離子源絕緣體的清洗保護結構的製作方法
2023-06-01 17:49:21 1
離子源絕緣體的清洗保護結構的製作方法
【專利摘要】本申請公開了一種離子源絕緣體的清洗保護結構，包括：——圓環形的頂面，其外徑等於或略大於離子源絕緣體的密封面的外徑，其內徑等於或略小於離子源絕緣體的密封面的內徑；在該頂面上分布有一個或多個定位孔，這些定位孔的位置對應於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔，這些定位孔的大小等於或略大於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔的大小。——圓柱面形狀的外側面，沿著頂面的外徑垂直向下延伸。——圓柱面形狀的內側面，沿著頂面的內徑垂直向下延伸。本申請離子源絕緣體的清洗保護結構可以對離子源絕緣體的密封面加以保護，從而採用噴砂工藝進行清洗，具有清洗的速度快、效果好的特點。
【專利說明】離子源絕緣體的清洗保護結構
【技術領域】
[0001]本申請涉及一種離子注入設備的清洗保護結構。
【背景技術】
[0002]離子注入設備通常由五個部分組成，分別是:離子源、引出電極(吸極)和離子分析器、加速管、掃描系統、工藝室。
[0003]其中，離子源10和吸極20通常被放置在同一個真空腔30中，如圖1所示。離子源10從氣態或固態雜質中產生正離子，吸極20利用負高壓電場把正離子的離子束從該真空腔30中引出。該真空腔30的殼體有一部分是由絕緣材料製造的環形結構，稱為離子源絕緣體31。該離子源絕緣體31的環形的密封面310與底板32之間通過環形的密封圈33進行密封，以確保該真空腔30內部的真空度。
[0004]離子注入設備在長時間工作後，離子源絕緣體31的內側表面會產生生成物。當生成物累積到一定程度後就會影響離子源絕緣體31的絕緣性，容易造成真空腔30內部放電，甚至引起短路。所以該離子源絕緣體31需要經常拆卸下來進行清洗，以保證離子注入設備的正常作業。
[0005]用於設備清洗的噴砂工藝具有清洗速度快、清洗效果好的特點，然而離子源絕緣體31卻不能採用噴砂工藝。這是由於其密封面310—旦接觸到砂粒就會產生凹坑，這將導致離子源絕緣體31與底板32之間的密封性能受損，從而使得真空腔30的真空度受影響。因此，目前只有採用人工方式清洗離子源絕緣體31。人工清洗不僅速度慢(需要3個小時)，而且清洗效果不理想，一些頑固的生成物難以去除乾淨，導致離子源絕緣體31的絕緣性能降低，存在真空腔30內部放電的風險。
實用新型內容
[0006]本申請所要解決的技術問題是提供一種離子注入設備中的離子源絕緣體在進行清洗時的保護結構，可以提高對離子源絕緣體的清洗質量和使用周期，並縮短清洗時間。
[0007]為解決上述技術問題，本申請離子源絕緣體的清洗保護結構包括:
[0008]——圓環形的頂面，其外徑等於或略大於離子源絕緣體的密封面的外徑，其內徑等於或略小於離子源絕緣體的密封面的內徑；在該頂面上分布有一個或多個定位孔，這些定位孔的位置對應於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔，這些定位孔的大小等於或略大於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔的大小；
[0009]-圓柱面形狀的外側面，沿著頂面的外徑垂直向下延伸。
[0010]——圓柱面形狀的內側面，沿著頂面的內徑垂直向下延伸。
[0011]進一步地，所述頂面、外側面、內側面均為橡膠材料。
[0012]進一步地，所述外側面、內側面的高度設為1?10_。
[0013]進一步地，所述外側面、內側面的高度設為4?6mm。
[0014]進一步地，所述清洗保護結構的外側面與離子源絕緣體的外側面之間採用過盈配合，所述清洗保護結構的內側面與離子源絕緣體的內側面之間也採用過盈配合。
[0015]本申請離子源絕緣體的清洗保護結構可以對離子源絕緣體的密封面加以保護，從而採用噴砂工藝進行清洗，具有清洗的速度快、效果好的特點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1是離子注入設備的離子源和吸極位於同一真空腔的結構示意圖；
[0017]圖2是本申請離子源絕緣體的清洗保護結構的整體示意圖；
[0018]圖3是本申請離子源絕緣體的清洗保護結構的頂面51的示意圖。
[0019]圖中附圖標記說明:
[0020]10為離子源；20為吸極；30為真空腔；31為離子源絕緣體；310為密封面；32為底板；33為密封圈；51為頂面；510為定位孔；52為外側面；53為內側面。
【具體實施方式】
[0021]請參閱圖2和圖3，本申請離子源絕緣體的清洗保護結構包括:
[0022]—圓環形的頂面51，其外徑等於或略大於離子源絕緣體31的密封面310的外徑，其內徑等於或略小於離子源絕緣體31的密封面310的內徑。在該頂面51上分布有一個或多個定位孔510，這些定位孔510的位置對應於離子源絕緣體31的密封面310上的定位螺孔的位置，這些定位孔510的大小等於或略大於離子源絕緣體31的密封面310上的定位螺孔的大小。這些定位螺孔原本用於將底板32和離子源絕緣體31的密封面310進行固定。
[0023]-圓柱面形狀的外側面52,沿著頂面51的外徑垂直向下延伸。
[0024]-圓柱面形狀的內側面53,沿著頂面51的內徑垂直向下延伸。
[0025]所述頂面51、外側面52、內側面53優選為橡膠材料，並一體成型地製造。
[0026]當需要對離子源絕緣體31進行清洗時，首先將其拆卸下來，然後將本申請的清洗保護結構安裝到離子源絕緣體31上，接著對離子源絕緣體31採用噴砂工藝進行清洗，再後將本申請的清洗保護結構從離子源絕緣體31上拆卸下來，最後將離子源絕緣體31安裝到尚子注入設備中。
[0027]在將本申請的清洗保護結構安裝到離子源絕緣體31時，將本申請的清洗保護結構套在離子源絕緣體31的密封面310上，並採用螺栓經過定位孔510將頂面51牢牢地固定在密封面310上。此時外側面52、內側面53沿著密封面310向下形成一定高度的裙擺，對密封面310進一步地加以保護。隨後在採用噴砂工藝對離子源絕緣體31進行清洗時，離子源絕緣體31的密封面310便被妥善地保護。
[0028]如果外側面52、內側面53所形成的裙擺高度過低，則無法完全避免砂粒穿越它們所覆蓋的區域對密封面310的損傷。如果外側面52、內側面53所形成的裙擺高度過高，則內側面53所覆蓋的區域的生成物就可能無法被噴砂工藝清洗乾淨。經過試驗證實，將外側面52、內側面53的高度設為I?IOmm是較為適宜的，優選為4?6mm。
[0029]優選地，本申請的清洗保護結構的外側面52與離子源絕緣體31的外側面之間採用過盈配合，本申請的清洗保護結構的內側面53與離子源絕緣體31的內側面之間也採用過盈配合，使得橡膠材料的外側面52、內側面53緊密地貼合在離子源絕緣體31的外側面、內側面上,避免噴砂工藝中的砂粒穿過。
[0030]採用本申請的清洗保護結構之後，對離子源絕緣體31的清洗就可以採用噴砂工藝。一方面清洗時間很快(0.2小時)，另一方面清洗效果極好，可以確保離子源絕緣體31的完全絕緣性。在採用手工清洗方式時，由於清洗效果有限，而使得其在兩次手工清洗之間的使用周期較短。在採用本申請的清洗保護結構後，由於清洗效果極佳，而使得其在兩次清洗之間的使用周期平均延長20%，即設備使用率平均提高20%。
[0031]以上僅為本申請的優選實施例，並不用於限定本申請。對於本領域的技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種離子源絕緣體的清洗保護結構，其特徵是，包括： —圓環形的頂面，其外徑等於或略大於離子源絕緣體的密封面的外徑，其內徑等於或略小於離子源絕緣體的密封面的內徑；在該頂面上分布有一個或多個定位孔，這些定位孔的位置對應於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔，這些定位孔的大小等於或略大於離子源絕緣體的密封面上的定位螺孔的大小； —圓柱面形狀的外側面，沿著頂面的外徑垂直向下延伸； —圓柱面形狀的內側面，沿著頂面的內徑垂直向下延伸。
2.根據權利要求I所述的離子源絕緣體的清洗保護結構，其特徵是，所述頂面、外側面、內側面均為橡膠材料。
3.根據權利要求I所述的離子源絕緣體的清洗保護結構，其特徵是，所述外側面、內側面的高度設為I?10mm。
4.根據權利要求3所述的離子源絕緣體的清洗保護結構，其特徵是，所述外側面、內側面的高度設為4?6mm。
5.根據權利要求I所述的離子源絕緣體的清洗保護結構，其特徵是，所述清洗保護結構的外側面與離子源絕緣體的外側面之間採用過盈配合，所述清洗保護結構的內側面與離子源絕緣體的內側面之間也採用過盈配合。
【文檔編號】B24C9/00GK203542394SQ201320640540
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月17日 優先權日:2013年10月17日
【發明者】顧煒, 卓紅標 申請人:上海華虹宏力半導體製造有限公司