噴墨列印頭的製作方法

2023-06-01 21:35:31

專利名稱：噴墨列印頭的製作方法
技術領域：
本發明涉及熱噴墨列印頭，具體而言，涉及與列印噴嘴個體相關 的驅動電路。
背景技術：
熱噴墨列印是一種廣泛使用的列印技術。典型的墨噴印表機包括 至少一個列印墨盒，其中，形成小墨滴，並使其朝向紙或任何其他打 印介質噴射，從而在該介質上形成圖像。常將最接近列印介質的墨盒 部分稱為列印頭。其含有在其內鑽取了由微小噴嘴構成的陣列的孔 板。臨近每一噴嘴設有墨室，在形成小墨滴之前，將墨水存儲在所述 墨室內。
每一墨室設有熱換能器，所述熱換能器通常具有歐姆薄膜電阻的 形式。通過迅速加熱存儲在墨室內的墨水而完成噴墨。墨水的迅速膨 脹迫使墨室中的一部分墨水以墨滴的形式通過所述噴嘴。破裂的氣泡 在墨室內建立了真空，從而引起墨水從墨盒內的墨水容器再次填充到 墨室當中，所有的墨室均與所述墨水容器流體相通。補充的墨水冷卻 了電阻器、室壁和噴嘴，因而再次填充和冷卻使其做好了在下一次激 活加熱電阻器時形成下一墨滴的準備。
在基於CMOS矽晶片技術的常規熱噴墨列印頭中，在形成於矽 襯底上的薄膜內澱積熱換能器，所採用的電阻材料通常為金屬合金。
圖1以示意圖的形式示出了已知列印頭的第一例子，其提供了具 有薄膜電阻加熱器2和對其加以驅動的電晶體4的噴嘴1。在這一例 子中，釆用常規矽IC工藝在晶片6上製造電晶體。
為了避免電阻材料和墨水之間發生化學反應，至少要採用一個通 常由氮化矽構成的惰性、耐熱鈍化層覆蓋所述熱換能器及其金屬端 子。可以在鈍化層的頂部澱積空化層，以降低對鈍化層和電阻器層的
機械損傷，所述機械損傷可能是由於在墨滴噴射之後重新填充墨水 時，進入墨室的墨水的衝擊導致的。
將熱換能器的一個端子連接至電源電壓，將另一個端子連接至驅 動電晶體的漏極，將驅動電晶體的源極連接至公共地。使針對每一噴 嘴的列印數據能夠在電晶體柵極處可得，從而根據所要列印的數據， 使熱換能器按照特定順序在開啟、關閉之間切換。驅動電晶體與熱換 能器相鄰，並且將其與熱換能器製造在同一襯底上。
可以採用很多種不同的技術形成驅動電晶體。所述電晶體的溝道 必須足夠寬，從而使其導通狀態下的電阻與熱換能器的電阻相比小。 這確保了外部電源電壓幾乎全部跨越導通狀態下的熱換能器降落，由 此使電晶體中的能量損失降至最低。在截止狀態下，電源電壓幾乎全 部跨越電晶體溝道降落。非常重要的一點是，電晶體在該電壓下的漏 電流充分低，以防止在與墨室相鄰的電晶體的散熱作用下墨水溫度顯 著升高。
為了提供高列印處理能力和高列印解析度，新型列印頭的噴嘴數
量通常為幾百，噴嘴間距為20-200pm。高噴嘴數量和小間距的結合 使得採用外部邏輯電路對開關電晶體單獨尋址不切實際，因為其要求 為每一噴嘴設置一個接觸焊盤。因此，新型列印頭具有嵌入到列印頭 襯底上的邏輯電路，所述邏輯電路是在製造開關電晶體的過程中製造 的。所述集成邏輯電路具有單一、串行列印數據輸入，由此顯著降低 了外部接觸焊盤的數量。
對於具有非常高的噴嘴數量的高級列印頭而言，提出了採用多晶 矽薄膜電晶體(TFT)技術。
在多晶矽列印頭中，多晶矽島提供了溝道、源極、漏極和場釋放 區。它們是通過利用化學氣相澱積在襯底上澱積非晶矽(a-Si)，隨後 實施摻雜劑注入和利用雷射的a-Si結晶或本領域已知的其他結晶技 術而形成的。由於襯底不是TFT的部分，而只是提供機械支撐，因 而可以採用玻璃、塑料薄片或鋼箔等寬範圍的襯底材料。
在多晶矽島的頂部製造柵極氧化物和柵極金屬。澱積通過介質層 隔離的其他金屬層，並對其進行光刻界定，使之連接至源極、漏極和
柵極，並布設列印頭內的信號線和電源線。
所述熱換能器也由多晶矽構成，並且在優選工藝流中，通過與用
於TFT的多晶矽島相同的加工步驟製造所述換能器。在多晶矽島的 中央部分注入界定熱換能器的低劑量區，兩個高劑量區界定了連接至 換能器的導電跡線。
在當前的批量生產設施中，多晶矽技術採用尺寸為0.5-21112的大 的矩形襯底。其能夠製造出具有非常寬的噴嘴陣列的列印頭，具體而 言，所述噴嘴陣列的寬度等於典型的列印介質(A4或B4紙)的寬度。 紙張寬度的列印頭的主要優點在於，它們消除了像當前辦公室應用中 採用的墨噴印表機那樣移動列印墨盒的需要。另一個優點是提高了打 印處理能力。由於常規列印頭是製造在小的、圓矽晶片上的，因而常 規技術無法製造出紙張寬度的列印頭。
在基於Si晶片CMOS技術的常規燃燒室設計中，在電阻層的頂 部界定導電跡線，以提供兩個到熱換能器的連接。這裡，常規設計在 燃燒室層內兩個金屬跡線終止的位置具有兩個突變的階梯。在噴墨打 印領域，眾所周知，在列印過程中的恆定溫度循環的作用下以及在墨 滴噴射之後由墨水重新填充墨室引起的動量的作用下，這些臺階易於 劣化。在多晶矽工藝中，在同一多晶矽層內製造熱換能器及其端子， 從而形成了共面結構。這樣做提高了成品率，並且能夠使用較薄的鈍 化層和空化層，這樣又能降低形成墨滴所需的能量。
儘管將多晶矽技術用於熱噴墨列印是非常具有吸引力的，因為如 上文所述其能夠實現紙張寬度列印，並且能夠提高燃燒室內的成品 率，但是多晶矽技術的引入也帶來了很大的缺陷，這一缺陷與多晶矽 TFT的高導通電阻有關。
與噴嘴間距(20-200拜)相比，打火電晶體的寬度必須非常大。 對於這一點原因有二。首先，對於每個噴嘴形成墨滴所需的功率高達 2瓦，這意味著必須具備低導通電阻，以提供足夠高的電流。其次， 電晶體的導通電阻應當小於熱換能器的電阻的10%，以確保電壓降幾 乎完全發生在換能器上。
與熱噴墨列印有關的關鍵技術問題之一是如何使非常寬的打火
電晶體與小噴嘴間距適配。對於其內的打火電晶體是採用多晶矽技術
而不是在矽晶片上採用常規CMOS技術製造的列印頭尤其如此。這
是因為，多晶矽TFT具有較高的閾值電壓，需要更長的溝道，並且
具有較低的遷移率。因此，它們提供了比常規CMOS電晶體更低的
每溝道寬度的導通電流。假設噴嘴功率為1W，並且向熱換能器施加
20V的電源電壓，那麼就典型的TFT參數(溝道長度為4um，閾值
電壓為2V，遷移率為150cmVVs，柵極電壓為15V)而言，溝道寬度
具有幾毫米的量級。此外，在多晶矽技術中，在更大設計規則的影響
下，最小特徵尺寸(具體而言為最小間隔和接觸孔尺寸)也變得更大。
一種降低所需的溝道寬度的方法在於提高電源電壓。為了使功率
保持恆定，還必須提高熱換能器的電阻，這意味著，具有較小寬度的
TFT足以確保其導通電阻與熱換能器的電阻相比仍為小電阻。由於對
於固定功率而言，加熱器的電阻與電源電壓的二次方成正比，所需的
電晶體寬度隨電壓平方的倒數降低。因而，提高電壓是一種確保晶體 管與小噴嘴間距匹配的非常有效的方式。
但是，儘管提高電壓降低了 TFT尺寸，但是也降低了其壽命， 因為更高的電壓將導致電晶體在雪崩效應、熱載流子效應和自發熱的 影響下而發生劣化。在全部電壓均在TFT溝道的兩端降落時的截止 狀態下尤其如此。

發明內容
根據本發明，提供了一種包括由每者與相應的列印頭噴嘴相關的 列印頭加熱器電路構成的陣列的噴墨列印頭，其中，每一加熱器電路 包括加熱器裝置和用於驅動通過所述加熱器裝置的電流的驅動晶體 管，所述加熱器裝置和所述驅動電晶體串聯在電源線之間，其中，所 述加熱器裝置包括多個串聯的二極體元件。
所述二極體元件具有固有電阻，以提供所需的加熱，但是跨越二 極管元件的電壓降能夠使處於截止條件下的電晶體兩端的電壓降低。 其實現了電晶體的尺寸的降低和/或能夠採用更高的電源電壓。
所述驅動電晶體優選包括多晶矽薄膜電晶體，於是，所述加熱器
裝置包括由多晶矽層形成的二極體。這使得加熱器能夠由與電晶體所 需的工藝步驟相同的工藝步驟形成。
所述二極體元件優選包括橫向p-n結二極體，其p型和n型結是 由公共的多晶矽層形成的。
本發明還提供了一種製造用於噴墨列印頭的列印頭加熱器電路 陣列的方法，所述電路設置於公共襯底之上，所述方法包括
在所述公共襯底上提供電介質層；
在所述電介質層上澱積非晶矽層；
處理所述非晶矽層以形成多晶部分；
執行多種摻雜操作，從而在所述多晶矽部分內界定源極、柵極和 漏極電晶體區，以及界定用於p-n結二極體的n型和p型區；
在所述摻雜多晶矽層上提供柵極電介質層；
在所述柵極電介質層上提供柵極導體層，並由所述柵極導體層至 少界定柵極端子；以及
提供其他電介質層。
所採用的界定電晶體的場釋放區的摻雜工藝可以與用於n型p-n 結二極體區的摻雜工藝相同。
也可以採用另一種摻雜工藝界定P型p-n結二極體區，並將同樣 的摻雜工藝應用於控制電路的P型電晶體的源極區和漏極區。
這些措施能夠實現在不需要額外的工藝步驟或只需要最少的額 外工藝步驟的情況下實施本發明。


現在將參考附圖詳細說明本發明的例子，其中
圖1示出了已知的、在矽晶片上製造的列印頭電路；
圖2示出了本發明的列印頭電路；以及
圖3到圖5示出了用來製造本發明的列印頭的過程。
具體實施例方式
圖2示出了本發明的加熱器電路個體的示意性電路圖。
所述加熱器電路包括薄膜電晶體TFT 10和加熱裝置12。本發明 採用的加熱器元件具有多個二極體元件12串聯的形式。在優選實現 中，所述串聯的二極體14以交替的方式按照正向偏置和反向偏置工 作。在任何一對相鄰二極體14之間設有電阻16，在串聯結構的每一 末端設有一個電阻器。但是，在下文所述的優選實施例中，這些電阻 器不是分立元件，而是二極體特徵的一部分。
具體而言，所述二極體由多晶矽島形成，在下文中將對其做更為 詳細的說明。將所述p和n結設計為使它們的擊穿電壓充分低，從而 使所有的反偏二極體在指定電源電壓下均在擊穿區工作，而不管TFT 10處於導通狀態還是截止狀態。此外，選擇所有的p區和n區的注 入劑量和尺寸，從而使它們的組合電阻比TFT IO的導通電阻高得多 (例如至少高10倍)。
例如，這些二極體可以是電阻性橫向薄膜二極體。
在切換熱換能器的TFT處於截止狀態時，外部電源電壓的相當 大的部分將跨越二極體結降落，這意味著降低了跨越TFT溝道的電 壓。因而，其允許在不犧牲TFT穩定性的情況下採用更大的電源電 壓Vs。因此，能夠降低TFT的寬度，這樣更易於設計用於高解析度 印表機的、具有小噴嘴間距的列印頭。
在本發明的優選實現中，將打火TFT IO實現為在澱積於襯底上 的多晶矽島內界定的溝道、源極、漏極和場釋放區。在多晶矽島的頂 部具有柵極氧化物和柵電極。將所述源極連接至公共地GND，將所 述漏極連接至所述加熱器裝置12的一個端子，所述加熱器裝置12靠 近TFT 10，並與之位於同一襯底上。將熱換能器的第二端子連接至 外部電源電壓Vs。在同一襯底上製造邏輯電路(未示出)，從而使 TFT柵極可以得到列印數據。
與TFT類似，加熱器裝置12也包括多晶矽島。採用標準光刻技 術，通過離子注入在這一島內形成橫向p-n結和n-p結。將所述p區 和n區界定為使所述多晶矽島呈現出交替的pn和np 二極體的串行連 接，所述串聯結構的一端連接至TFT漏極，另一端連接至電源電壓。 每一 n區和p區具有一定的電阻，所述電阻取決於注入劑量和該區域 的尺寸。
首先將描述電路的操作，之後將給出採用薄膜加工技術的電路制 造的例子。
首先，將說明處於導通狀態的電路操作。對於足夠高的電源電壓
Vs和高注入電流而言，跨越每一二極體結的電壓降將延伸到其p區 和n區內，從而導致跨越這些電阻區的歐姆壓降。跨越所述結的電壓 降自身將變得無足輕重。跨越所述電阻區的電壓降導致了引起墨水汽 化和墨滴噴射的所需熱耗散(以常規方式)。
接下來，將說明處於截止狀態的電路操作。在採用具有單個均勻 的電阻多晶矽區的形式的加熱器時，如在常規設計中那樣，漏極處的 電壓等於外部電源電壓。但是，在圖2的電路中，降低了TFT漏極 處的電壓，降低量為處於反偏操作的二極體的擊穿電壓以及針對正向 操作的每一二極體的額外的小量(每個二極體約為0.2-0.7V)之和。
這一擊穿電壓通常處於2-10V的範圍內，電源電壓處於20-70V 的範圍內。用於所述二極體的多晶矽島的寬度和長度為十到幾十微 米。
因而，圖2的電路能夠以更高的電源電壓工作，同時又不會由於 熱載流子劣化而導致截止狀態下的TFT劣化。更高的電源電壓意味 著能夠提高熱換能器的總電阻，其能夠降低TFT溝道寬度。由於對 於固定功率而言，熱換能器的電阻與電源電壓的二次方成正比，所需 的TFT寬度隨電壓平方的倒數降低。因而，向多晶矽熱換能器島內 引入二極體結構是確保打火TFT與高解析度噴墨列印所需的小噴嘴 間距匹配的非常有效的方法
技術領域：
本發明的另一個具有吸引力的特徵在於，能夠在不需要任何專門 用來形成二極體結構的額外工藝步驟的情況下實施本發明。製造針對 熱換能器的多晶矽島所採用的工藝步驟可以與針對TFT島的加工步 驟相同，在本發明的優選實施例中，可以通過優化加工流程而使二極 管熱換能器採用與TFT源極、漏極或場釋放區相同的n和p注入。
圖3到圖5示出了針對本發明的一個優選實施例的工藝流程。這 一實施例是以場釋放區完全被柵極覆蓋的非自對準n型TFT架構為
基礎的。圖3到圖5示出了製造過程中的漸進階段，為簡化起見，一 般不再重複在不同附圖中出現的特徵的附圖標記。
在多晶矽工藝中，襯底30隻為多晶矽電路提供機械支撐。與常 規Si晶片工藝不同的是，其不構成電晶體的任何部分。因此，可以 採用各種襯底，例如，玻璃、塑料薄片或金屬箔。在針對顯示器應用 的多晶矽批量生產過程中，採用厚度通常為0.4mm，尺寸處於0.5到 2m2之間的玻璃薄板。
在襯底上澱積電介質層的疊層32，所述疊層通常為位於SiNx頂 部的SiOx，繼之以典型厚度為20-100nm的a-Si層34。
典型地，通過通常在400。 C的溫度下的熱退火使a-Si膜的氫含 量降低到典型的3%。電介質疊層32的氮化物層防止成分(例如，硼、 磷、Na)從襯底30擴散到澱積層34內，具體而言，防止其擴散到 形成TFT的多晶矽島內。TFT溝道內的雜質將影響TFT的電性能。 具體而言，硼和磷將使閾值電壓發生漂移。優選的由SiNx和SiOx 構成的雙層將為襯底降低針孔密度。
在a-Si層的頂部旋塗光致抗蝕劑，通過對其進行光刻界定而形成 用於加熱器裝置的島36和用於打火TFT的島38。此外，還界定集成 在同一襯底上的邏輯電路所需的、用來向打火TFT柵極分配列印數 據的n型或p型TFT、電阻器、電容器、MOS電容器或導電跡線。 這些額外的邏輯電路和所採用的形成工藝可以是常規的，在圖中未示 出這些電路和部件。
可以採用反應離子刻蝕對a-Si特徵進行幹法蝕刻，例如，所述反 應離子刻蝕可以採用SF6/HCL/02氣體混合物，但是也可以採用本領 域技術人員可用的其他蝕刻技術。
在界定島之後，TFT需要通常為l-3X10Ucn^的低劑量硼注入， 以調整其閾值電壓。但是，為了減少汙染，可以省略這一步驟。優化 n型和p型TFT的閾值電壓所需的摻雜劑濃度可以是相同的。如果是 這種情況，那麼除了構圖注入外還應用毯式(blanket)注入。
還需要對打火TFT以及集成邏輯電路中的任何n溝道和p溝道 TFT的源極、漏極和場釋放區、電阻器及其兩個端子以及所述邏輯可
能採用的、由摻雜多晶矽構成的任何電容器、MOS電容器或導電跡 線進行額外的掩模界定和離子注入。
所述TFT場釋放區40所需的磷劑量處於3X 1012和3X 10l3cnf2 之間(典型地為9Xl(Pcnr2)，以防止TFT劣化，所述源極42和漏 極44的劑量典型地為1015cnT2。
p溝道裝置的源極和漏極區所需的劑量相同，但是其以硼作為注 入物質。
在本發明的優選實施例中，多晶矽加熱器裝置的導電跡線和形成 其二極體的n區和p區共享多晶矽TFT所需的注入步驟中的三個。 其優點在於，不需要對熱換能器做額外的加工步驟，從而極大簡化了 工藝流程，並提高了製造成品率。理想地，所述導電跡線接收與n型 TFT的源極和漏極相同的高劑量磷注入。(或者，可以採用針對p型 TFT的高劑量硼注入，但是其缺點在於，所得的薄層電阻通常高於對 應的n型注入。)
為了製造陡峭的二極體結，在與場釋放區40相同的工藝步驟中， 將覆蓋整個二極體區並且延伸到導電跡線之內或完全包括導電跡線 的區域注入為低劑量n型區。這界定了 n型二極體結所需的摻雜。
在對邏輯電路中的p型TFT的源極和漏極進行高劑量的硼注入 的過程中，採用光致抗蝕劑覆蓋熱換能器的區域38,、 383和385以及 導電端子以製造p區382和384。在n型TFT的高劑量磷注入過程中， 採用光致抗蝕劑覆蓋所有的二極體，以製造用於加熱器裝置的導電跡 線。
因而，採用了三種摻雜操作。對n型TFT中的場釋放區以及二 極管的n型區採用了低劑量n型摻雜。對n型TFT的源極和漏極以 及熱換能器的導電端子採用了高劑量磷摻雜，對二極體的P型區以及 p型TFT的源極和漏極採用了高劑量硼摻雜。
根據工藝流程的細節以及TFT和二極體所需的電特性，TFT和 加熱器裝置不可能在不犧牲電路性能和列印質量的情況下共享相同 的注入步驟。
在這種情況下，可以向所述工藝中弓I入至少一個額外的注入和光
刻步驟。而且，對於某些列印應用而言，不可能所有的二極體都具有
相等的n和p注入劑量。在這種情況下，可以引入至少一個額外的注 入步驟。
在圖3到圖5中示意性示出的實施例採用了 4個二極體，2個處 於正向偏置，2個處於反向偏置。串聯的二極體的數量取決於多晶矽 工藝流程和列印應用的細節。採用4個二極體只是為了舉例說明，其 數量取決於擊穿電壓，並且優選處於2個和IO個之間。
二極體的數量優選為偶數，其原因有二。首先，由於高劑量磷所 提供的薄層電阻低於高劑量硼注入所提供的，因而對於加熱器的兩個 導電端子而言，前者都是優選注入。其需要奇數個二極體區，其對應 於偶數個二極體。這樣還避免了在產生的結中出現兩種注入物質都是 具有類似濃度的高劑量的情況，因為這樣將無法形成具有適宜特性的 橫向二極體，並且可能導致工藝的人為後果。與導電跡線相鄰的高劑 量硼區將形成這樣的結。如圖3-5所示，與加熱器端子相鄰的注入是 用於場釋放區40的低劑量注入。
在離子注入步驟、抗蝕劑清除和表面清潔之後，通過典型的能量 密度為300mJ/cm2的準分子雷射束或其他任何適於雷射結晶的雷射 束將經注入的a-Si島轉化為多晶矽島。或者，可以採用本領域的其他 結晶技術，例如，金屬誘導雷射結晶或順序橫向固化。
圖4示出了柵極氧化物50。其厚度可以處於20和150nm之間， 並且可以通過CVD澱積，隨後對結晶的Si島表面進行徹底的清潔。 所述氧化物還起著燃燒室中的鈍化層的作用。在柵極氧化物50的頂 部澱積柵極金屬52。可以採用典型厚度為200到300nm的鋁合金作 為柵極金屬，並且可以採用幹法或溼法蝕刻界定所述金屬。在接下來 的步驟中，通過CVD在柵極金屬的頂部澱積層間電介質54。可以採 用SiNx，對於200-300nm的柵極金屬而言，其典型厚度為500nm。 該層還起著燃燒室中的鈍化層的作用。
通過溼法或幹法蝕刻技術形成通往源極和漏極、熱換能器端子以 及柵極金屬的接觸孔。其要求蝕穿電介質層54，從而連接至柵極金 屬，蝕穿電介質54和柵極氧化物50，從而連接至源極、漏極和電阻
器端子。在圖中未示出與柵極金屬的連接。
根據加工細節，形成與柵極金屬的接觸所需的技術可能不同於用 來形成針與注入多晶矽的接觸窗口的技術。
澱積第二金屬層56，並通過光刻以及溼法或幹法蝕刻將其界定 為導電跡線。
圖5示出了澱積於源極/漏極金屬56的頂部的電介質層60，從而 允許將另一 (第三)金屬層62用於路由。這一電介質層60還起著燃 燒室64內的鈍化和空化層的作用。通過幹法或溼法蝕刻在這一層中 形成終止於源極/漏極金屬的頂部的接觸孔。澱積第三金屬層62並對 其光刻界定，從而使之連接至打火TFT的源極42以及加熱器裝置的 一個端子。還採用這一金屬實現集成邏輯電路內的更高級別的路由。
在圖5所示的最後加工藝驟中，澱積用於燃燒室壁的材料70， 並將所述壁界定為使加熱電阻器位於燃燒室內部。將孔板72接合到 所述室的頂部。
圖5所示的完成的實施例是以具有位於漏極處的單個柵極重疊 的場釋放區40的非自對準TFT工藝為基礎的。在備選實施例中，可 以採用具有與柵極重疊或鄰接的單個場釋放區或一系列場釋放區的 自對準工藝。間隔體技術的採用允許實現藉助完全自對準工藝的制 造。對於小噴嘴間距而言，優選採用柵極重疊場釋放架構，因為最高 工作電壓更高。
上文已經詳細描述了單個優選實施例，並且已經具體提及了一些 可能的替代實現。但是，可以通過很多其他方式實現本發明，這對於 本領域技術人員而言是顯而易見的。
具體而言，本發明涉及採用二極體形成加熱裝置。但是，具體的 電晶體設計及其在噴墨列印頭電路中的使用也構成了本發明的部分， 不應從上述說明推斷所述電晶體設計是已知的。
權利要求
1、一種包括由每者與相應的列印頭噴嘴相關的列印頭加熱器電路構成的陣列的噴墨列印頭，其中，每一加熱器電路包括加熱器裝置(12)和用於驅動通過所述加熱器裝置(12)的電流的驅動電晶體(10)，所述加熱器裝置(12)和所述驅動電晶體(10)串聯在電源線(Vs，GND)之間，其中，所述加熱器裝置(12)包括多個串聯的二極體元件(16)。
15、 根據權利要求14所述的方法，其中，將每一列印頭電路界 定為包括多個串聯的p-n二極體元件(16)的加熱器裝置(12)和用 於驅動通過所述加熱器裝置(12)的電流的驅動電晶體(10)。
16、 根據權利要求14或15所述的方法，還包括在所述的另一電 介質層(54)上提供第二金屬層(56)，以界定源極和漏極連接。
17、 根據權利要求14到17中的任何一項所述的方法，其中，執 行多種摻雜操作還界定了與所述漏極電晶體區相鄰的場釋放區(40)。
18、 根據權利要求17所述的方法，其中，採用相同的摻雜工藝 界定所述場釋放區(40)和所述二極體的n型區。
19、 根據權利要求14到18中的任何一項所述的方法，其中，在 包括n型和p型電晶體的同一襯底上界定控制電路，並且其中，用同 一摻雜工藝界定二極體的p型區和所述控制電路的p型電晶體。
20、 根據權利要求14到19中的任何一項所述的方法，還包括形 成另一電介質層(60)和所述的另一電介質層(60)之上的加熱室(64)。
全文摘要
一種噴墨列印頭，其包括由每者與相應的列印頭噴嘴相關的列印頭加熱器電路構成的陣列。每一加熱器電路包括串聯於電源線(Vs，GND)之間的加熱器裝置(12)和用於驅動通過所述加熱器裝置(12)的電流的驅動電晶體(10)。所述加熱器裝置(12)包括多個串聯的二極體元件(16)。所述二極體元件具有固有電阻，以提供所需的加熱，但是跨越二極體元件的電壓降能夠使處於截止條件下的電晶體兩端的電壓降低。其實現了電晶體的尺寸的降低和/或能夠採用更高的電源電壓。
文檔編號B41J2/05GK101098787SQ200680001818
公開日2008年1月2日 申請日期2006年1月3日 優先權日2005年1月6日
發明者F·W·羅爾芬 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司