電子模塊及製造其的方法
2023-06-01 22:56:36
電子模塊及製造其的方法
【專利摘要】根據一個示例性方面，提供了一種電子模塊，其中電子模塊包括含有至少一個電子部件的電子晶片，含有布置在電子晶片上的主表面並與至少一個電子部件導熱連接的間隔元件，以及至少部分地圍繞電子晶片和間隔元件的模塑材料，其中間隔元件包括側表面，其與模塑材料接觸並包括表面結構。
【專利說明】電子模塊及製造其的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子模塊。而且，本發明涉及製造電子模塊的方法。
【背景技術】
[0002]在本領域中，多個電子模塊是已知的，其包括提供一些電子功能的電子或半導體晶片。電子晶片可以布置或放置在襯底上，並且可以通過圍繞該電子晶片的模塑材料被容納或封裝。
[0003]特別是，由於通過模塑材料的容納，由電子晶片產生的熱量的耗散可以是目的。這對於以下情況尤其如此:電子模塊形成功率模塊或是功率模塊的一部分，即被適配並意為處理相當高的功率的模塊，例如功率大小比在信息【技術領域】中使用的電子模塊高几個數量級。
[0004]這樣的功率模塊被使用在電池或電動機中，例如在電動汽車領域中的電池或電動機。這些電池和電動機在充放電過程期間的操作中通常嚴重受力或受壓，導致高及快速的熱量生成，其對於電池和電動機的功能可以是破壞性的。因而，所產生的熱量的驅散是構建或設計這樣的功率模塊時需要考慮的一個重要問題。例如，可以使用高導熱性的材料用於晶片的襯底安裝或當製造引線框架時。此外，熱傳導材料可以用作電子模塊的頂層或外層，以便於提供到環境的較大的接觸面積或界面，其可以用作對於模塊或封裝件的熱沉。
[0005]為了提高熱耗散，熱沉可以被設置在功率模塊的兩個主表面上。該熱沉被熱耦合到半導體晶片，其中一個熱沉可被用於冷卻晶片的一側，而另一熱沉與另一側處於熱接觸。熱沉繼而可以通過空氣對流或液體冷卻而與外側或環境熱耦合。
[0006]具體地，半導體晶片的前側或前表面必須被冷卻。通常對於常規的電子模塊或封裝件，半導體晶片的前側除了連接到模塑材料還通過鍵合線或接線柱(clip)被熱接觸，由於模塑材料的熱傳導率和鍵合或接線柱的材料熱傳導率的巨大差異導致熱量的局部釋放。
[0007]圖3示出了常規的功率模塊300的截面圖，包括具有半導體晶片(未示出)布置在其上的印刷電路板(PCB)或直接銅鍵合襯底(DCB) 301。在PCB301和/或晶片上，間隔元件或間隔件302經由焊料層303被焊接。間隔元件302的另一側被連接到DCB305 (例如通過另外的焊料層304被焊接)，即陶瓷板被在陶瓷板的每一個主表面上的相應的銅層所覆蓋。然後，功率模塊被模塑材料306容納，該模塑材料306至少在間隔元件302的側面部分接觸間隔元件302並可以進一步覆蓋DCB和/或襯底的至少部分。模塑材料或部件使得半導體晶片被保護以免於外界影響並且另一方面可有助於均勻化模塊或封裝件的機械應力。
[0008]除了經由間隔元件和DCB的在電子晶片的前側的熱耗散，為了增加電子模塊的熱耗散，電子晶片的背側也可以被連接到熱沉，該熱沉形成在襯底的背側。
[0009]雖然所描述的電子模塊可以表現出良好的熱耗散，可能仍有潛在的空間來提供改進的電子模塊。
【發明內容】
[0010]因此，可能有必要提供電子模塊及製造其的方法，其中電子模塊提供長時間的良好的熱耗散，例如許多的溫度循環，並且實現了電子模塊的低故障率。
[0011]根據一個示例性方面，提供了一種電子模塊，其中，電子模塊包括電子晶片、間隔元件和模塑材料，該電子晶片包括至少一個電子部件，該間隔元件包括布置在電子晶片上並與至少一個電子部件導熱連接的主表面，該模塑材料至少部分地圍繞電子晶片和間隔元件，其中該間隔元件包括側表面，該側表面與模塑材料接觸並且包括表面結構。
[0012]根據一個示例性方面，提供了一種製造電子模塊的方法，其中該方法包括:形成包括傳導材料且包括主表面和側表面的間隔元件，該側表面包括至少一個表面結構，將間隔元件的主表面以導熱方式接觸電子晶片，至少部分地圍繞間隔元件和電子晶片成型模塑材料，使得模塑材料與間隔元件中的至少一個表面的結構接觸。
[0013]根據一個示例性方面，提供了一種電子模塊，其中模塊包括電子裝置，和至少部分地圍繞電子裝置的模塑材料，其中電子裝置包括襯底，布置在襯底上的電子晶片，以及布置在電子晶片上的間隔元件，其中電子裝置包括含有被適配為增加電子裝置的表面面積的表面結構的側表面，其中模塑材料直接接觸到表面結構。
[0014]通過提供具有包括表面結構的側表面的間隔元件，也可能增加介於間隔元件與模塑材料之間的接觸表面或界面。通過增加介於間隔元件與模塑材料之間的接觸表面或界，也可能減少脫層的可能性。
[0015]特別是，模塑材料和/或電子晶片與間隔元件之間和/或模塑材料的脫層可以被降低。由於模塑材料的以及電子晶片和/或間隔元件的材料電子晶片的不同熱膨脹，這種脫層尤其可以發生並可導致該電子模塊的故障，例如由於從電子部件和向電子部件的電路徑的斷裂。然而，由於表面結構可以增加可用於使得模塑材料與間隔元件之間直接接觸的總表面，電子模塊的失效風險可以減少。尤其是，可以提供可針對更多的溫度循環實現其功能的改進的電子模塊，該溫度循環即升溫和再次降溫，而不會例如由於脫層作用而破壞電子模塊中的電子或電路徑。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]附圖被包括進來以提供對本發明示例性實施例的進一步理解並構成說明書的一部分，附圖示出本發明的示例性實施例。
[0017]在附圖中:
[0018]圖1A至IC示出了根據示例性實施例的電子模塊的橫截面圖；
[0019]圖2A至2C概略地示出了用於形成間隔元件上的表面結構的過程；
[0020]圖3示出了共同的功率模塊的橫截面圖。
【具體實施方式】
[0021]在下文中，將對電子模塊及製造其的方法的進一步示例性實施例進行說明。應當注意的是，在電子模塊的上下文中所描述的實施例也可以與製造電子模塊的方法的實施例結合併且反之亦然。
[0022]特別地，間隔元件包括傳導材料。例如，傳導材料可以是導熱和/或導電的。間隔元件也可以實現平衡電子模塊的部件或層的高度差的拉平效應。具體地，電子晶片可以包括或者可以由功率電晶體形成，即適用於切換幾十或幾百瓦數量的電功率的開關元件。這種功率電晶體必須被從用於切換信息信號的電晶體(例如在處理器或存儲器的集成電路中)區分開。可替代地，電子模塊可包括密集陣列的電子電路也導致必須被耗散的高發熱。
[0023]術語「表面結構」可特別表示不具有光滑表面的任何結構或功能，S卩，其具有相比光滑表面而言增加的表面。換言之，包括表面結構的表面可以具有在截面圖中的不是直線或不形成直線的邊界線。因而，表面結構可以提供真正的三維形式或表面的形狀，而不是準二維形式。這樣的準二維形式可以是除了輕微非有意或不可避免的突起和/或凹進的平坦或光滑的形式，而真正的三維形式提供了非平坦表面。
[0024]特別地，該電子模塊可以是功率模塊，例如適用於承受高電壓的功率電晶體或類似的電子模塊。術語「高電壓」可具體表示比用於信息信號的典型電壓更高的電壓。例如，功率電晶體可以承受上百伏甚至幾百伏的電壓。
[0025]特別地，表面結構是三維結構。這種表面結構可以提供在其上或在其處形成有表面結構的側表面具有比起光滑或平坦或準二維表面而言增加的表面。即，側表面可以被表面結構所增加。特別地，側表面可以是垂直與或至少基本上垂直於間隔元件的主表面的表面。應當指出的是，間隔元件可以是準二維的，例如其厚度為0.1mm與1mm之間，特別是在0.5mm與5mm之間，更特別在1.0mm與3.5mm之間，例如約2.5mm,同時具有在0.25mm2與200mm2之間的面積,特別是在0.25mm2與200mm2之間的面積,特別是在40mm2與60mm2的範圍內。然而，間隔元件還可具有塊的形式，即真正的三維元件，其中在所有三個空間方向上的延伸可以是在相同的數量級，而準二維元件可以具有一個空間方向，在該方向上的擴展比在其它兩個空間方向上要小得多。例如，電子晶片可以被布置、安裝或固定在襯底上，例如通過由焊接、夾緊或任何其它合適技術的表面安裝技術。具體地，電子模塊可被電連接到襯底，例如通過引線鍵合、焊接或表面安裝技術。
[0026]應當指出的是，電子模塊可以包括可相對於彼此被側布置和/或可以相對於彼此垂直布置的附加間隔元件，即可以形成疊層結構。幾個或所有的附加間隔元件可以包括含有表面結構的側或側表面。此外，數個電子晶片可以在電子模塊中或處於電子模塊處相對於彼此被水平和/或垂直布置。模塑材料可以包括熱塑性塑料材料、熱固性材料、塑性體(plastomere)材料或環氧樹脂材料。應當指出的是，間隔元件的側表面優選地不具有焊料在其上或者是無焊料的，使得在側表面上的模塑材料的粘合或抓牢可以增加。
[0027]在製造電子模塊的方法中，形成間隔元件可以包括在設計側表面，該側表面具有比起基本上垂直於間隔元件的主表面的平坦的側表面而言增加的表面面積。
[0028]根據電子模塊的一個示例性實施例，該至少一個表面結構包括由以下數項構成的組中選出的至少一個結構:凹進、突出、凹入結構，凸起結構、以及倒鉤(barb)。
[0029]所有描述的表面結構或表面特徵可以是增加接觸模塑材料的表面面積並因而可適於提供某種榫齒以便於減少脫層的可能性的合適的結構。特別地，上述結構可以具有在橫截面中所描述的形式或形狀。換言之，例如突出或凹進的結構可以在基本上垂直於側表面的區域或平面的方向上的間隔元件的側表面中形成。
[0030]根據電子模塊的一個示例性實施例，間隔元件包括導熱材料。
[0031]例如，導熱材料可以是金屬或熱傳導性塑料材料。金屬材料的示例可以是銅、鑰、鎳、鋁等。特定的導熱率可以高於預定的熱閾值，特別是它可以高於low/(m.K)，或者甚至高於100W/(m.K)。優選地，間隔元件，特別是間隔元件的材料，可以選擇為可結構化的，即可以被形成結構或圖案，從而例如形成在間隔元件中或上的傳導圖案或路徑。所有描述的材料可以是用於間隔元件的合適材料，因為在一方面這些材料可以易於被結構化而另一方面提供了良好的導熱率，允許良好的熱傳導或耗散。
[0032]根據電子模塊的一個不例性的實施例，間隔兀件包括導電材料。
[0033]例如，傳導材料的特定導電率可高於給定的閾值，特別是其可以高於I.105S/m或甚至高於I.106S/m。
[0034]根據一個示例性實施例，電子模塊進一步包括與間隔元件熱連接的至少一個外部熱傳導層。
[0035]特別地，至少一個外部熱傳導層可以是金屬層或金屬塊，如銅、鋁或鑰塊或層。外部熱傳導層或結構可以形成用於電子模塊的熱沉並可以被布置在電子模塊的最外表面，使得其可以用作電子模塊的散熱面。該至少一個外部熱傳導層可以被布置在電子模塊的上側或電子模塊的下側。例如，至少一個熱傳導層可以以間隔元件被布置在電子晶片與至少一個外部熱傳導層之間的方式被布置在電子模塊的主表面上。可替代地，至少一個外部熱傳導表面以電子晶片被布置在間隔兀件與至少一個熱傳導表面之間的方式被布置在電子模塊的另一主表面上。例如外部熱傳導層可形成蓋或蓋結構。
[0036]根據一個示例性實施例，電子模塊還包括另外的外部熱傳導層，其中另外的外部熱傳導層被布置在電子模塊的主表面上，該表面與在其上布置有至少一個熱傳導表面的電子模塊的另一個主表面相對。
[0037]在第一外部熱傳導層的相反側設置第二外部熱傳導層可以改進電子模塊的熱耗散。
[0038]根據電子模塊的一個示例性實施例，其中間隔元件通過由以下數項所構成的組中選出的一個工藝被固定到電子晶片:焊接、燒結、以及膠合。
[0039]特別地，當焊接可以是焊料層的焊料結構時可以使用焊料結構。例如通過焊料球、焊料膏、焊料凸塊等而形成的焊料結構可以提供一種有效的方式將間隔元件和電子晶片電彼此熱連接，並在同一時間在其之間提供足夠強的連接。
[0040]根據電子模塊的一個示例性實施例，間隔元件由衝壓、衝孔、研磨、燒結、車削、軋制(rolling)、噴丸(例如噴丸加工)，例如通過使用預元件的剛玉。特別是，衝壓可以以脊部被形成在間隔元件的側表面的中間的方式進行，該脊部可以形成間隔元件的表面結構。這樣的脊部可通過使用用於衝壓的兩個板來實現，其中一個從上側按壓，一個從下側按壓到預元件上。
[0041]根據電子模塊的示例性實施例，與垂直於主表面延伸的平坦的側壁相比，至少一個表面結構被配置用於增加側表面的面積。
[0042]根據電子模塊的一個示例性實施例，至少一個表面結構構成彎曲的側表面。
[0043]根據一個示例性實施例，製造電子模塊的方法進一步包括通過由以下數項所構成的組中選出的至少一個工藝在預元件上形成至少一個表面結構:衝壓、壓制、模塑、濺射、銑肖IJ、燒結、噴丸和軋制。
[0044]結構化預元件的所有描述的方法可以提供一種有效的方式來通過提供突起和/或凹部或凹進而形成在預元件中的表面結構。例如，衝壓工藝可以由兩個衝壓板或工具作用在預元件的兩側而進行，使得脊部可形成於預模的側表面的中間，該預模可在之後形成間隔元件的表面結構。
[0045]根據製造的方法的一個示範性實施例，間隔元件的主表面與電子晶片的接觸通過選自以下組中的一個工藝而進行:焊接、燒結和膠合。
[0046]原則上，可以選擇任何允許足夠強或穩定的固定的固定方法或固定工藝，而在同一時間提供足夠的熱接觸。例如，焊接可以允許簡單和有效的方式來將間隔元件和電子晶片固定到彼此並且提供在兩個部件之間的充分的熱接觸。
[0047]根據製造的方法的一個示例性實施例，表面結構形成在間隔元件中。
[0048]可替代地或另外地，襯底還可以包括在至少一個側表面上的表面結構。
[0049]根據一個示例性實施例，電子裝置進一步包括多個間隔元件。
[0050]特別地，間隔元件可以垂直地被布置在彼此的頂部和/或相對於彼此側地布置。通過提供疊層封裝件或模塊，提高電子模塊的功率能力而不增加所需的面積是可能的。由於該間隔元件的良好的導熱率以及提供增加的側表面面積(導致脫層的可能性降低)，即使當其以疊層的方式被形成時充分地冷卻電子模塊也是可能的。
[0051 ] 總結一個示例性實施例的要旨可以在於提供封裝的或容納的電子模塊，其包括介於電子晶片與例如直接銅板的外部熱傳導層之間的間隔元件，其中間隔元件的側表面包括表面結構。這些表面結構增加了介於間隔元件與電子模塊的模塑材料之間的接觸表面或接觸區域，並可因而導致脫層的可能性降低，且因此電子模塊故障的概率降低。
[0052]這種脫層可能通過在電子模塊的不同材料之間的熱膨脹係數的差異而導致，該差異取決於實際溫度導致電子模塊中的機械應力，其中該機械應力可能在間隔元件的側表面達到峰值。因而，提供增加表面並且可能提供某種類型的倒鉤或鉤住效果的表面結構可以是一種高效的方法以減小脫層的可能性，該脫層之後在使用該電子模塊時將可能導致電氣故障。若沒有表面結構，脫層可能特別發生在模塑材料與上襯底(例如DCB)之間。
[0053]另外，應該指出的是，在側表面處的表面結構還可以降低或避免初始脫層，該初始脫層即為可能由模塑材料的低粘合導致的甚至在第一溫度循環之前發生的脫層，由於表面結構的倒鉤功能該粘合可以被增加。
[0054]本發明的上述和其他目的、特徵和優點將會從下面的描述和所附的權利要求並結合附圖變得顯而易見，其中相同的部件或元件用相同的標號表示。
[0055]附圖中的圖示是示意性的，不一定按比例繪製。
[0056]圖1示出了根據示例性實施例的電子模塊的橫截面圖。
[0057]特別地，圖1A示出了根據第一示例性實施例的電子模塊100的細節的橫截面圖，並包括襯底101，例如，直接銅鍵合襯底(DCB)，包括銅子層和陶瓷子層，在其上布置有電子晶片或元件(未示出)，如功率電晶體，例如IGBT (絕緣柵雙極型電晶體)。在襯底101和電子晶片上布置有焊料層102以將間隔元件103固定到襯底上。該間隔元件可以具有約2.5mm的厚度，並由導熱材料形成，該導熱材料例如銅、鑰、鎳等。在間隔元件103上，包括銅子層和陶瓷子層的DCB104被附加的焊料層105放置。如可以由圖1A所見，間隔元件103的側表面106不是平坦的但包括表面結構107，在圖1A的實施例中其是基本上凹入的凹槽。此外，該電子模塊包括由模塑材料108形成的殼體或封裝。模塑材料108與表面結構107接合，即形成在所述間隔元件的凹進，從而導致間隔元件103與模塑材料108之間改進的接觸。該改進的接觸可導致脫層的可能性降低，從而有可能提高電子模塊100的質量。
[0058]特別地，圖1B示出了根據第二示例性實施例的電子模塊110的細節的橫截面圖，其類似於在圖1A中所描述的。然而，圖1B的實施例包括突起111，其基本上形成了三角形，如間隔元件103的表面結構。這樣的突起可以通過由兩個衝壓板從相反的兩側衝壓預元件而形成。
[0059]特別地，圖1C示出了根據第三示例性實施例的電子模塊120的細節的橫截面圖，其類似於在圖1B中所描繪的。然而，突起111形成了在圖1C所示的第三示例性實施例的倒鉤或薄片。
[0060]圖2概略地示出了用於形成在間隔元件200上或中的表面結構的三個示例性過程。間隔元件200可以從確實模塑材料粘合不足的材料製成或可以具有模塑材料粘合不足的附加的表面(例如，Au)。在第一步驟中，例如通過蝕刻、拋光、或使用例如沙的噴丸，被布置或形成在預元件201上的例如接觸層或雜質的一些表面元件可以被移除，特別是從預元件201的側表面移除。
[0061]在下一步驟中，表面結構202被形成在預元件201的側表面203中。根據圖2A，表面結構202由如在圖2A中概略地描繪的銑削工具204所形成。銑削工具生成在預元件201中的凹槽，由此形成間隔元件200。
[0062]圖2B示出了另一種可能性以提供在預元件211的側表面中的表面結構212從而形成間隔元件210。特別地，表面結構212通過在濺射或噴丸工藝中使用磨料顆粒213導致在預元件211的側表面214中的凹痕212而形成。在濺射工藝期間，數個預元件211可以被一起處理並且可以被布置在兩個印模或衝頭213之間，該兩個印模或衝頭213被布置在預元件之上及之下並被用來固定或保持預元件211。再次，圖2B的下部示出了在噴丸步驟之後的最終間隔兀件210。
[0063]圖2C示出了形成間隔元件220的另一種可能的方式。根據圖2C的實施例，燒結工藝被用來製造間隔元件220。在燒結工藝中，填充有導熱材料的工具221被用於形成間隔元件，該導熱材料例如銅、鑰、鎳或塑料導熱材料。該材料可以由工具填充在腔222中作為粉末或顆粒223。此外，在腔221的表面處工具220包括突起224。為了製造間隔元件200，衝頭225被用來壓縮材料顆粒，並在同一時間該工具通過加熱填充有導電材料的工具進行燒結工藝。再次，圖2C的下部示出了構建後的間隔元件220，其看起來類似於圖2A的下部中的間隔元件，並且包括間隔元件220的側表面227中的表面結構226。
[0064]所有在圖2中所示的工藝提供了在側表面處具有表面結構的間隔元件200、210、220，該表面結構可以改進介於以後的模塑材料與間隔元件之間的粘合，使得可以減小後來脫層的可能性。
[0065]應當指出的是，術語「包括」不排除其他元件或特徵，並且「一」 (a)或「一個」(an)不排除多個。此外，結合不同實施例描述的元件可以被組合。還應當注意的是，附圖標記不應當被解釋為限制權利要求的範圍。此外，本申請的範圍並不旨在限於在說明書中描述的過程、機器、製造、物質組成、手段、方法和步驟的特定實施例。因此，所附權利要求旨在在其範圍內包括這樣的過程、機器、製造、物質組成、手段、方法或步驟。
【權利要求】
1.一種電子模塊,包括: 電子晶片，所述電子晶片包括至少一個電子部件， 間隔元件，所述間隔元件包括布置在所述電子晶片上的主表面並且與所述至少一個電子部件導熱連接；以及 模塑材料，所述模塑材料至少部分地圍繞所述電子晶片和所述間隔元件； 其中所述間隔元件包括側表面，所述側表面與所述模塑材料接觸並且包括至少一個表面結構。
2.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述至少一個表面結構包括由以下數項所構成的組中選出的至少一個結構: 凹進， 關起， 凹入結構， 凸出結構，以及 倒鉤。
3.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述間隔元件包括導熱材料。
4.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述間隔元件包括導電材料。
5.根據權利要求1所述的電子模塊，進一步包括至少一個外部熱傳導層，所述外部熱傳導層與所述間隔元件熱連接。
6.根據權利要求5所述的電子模塊，進一步包括另外的外部熱傳導層，其中所述另外的外部熱傳導層被布置在所述電子模塊的主表面上，所述電子模塊的所述主表面與所述電子模塊的另外的主表面相對，在所述電子模塊的所述另外的主表面上布置有至少一個熱傳導表面。
7.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述間隔元件通過由以下數項所構成的組中選出的至少一個工藝被固定到所述電子晶片: 焊接； 燒結；以及 膠合。
8.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述間隔元件通過由以下數項所構成的組中選出的工藝而形成: 衝壓； 壓制； 模塑； 濺射； 銑削； 噴丸；以及 軋制。
9.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述至少一個表面結構比起垂直於所述主表面延伸的平坦側壁而言被配置用於增加所述側表面的面積。
10.根據權利要求1所述的電子模塊，其中所述至少一個表面結構構成彎曲的側表面。
11.一種製造電子模塊的方法，所述方法包括: 形成間隔元件，所述間隔元件包括傳導材料並且包括主表面和側表面，所述側表面包括至少一個表面結構； 將所述間隔元件的所述主表面與電子晶片以導熱方式接觸； 將模塑材料至少部分地繞所述間隔元件和所述電子晶片成型，使得所述模塑材料與所述間隔元件的所述至少一個表面結構接觸。
12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括: 通過由以下數項所構成的組中選出的至少一個工藝將所述至少一個表面結構形成在預元件上: 衝壓； 壓制； 模塑； 濺射； 銑削； 噴丸；以及 軋制。
13.根據權利要求11所述的方法，其中所述間隔元件的所述主表面與所述電子晶片的所述接觸通過由以下數項所構成的組中選出的一個工藝進行: 焊接； 燒結；以及 膠合。
14.一種電子模塊,所述模塊包括: 電子裝置；以及 模塑材料，所述模塑材料至少部分地圍繞所述電子裝置， 其中所述電子裝置包括襯底，布置在所述襯底上的電子晶片，以及布置在所述電子晶片上的間隔元件， 其中所述電子裝置進一步包括側表面，所述側表面包括被適配為增加所述電子裝置的表面面積的表面結構，其中所述模塑材料與所述表面結構直接接觸。
15.根據權利要求14所述的電子模塊，其中所述表面結構被形成在所述間隔元件上。
16.根據權利要求14所述的電子裝置，其中所述電子裝置進一步包括多個間隔元件。
【文檔編號】H01L23/31GK104377174SQ201410392670
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月11日 優先權日:2013年8月12日
【發明者】F·溫特, O·蓋特納, I·尼基廷, J·赫格爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司