化學機械研磨用水系分散體和化學機械研磨方法、以及用於製備化學機械研磨用水系分...的製作方法

2023-06-01 13:11:36 2

專利名稱：：化學機械研磨用水系分散體和化學機械研磨方法、以及用於製備化學機械研磨用水系分...的製作方法
技術領域：
：本發明涉及化學機械研磨用水系M體和化學機械研磨方法、以及用於制^ft學M^^磨用水系^t體的試劑盒。
背景技術：
：近年來，為了實現半導體裝置的高性能化，要求例如(i)配線的低電阻率化和(ii)絕緣層的低介電常數化。為了實現(i)配線層的低電阻率，正進行從以往作為配線材料使用的鴒、鋁向銅、銅合金的轉換。然而，採用由銅、銅合金難以進行微細加工，所述微細加工是採用在由鋁等構成的配線層的形成中使用的幹法蝕刻而進行的。因此，在形成由銅、銅合金形成的配線時，使用被稱為"鑲嵌法"的工序，該鑲嵌法在絕緣層上形成的槽中堆積並埋入銅或銅合金，通過用化學機械研磨來除去配線以外的剩餘部分(例如，參照特開平2-278822號公報)。此外，在使用銅或銅合金作為配線材料時，為了避免銅原子向絕緣層中遷移(migration),通常在配線與絕緣層的界面上形成由鉭、氮化鉭、氮化鈦等構成的導電性阻擋層。此外，為了實現(ii)絕緣層的低介電常數化，提出了各種新型材料。例如在特開2001-308089號公報中，公開了將烷氧基矽烷的水解縮合物塗布在基體上，通過對其進行加熱得到低介電常數的絕緣層的方法。此外，在特開2001-298023號公報中，公開了使含有有機矽烷化合物的矽烷系氣體在採用等離子體或微波的強化條件下進行化學氣相沉積，從而得到低介電常數的絕緣層的方法。使用這樣的低介電常數絕緣層時，為了保護低介電常數絕緣層免於氣體吸附、配線材料的金屬原子擴散，常常在低介電常數絕緣層上層積被稱為覆蓋層的矽氧化膜系材料。即，這時，絕緣層由低介電常數絕緣層和矽氧化膜系材料的層合體構成.在使用銅或銅合金作為配線材料時，在採用鑲嵌法製造使用了低介電常數絕緣層作為絕緣層的半導體裝置時，通常實施通過化學機械研磨除去導電性阻擋層上的配線材料的工序(第一研磨處理工序)以及之後通過研磨除去導電性阻擋層，並根據需要進一步研磨配線材料和絕緣層而進行平坦化的工序(第二研磨處理工序)。其中，進行第二研磨處理工序時，存在以下的問題。即，低介電常數絕緣層的材料強度弱，而且對封閉層等其它層合材料的密合性弱，因此使用以往已知的化學^研磨用水系^t體來進行化學機m磨時，材料本身被破壞，或在與其它層合材料的界面產生剝離，結果產生成品率顯著下降的問題。作為處理該問題的方法，考慮例如通過降低研磨壓力來使晶片所受的摩擦力減小的方法。然而，研磨壓力的降低會導致以封閉層為代表的矽氧化膜系材料研磨速度的下降。在設備製造過程中，必須通過研磨除去上述封閉層、或者通過研磨削去規定厚度的封閉層來確保平坦性，因此矽氧化膜系材料研磨速度的下降會顯著降低半導體基板的處理效率。
發明內容本發明鑑於上述情況而完成，提供能夠以高效率研磨被研磨體，並且能夠高效得到具有高度平坦性的被研磨麵的化學M研磨用水系M體和使用其的化學機械研磨方法、以及用於製備上述化學M研磨用水系M體的試劑盒。本發明人經過銳意研究，結果發現，通過使用含具有特定物性的水溶性高分子的化學M研磨用水系分散體來進行化學M研磨，能夠顯著提高研磨速度，並且能夠高效地得到沒有刮痕、膜剝離且具有高度平坦性的被研磨麵。還發現，上述含具有特定物性的水溶性高分子的化學M研磨用水系*體，即使在以防止刮痕、膜剝離等為目的的低研磨壓力條件下，也能夠表現出實用上沒有問題的研磨速度。本發明人等經過銳意研究，結果發現，通過使用含具有特定物性的水溶性高分子的化學機械研磨用水系^t體來進行化學,研磨，能夠顯著提高研磨速度，並且能夠高效地得到沒有刮痕、膜剝離且具有高度平坦性的被研磨麵。還發現，上述含具有特定物性的水溶性高分子的化學M研磨用水系^體，即使在以防止刮痕、膜剝離等為目的的低研磨壓力條件下，也能夠表現出實用上沒有問題的研磨速度。本發明的第一方式的化學機械研磨用水系^t體，含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化劑和(E)水，並且所述(C)水溶性高分子的重均分子量為50,000~5，000，000。在上述化學機械研磨用水系M體中，所述(C)水溶性高分子可以為聚(甲基)丙烯酸或其鹽。在上述化學機械研磨用水系^ft體中，所述(c)水溶性高分子的配合量可以為0.05~2重量0/0。在上述化學;^研磨用水系^t體中，pH可以為812。在上述化學機械研磨用水系分散體中，所述(B)有機酸可以為選自會#^酸、二元有機酸及羥基酸中的至少1種，其配合量可以為0.01~5質量％。在上述化學機械研磨用水系*體中，所述(C)水溶性高分子的配合量與所述(B)有機酸的配合量之比可以為1:40~20:1。在上述化學^研磨用水系分散體中，還可以含有0.001~1質量％的(F)表面活性劑。這時，所述(C)水溶性高分子的配合量與所述(F)表面活性劑的配合量之比可以為1:10-200:1。進而，這時，所述(F)表面活性劑可以為非離子系表面活性劑。在上述化學機械研磨用水系*體中，所述(A)磨粒的配合量可以為1~10質量％。在上述化學機械研磨用水系*體中，所述(A)磨粒可以為二氧化矽。本發明的第二方式的化學機,磨用水系*體是將液體(I)和液體(n)混合，從而用於製備上述化學;ta^研磨用水系分散體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(a)磨粒、(B)有機酸、(c)重均分子量為50,000~5，000，000的水溶性高分子和(E)水的水系^ft體，所述液體(n)含有(D)氧化劑和(E)水。本發明的第三方式的化學機,磨用水系^t體是將液體(I)和液體(n)混合，從而用於製備上述化學;^研磨用水系^t體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(A)磨粒和(E)水的水系分^:體，所述液體(n)含有(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子和(E)水。本發明的第四方式的化學機械研磨用水系*體是將液體(I)、液體(n)和液體(m)混合，用於製備上述化學^研磨用水系^Hlt體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(A)磨粒和(E)水的水系M體，所述液體(II)含有(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子和(E)水。所述液體(m)^^有(D)氧化劑和(E)7jc。上述試劑盒中，所述液體(I)還可以含有選自(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子、(D)氧化劑和(F)表面活性劑中的一種以上的成分。上述試劑盒中，所述液體(n)還可以含有選自(a)磨粒、(D)氧化劑和(F)表面活性劑中的一種以上的成分。本發明的第五方式的化學W^f磨用水系^L體的製造方法，包括使用上述化學^L^研磨用水系^t體，以60~200gf/cm2的研磨壓力對該被研磨體進行化學^研磨的工序。根據上述化學機械研磨用水系分散體，通過含有重均分子量為50，000~5,000,000的7JC溶性高分子，由於具有適度的粘性，因此能夠佳_研磨壓力有效地傳達至被研磨體。因此，在為了減少刮痕、膜剝離等缺陷而在低研磨壓力條件下進行研磨時，能夠維持實用上充分的研磨速度。此夕卜，通過水溶性高分子的親水化作用，研磨摩擦降低，能夠抑制刮痕、膜剝離。此外，根據使用了上述化學機械研磨用水系^體的化學^研磨方法、以及用於製備上述化學^^9f磨用水系^t體的試劑盒，能夠以高效率研磨各種被研磨體，能夠得到足夠平坦化的高精度加工面，並且在研磨壓力低時，能夠以實用上足夠的效率來研磨各種^L研磨體。圖1B是表示本發明的化學機械研磨方法的一具體例的示意圖。圖2D是表示本發明的化學^研磨方法的一具體例的示意圖。圖3A是表示本發明的化學機械研磨方法的其它具體例的示意圖。圖3B是表示本發明的化學機械研磨方法的其它具體例的示意圖。[圖3C1圖3C是表示本發明的化學;M^f磨方法的其它具體例的示意圖。[圖3D圖3D是表示本發明的化學機械研磨方法的其它具體例的示意圖。具體實施例方式以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。應予說明的是，本發明並不限於下述的實施方式，還包括在不改變本發明的主旨的範圍內實施的各種變型例。1.化學^研磨用水系^t體本發明的一實施方式的化學M研磨用水系^t體，含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化劑和(E)水，並且(C)水溶性高分子的重均分子量為50，000~5，000，000。1.1.(A)磨粒(A)磨粒可以是選自無機粒子、有機粒子和有機無機複合粒子中的至少l種。作為上迷無機粒子，例如可以舉出二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈰等。作為二氧化矽，可以舉出熱解法二氧化珪、用溶膠i^法合成的二氧化矽、膠體二氧化矽等。熱解法二氧化矽可以通it^氣相中使氯化矽等與氧和水反應而得到。用溶膠皿法合成的二氧化矽可以以烷氧矽化合物作為原料，通過水解反應l或縮合反應而得到。膠體二氧化矽例如可以通過使用預先精製了的原料的無機膠體法等而得到。作為上述有機粒子，例如可以舉出聚氯乙烯、苯乙烯(共)聚合物、聚縮醛、聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、烯烴(共)聚合物、苯氧樹脂、丙烯酸(共)聚合物等。作為烯烴(共)聚合物，例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚-l-丁烯、聚-4-甲基-l-戊烯等。作為丙烯酸(共)聚合物，例如可以舉出聚甲基丙烯酸曱酯等。就上述有機無機複合粒子而言，可以將如上述的有機粒子與無機粒子以在化學機m磨工序中不易分離的程度而形成一體，其種類、組成等沒有特別的限定。作為有機無機複合粒子，例如可以採用以下的組成(i)~(iii)。(i)在有機粒子存在的條件下，使金屬或矽的烷氧基化合物縮聚而得到的有機無機複合粒子。在此，作為金屬或矽的烷lL&化合物，例如可以舉出烷HJ^烷、烷HJ^鋁、烷fL^鈥等。在這種情況下，精製的縮聚物可以直接結合在有機粒子具有的官能團上，也可以藉助適宜的偶聯劑(例如矽烷偶聯劑等)來結合。(ii)通過靜電力結合具有符號相異的Zeta電位的有機粒子和無積4立子的有機無機複合粒子。在這種情況下，可以通過在有機粒子Zeta電位的符號與無機粒子Zeta電位的符號不同的pH範圍內將兩者混合而形成複合粒子，也可以在有積4立子的Zeta電位與無機粒子的Zeta電位的符號相同的pH範圍內將兩者混合之後，通過使液性變化至有機粒子的Zeta電位與無機粒子的Zeta電位的符號不同的pH範圍而形成複合粒子。(m)在上述(ii)的複合粒子存在的條件下，使金屬或矽的烷H^化合物縮聚而得到的有機無機複合粒子。在此，作為金屬或矽的烷lL&化合物，可以使用與上述(0的情^4i同的物質。作為(A)磨粒，在上述物質中，優選選自二氧化矽、有機粒子和有機無機複合粒子中的至少l種，特別優選二氧化矽。(A)磨粒的平均分散粒徑優選為5~500nm，更優選為20~200nm，進一步優選為50~150nm。通過使用此範圍的平均*粒徑的(A)磨粒，能夠兼顧實現適度的研磨速度與良好的被研磨麵。相對於本發明一實施方式的化學機,磨用水系M體的總量，(A)磨粒的配合量為1~10質量％，優選為2~5質量％。(A)磨粒大於10質量％時，雖然能夠提高研磨速度，但是從成本方面來看並不優選。另一方面，(A)磨粒小於l質量。/。時，研磨速度小，因此半導體生產的產量變小，因而是不優選的。l丄(B)有機酸作為(B)有機酸，優選碳原子數4以上的有機酸。其中，更優選^^、子數4以上的有機酸中的、碳原子數4以上的脂肪族有機酸和具有雜環的有機酸。作為上述碳原子數4以上的脂肪族有機酸，例如可以舉出碳原子數4以上的脂肪族多元羧酸、碳原子數4以上的羥基酸等。作為上述碳原子數4以上的脂肪族多元羧酸的具體例子，例如可以舉出馬來酸、琥珀酸、富馬酸、戊二酸、己二酸等二元有機酸。作為上述碳原子數4以上的幾基酸的具體例子，例如可以舉出杼檬酸、蘋果酸、酒石酸等。作為上述具有雜環的有機酸，例如可以舉出全啉羧酸、吡咬羧酸、吡咬二羧酸、吡^酸等。它們中，更優選會哪啶酸(例如2-壹,酸)、壹啉酸(例如2，3-吡啶二羧酸)、二元有機酸(例如馬來酸、丙二酸)、羥基酸(例如蘋果酸、檸檬酸)作為(B)有機酸，進一步優選為會啉羧酸、二元有機酸、羥基酸。(B)有機酸可以單獨使用，但更優選將兩種以上組合使用。通過將兩種以上的(B)有機酸組合使用，對銅、導電性阻擋層和絕緣層的各研磨速度沒有大的背離，其結果能夠得到被研磨體表面的良好平坦性。相對於本發明一實施方式的化學機^9f磨用水系a體的總量，(B)有機酸的量優選為0.01~5質量％，更優選為0.05~2質量％。通過使用上述範圍的配合量的(B)有機酸，能夠達到適度的研磨速度與良好的被研磨麵的兼顧。尤其是通過(B)有機酸為選自喹啉羧酸、二元有機酸、羥基酸中的至少l種、且其配合量相對於上述化學M研磨用水系^t體的總量為0.01~5質量％,能夠更可靠地達到適度的研磨速度與良好的被研磨麵的兼顧。1.3.(C)水溶性高分子作為(C)水溶性高分子，例如可以舉出聚丙烯酸及其鹽、聚曱基丙烯酸及其鹽、聚乙烯基醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯醯胺等熱塑性樹脂，其中聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸在不對磨粒穩定性產生影響方面是優選的。其中，聚丙烯酸能夠有效對本發明一實施方式的化學M研磨用水系M體賦予粘性，因此更優選.(C)水溶性高分子的重均分子量優選為50,000~5，000，000，更優選為500,000~2，500，000。(C)水溶性高分子的重均分子量為50,000以下時，對水系錄體賦予粘性的效果小，提高研磨速度的效果小。另一方面，(C)水溶性高分子的重均分子量為5,000,000以上時，水系M體的穩定性變差，而且水系M體的粘度過度上升，有時產生對研磨液供給裝置產生負荷等問題。此外，(C)7jC溶性高分子的配合量優選為0.05~2質量％，更優選為0.075~1質量％，進一步優選為0.1~0.5質量％。通過4吏用上述範圍的配合量的(C)水溶性高分子，能夠對水系M體賦予合適的粘度。(C)水溶性高分子的配合量少於0.05質量。/。時，對水系^t體賦予粘度的效果小，在低研磨壓力條件下，有時無法維持實用上足夠的研磨速度。此外，由於降低研磨摩擦的效果差，因此有時無法抑制刮痕、缺陷。另一方面，(C)水溶性高分子的配合量多於2質量％時，在i^研磨麵上形成的(C)水溶性高分子的膜變厚，萄f磨速免良而下降，因而是不優選的，而且水系^t體的粘度過度上升，可能對研磨液供給裝置產生負荷。進而，(C)水溶性高分子的配合量(B)有機酸的配合量優選為1:40~20:1，更優選為l:20~1:1。通過使(B)有機酸的配合量與(C)水溶性高分子的配合量的比例在上述範圍內，能夠更可靠地達到適度的研磨速度與良好的被研磨麵平坦性的兼顧。1.4.(D)氧化劑作為(D)氧化劑，例如可以舉出過硫酸鹽、過氧化氬、無機酸、有機過氧化物、多價金屬鹽等。作為過石克酸鹽，可以舉出過硫酸銨、過硫酸鍾等。作為無機酸，可以舉出硝酸、硫酸等。作為有機過氧化物，可以舉出過乙酸、過安息香酸、叔丁基過氧化氫等。作為多價金屬鹽，可以舉出高錳酸化合物、重鉻酸化合物等，具體而言，作為高錳酸化合物，可以舉出高錳酸鉀等，作為重鉻酸化合物，可以舉出重鉻酸鉀等。它們中，優選過氧化氫、過硫酸鹽及無機酸，在純度、操作方面，更優選過氧化氫。相對於本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^t體的總量，(D)氧化劑的配合量優選為0.01~5質量％，更優選為0.05~2質量％。通過使(D)氧化劑的配合量在上述範圍，能夠兼顧實現適度的研磨速度與良好的^L研磨麵。此外，在本發明一實施方式的化學機械研磨用水系M體中使用過氧化氬作為(D)氧化劑時，可以含有適當的具有下述功能的多價金屬離子(例如硫酸鐵水合物等)促進過氧化氫作為氧化劑的功能以及進一步使研磨速度提高的功能。1.5.(E)水本發明一實施方式的化學M研磨用水系^t體，優選使用(E)7jc作為水系介質。此外，本發明一實施方式的化學M研磨用水系^lt體除了(E)水以外，還可以含有醇、與水具有相溶性的有機溶劑。1.6.(F)表面活性劑本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^ft體還可以含有表面活性劑。作為上W面活性劑，可以舉出陽離子系表面活性劑、陰離子系表面活性劑、兩性表面活性劑、非離子系表面活性劑等，優選陰離子系表面活性劑或非離子系表面活性劑，更優選非離子系表面活性劑。作為陰離子系表面活性劑，例如可以舉出羧酸鹽、磺酸鹽、硫酸酯鹽、磷酸酯鹽等。作為羧酸鹽，例如可以舉出脂肪酸皂、烷基醚羧酸鹽等；作為磺酸鹽，例如可以舉出烷基苯磺酸鹽、)^M酸鹽、oc-烯烴磺酸鹽等；作為硫酸酯鹽，例如可以舉出高級醇石克酸酯鹽、烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鹽等；作為磷酸酯鹽，例如可以舉出烷基磷酸酯鹽等。作為非離子系表面活性劑，例如可以舉出聚乙二醇型表面活性劑、炔二醇、炔二醇的環氧乙烷加成物、炔醇等非離子系表面活性劑等。進而優選非離子系表面活性劑為分子中具有三鍵的化合物，例如可以舉出炔二醇、炔二醇的環氧乙烷加成物、炔醇等。具有三鍵的非離子系表面活性劑優選的親水親油平衡的HLB值優選320,特別優選5~20。作為具有三鍵的非離子系表面活性劑的市售品，在炔二醇中，例如可以舉出SAFINOL82(HLB值=5~7)、SAFINOL104(HLB值=3~5)(以上，AirProductsJapan乂^司制)；炔二醇的環氧乙烷加成物中，例如可以舉出SAFINOL440(HLB值=8)、SAFINOL465(HLB值=13)、SAFINOL485(HLB值=17)(以上，AirProductsJapan公司制);炔醇中，可以舉出SAFINOL61(HLB值=4~6)(AirProductsJapan公司制)。特別優選非離子系表面活性劑為下述結構式(1)所示的化合物。formulaseeoriginaldocumentpage14(式中，n和m各自獨立地為1以上的整數，並且滿足n+m^50)通過使用上述化學式(1)所示的非離子系表面活性劑，能夠在不對絕緣層的物理性質帶來損害的情況下，得到良好地平坦化的高精度的被研磨麵。此外，在上述通式(1)中，優選10^n+50，更優選20芻n+m芻40。相對於本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^fc體的總量，(C)表面活性劑的配合量優選為0.001~1質量％，更優選為0.005~0.5質量％。通過使(C)表面活性劑的配合量在上述範圍內，能夠達到適度的研磨速度與良好的糹皮研磨麵的兼顧。此外，(C)水溶性高分子的配合量(F)表面活性劑的配合量優選為1:10~200:1，更優選為1:5~10:1。通過使(F)表面活性劑的配合量與(C)水溶性高分子的配合量的比例在上述範圍內，能夠更可靠地達到適度的研磨速度與良好的被研磨麵平坦性的兼顧。1.7.其它成分本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^t體還可以適當進一步含有防腐蝕劑等的添加劑。作為防腐蝕劑，可以舉出苯並三唑及其衍生物。1.8.化學M研磨用水系^t體的pH本發明一實施方式的化學M研磨用水系^t體的pH可以在高於3的範圍使用，優選8~12，更優選9~11。通過使pH為該範圍，能夠達到適度的研磨速度與良好的被研磨麵的兼顧。尤其是通過使本實施方式的化學M研磨用水系^ft體的pH為8~12(更優選911)，由於使(C)水溶性高分子穩定地存在於被研磨麵，因此能夠進一步提高研磨速度。本實施方式的化學機械研磨用水系^體的pH可以使用pH調節劑進行調節。作為pH調節劑，可以舉出有機鹼、無機喊、無機酸。作為有機鹼，可以舉出四甲基氫氧化銨、三乙胺等。作為無機鹼，可以舉出氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉等。作為無機酸，可以舉出硝酸、硫酸等。進而，可以適當並用碳酸銨、碳酸氫銨等具有pH緩衝作用的鹽。1.9.用於製備化學機械研磨用水系^:體的試劑盒本發明一實施方式的化學機械研磨用水系*體能夠以在製備後能夠直接作為研磨用組合物使用的狀態來供給。或者，也可以預先準備好高濃度地含有上述本發明一實施方式的化學機械研磨用水系分散體的各成分的研磨用組合物(即濃縮的研磨用組合物)，在使用時稀釋此濃縮的研磨用組合物，而得到希望的化學;^研磨用水系^a體。例如可以把本發明一實施方式的化學機械研磨用水系M體分成多個液體(例如2個或3個液體)而預先準備好，在使用時混合這些多個液體來^f吏用。例如，可以4吏用以下所示的第1~第3試劑盒，通過混合多個液體而製備本發明一實施方式的化學;t^研磨用水系分散體。1.9.1.第l試劑盒第i試劑盒是混合液體(i)和液體(n)而用於製備本發明一實施方式的化學M研磨用水系M體的試劑盒。在第i試劑盒中，液體(i)是含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5，000，000的水溶性高分子和(E)水的水系分"lt體，液體(n)含有(D)氧化劑和(E)水。液體(i)或液體(n)還可以進一步含有(F)表面活性劑。在製備構成第i試劑盒的液體(i)和液體(n)時，在混合液體(i)和液體(n)所得到的水系分^:體中，為了使上述各成分的含量在上述濃度範圍內，有必要決定在液體(I)和液體(n)中所含有的各成分的濃度。此外，液體(i)和液體(n)也可以分別高濃度地含有各成分(即也可以為濃縮物)，在這種情況下，可以在使用時稀釋而得到液體(i)和液體(n)。根據第i試劑盒，通過分成液體(i)和液體(n),能夠顯著提高氧化劑的保存穩定性。採用第i試劑盒來製備本發明一實施方式的化學^研磨用水系^t體時，只要是液體(i)和液體(n)可以被分別準備、供給，而且在研磨時成為一體即可，其混合的方法和時機沒有特別的限定。例如液體(i)和液體(n)可以被分別供給研磨裝置並在研磨盤上進行混合，也可以在供給研磨裝置之前進行混合，還可以在研磨裝置內進行管道混合，或者也可以設置混合罐、在該混合罐內進行混合。而且，在管道混合時，為了得到更均勻的水系分散體，還可以使用管道混合器等。1.9.2.第2試劑盒第2試劑盒是混合液體(i)和液體(n)而用於製備本發明一實施方式的化學M研磨用水系分^t體的試劑盒。在第2試劑盒中，液體(i)是含有(A)磨粒和(E)水的水系#體，液體(n)含有(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5，000，000的水溶性高分子和(E)水。在製備構成笫2試劑盒的液體(i)和液體(n)時，在混合液體(i)和液體(n)所得到的水系分散體中，為了使上述各成分的含量在上述濃度範圍內，有必要決定在液體(i)和液體(n)中所含有的各成分的濃度。此外，液體(i)和液體(n)也可以分別高濃度地含有各成分(即也可以為濃縮物)，在這種情況下，可以在使用時稀釋而得到液體(i)和液體(n)。根據笫2試劑盒，通過分成液體(i)和液體(n),能夠提高水系M體的保存穩定性。採用第2試劑盒來製備本發明一實施方式的化學^研磨用水系*體時，只要是液體(i)和液體(n)可以被分別準備、供給，而且在研磨時成為一體即可，其混合的方法和時機沒有特別的限定。例如液體(i)和液體(n)可以被分別供給研磨裝置並在研磨盤上進行混合，也可以在供給研磨裝置之前進行混合，還可以在研磨裝置內進行管道混合，或者也可以設置混合罐、在該混合罐內進行混合。而且，在管道混合時，為了得到更均勻的水系*體，還可以使用管道混合器等。1.9.3.第3試劑盒第3試劑盒是混合液體(i)、液體(n)和液體(m)而用於製備本發明一實施方式的化學機,磨用水系M體的試劑盒。在第3試劑盒中，液體(i)是含有(a)磨粒和(e)水的水系M體，液體(n)^^有(b)有機酸、(c)重均分子量為50,000~5,000，000的水溶性高分子和(e)水，液體(m)含有(d)氧化劑和(e)7jc。在製備構成第3試劑盒的液體(i)、液體(n)和液體(m)時，在混合液體(i)、液體(n)和液體(m)所得到的水系分散體中，為了使上述各成分的含量在上述濃度範圍內，有必要決定在液體(i)、液體(n)和液體(m)中所含有的各成分的濃度。此外，液體(i)、液體(n)和液體(m)也可以分別高濃度地含有各成分(即也可以為濃縮物)，在這種情況下，可以在使用時稀釋而得到液體(i)、液體(n)和液體(m)。根據笫3試劑盒，通過分成液體(i)、液體(n)和液體(m)，能夠提高水系^t體的保存穩定性。採用第3試劑盒來製備本發明一實施方式的化學W^研磨用水系^t體時，只要是液體(i)、液體(n)和液體(m)可以被分別準備、供給，而且在研磨時成為一體即可，其混合的方法和時機沒有特別的限定。例如液體(i)、液體(n)和液體(m)可以被分別供給研磨裝置並在研磨盤上進行混合，也可以在供給研磨裝置之前進行混合，還可以在研磨裝置內進行管道混合，或者也可以設置混M、在該混M內進行混合。而且，在管道混合時，為了得到更均勻的水系M體，還可以使用管道混合器等。此外，第2和第3試劑盒中，液體(i)還可以含有選自(b)有機酸、(c)重均分子量為50,000~5，000，000的7jC溶性高分子、(d)氧化劑和(f)表面活性劑中的一種以上的成分，液體(n)還可以含有選自(a)磨粒、(d)氧化劑和(f)表面活性劑中的一種以上成分。1.10.用途本發明一實施方式的化學機械研磨用水系分散體可適用於被研磨體(例如半導體裝置)的化學機,磨。即，根據本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^t體，通過含有具有特定物性的水溶性高分子，由於具有適度的粘性，因此能夠在比通常的研磨壓力低的研磨壓力下對各種被研磨體(例如構成半導體裝置的各層)高效進行化學機械研磨，並且能夠得到充分平坦化的高精度加工面。更具體而言，本發明一實施方式的化學機械研磨用水系*體例如可適於作為用於形成上述的銅鑲嵌配線的兩階段研磨處理中的第二研磨處理工序的化學機,磨用水系^t體來使用。即，在採用上述第二研磨處理工序，在研:磨壓力低的條件下對具有配線、導電性阻擋層和絕緣層的半導體裝置進行化學機m磨時，對配線、導電性阻擋層和絕緣層(尤其是矽氧化膜系材料)具有必要的研磨速度，並且能夠高效得到具有高度平坦性的被^f磨麵。2.化學;t^研磨方法作為供給本發明一實施方式的化學M研磨方法的被研磨體，例如可以舉出具有如圖IA、圖2A和圖3A所示結構的複合^4SL^材料la、2a、3a。該複合14l原材料la、2a、3a具有例如由珪等構成的基板11;絕緣層12;設於絕緣層12上的配線用凹部20;按覆蓋絕緣層12和配線用凹部20的底部以及內壁面的方式來設置的導電性阻擋層13;以及按填充上述配線用凹部20的方式、在導電性阻擋層13上形成的金屬層14。絕緣層12可以是單層(參照圖1A)。這時，絕緣層12例如可以由含有PETEOS等的高介電常數絕緣層構成。或者絕緣層12可以具有由2層以上構成的層合結構(參照圖2A和圖3A)。這時，絕緣層12例如可以由第一絕緣層21和第二絕緣層22的層合體構成，第一絕緣層21例如由低介電常數絕緣層(例如AppliedMaterials公司制；商品名"BlackDiamond")構成，笫二絕緣層22例如由介電常數比第一絕緣層21高的高介電常數絕緣層(例如PETEOS)構成，例如可以使用四乙IU^烷通過CVD法形成。導電性阻擋層13由例如鉭、鈦、氮化鉭、氮化鈦等高熔點金屬或高熔點金屬化合物構成。金屬層14由銅或銅合金等金屬配線材料構成。此外，供給本發明一實施方式的化學機械研磨方法的被研磨體還可以例如是圖3A所示的複合M原材料3a。該複合141^材料3a可以在g11和絕緣層12之間具有例如由矽氧化物等形成的第三絕緣層31以及在該絕緣層31上形成的、例如由矽氮化物等形成的第四絕緣層32。在本發明一實施方式的化學M研磨方法中，可以按照例如以下的順序研磨複合M原材料la。首先，在第一研磨處理工序中，採用第一研磨用水系^fc體，對金屬層14進行化學;^研磨直到導電性阻擋層13露出為止(參照圖1B)。然後，在第二研:磨處理工序中，採用本發明一實施方式的化學機械研磨用水系^t體進行化學機械研磨，將除了導電性阻擋層13中配線用凹部20的底部及內壁面以外的部分除去。由此，得到高度平坦化的鑲嵌配線結構體l(參照圖1C)。此外，在本發明一實施方式的化學機械研磨方法中，可以按照例如以下的順序研磨複合^原材料2a、3a。首先，在笫一研磨處理工序中，採用第一研磨用水系*體，對金屬層14進行化學;bl^9f磨直到導電性阻擋層13露出為止(參照圖2B和圖3B)。然後，在第^磨處理工序中，採用本發明第1種實施方式的化學機械研磨用水系M體進行化學機械研磨，除去導電性阻擋層13中配線用凹部20的底部及內壁面以外的部分。這時，第二絕緣層22的表面也被研磨而除去，從而得到高度平坦化的鑲嵌配線結構體2、3(參照圖2C、圖2D、圖3C、圖3D)。作為第一研磨用水系^:體，可適當地使用按重量比l:1:2:4的比例將CMS7401、CMS7452(均為JSR公司制)、離子交換水和4重量％過硫酸銨水溶液混合而成的水系M體。採用本發明一實施方式的化學機械研磨方法的研磨，可以使用市售的化學機^f磨裝置(例如LGP510、LGP552(以上為LapmasterSFT公司制)、EPO-112、EPO-222(以上均為荏原製作所制)、Mirra(AppliedMaterials公司制)、AVANTI-472(i-PEC公司制)等)，在公知的研磨條件下進行。作為優選的研磨條件，應根據使用的化學;t0^if磨裝置而適當地設定，例如在使用EPO-112作為化學M研磨裝置時，第一研磨處理工序和第二研磨處理工序均可以設定成下述的條件研磨盤轉數優選30120rpm，更優選40100rpm研磨頭轉數優選30120rpm，更優選40~100卬m研磨盤轉lt/研磨頭轉數之比優選0.5~2,更優選0.7~1.5研磨壓力優選60200gf/cm2，更優選100~150gf/cm2化學機,磨用水系^t體的供給速度優選50300ml/分鐘，更優選100200ml/分鐘。3.實施例以下，通過實施例說明本發明，但本發明不受下述實施例的任何限定。3.1.含有無機粒子的水*體的製備3.1.1.含有熱解法二氧化矽粒子的7jc^t體的製備用超聲波^t機使2kg熱解法二氧化^^子(JAPANAEROSIL公司制，商品名"AEROSIL#90"，平均一次粒徑為20nm)介軟於6.7kg離子交換水中。將其用孔徑為5nm的過濾器過濾，從而得到含有熱解法二氧化矽粒子的水^t體。在此水*體中含有的熱解法二氧化矽的平均二次粒徑為220nm。3.1.2.含有膠體二氧化^^立子的水分散體的製備3.1.2-1.含有膠體二氧化^子Cl的水*體的製備將70質量份濃度為25質量％的氨水、40質量份離子交換水、170質量份乙醇以及20質量份四乙IU^烷^燒瓶中，在轉速為180rpm下一邊攪拌一邊升溫到6ox:。一邊把溫度保持在6or:，一邊繼續攪拌2小時，然後冷卻至室溫。由此，即得膠體二氧化碰粒子的醇*體。接著釆用旋轉式蒸發器，一邊把得到的*體的溫度保持在80匸，一邊不斷地添加離子交換水來除去醇部分，反覆幾次該操作。通過該操作，製成了含有20質量％膠體二氧化珪粒子Cl的水M體。該水分散體中含有的膠體二氧化矽粒子Cl的平均一次粒徑為25nm，平均二次粒徑為40nm,平均締合度為1.6。3.1.2-2.分別含有膠體二氧化>!^^立子C2和C3的水M體的製備在上述"3.1.2-1.含有膠體二氧化矽粒子Cl的水^t體的製備，，中，除了將25質量％的氨水、乙醇以及四乙IUJ^烷的使用量設為如表1所示之外，其它與上述含有膠體二氧化矽粒子的水^:體的製備同樣地實施，分別製成了含有膠體二氧化矽粒子C2和C3的水*體。表lformulaseeoriginaldocumentpage213.2.含有有機無機複合粒子的水*體的製備3.2.1含有經表面處理的有機粒子的水^t體的製備將90質量份曱基丙烯酸曱酯、5質量份曱fL^聚乙二醇甲基丙烯酸酯(新中村化學工業(抹)制，商品名"NKEsterM-卯G"，#400)、5質量份4-乙烯基吡啶、2質量份偶氮系聚合引發劑(和光純藥工業(林)制，商品名"V50")以及400質量份離子交換水^燒瓶中，在氮氣氣氛下一邊攪拌一邊升溫到70"C。在該溫度下不斷攪拌保持6小時。通過用離子交換7jc^釋該反應混合物，得到含聚曱基丙烯酸甲酯系粒子10質量％的水分散體，該聚曱基丙烯酸甲酯系粒子具有氨基陽離子和含聚乙二醇鏈的官能團、且平均粒徑為150nm。聚合收率95%。將100質量份該水^t體裝入燒瓶中，向其中添加1質量份曱基三甲M^:烷，並在40X:攪拌2小時。然後，通過添加l當量的硝酸7jC溶液而調整pH值至2.0，得到含有經表面處理的有機粒子的水^t體。在此水^t體中含有的經表面處理的有機粒子的zeta電位為+17mV。3.2.2.含有無^子(膠體二氧化^子)的水M體的製備^!^體二氧化珪粒子(日產化學(林)制，商品名"SNOWTEXO"，平均一次粒徑為12nm)^t於水中，並向其中添加1當量氫氧化鍾水溶液而調整pH，從而得到含有10質量％膠體二氧化矽粒子的pH值為8.0的水錄體。該7jC^t體中含有的膠體二氧化珪粒子的Zeta電位為-40mV。3.2.3.含有有機無機複合粒子的水#體的製備在上述"3.2.1.含有經表面處理的有機粒子的水*體的製備"中製成的水^t體100質量份中，一邊攪拌一邊用2小時緩慢地添加在上述"3.2.2.含有無機粒子(膠體二氧化矽粒子)的水^t體的製備"中製成的水M體50質量份，然後進一步攪拌2小時，從而得到含有在聚曱基丙烯酸曱酯系粒子上附著有二氧化矽粒子的水g體。接著，向得到的水a體中添加2質量份乙烯基三乙lL^烷，攪拌1小時後，進一步添加1質量份四乙IU^烷。使其升溫至60匸，繼續攪拌3小時之後，冷卻至室溫，從而製成了^^有10質量％平均粒徑為180nm的無機有機複合粒子的水*體。用掃描型電子顯微鏡觀察在此水分散體中含有的無機有機複合粒子，發現在聚曱基丙烯酸甲酯系粒子的80%表面上附著有二氧化矽粒子。3.3.含有(C)水溶性高分子的水溶液的製備3.3.1.含有聚丙烯酸鹽Pl的水溶液的製備在回流下一邊攪拌一邊用8小時向裝有離子交換水1000g和5質量％過硫酸銨水溶液lg的內容積為2升的容器中勻速地滴加20質量％的丙烯酸7JC溶液500g。滴加結束後，進一步保持2小時回流，從而得到含有重均分子量(Mw)為1100000的聚丙烯酸的水溶液。向其中緩慢地加入10質量％氫氧化鉀水溶液而中和溶液，從而製成含有10質量％的聚丙烯酸鹽Pl(重均分子量(Mw)為1100000的聚丙烯酸鉀)的卩117.5的水溶液。在本實施例中，重均分子量(PEG換算分子量)和分子量分布通過^;滲透色鐠(裝置名Waters公司制LCMODULE-l，檢測器Waters公司制410型差示折射率計)進行測定。作為色鐠柱使用東曹(林)制的TSKot-M，洗脫液使用0.1MNaCl水溶'^/乙腈=80/20的混合液。3.3.2.分別含有聚丙烯酸鹽P2~P4的水溶液的製備在上述"3.3.1含有聚丙烯酸鹽Pl的水溶液的製備"中，除了將使用的過硫酸銨的使用量設為如表2所示之外，其它與上述同樣地實施，製成了分別^^有10質量。/。的聚丙烯酸鹽P2-P4(聚丙烯酸鉀)的pH7,5的水溶液。此外，製造聚丙烯酸鹽P2~P4時，作為聚丙烯酸的中和劑，使用氫氧化鈉或銨來代替氫氧化鍾水溶液。表2tableseeoriginaldocumentpage233.3.3.含有聚乙烯吡咯烷酮的水溶液的製備聚乙烯吡咯烷酮使用BASF公司制商品名"K60"，重均分子量為約350,000的固體成分濃度20%的水溶液。3.4.實施例l3.4.1第二研磨用水系^體(本發明的化學機械研磨用水系^t體)的製備將按二氧化矽換算相當於2質量。/。的量的在上述"3丄2-2.分別含有膠體二氧化>^^立子C2和C3的水^t體的製備"中製成的含有膠體二氧化矽粒子C2的水^t體裝入聚乙烯制的瓶中，向其中依次加入1質量％丙二酸、0.5質量％查哪啶酸、0.1質量％炔二醇型非離子系表面活性劑(商品名"SAFINOL485",AirProductsJapan公司制，上述通式(1)中m+n=30)以及0.2質量％會哪啶酸，然後添加按聚合物量換算相當於0.5質量％的量的含有(C)水溶性高分子(在上述"聚丙烯酸鹽的水溶液的製備"中製成的聚丙烯酸P2)的水溶液，進而依次投入氫氧化鉀0.9質量%和按過氧化氫換算相當於0.6質量％的量的35質量Y。的過氧化氫7jC溶液，並攪拌15分鐘。接著加入離子交換水至全部組成成分的合計量達到100質量％之後，用孔徑為5pm的過濾器進行過濾，從而得到pH9.3的第二研磨用水系^t體Sl。3.4.2.第二習f磨用水系^R體的研磨性能的評價3.4.2-1.無圖案狄的研磨試驗在化學機械研磨裝置((林)荏原製作所制，型號"EPO112")上安裝多孔聚氨酯制研磨墊板(MttaHaas(林)制，商品號"IC1000"),—邊供給上述第二研磨用水系分散體，一邊在下述研磨條件下，對下述各種研磨速度測定用M進行1分鐘的化學M研磨處理，並用下述方法算出研磨速度'(i)研磨速度測定用M在8英寸帶有熱氧化膜的^J41上設有膜厚為15000A的銅膜的a。在8英寸帶有熱氧化膜的^i4l上設有膜厚為2000A的鉭膜的基板。在8英寸帶有熱氧化膜的矽基tl上設有膜厚為2000A的氮化鉭膜的紘'在8英寸^J41上設有膜厚為10000A的低介電常數絕緣層(AppliedMaterials7>司制；商品名"BlackDiamond")的基tl。在8英寸矽a上設有^f為IOOOOA的PETEOS膜的141。(ii)研磨糾研磨頭轉數70rpm研磨頭荷重150gf/cm2-研磨臺(table)轉數70rpm.笫二研磨用水系*體的供^^度200ml/分鐘(iii)研磨速度的計算方法對於銅膜、鉭膜及氮化鉭膜，採用導電式膜厚測定器(KLA-Tencor(林)制，型號"OmniMapRS75")測定出研磨處理後的膜厚，從由化學M研磨減少的膜厚和研磨時間算出研磨速度。對於PETEOS膜和低介電常數絕緣膜，用光幹涉式膜厚測定器(NanometricsJapan公司製造，型號"NanoSpec6100")測定研磨處理後的膜厚，從由化學M研磨減少的J^享和研磨時間算出研磨ily變。(iv)研磨速度研磨速度示於表3。在表3中，各層的研磨速度以以下簡稱表示。■銅膜的研磨速度…Rcu■鉭膜的研磨速度…RTa氮化鉭膜的研磨速度…Rr^PETEOS膜的研磨速度…Rm-i-低介電常數絕緣層(商品名"BlackDiamond")的研磨速度…R！『23.4.2-2.帶圖案絲的研磨試驗在化學機械研磨裝置((林)荏原製作所制，型號"EPO112")上安裝多孔聚氨酯制研磨墊板(NittaHaas(林)制，商品號"IC1000")，將下述2種帶圖案14l在下述研磨條件下分別進行兩階段的化學;W9f磨處理。(i)帶圖案M■使用如下製成的帶圖案基H(ATDF公司制)在>^板上堆積氮化珪膜IOOOA，在其上依次層合低介電常數絕緣層(BlackDiamond膜)4500A、然後是PETEOS膜500A後，形成由各種圖案構成的凹部，在其上依次層合鉭膜(厚度250A)、銅晶種膜(膜厚1000A)及銅鍍膜(厚度IOOOOA)。(ii)第一研磨處理工序的研磨M-作為笫一研磨用水系^t體，使用按重量比1:1:2:4的比例將CMS7401、CMS7452(均為JSR(林)制)、離子交換水和4重量％過硫酸銨水溶液混合而成的水系分^t體。第一研磨用水系M體的供^ii度200ml/分鐘研磨頭轉數70rpm^f磨頭荷重250gf/cm2研磨臺轉數70rpm研磨時間2.75分鐘(iii)第二研磨處理工序的研磨*-化學M研磨用水系分散體的種類在上述"3.4.1.第二研磨用水系^:體(本發明的化學機械研磨用水系M體)的製備"中製成的笫二研磨用水系^t體。第二研磨用水系M體的供給速度200ml/分鐘研磨頭轉數70rpm研磨頭荷重150gf/cm2研磨臺轉數70rpm研磨時間63秒和111秒此外，除去鉭膜後，在如下兩個條件下進行^9f磨研磨時間(A):將PETEOS膜研磨除去相當於300A後結^9f磨；以及研磨時間(B):通過研磨除去PETEOS膜，進而繼續研磨30秒後結束研磨。一研磨時間(A)={250(A)/鉭膜的研磨速度(A/分鐘)+300(A)/PETEOS膜的研磨速度(A/秒)}x60(秒)}一研磨時間(B)={250(A)/鉭膜的研磨速度(A/分鐘)+500(A)/PETEOS膜的研磨速度(A/秒))x60(秒)+30(秒)}此外，研磨時間(A)和(B)是基於無圖案基昧的研磨速度算出研磨帶圖案^時的研磨時間而得的，各情況的結果示於表3在第二研磨處理結束W，研磨時間(A)的情況下，位於PETEOS膜最上面的上方的剩餘導電性阻擋層被^P除去，從而推斷處於PETEOS膜的上表面露出的狀態。另一方面，研磨時間(B)的情況下，還進一步除去PETEOS膜，從而推斷處於低介電常數絕緣層露出的狀態。對於兩階段研磨之後的帶圖案J^的被研磨麵，用高解析度輪廓儀(KLA-Tencor(林)制，型號"HRP240ETCH")，測定線寬100pm的銅配線部分的凹陷量(A);以及銅配線寬(線)/絕緣層寬(間隔)為9jim/1nm的微細配線連續1000nm的部分的腐蝕量(A)。進而用光學顯微鏡進行亮視野觀察，觀察被研磨麵膜剝離的有無。同時進行暗視野觀察，觀察14l上的特定部位(鍵合點(bondingpad);對120jim見方的銅埋入部分，沿141直徑方向分為750個)中的研磨傷痕(刮痕)的有無。3.5.實施例2~10、比較例1~5在實施例1中，第二研磨用水系^t體的各成分的種類和配合量設為如表3所示，除此之夕卜與實施例l同樣地進行，製備第二研磨用水系^t體S2-S15。對於實施例1~9和比較例1~3中使用的第二研磨用水系分^t體S1~S9、S11~S13，使用氫氧化鉀進行pH調節。另一方面，對於實施例10和比較例4、5中使用的第二研磨用水系^:體S10、S14、S15，未進行使用酸或鹼的pH調節。在實施例2~10以及比較例1~5中，進行與實施例1同樣的研磨性能評價。作為實施例4和8中的(F)表面活性劑，4吏用烷基醚型非離子系表面活性劑(商品名"EMULGEN147",花王林式會社制)。此外，對於比較例3，除了僅改變研磨壓力之外，進行與實施例1同樣的評價。其結果示於表3。[表31tableseeoriginaldocumentpage29體，在對形成於半導體a的絕緣層進行化學機,磨時，能夠顯著提高研磨速度，能夠防止祐:研磨麵的刮痕和凹陷的產生，並且能夠高效地得到具有高度平坦性的被研磨麵。與此相對，使用比較例i4的化學^Ofe研磨用水系^t體時，未能提高研磨速度。作為其原因，可以認為是比較例l、4、5的化學M研磨用水系^lt體不含重均分子量50,000~5，000，000的7jc溶性高分子，比較例2不含水溶性高分子，不具有適度的粘度，因此研磨速度低。此外，不含7jC溶性高分子的比較例2中刮痕也多。比較例3通過改變研磨壓力而使研磨速度提高，因此刮痕多，還發生膜剝離。比較例4、5是僅改變了比較例1的pH的例子，可知比較例4中銅的研磨速度相對於絕緣膜變得過剩，比較例5中絕緣膜的研磨速度相對於銅的研磨iiJL變得過剩，與比較例1相比，平坦性受損。此外，還可以了解到，實施例6和7的化學^研磨用水系*體中，由於(C)水溶性高分子的配合量不在0.05~2質量％這個優選範圍，因此研磨速度略低，研磨時間長。權利要求1.一種化學機械研磨用水系分散體，其特徵在於，含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化劑和(E)水，並且所述(C)水溶性高分子的重均分子量為50,000～5,000,000。2.根據權利要求l所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(C)水溶性高分子為聚(曱基)丙烯酸或其鹽。3.根據權利要求1或2所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(C)7JC溶性高分子的配合量為0.05~2重量％。4.根據權利要求1~3中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，pH為8~12。5.根據權利要求1~4中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(B)有機酸為選自會啉羧酸、二元有機酸及羥基酸中的至少l種，其配合量為0.01~5質量％。6.根據權利要求1~5中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(C)水溶性高分子的配合量與所述(B)有機酸的配合量之比為1:40~20:1。7.根據權利要求1~6中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，還含有0.001~1質量％的(F)表面活性劑。8.根據權利要求7所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(C)水溶性高分子的配合量與所述(F)表面活性劑的配合量之比為1:10~200:1。9.根據權利要求7或8所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(F)表面活性劑為非離子系表面活性劑。10.根據權利要求1~9中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(A)磨粒的配合量為1~10質量％。11.根據權利要求1~10中任一項所述的化學機械研磨用水系分散體，其中，所述(A)磨粒為二氧化矽。12.—種用於制^^學^研磨用水系^t體的試劑盒，是將液體(i)和液體(n)混合，從而用於製備權利要求i~ii中任一項所述的化學機;fe^f磨用水系^t體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)重均分子量為50，000~5，000，000的水溶性高分子和(E)水的水系^ft體，所述液體(n)含有(D)氧化劑和(E)水。13.—種用於制名—匕學^研磨用水系分散體的試劑盒，是將液體(i)和液體(n)混合，從而用於製備權利要求i~ii中任一項所述的化學機自磨用水系M體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(A)磨粒和(E)水的水系M體，所述液體(II)含有(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子和(E)水。14.一種用於制名^匕學^研磨用水系分散體的試劑盒，是將液體(i)、液體(n)和液體(m)混合，從而用於制名^權利要求i~ii中任一項所述的化學M研磨用水系^:體的試劑盒，其中，所述液體(I)是含有(A)磨粒和(E)水的水系M體，所述液體(n)含有(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子和(E)水。所述液體(m)含有(D)氧化劑和(E)水。15.根據權利要求13或14所述的用於製備化學^研磨用水系分散體的試劑盒，其中，所述液體(I)還含有選自(B)有機酸、(C)重均分子量為50,000~5,000,000的水溶性高分子、(D)氧化劑和(F)表面活性劑中的一種以上的成分。16.根據權利要求13~15中任一項所述的用於製備化學^0^研磨用水系*體的試劑盒，其中，所述液體(n)還^^有選自(A)磨粒、(D)氧化劑和(F)表面活性劑中的一種以上的成分。17.—種化學機械研磨方法，包括使用權利要求1~11中任一項所迷的化學機械研磨用水系^t體，以60~200gf/cm2的研磨壓力對該被研磨體進行化學機,磨的工序。全文摘要本發明提供一種化學機械研磨用水系分散體，含有(A)磨粒、(B)有機酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化劑及(E)水，並且所述(C)水溶性高分子的重均分子量為50,000～5,000,000。文檔編號B24B37/04GK101410956SQ20078001157公開日2009年4月15日申請日期2007年3月27日優先權日2006年4月3日發明者仕田裕貴,池田正俊,竹村彰浩申請人:Jsr株式會社