氮化物基發光器件及其製造方法
2023-06-01 07:52:41
專利名稱：氮化物基發光器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及氮化物基(nitride-based)發光器件及其製造方法，更具體地涉及具有用於增加量子效率的歐姆接觸結構(Ohmic contact structure)的氮化物基發光器件及其製造方法。
背景技術：
為了採用氮化物基化合物半導體，例如氮化鎵(GaN)半導體實現發光器件如發光二極體或雷射二極體，在半導體和電極之間的歐姆接觸結構非常重要。氮化鎵基發光器件形成在絕緣藍寶石(Al2O3)基材上。
氮化鎵基發光器件分成頂發射發光二極體(Top-Emitting Light EmittingDiodes，TLEDs)和倒裝片發光二極體(Flip-Chip Light Emitting Diodes，FCLEDs)。
頂發射發光二極體允許光通過與P型覆蓋層(clad layer)的歐姆電極層發射，並提供P型覆蓋層的低電導率以允許通過具有透明性和低電阻率的歐姆電極層的平滑電流注入。
頂發射發光二極體一般採用在P型覆蓋層上順序成層的鎳(Ni)層和金(Au)層的結構。
本領域已知鎳層形成半透明的歐姆接觸層，該接觸層在氧氣(O2)氣氛中退火以具有約10-3-10-4Ωcm2的相對接觸電阻率。
當在500-600℃下在氧氣氣氛中退火半透明的歐姆接觸層時，半透明的歐姆接觸層在金(Au)層和較低的層部分之間提供低的相對接觸電阻率，其中氧化鎳(NiO)在形成P型覆蓋層的氮化鎵和用作歐姆接觸層的鎳層之間島成形為P型半導體氧化物。因此，降低肖特基勢壘高度(Schottky Barrier Height，SBH)，從而促進提供空穴作為P型覆蓋層表面附近的主要載流子。結果是，增加P型覆蓋層表面附近的有效載流子濃度。
此外，當在P型覆蓋層上形成鎳層和金層之後，進行再激活工藝(reactivation process)以除去Mg-H化合物，從而增加在氮化鎵表面的鎂摻雜劑的濃度，所述的再激活工藝使用退火。結果是，在P型覆蓋層的表面獲得大於1019的有效載流子濃度。因此，在P型覆蓋層和包含氧化鎳的歐姆電極層之間產生隧道傳導(tunnel conduction)以提供歐姆傳導特性。
然而，由於使用由鎳/金形成的半透明的電極膜的頂發射發光二極體具有低光學效率，所以難以實現大容量和高亮度發光器件。
為了實現大容量和高亮度發光器件，近來要求發展倒裝片發光器件，所述的倒裝片發光器件使用高反射材料的銀(Ag)或鋁(Al)。
然而，由於銀或鋁反射效率高，它們臨時提供高發光效率，但存在的缺陷在於由於小功函(work function)難以形成具有更低電阻率的歐姆接觸，所以器件壽命短。並且由於與氮化鎵的粘合性差不能提供穩定器件的可靠性。
為解決以上缺陷，正熱烈研究開發歐姆接觸層，所述的歐姆接觸層提供高反射率而不管低的相對接觸電阻率。
U.S.專利申請公開2002-0190260A1公開了在P型覆蓋層上順序成層的鎳/銀的結構，但其具有的缺陷在於接觸電阻率高，以及在退火時粘合性低。
發明內容
本發明提供氮化物基發光器件及其製造方法，所述的器件具有提供低電阻率特性和高反射率的電極結構。
根據本發明的方面，提供一種氮化物基發光器件，所述的氮化物基發光器件在N型覆蓋層和P型覆蓋層之間含有發光層，所述的發光器件包括反射從發光層發出的光的反射層，和在反射層和P型覆蓋層之間形成的至少一層金屬層。
所述的金屬層包括選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬。
所述的金屬層是向選自第一金屬組的任何一種金屬中，加入選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬的組合(addition)。
第二金屬組與第一金屬組的加入比(addition ratio)是0.1-51原子百分比(0.1 to 51 atomic percentages)。
所述的反射層由銀或銠形成。
所述的金屬層包括在P型覆蓋層上形成的第一金屬層，和在第一金屬層和反射層之間形成的第二金屬層，第一金屬層由選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬形成，第二金屬層由選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬形成。
所述的第二金屬層由向選自第一金屬組的任何一種金屬中加入選自第二金屬組的任何一種金屬而形成。
所述的金屬層和反射層的厚度為0.1nm-10μm。
所述的N型覆蓋層形成在由透光物質形成的基材上。
在本發明的另一方面，提供一種氮化物基發光器件的製造方法，所述的氮化物基發光器件在N型覆蓋層和P型覆蓋層之間含有發光層的，所述的方法包括在具有N型覆蓋層的發光結構的P型覆蓋層上形成至少一層金屬層，發光層和P型覆蓋層在基材上按順序成層；在金屬層上形成反射層；和對含有反射層的獲得的層結構退火。
可以在20℃-700℃下進行退火，並且所述的退火可以在反應器中，在氣體氣氛中進行，所述的氣體氣氛包含氮氣、氬氣、氦氣、氧氣、氫氣和空氣中的至少一種，所述的反應器中安裝有層結構。
通過參考附圖詳細描述本發明示例性的實施方案，本發明的以上和其它特性和優點更加顯而易見的，其中圖1是說明本發明實施方案的P型電極結構的剖視圖；圖2是說明本發明另一個實施方案的P型電極結構的剖視圖；圖3-5是說明在退火圖1的P型電極結構之前和之後測量的電流-電壓特性圖；圖6是說明在P型覆蓋層上沉積鋅-鎳合金/銀，和然後在500℃下在空氣氣氛中退火一分鐘之後的俄歇深度輪廓的圖；圖7是說明在根據圖6的俄歇深度輪廓退火P型電極結構之後，變化層結構的剖視圖；圖8是說明採用本發明實施方案的P型電極結構的發光器件的剖視圖；圖9是說明採用本發明另一個實施方案的P型電極結構的發光器件的剖視圖；圖10是說明具有沉積的鋅-鎳合金/銀和在空氣氣氛中退火的發光器件和僅具有沉積的銀和在空氣氣氛中退火的發光器件的電流-電壓特性的對比結果的圖。
具體實施例方式
現在參考附圖更完全地描述本發明，其中顯示本發明示例性的實施方案。然而，本發明可以採用許多不同的形式實現和不應當解釋為限於在此說明的實施方案；相反，提供這些實施方案使得此公開內容是徹底和完全的，並且將本發明的概念完全傳達給本領域技術人員。在附圖中，為清楚起見放大了層和區域的厚度。也應理解當稱層「在」另一層或基材上時，它可以直接在另一層或基材上，或也可以存在中間層。
圖1是說明本發明實施方案的具有金屬層和反射層的P型電極結構的剖視圖，每層具有不同厚度。
參考圖1，P型電極結構包括金屬層30和反射層40。
在圖1中，P型電極結構包括在基材10上形成的第III主族氮化物基的P型覆蓋層20，和在P型覆蓋層20上順序成層的金屬層30和反射層40。在P型覆蓋層20和P型電極結構30和40之間進行特性試驗。要求P型覆蓋層20在N型覆蓋層和P型覆蓋層中具有改進的歐姆特性，其中N型覆蓋層和P型覆蓋層位於第III主族氮化物基發光器件的發光層的中心，並且彼此面對。
P型覆蓋層20使用摻雜有P型摻雜劑的第III主族氮化物。
在此，第III主族氮化物以通式AlxInyGazN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤x+y+z≤1)表示。
此外，P型摻雜劑可使用Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
金屬層30可採用與P型覆蓋層30具有良好反應的金屬或合金。
金屬層可採用金屬，它可增加P型覆蓋層20的有效載流子濃度並且在P型覆蓋層20的第III主族氮化物中，與除氮化物以外的組分具有主要反應(primary reaction)。例如，當金屬層30採用GaN基化合物時，金屬層30採用與鎵(Ga)而不是氮化物(N)具有主要反應的金屬。
作為一個例子，主要成分為氮化鎵(GaN)的P型覆蓋層20具有鎵空位，所述的鎵空位通過P型覆蓋層20的鎵(Ga)與金屬層30的反應在其表面上形成。P型覆蓋層20的鎵空位用作P型摻雜劑，以通過P型覆蓋層20和金屬層30的反應增加P型覆蓋層20表面上的有效載流子濃度。
滿足以上條件的金屬層30由選自鋅(Zn)、銦(In)和錫(Sn)組成的第一金屬組中的任何一種金屬形成。
否則，金屬層30可以由合金形成，該合金含有任何一種選自第一金屬組的主要成分和任何一種選自第二金屬組的附加成分(additionalingredient)。
第二金屬組包括鎳(Ni)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釕(Ru)、銠(Rh)、銥(Ir)、鉭(Ta)、錸(Re)、鎢(W)和鑭(La)。
第二金屬組與第一金屬組的加入比可以在0.1-51原子百分比之內。
反射層40是P型電極結構中的最高層。反射層40採用以下材料，所述的材料在300-600℃下抑制表面降解、抗氧化穩定、具有非變化特性以及具有高反射能力，其中300-600℃是製造倒裝片發光器件製造工藝中的常用溫度。
反射層40可以由滿足以上條件的銀(Ag)或銠(Rh)形成。
此外，金屬層30和反射層40的厚度可以為0.1nm-10μm。
金屬層30和反射層40可由各種已知方法來形成，例如物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體雷射沉積(PLD)、雙類型熱蒸發器、濺射等。
通常在20-1500℃的溫度下，在反應器中沉積金屬層30和反射層40，其中反應器內的氣體壓力為約10-12託。
然後，在20-700℃下在真空或氣體氣氛中對金屬層30和反射層40退火1秒-10小時。
當在反應器中對金屬層30和反射層40退火時，將氮氣、氬氣、氦氣、氧氣、氫氣和空氣的至少一種引入反應器中。
以下，將描述本發明實施方案製造P型電極結構的方法。然而，本發明並不限於通過實施方案例示的方法。
首先，在60℃下在超聲浴中分別使用三氯乙烯、丙酮、甲醇和蒸餾水對具有基材10和P型覆蓋層20的結構進行表面清潔五分鐘，然後在100℃下硬焙烘(hard bake)10分鐘以脫水，其中所述的P型覆蓋層形成在基材上並含有氮化鎵作為主要成分。
其後，將獲得的結構在400-500rpm下旋塗以在P型覆蓋層20上形成光刻膠(photo-resist)。接著，在85℃下軟焙烘生成物15分鐘，然後調整掩模和圖案以顯影掩模圖案。其後，採用22.8mW強度的紫外線(UV)對顯影的生成物曝光15秒，然後將其浸入下述溶液中25秒以顯影，所述的溶液由1∶4比例的顯影劑和蒸餾水混合而成。
然後，將顯影的生成物浸入BOE溶液5分鐘以除去汙染層。在電子束蒸發器中沉積鋅-鎳合金以在P型覆蓋層20上在10nm厚度下形成金屬層30，然後在電子束蒸發器中將銀沉積在金屬層30上以在10nm厚度下形成反射層40。其後，在剝離工藝中採用丙酮加工生成物，然後使用快速熱退火(Rapid Thermal Annealing，RTA)在500℃下在空氣氣氛中退火1分鐘，以製造使用歐姆接觸的P型電極結構。
圖2是說明本發明另一個實施方案的P型電極結構的剖視圖。
使用相同的附圖標記表示具有圖1那些相同功能的元件。
參考圖2，第一金屬層50、第二金屬層30和反射層40按順序形成在基材10上，其中基材形成在P型覆蓋層20上。
如上所述，如在圖2中，P型電極結構包括在藍寶石基材10上形成的第III主族氮化物基P型覆蓋層20，和在P型覆蓋層20上按順序形成的第一金屬層50、第二金屬層30和反射層40。在P型覆蓋層20和P型電極結構之間進行特性試驗。
第一金屬層50可以由選自上述第二金屬組的任何一種金屬形成，第二金屬組即是如下物質組成的組鎳(Ni)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釕(Ru)、銠(Rh)、銥(Ir)、鉭(Ta)、錸(Re)、鎢(W)和鑭(La)。
第二金屬層30由與圖1描述的金屬層30相同的材料形成。
即，第二金屬層30由選自鋅(Zn)、銦(In)和錫(Sn)組成的第一金屬組中的任何一種金屬形成。
否則，第二金屬層30可以由任何一種選自第一金屬組的主要成分和任何一種選自上述第二金屬組的附加成分形成。
第一金屬層50，第二金屬層30和反射層40的總厚度為約0.1nm-10μm。
如上所述，對以上P型電極結構進行沉積工藝和退火工藝。
以下，參考圖3-5描述上述P型電極結構的試驗結果，在含有氮化鎵(GaN)作為主要成分的P型覆蓋層20上形成P型電極結構。
圖3-5是說明在在空氣氣氛中退火P型電極結構之前和之後電特性測量結果的圖。
在P型電極結構中，使用鋅-鎳合金在P型覆蓋層20上沉積金屬層30，然後使用銀在金屬層30上沉積反射層40。分別形成不同厚度的金屬層30和反射層40。P型覆蓋層20含有載流子濃度為4-5×10-17cm-3的氮化鎵(GaN)主要成分。
圖3是P型電極結構中電流-電壓特性的測量結果，其中P型電極結構含有厚度為10nm的金屬層30和厚度為10nm的反射層40。圖4是P型電極結構中電流-電壓特性的測量結果，其中P型電極結構含有厚度為2.5nm的金屬層30，和厚度為100nm的反射層40。圖5是P型電極結構中電流-電壓特性的測量結果，其中P型電極結構含有厚度為2.5nm的金屬層30和厚度為200nm的反射層40。
如從附圖中所理解的，退火之後的電流-電壓特性比在退火之前的電流-電壓特性改進地更多，P型電極結構具有10-4-10-5Ωcm2的低的相對接觸電阻率。
為分析退火之後相對接觸電阻率改進的原因，圖6說明俄歇深度輪廓的測量結果，取決於深度，當在空氣氣氛中在500℃下對P型電極結構退火1分鐘之後，使用俄歇分光鏡測量。
在P型電極結構中，使用鋅-鎳合金在P型覆蓋層20上沉積金屬層30，然後使用銀在金屬層30上沉積反射層40。分別形成厚度為10nm的金屬層30和反射層40。
圖7說明在根據圖6的俄歇深度輪廓退火P型電極結構之後的變化層結構。
如從圖6和7所理解的，通過退火提供外部氧氣，因此引起從鋅到氧化鋅和從鎳到氧化鎳的相變。此外，將氧化鎳和銀擴散到P型覆蓋層20以形成第一金屬氧化物層51，所述的第一金屬氧化物層與P型覆蓋層20接觸。
將氧化鋅擴散到最上層以形成第二金屬氧化物層31。主要成分為銀的反射層41位於第二金屬氧化物層31和包含銀的第一金屬氧化物層51之間。
在室溫下，銀的焓為-20～300KJ/K摩爾(Kmol)，鎳的焓為-239KJ/Kmol，和鋅的焓為-350.9KJ/Kmol。焓是氧化金屬的能量和表示氧化的能力。因此，可以理解由於鋅和鎳的焓比銀大幾十到幾百倍，它們主要在退火時被氧化。
當在P型覆蓋層20的形成之後進行退火工藝時，產生以上的結果，並還原氧化鎵(Ga2O3)，它是保留在P型覆蓋層20的表面上的天然氧化物同時在P型覆蓋層20和其上沉積的金屬層30之間的界面處，用作載流子流動的障礙。此外，氧化用作金屬層30的金屬，使其相變成為透明導電或半透明導電氧化物。因此，形成透明導電或半透明導電氧化物層31和51，因此降低肖特基勢壘高度和寬度。
此外，在P型覆蓋層20和P型電極結構之間的界面處，由P型覆蓋層20表面上形成的鎵空位，天然氧化物的還原，和透明導電金屬氧化物層31和51的形成產生隧道傳導。
結果是，P型覆蓋層20用作摻雜劑使得可以在P型覆蓋層20表面附近增加有效空穴濃度。
此外，由於在空氣或氧氣氣氛中退火時形成的氧化鋅(ZnO)和鋅基或鎂基合金或選自第二金屬組的金屬具有與氮化鎵幾乎相同的功函，所以當它們與P型覆蓋層20接觸時降低肖特基勢壘高度，因而改進歐姆接觸特性和提供幾乎100％的透光率。
此外，在最上層的表面上形成為天然氧化物的第二金屬氧化物層31，與P型覆蓋層20接觸的第一金屬氧化物層51由包含銀的第二金屬組氧化物(例如Ni-O、Co-O等)形成，因而降低肖特基勢壘高度。在此時，厚的銀(Ag)層41位於第二金屬氧化物層31(氧化鋅層)和第一金屬氧化物層51(內部擴散的第二金屬組氧化物)之間，因此有助於改進鎳的傳導率和在倒裝片發光二極體(FCLEDs)中用作優異的反射層。
圖8是說明採用本發明實施方案的圖1的P型電極結構的發光器件的剖視圖。
參考圖8，發光器件包括基材110，按順序成層的緩衝層120、N型覆蓋層130、發光層140、P型覆蓋層150、金屬層230和反射層240。
附圖標記180表示P型電極墊，附圖標記190表示N型電極墊。
基材110由藍寶石或碳化矽(SiC)形成。
緩衝層120可以省略。
在緩衝層120到P型覆蓋層150之間的每層基於選自如下的任何化合物以第III主族氮化物基化合物的通式AlxInyGazN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤x+y+z≤1)表示的化合物，以及N型覆蓋層和P型覆蓋層含有加入到其中的相應摻雜劑。
此外，可以採用各種公知的方法構造發光層140為單一層或多量子阱(MQW)層。
作為一個例子，緩衝層120由GaN形成，N型覆蓋層130由加入到GaN中的N型摻雜劑如Si、Ge、Se、Te形成，P型覆蓋層150由加入到GaN中的P型摻雜劑如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba形成。
所述層分別使用各種公知的沉積方法來形成，例如PVD、CVD、PLD、雙類型熱蒸發器和濺射。
電極層230由第一金屬組或合金形成，該合金含有加入到以上通過圖1描述的第一金屬組的第二金屬組，反射層240由銀或銠形成，然後退火。
圖9是說明採用本發明另一個實施方案的P型電極結構的發光器件的剖視圖。
相似的附圖標記表示相同功能的元件。
參考圖9，發光器件包括基材110、緩衝層120、N型覆蓋層130、發光層140、P型覆蓋層150、第一金屬層350、第二金屬層330和反射層340。
第一金屬層350由以上在圖2中描述的第二金屬組的任何一種金屬形成。
第二金屬層330由第一金屬組或加入到通過圖1描述的第一金屬組的第二金屬組形成。
反射層340或銀或銠形成。
圖10是說明具有沉積的鋅-鎳合金/銀和在空氣氣氛中退火的發光器件和僅具有沉積的銀和在空氣氣氛中退火的發光器件的電流-電壓特性的對比結果的圖。
如在圖10中所理解的，採用本發明的上述P型電極結構的發光器件具有優異改進的電特性。
即，具有InGaN結構的藍光發射二極體含有由鋅-鎳合金形成到2.5nm厚度的金屬層230和由銀形成到100nm厚度的反射層240。以上藍光發射二極體在20mA下具有3.25V的操作電壓。然而，含有僅由銀在100nm厚度下形成的反射層240的藍光發射器件的操作電壓大於3.25V。
特別地，含有僅沉積到100nm厚度的銀，然後在空氣氣氛中退火的發光器件的操作電壓一般比退火之前大，並且具有相當的電降解。
以下，本發明描述，但不限於，製造發光器件的實施例。
首先，採用與上述實施方案相同的方式，對含有基材，緩衝層，N型覆蓋層，發光層和含有GaN為主要成分的P型覆蓋層的發光結構，施加用於P型覆蓋層150的表面和電子束光刻，區別在於未沉積P型電極結構。
在表面處理和電子束光刻之後，由鋅-鎳合金形成金屬層230到2.5nm的厚度，和然後在生成物上沉積銀到100nm的厚度。其後，在剝離工藝中使用丙酮加工生成物，和然後在快速熱退火爐中在500℃下在空氣氣氛中退火1分鐘。結果是，使用歐姆接觸製造發光二極體。
如上所述，根據本發明的氮化物基發光器件及其製造方法提供的優點在於，改進與P型覆蓋層的歐姆接觸特性以因此增加導線粘合效率和產量，當包裝發光器件時，並且低的相對接觸電阻率和優異的電流-電壓特性可改進發光效率和器件壽命。
儘管已經參考本發明示例性的實施方案顯示和描述了本發明，在不違背權利要求定義的本發明的精神和範圍的情況下，本領域的技術人員理解可以對本發明進行形式和詳細情況的各種變化。
權利要求
1.一種氮化物基發光器件，其在N型覆蓋層和P型覆蓋層之間含有發光層，所述的發光器件包括反射從發光層發出的光的反射層；和在反射層和P型覆蓋層之間形成的至少一層金屬層。
2.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的金屬層包括選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬。
3.如權利要求2所述的發光器件，其中所述的金屬層是向選自第一金屬組的任何一種金屬中，加入選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬的組合。
4.如權利要求3所述的發光器件，其中所述的第二金屬組與第一金屬組的加入比是0.1-51原子百分比。
5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的反射層由銀形成。
6.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的反射層由銠形成。
7.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的金屬層包括在P型覆蓋層上形成的第一金屬層；和在第一金屬層和反射層之間形成的第二金屬層，第一金屬層由選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬形成，和第二金屬層由選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬形成。
8.如權利要求7所述的發光器件，其中所述的第二金屬層由向選自第一金屬組中的任何一種金屬中加入選自第二金屬組中的任何一種金屬而形成。
9.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的金屬層和反射層的厚度為0.1nm-10μm。
10.如權利要求1所述的發光器件，其中所述的N型覆蓋層形成在由透光物質形成的基材上。
11.如權利要求10所述的發光器件，其中所述的基材由藍寶石形成。
12.一種氮化物基發光器件的製造方法，所述的氮化物基發光器件在N型覆蓋層和P型覆蓋層之間含有發光層，該方法包括在具有N型覆蓋層的發光結構的P型覆蓋層上形成至少一層金屬層，所述的發光層和P型覆蓋層在基材上按順序成層；在所述的金屬層上形成反射層；和對含有反射層的獲得的層結構退火。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述的金屬層包括選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬。
14.如權利要求13所述的方法，其中所述的金屬層是向選自第一金屬組的任何一種金屬中，加入選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬的組合。
15.如權利要求14所述的方法，其中所述的第二金屬組與第一金屬組的加入比是0.1-51原子百分比。
16.如權利要求12所述的方法，其中所述的反射層由銀形成。
17.如權利要求12所述的方法，其中所述的反射層由銠形成。
18.如權利要求12所述的方法，其中金屬層的形成包括在P型覆蓋層上形成第一金屬層；和在所述的第一金屬層和反射層之間形成第二金屬層，第一金屬層由選自鎳、鈷、銅、鈀、鉑、釕、銠、銥、鉭、錸、鎢和鑭系金屬組成的第二金屬組中的任何一種金屬形成，和第二金屬層由選自鋅、銦和錫組成的第一金屬組中的任何一種金屬形成。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述的第二金屬層由向選自第一金屬組中的任何一種金屬中加入選自第二金屬組中的任何一種金屬而形成。
20.如權利要求12所述的方法，其中金屬層和反射層的厚度為0.1nm-10μm。
21.如權利要求12所述的方法，其中所述的N型覆蓋層形成在由透光物質形成的基材上。
22.如權利要求21所述的方法，其中所述的基材由藍寶石形成。
23.如權利要求12所述的方法，其中所述的退火在20℃-700℃下進行。
24.如權利要求23所述的方法，其中所述的退火在反應器中，在氣體氣氛中進行，所述的氣體氣氛包含氮氣、氬氣、氦氣、氧氣、氫氣和空氣中的至少一種，所述的反應器中安裝有層結構。
全文摘要
本發明揭露一種氮化物基的發光器件，其在N型覆蓋層和P型覆蓋層之間含有發光層。所述的發光器件包括反射從發光層發出的光的反射層，和在反射層和P型覆蓋層之間形成的至少一層金屬層。
文檔編號H01L33/32GK1591917SQ200410054539
公開日2005年3月9日 申請日期2004年7月23日 優先權日2003年8月25日
發明者宋俊午, 成泰連 申請人:三星電子株式會社, 光州科學技術院