底膜91、和起到放電延遲的防止效果的MgO的凝集粒子92構成，從而作為I3DPl整體，即使是高精細的rop，也能夠以低電壓進行高速驅動，並且能夠實現抑制了點亮不良的高品質的圖像顯示性能。[4-3.實驗 I]圖7是表示本實施方式的rop I中使用由MgO和CaO構成的襯底膜91時的放電延遲與保護層9中的鈣(Ca)濃度之間的關係的圖。作為襯底膜91，由MgO和CaO構成，襯底膜91被設成在X射線衍射分析中峰值位於產生MgO的峰值的衍射角與產生CaO的峰值的衍射角之間。另外，圖7表示保護層9僅是襯底膜91的情況、和在襯底膜91上配置了凝集粒子92的情況，放電延遲以襯底膜91中不含Ca的情況為基準來表示。根據圖7可知，在僅是襯底膜91的情況、與在襯底膜91上配置了凝集粒子92的情況中，在僅是襯底膜91的情況下，隨著Ca濃度的増加，放電延遲増大，而通過在襯底膜91 上配置凝集粒子92，能夠大幅減小放電延遲，即使Ca濃度增加，放電延遲也幾乎不會増大。[4-4.實驗 2]接著，說明為了確認本實施方式的具有保護層9的TOPl的效果而進行的實驗結
果O首先，試製了具有不同結構的保護層9的ropi。試製品I為僅形成有MgO的保護層9的ropi。試製品2為形成有摻雜了 Al、Si等雜質的MgO的保護層9的TOP1。試製品3為在MgO的保護層9上僅散布由MgO構成的結晶粒子92a的一次粒子並使其附著的I3DPl。另ー方面，試製品4為本實施方式的ropi。試製品4為在MgO的襯底膜91上的整個面上分布凝集粒子92來使其附著的rop I，該凝集粒子92使具有相同粒徑的MgO的結晶粒子92a彼此凝集而成。作為保護層9，使用上述樣品A。即，保護層9包括由MgO和CaO構成襯底膜91、以及凝集了結晶粒子92a的凝集粒子92，該凝集粒子92以大致均勻地分布在整個面上的方式附著在襯底膜91上。另外，襯底膜91在襯底膜91面的X射線衍射分析中，在構成襯底膜91的第I金屬氧化物的峰值與第2金屬氧化物的峰值之間具有峰值。即，第I金屬氧化物為MgO，第2金屬氧化物為CaO。並且，MgO的峰值的衍射角為36. 9度，CaO的峰值的衍射角為32. 2度，襯底膜91的峰值的衍射角位於36. I度上。對具有上述4種保護層結構的ropi測量電子放射性能和電荷保持性能。另外，電子放射性能是其值越大則表示電子放射量越多的數值。電子放射性能表現為放電的表面狀態、氣體種類及根據狀態決定的初始電子放射量。初始電子放射量能夠通過向表面照射離子或電子束並測量從表面放射的電子電流量的方法來測量。但是，難以通過非破壞的方式來實施。因此，使用了日本特開2007-48733號公報中所記載的方法。即，測量了放電時的延遲時間中被稱為統計延遲時間的作為放電容易產生的基準的數值。通過對統計延遲時間的倒數進行積分，成為與初始電子的放射量線性對應的數值。放電時的延遲時間是指，從寫入放電脈衝上升開始到寫入放電延遲產生為止的時間。放電延遲的主要原因認為是產生寫入放電時的觸發、即初始電子難以從保護層表面被放射到放電空間中。此外，電荷保持性能作為其指標使用在製作ropi時抑制電荷放射現象所需的向掃描電極施加的電壓(以下稱為Vscn點亮電壓)的電壓值。即，Vscn點亮電壓低表不電荷保持能力高。若Vscn點亮電壓低，則能夠以低電壓驅動TOP。因此，作為電源及各電氣部件，能夠使用耐壓及容量小的部件。在現有的產品中，用於向面板依次施加掃描電壓的MOSFET等半導體開關元件一直使用了耐壓為150V左右的元件。作為Vscn點亮電壓，考慮到隨溫度的變動，期望抑制在120V以下。從圖8可知，試製品4在電荷保持性能的評價中能夠將Vscn點亮電壓設置為120V以下，另外與僅是MgO的保護層時的試製品I相比，電子放射性能能夠獲得非常良好的特性。一般情況下，PDP的保護層的電子放射能力與電荷保持能力相反。例如，變更保護層的成膜條件、或向保護層中摻雜Al、Si、Ba等雜質來成膜，從而能夠提高電子放射性能。但是，作為副作用，Vscn點亮電壓也會上升。在本實施方式的具有保護層9的PDP中，作為電子放射能力，能夠獲得8以上的特 性，作為電荷保持能力，能夠獲得Vscn點亮電壓為120V以下的特性。即，能夠獲得具有能夠應對由於高精細化而具有掃描線數增加且單元尺寸減小的趨勢的rop的電子放射能力和電荷保持能力這兩者的保護層9。[4-5.實驗 3]接著，詳細說明在本實施方式的TOPl的保護層9中所使用的凝集粒子92的粒徑。另外，在以下說明中，粒徑表示平均粒徑，平均粒徑是指體積累積平均直徑(D50)。圖9表示在保護層9中改變MgO的凝集粒子92的平均粒徑來分析電子放射性能的實驗結果。在圖9中，凝集粒子92的平均粒徑是通過對凝集粒子92進行SEM觀察來測量的長度。如圖9所示，若平均粒徑減小至O. 3μπι左右，則電子放射性能下降，若為大致O. 9 μ m以上，則能夠獲得高電子放射性能。為了增加放電單元內的電子放射數量，優選保護層9上的每單位面積的結晶粒子數量多。根據本發明人的實驗，若在與緊密接觸於保護層9的隔壁14的頂部相當的部分中存在結晶粒子92a，則有時會破壞隔壁14的頂部。此時，認識到了由於破損的隔壁14的材料落在螢光體上等，相應的單元中產生無法正常點亮或滅燈的現象。隔壁破損的現象在結晶粒子92a不存在於與隔壁頂部對應的部分時難以發生，因此若附著的結晶粒子數量大，則隔壁14的破損發生概率就會升高。圖10表示改變凝集粒子92的平均粒徑來分析隔壁破壞概率的實驗結果。如圖10所示，若凝集粒子92的平均粒徑增大到2. 5μπι左右，則隔壁破損的概率急劇升高，若小於2. 5 μ m，則隔壁破損的概率能夠被抑制得比較小。如上所述，在本實施方式的具有保護層9的TOPl中，作為電子放射能力，能夠獲得8以上的特性，作為電荷保持能力，能夠獲得Vscn點亮電壓為120V以下的特性。另外，在本實施方式中，作為結晶粒子，利用MgO粒子進行了說明，但是即使是其他單晶粒子的情況下，使用與MgO同樣具有高電子放射性能的Sr、Ca、Ba、Al等金屬氧化物的結晶粒子，也能夠獲得同樣的效果，因此粒子種類不限於MgO。[5.保護層形成工序S13的詳細情況]接著，利用圖11及圖12說明本實施方式的保護層形成工序S13。如圖11所示，保護層形成工序S13在電介質層形成工序S12之後包括襯底膜形成工序S131、第I塗布層形成工序S132、第2塗布層形成工序S133及燒成工序S134。[5-1.襯底膜形成工序S131]如圖12所示，在襯底膜形成工序S131中，通過真空蒸鍍法，在電介質層8上形成襯底膜91。真空蒸鍍法中所使用的原材料為混合有MgO、CaO、SrO體及BaO的材料的顆粒(pellet)。此外,也可以使用MgO、CaO、SrO體及BaO的材料單體的顆粒。除了真空蒸鍍法以外，也可以使用濺射法、離子鍍覆法等。另外，在襯底膜形成エ序S131中，也可以在形成襯底膜91之後，燒成襯底膜91。並且，形成有襯底膜91的前面玻璃基板3立即進入第I塗布層形成エ序S132。[5-2.第I塗布層形成エ序S132]在第I塗布層形成エ序S132中，在襯底膜91上塗布第I有機溶剤。由此，在襯底膜91上形成第I塗布層93。第I有機溶劑適用與襯底膜91的親和カ高的材料。此外，第I有機溶劑適用蒸發速度慢的材料。優選的是，第I有機溶劑的蒸發速度比醋酸丁酷的蒸發速度慢。一般情況下，有機溶劑的相對蒸發速度是以醋酸丁酷的蒸發速度為基準來測量的。這是因為，若第I有機溶劑的蒸發速度比醋酸丁酷的蒸發速度慢，則第I塗布層93即使被放置於大氣中也不易乾燥。此外，優選的是，在第I有機溶劑中含有樹脂。這是因為，通過在第I有機溶劑中含有樹脂，即使第I有機溶劑乾燥，在襯底膜91上也會殘留樹脂。 第I有機溶劑使用例如ニ甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙ニ醇或苯甲醇等。第I塗布層93是在襯底膜91上以霧氣方式噴塗氣化的第I有機溶劑來形成的。第I有機溶劑是在襯底膜形成エ序S131中經過了蒸鍍室的前面玻璃基板3滯留在冷卻室或取出室時以霧氣方式噴出的。在襯底膜形成エ序S131之後在10分以內形成第I塗布層93。另外，作為在襯底膜91上塗布第I塗布層93的方法，也可以使用例如絲網印刷法、噴霧法、旋塗法，模塗法、狹縫塗布法等。此外，第I塗布層93的平均膜厚是考慮第I有機溶劑以及直到後述的第2塗布層形成エ序S133為止的滯留時間來確定的。第I塗布層93的平均膜厚優選為I μ m以上且IOym以下。若第I塗布層93的平均膜厚比10 μ m厚，則後述的燒成エ序S134中的燒成時間延長。若延長燒成時間，則操作時間變長，導致製造成本増加。通過不均勻地混合第I塗布層93和第2塗布層94，凝集粒子92的分散性下降。此外，若第I塗布層93的平均膜厚比I μ m薄，則第I塗布層93立即蒸發，襯底膜91會露出。通過在襯底膜91上形成第I塗布層93，即使襯底膜91暴露於大氣中，也能夠抑制襯底膜91與大氣中的CO系的雜質產生反應。因此，襯底膜91能夠抑制二次電子放射能力減小。因此，本實施方式的ropi的製造方法能夠抑制襯底膜91的變質，能夠製造出降低了維持電壓的rop I。在此，說明現有的rop的製造方法。在現有的rop的製造方法下的保護層形成エ序中，在襯底I吳形成エ序之後，進彳丁凝集粒子糊劑塗布エ序。在凝集粒子糊劑塗布エ序中，作為凝集粒子糊劑，分散有凝集粒子92的有機溶劑被塗布在襯底膜91上。但是，由於製造設備的問題及結構上的問題，在從襯底膜形成エ序結束到凝集粒子糊劑塗布エ序開始為止的期間內，存在形成有襯底膜91的前面玻璃基板3滯留2小時以上的情況。在此期間，前面玻璃基板3在大氣環境下，在儲料器(Stocker)中滯留2小時以上。由於前面玻璃基板3滯留在儲料器中，從而襯底膜91暴露於大氣中。襯底膜91由於暴露於大氣中，容易與CO系的雜質反應而容易變質。由於襯底膜91的表面與CO系的雜質反應，在襯底膜91的表面上形成碳酸鹽。並且，由於襯底膜91的表面變質，襯底膜91的二次電子放射能力減小。其結果，在現有的PDP的製造方法中，存在PDP的維持電壓上升的情況。形成在襯底膜91的表面上的碳酸鹽由於是化合物，因此在製造工序中無法較容易地去除。例如，在形成有碳酸鈣的情況下，通過加熱分解來從襯底膜91的表面去除是需要825°C以上的溫度，因此需要加熱以外的工序。因此，本實施方式的I3DPl的製造方法在襯底膜形成工序S131之後立即進行第I塗布層形成工序S132。第I塗布層93優選襯底膜形成工序S131之後，在2小時以內在襯底膜91上塗布第I有機溶劑。更優選的是，在襯底膜形成工序S131之後，在I小時以內塗布第I有機溶劑。發明人從實驗得出了如下的見解襯底膜91的表面在剛剛暴露於大氣之後就會開始變質，經過約2時間表面整體的變質結束。通過在襯底膜形成工序S131之後2小時以 內進行第I塗布層形成工序S132，初始維持電壓降低IV 8V左右。此外，通過在襯底膜形成工序S131之後I小時以內進行第I塗布層形成工序S132，從而初始維持電壓降低5V 8V左右。此外，通過在襯底膜形成工序S131之後在不暴露於大氣的情況下進行第I塗布層形成工序S132，初始維持電壓降低約8V左右。並且，在第I塗布層形成工序S132之後，進行第2塗布層形成工序S133。[5-3.第2塗布層形成工序S133]在第2塗布層形成工序S133中，首先，製作分散有凝集粒子92的第2有機溶劑。之後，第2有機溶劑被塗布在第I塗布層93上，從而形成平均膜厚8 μ m 20 μ m左右的第2塗布層94。作為將第2有機溶劑塗布在第I塗布層93上的方法，使用例如絲網印刷法、噴霧法、旋塗法、模塗法、狹縫塗布法等。第2有機溶劑適用與凝集粒子92的親和力高且凝集粒子92的分散性高的材料。第2有機溶劑形成在由第I有機溶劑構成的第I塗布層93上，因此可以不考慮襯底膜91的親和力。作為第2有機溶劑，使用例如甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙二醇或苯甲醇等。另外，優選第2有機溶劑的比重在第I有機溶劑的比重以下。這是因為，若第2有機溶劑的比重大於第I有機溶劑的比重，則在第2塗布層形成工序S134中，會不均勻地混合第I塗布層93和第2塗布層94。通過不均勻地混合第I塗布層93和第2塗布層94，凝集粒子92的分散性下降。此外，第2有機溶劑也可以使用與第I有機溶劑相同的材料。這是因為，若是相同材料，則凝集粒子92的分散性得到維持。此外，在第2有機溶劑中也可以含有樹脂。如上所述，在現有的rop的製造方法中，不存在第I塗布層形成工序S132，不形成第I塗布層93。並且，第2塗布層94直接被塗布在襯底膜91上。因此，第2有機溶劑選擇與襯底膜91及凝集粒子92的親和力高且凝集粒子92的分散性也高的材料。無法選擇凝集粒子92的分散性高但與襯底膜91的親和力低的有機溶劑。但是，本實施方式的I3DPl的製造方法包括第I塗布層形成工序S132。在第I塗布層形成工序S132中，第2有機溶劑形成在由第I有機溶劑構成的第I塗布層93上。因此，第2有機溶劑能夠選擇凝集粒子92的分散性高但與襯底膜91的親和力低的有機溶劑。因此，由於凝集粒子92被均勻地分散在第2有機溶劑中，所以凝集粒子92均勻地分散配置在襯底膜91上。由此，本實施方式的ropi的製造方法能夠製造亮度均勻的ropi。
並且，在第I塗布層93上形成有第2塗布層94的前面玻璃基板3進入燒成エ序S134。[5_4·燒成エ序 Sl34]接著，在燒成エ序S134中，通過加熱在襯底膜91上形成的第I塗布層93及第2塗布層94，從而使第I有機溶劑及第2有機溶劑蒸發。此外，凝集粒子92分散配置在襯底膜91上。首先，向燒成爐傳送在第I塗布層93上形成有第2塗布層94的前面玻璃基板3。並且，燒成爐在內部被排氣的狀態下直接升溫。前面玻璃基板3被升溫至達到例如370°C左右。並且，前面玻璃基板3在該溫度下保持10分鐘 20分鐘左右。由此，使第I有機溶劑及第2有機溶劑蒸發。通過第I有機溶劑及第2有機溶劑的蒸發，在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。在此，在第I有機溶劑及第2有機溶劑中含有樹脂的情況下，樹脂也會燃燒。另外，在燒成エ序S134中，在襯底膜形成エ序S131中形成的未燒成的襯底膜91 也與第I塗布層93及第2塗布層94同時被燒成。此外，也可以在燒成エ序S134之前進行乾燥エ序。通過進行乾燥エ序，燒成爐的維護負擔得以輕減。這是因為，燒成エ序S134中的第I有機溶劑及第2有機溶劑等的蒸發量會減少。在乾燥エ序中，第I塗布層93及第2塗布層94被乾燥。並且，通過使第I有機溶劑及第2有機溶劑的蒸發，在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。此時，第I有機溶劑及第2有機溶劑不會全部蒸發，會殘留在襯底膜91上。作為乾燥方法，優選減壓乾燥。具體而言，真空室內的壓カ經過2分鐘左右減壓到IOPa左右，從而第I塗布層93及第2塗布層94被快速乾燥。通過該方法，不會產生在加熱乾燥中顯著的膜內的対流。因此，能夠使凝集粒子92更均勻地附著在襯底膜91上。其中，作為乾燥方法，也可以使用加熱乾燥。此外，燒成エ序S134也可以與圖3所示的密封排氣エ序S32同時進行。此時，在密封排氣エ序S32中加熱前面板2及背面板10時，第I塗布層93及第2塗布層94同時被加熱，從而使第I有機溶劑及第2有機溶劑等蒸發。[5-5.實驗 4]接著，說明為了確認本實施方式的TOPI的製造方法的效果而進行的實驗結果。發明人準備了改變襯底膜91的組分及保護層形成エ序S13而製造的rop的3種樣品。發明人對上述樣品測量了初始維持電壓。樣品I的PDP是在未進行第I塗布層形成エ序S132的情況下製造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成MgO單體的襯底膜91。樣品2的PDP也是在未進行第I塗布層形成エ序S132的情況下製造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成上述樣品A的襯底膜91。即，樣品2的襯底膜91由MgO和CaO構成。樣品3的PDP是進行第I塗布層形成エ序S132後製造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成了上述樣品A的襯底膜91。在襯底膜形成エ序S131結束起10分種以內進行第I塗布層形成エ序S132。此夕卜，第I有機溶劑及第2有機溶劑使用松油醇。並且，樣品I及2的PDP在從襯底膜形成エ序S131結束起到第2塗布層形成エ序S133開始為止在大氣環境下滯留3小時左右。樣品3的PDP在從第I塗布層形成エ序S132結束起到第2塗布層形成エ序S133開始為止在大氣環境下滯留3小時左右。對上述樣品I 3測量初始維持電壓，測量以樣品I為基準的相對維持電壓。在將樣品I的PDP的維持電壓設為O (V)時，樣品2的PDP的相對維持電壓為-21. 6 (V)。由此可知，與樣品I的PDP相比，樣品2的PDP的維持電壓大幅下降。這是因為，樣品2的rop的襯底膜91由MgO和CaO構成。即，樣品2的PDP的襯底膜91由2種金屬氧化物構成，因此能夠降低維持電壓。此外，樣品3的rop的相對維持電壓在將樣品I的rop的維持電壓設為O(V)時是-29. 7(V)。由此可知，與樣品I的PDP相比，樣品3的TOP的維持電壓大幅下降，而且與樣品2的PDP相比，樣品3的PDP的維持電壓也大幅下降。這是通過第I塗布層形成工序S132在襯底膜91上形成了有機溶劑的第I塗布層93的效果。通過在襯底膜91上形成第I塗布層93，即使暴露於大氣中，也能夠抑制CO系的雜質附著在襯底膜91的表面上。因此，樣品3的TOPl能夠抑制襯底膜91的變質，並能夠降低維持電壓。此外，在本實施方式的I3DPl的製造方法中，在第I塗布層形成工序S132中形成第I塗布層93，從而不需要將襯底膜91形成後的前面玻璃基板3的傳送環境設置為真空或氮、氮和氧的混合氣體、或稀有氣體等氣體環境，能夠實現生產設備的簡化。此外，即使形成襯底膜91後的前面玻璃基板3在襯底膜形成工序S131之後滯留在儲料器中，也能夠抑制襯底膜91的變質，並能夠降低維持電壓。
[6.總結]本發明所公開的技術是ropi的製造方法。ropi包括背面板 ο、以及與背面板 ο對置地配置的前面板2。前面板2具有電介質層8、和覆蓋電介質層8的保護層9。保護層9包括形成在電介質層8上的襯底層、即襯底膜91。在襯底膜91的整個面上分散配置有由多個氧化鎂的結晶粒子凝集而成的凝集粒子92。襯底膜91至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個峰值。襯底膜91的峰值位於第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與襯底層的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構成的組中選擇的2種化合物。並且，本實施方式的I3DPl的製造方法包括以下工藝。在電介質層8上形成襯底膜91。接著，在襯底膜91上塗布第I有機溶劑，從而形成第I塗布層93。接著，在第I塗布層93上塗布分散有凝集粒子92的第2有機溶劑，從而形成第2塗布層94。接著，通過加熱第I塗布層93及第2塗布層94，從而使第I有機溶劑及第2有機溶劑蒸發，並且在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。通過以上工藝，本實施方式的rop I的製造方法能夠抑制襯底膜91的變質，能夠製造降低了維持電壓的ropi。此外，本實施方式的ropi的製造方法能夠製造提高了亮度的均勻性的PDPl。(工業上的可利用性)如以上所述，本實施方式所公開的技術在實現具有高精細且高亮度的顯示性能且消耗電力低的PDP方面是有用的。符號說明I PDP2前面板3前面玻璃基板4掃描電極
4a、5a透明電極4b、5b總線電極5維持電極6顯示電極7黑條8電介質層9保護層10背面板 11背面玻璃基板12數據電極13襯底電介質層14隔壁15螢光體層16放電空間81第I電介質層82第2電介質層91襯底膜92凝集粒子92a結晶粒子93第I塗布層94第2塗布層
權利要求
1.一種等離子顯示面板的製造方法，其中， 上述等離子顯示面板包括背面板、以及與上述背面板對置地配置的前面板， 上述前面板具有電介質層、和覆蓋上述電介質層的保護層， 上述保護層包括形成在上述電介質層上的襯底層， 在上述襯底層的整個面上分散配置由多個氧化鎂的結晶粒子凝集而成的凝集粒子， 上述襯底層至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物，並且， 上述襯底層在X射線衍射分析中具有至少一個峰值， 上述峰值位於第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間， 上述第I峰值及上述第2峰值表示與上述峰值所示的面取向相同的面取向， 上述第I金屬氧化物及上述第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構成的組中選擇的2種化合物， 在上述等離子顯示面板的製造方法中， 在上述電介質層上形成上述襯底層， 接著，通過在上述襯底層上塗布第I有機溶劑，從而形成第I塗布層， 接著，在上述第I塗布層上塗布分散有上述凝集粒子的第2有機溶劑，從而形成第2塗布層， 接著，加熱上述第I塗布層及上述第2塗布層，從而使上述第I有機溶劑及上述第2有機溶劑蒸發，並且在上述襯底層上分散配置上述凝集粒子。
2.根據權利要求I所述的等離子顯示面板的製造方法，其中， 在形成襯底層之後，在2小時以內形成上述第I塗布層。
3.根據權利要求2所述的等離子顯示面板的製造方法，其中， 在形成襯底層之後，在I小時以內形成上述第I塗布層。
4.根據權利要求I所述的等離子顯示面板的製造方法，其中， 上述第I有機溶劑含有樹脂， 加熱第I塗布層及第2塗布層，從而使上述樹脂、上述第I有機溶劑及上述第2有機溶劑蒸發，並且在上述襯底層上分散配置上述凝集粒子。
5.根據權利要求I所述的等離子顯示面板的製造方法，其中， 上述第2有機溶劑的比重為上述第I有機溶劑的比重以下。
全文摘要
本發明提供一種等離子顯示面板的製造方法。包括含有金屬氧化物的襯底層和、分散配置在襯底層上的凝集粒子的等離子顯示面板的製造方法包括以下工藝。在電介質層上形成襯底層。接著，在襯底層上塗布第1有機溶劑，從而形成第1塗布層。接著，在第1塗布層上塗布分散有凝集粒子的第2有機溶劑，從而形成第2塗布層。接著，加熱第1塗布層及第2塗布層，從而使第1有機溶劑及第2有機溶劑蒸發，且在襯底層上分散配置凝集粒子。
文檔編號H01J9/02GK102834893SQ20118001569
公開日2012年12月19日 申請日期2011年3月16日 優先權日2010年3月26日
發明者武田英治, 辻田卓司, 橋本潤, 後藤真志 申請人:松下電器產業株式會社