布線構造及其製造方法、以及具備布線構造的顯示裝置的製作方法
2023-05-28 11:20:21 1
專利名稱：布線構造及其製造方法、以及具備布線構造的顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及布線構造及其製造方法、以及具備布線構造的顯示裝置，其中布線構造從基板側依次具備薄膜電晶體的半導體層、和與所述半導體層直接連接的Al合金膜，並且該半導體層由氧化物半導體所構成的氧化物半導體層構成。本發明的布線構造，代表性地用於諸如液晶顯示器(液晶顯示裝置)、有機EL顯示器等的平板顯示器。以下，以液晶顯示裝置為代表來進行說明，但是並不限定於此。
背景技術：
近年來，開發了在有機EL顯示器、液晶顯示器的半導體層(溝道層)使用氧化物半導體的顯示器。例如在專利文獻1中，作為半導體器件中的透明半導體層，採用了如下半導體使用氧化鋅(aio)、氧化鎘(Cdo)、在氧化鋅(aio)中加入了 iib元素或iia元素或 VIB元素的化合物或者混合物中的任意一種，摻雜了 3d過渡金屬元素、稀土類元素、或者不使透明半導體的透明性喪失的情況下使其具有高電阻的雜質。氧化物半導體與以往作為半導體層的材料而使用的非晶矽相比，具有較高的載流子遷移率。而且，因為氧化物半導體可以利用濺射法進行成膜，所以與由上述非晶矽構成的層的形成相比，能夠實現基板溫度的低溫化。其結果，能夠使用耐熱性低的樹脂基板等，所以可以實現柔性顯示器。作為將這種氧化物半導體用於半導體器件的示例，例如在專利文獻1中使用了如下半導體使用氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、在氧化鋅(SiO)中加入了 IIB元素或IIA元素或VIB元素的化合物或者混合物中的任意一種，摻雜了 3d過渡金屬元素、稀土類元素、或者不使透明半導體的透明性喪失的情況下使其具有高電阻的雜質。即使在氧化物半導體中， 包含從由In、fet、Zn、Sn構成的群中選擇的至少一種以上的元素的氧化物(IG0Z0、ZT0、IZ0、 ITO、ZnO, AZTO、GZT0)具有非常高的載流子遷移率，所以優選採用。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本國特開2002-76356號公報
發明內容
發明要解決的問題在TFT基板中的柵極布線、源極-漏極布線等的布線材料中，由於電阻小、容易精細加工等理由，通常採用純Al或者Al-Nd等的Al合金(以下，有時將這些統稱為Al系)。但是，例如在底柵極型的TFT的半導體層中使用氧化物半導體、並且在源極電極、 漏極電極中使用Al繫膜的層疊構造的情況下，存在一旦氧化物半導體層與構成源極電極、 漏極電極的Al繫膜直接連接，在氧化物半導體層和Al繫膜的界面就會形成高電阻的氧化鋁從而連接電阻(觸點電阻、接觸電阻)上升、畫面的顯示品質降低的問題。此外，作為上述層疊構造的形成方法，可以考慮使用「剝離法」，即在基板上通過剝離抗蝕劑形成目的圖案和逆圖案之後，形成Al繫膜，通過有機溶劑或剝離液將不要的部分和剝離抗蝕劑一起去除，從而得到目的圖案。但是在該方法中，抑制被剝離的Al系金屬片的再附著，而且形成均勻且成品率好的大面積的圖案是非常困難的。因此，作為上述層疊構造的形成方法，考慮應用光刻法和溼法蝕刻工藝。但是，在光刻法的圖案化時，存在如下問題顯影劑滲入構成源極電極、漏極電極的Al繫膜與氧化物半導體層之間，由於電化腐蝕而導致上述Al繫膜剝離的可能性較高。本發明著眼於這種情況而作，其目的在於提供一種布線構造及其製造方法、以及具備該布線構造的上述顯示裝置，關於該布線構造，能夠在有機EL顯示器、液晶顯示器等顯示裝置中，使氧化物半導體層與構成諸如源極電極、漏極電極的Al繫膜穩定地直接連接，並且在溼法工藝(例如上述光刻法)所用的電解質液(例如顯影劑)中，氧化物半導體層與Al繫膜之間難以產生電化腐蝕，能夠抑制Al繫膜的剝離。用於解決問題的方案本發明包括以下的方式。(1) 一種布線構造，在基板上從基板側起依次具備薄膜電晶體的半導體層、和與所述半導體層直接連接的Al合金膜，所述半導體層由氧化物半導體構成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一種。(2)根據⑴中記載的布線構造，其中，所述Al合金膜與構成像素電極的透明導電膜直接連接。(3)根據⑴或⑵中記載的布線構造，其中，所述Al合金膜包含0. 1 2原子％ 的Ni以及Co中的至少一種。(4)根據(1) (3)中任意一項所記載的布線構造，其中，所述Al合金膜還包含 Cu以及Ge中的至少一種。(5)根據(4)中記載的布線構造，其中，所述Al合金膜包含0.05 2原子％的Cu 以及Ge中的至少一種。(6)根據⑴ (5)中任意一項所記載的布線構造，其中，所述氧化物半導體由包含從In、Ga、Zn、Ti以及Sn構成的群中選擇的至少一種元素的氧化物構成。(7)根據⑴ (6)中任意一項所記載的布線構造，其中，所述Al合金膜還含有從 Nd、Y、Fe、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Sr、Sm、Ge 以及Bi構成的群中選擇的至少一種。(8)根據(7)中記載的布線構造，其中，所述Al合金膜含有從NcULa以及Gd構成的群中選擇的至少一種。(9)根據⑴ ⑶中任意一項所記載的布線構造，其中，薄膜電晶體的源極電極以及漏極電極的至少一個由所述Al合金膜構成。(10) 一種顯示裝置，其具備⑴ (9)中任意一項所記載的布線構造。(11) 一種⑴ (9)中任意一項所記載的布線構造的製造方法，包括使所述半導體層成膜的工序以及使所述Al合金膜成膜的工序，通過使所述Al合金膜的成膜時的基板溫度為200°C以上、和/或在所述Al合金膜的成膜後用200°C以上的溫度進行熱處理，
從而在所述半導體層和與其直接連接的所述Al合金膜的界面，使Ni以及Co的至少一種的一部分析出和/或濃化。發明效果根據本發明，在有機EL顯示器、液晶顯示器等的顯示裝置中，能夠將表現高遷移率的且可以由非晶Si或poly-Si (多晶矽)以低溫成膜的氧化物半導體層、和構成諸如源極電極、漏極電極的Al繫膜直接連接，並且在顯示裝置的製造工序中的溼法工藝中，因為在上述直接連接的部分難以產生電化腐蝕，所以能夠用簡便的工藝製造可靠性高的布線構造(例如TFT基板)、以及包括該布線構造的顯示裝置。
圖1是表示本發明的實施方式1所涉及的布線構造(TFT基板)的結構的概略剖面說明圖。圖2是表示本發明的實施方式2所涉及的布線構造(TFT基板)的結構的概略剖面說明圖。圖3(a) (f)是按順序表示圖1所示的布線構造的製造工序的一例的說明圖。圖4(a) (g)是按順序表示圖2所示的布線構造的製造工序的一例的說明圖。
具體實施例方式本發明人進行了用於解決所述課題的專心研究，其結果發現了若是從基板側起依次包括薄膜電晶體的半導體層、和與所述半導體層直接連接的Al合金膜的布線構造，其中，所述半導體層由氧化物半導體構成，並且使所述Al合金膜為包含Ni和/或Co的合金膜，則能夠使半導體層與構成諸如源極電極、漏極電極的所述Al合金膜穩定地直接連接， 此外在溼法工藝所使用的顯影劑等的電解質液中，在上述半導體層與Al合金膜之間難以產生電化腐蝕，能夠抑制膜剝離。以下，參照附圖來說明本發明所涉及的布線構造及其製造方法的優選實施方式， 但是本發明不限定於此。圖1是說明本發明所涉及的布線構造的優選實施方式(實施方式1)的概略剖面說明圖。圖1所示的TFT基板9是底柵極型，具有從基板1側依次層疊了柵極電極2、柵極絕緣膜3、半導體層4、源極電極5/漏極電極6、保護層7的構造。此外圖2是說明本發明所涉及的布線構造的另一優選實施方式(實施方式2)的概略剖面說明圖。圖2所示的TFT基板9』也是底柵極型，具有從基板1側依次層疊了柵極電極2、柵極絕緣膜3、半導體層4、溝道保護層8、源極電極5/漏極電極6、保護層7的構造。作為本發明中所使用的半導體層4，只要是用於液晶顯示裝置等的氧化物半導體則沒有特別限定，例如採用由包含從化、6^&1、11以及Sn所構成的群中選擇的至少一種元素的氧化物構成的半導體。具體而言，作為上述氧化物，可以列舉^氧化物、In-Sn氧化物、 In-Zn氧化物、In-Sn-Zn氧化物、In-Ga氧化物、Zn-Sn氧化物、Zn-Ga氧化物、In-Ga-Zn氧化物、Zn氧化物、Ti氧化物等的透明氧化物以及在Zn-Sn氧化物中摻雜了 Al、fei的ΑΖΤ0、 GZTO。與所述半導體層直接連接的Al合金膜(實施方式1、2中的源極電極5和/或漏極電極6)使用包含Ni和/或Co的合金膜。如此通過使其含有Ni和/或Co，能夠使構成源極電極5和/或漏極電極6的Al合金膜與半導體層4的接觸電阻降低。此外能夠抑制上述的電化腐蝕，能夠抑制膜剝離。為了充分發揮這種效果，優選使Ni和/或Co的含有量(單獨包含Ni、Co時是單獨的含有量，在包含兩者時是合計量)大致為0. 1原子％以上。更優選為0. 2原子％以上， 進一步優選為0. 5原子％以上。另一方面，若上述元素的含有量過多，則Al合金膜的電阻率有可能上升，所以優選使其上限為2原子％，更優選為1原子％。作為本發明中所使用的上述Al合金膜，包含上述量的Ni和/或Co，剩餘部分是 Al以及不可避免的雜質。在上述Al合金膜中還可以使其含有0. 05 2原子％的Cu和/或Ge。這些是有利於觸點電阻進一步降低的元素，可以單獨添加，也可以一起添加雙方。為了充分發揮這種效果，優選使上述元素的含有量(單獨包含Cu、Ge時是單獨的含有量，在包含雙方時是合計量)大致為0. 05原子％以上。更優選為0. 1原子％以上，進一步優選為0. 2原子％以上。 另一方面，若上述元素的含有量過多，則Al合金膜的電阻率有可能上升，所以優選使其上限為2原子％，更優選為1原子％。在上述Al合金膜中，作為其他合金成分，允許將提高耐熱性的元素(Nd、Yje、Ti、 V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Sr、Sm、Ge、Bi 的至少一種)添加合計為0. 05 1原子％，優選為0. 1 0. 5原子％，更優選為0. 2 0. 35原子％。作為所述提高耐熱性的元素，優選從Nd、La以及Gd構成的群中選擇的至少一種。上述Al合金膜中的各合金元素的含有量能夠通過例如ICP發光分析(感應耦合等離子體發光分析)法求出。在上述實施方式1、2中，對於源極電極和/或漏極電極採用本發明的Al合金膜， 對於其他布線部(例如柵極電極2)的成分組成沒有特別限定，但是柵極電極、掃描線(未圖示)、信號線中的漏極布線部(未圖示)也可以由上述Al合金膜構成，在該情況下，能夠使TFT基板中的Al合金布線全部為同一成分組成。此外，本發明的布線構造不僅能夠用於上述實施方式1、2那樣的底柵極型基板， 在頂柵極型的TFT基板中也可以採用。對於基板1，只要是液晶顯示裝置等中所使用的基板則沒有特別限定。代表性的是以玻璃基板等為代表的透明基板。對於玻璃基板的材料，只要是用於顯示裝置的材料則沒有特別限定，例如可以列舉無鹼玻璃、高應變點玻璃、鈉鈣玻璃等。或者可以列舉金屬箔等的基板、亞胺樹脂等的耐熱性的樹脂基板。作為柵極絕緣膜3、保護層7、溝道保護層8，可以列舉有電介質(例如SiN、SiON, SiO2)構成。優選是SiO2或者SiON。但是，因為氧化物半導體在還原氣氛下其優異特性劣化，所以推薦使用能夠在氧化氣氛下進行成膜的Si02或者SiON。作為構成像素電極的透明導電膜(圖1、2中未圖示)，列舉在液晶顯示裝置等中通常使用的氧化物導電膜，代表性地例示非晶IT0、poly-ITO、ΙΖΟ,ΖηΟ.此外，構成像素電極的透明導電膜優選與所述Al合金膜直接連接。本發明優選如下方式在氧化物半導體層4和與其直接連接的所述Al合金膜(例如源極電極5和/或漏極電極6)的界面
·析出包含Ni和/或Co的析出物；和/或·形成包含Ni和/或Co的濃化層。通過作為電阻低的區域而部分地或者全面地形成這種析出物、濃化層，能夠大幅降低半導體層4與構成源極電極5和/或漏極電極6的Al合金膜的接觸電阻。上述Ni和/或Co的析出和/或濃化，能夠通過如下處理來實現使上述Al合金膜的成膜時的基板溫度(以下稱為「成膜溫度」)為200°C以上；和 /或在所述Al合金膜的成膜後用200°C以上的溫度進行熱處理。優選使上述Al合金膜的成膜溫度為200°C以上，更優選使上述Al合金膜的成膜溫度為200°C以上、並且在所述Al合金膜的成膜後用200°C以上的溫度進行熱處理。在任一種情況下都優選為250°C以上。另外，即使進一步提高上述基板溫度、加熱溫度，Ni和/或Co的析出/濃化帶來的觸點電阻率的降低效果也會飽和。從基材的耐熱溫度等的觀點出發，優選使上述基板溫度、加熱溫度為300°C以下。優選在200°C以上的加熱時間為5分鐘以上且60分鐘以下。在所述Al合金膜的成膜後進行的加熱(熱處理)，既可以是以所述析出/濃化為目的而進行的處理，也可以是所述Al合金膜形成後的熱歷史(例如，使保護層成膜的工序) 滿足所述溫度/時間。在製造本發明的布線構造時，除了滿足本發明的規定，並且使Al合金膜的成膜條件和/或熱處理/熱歷史條件為上述推薦的條件以外，沒有特別限定，可以採用顯示裝置的
一般性的工序。以下，參照圖3(a) (f)來說明所述圖1所示的TFT基板的製造方法的一例。在圖3(a) (f)中，標註與所述圖1相同的參照符號。另外，以下是作為製造方法的一例而說明的，本發明不限定於此(對於下述圖4也相同)。首先，在玻璃基板1上，使用濺射法，層疊膜厚200nm左右的Al合金膜(例如 Al-2at% (原子％ )Ni-0. 35at% La合金膜)。通過對該Al合金膜進行圖案化，形成柵極電極2 (參照圖3 (a))。此時，在後述的圖3 (b)中，為了使柵極絕緣膜3的覆蓋率變好，可以預先將構成柵極電極2的Al合金膜的邊緣蝕刻為約30° 40°的錐狀。接下來，作為柵極絕緣膜3，通過CVD法形成膜厚300nm左右的SiN膜。進而，作為半導體層4，在Αι^Π &的混合氣體氣氛(氧含有量Ivol % )中，在基板溫度為室溫的條件下，使用組成例如為h Ga Zn(原子比)=1:1: 1的濺射靶，進行反應性濺射，從而形成由a-IGZO構成的氧化物半導體層(膜厚30nm左右)(參照圖3 (b))。接下來，進行光刻法，使用草酸蝕刻a-IGZO膜，形成半導體層(氧化物半導體層)4(參照圖3(c))。接下來進行Ar等離子體處理。該Ar等離子體處理能夠得到半導體層4與後述的構成源極電極5/漏極電極6的Al合金膜的歐姆接觸，能夠改善半導體層4和上述Al合金膜的接觸性。詳細而言，在使上述Al合金膜成膜之前，通過在半導體層4和該Al合金膜的接觸界面部分預先照射Ar等離子體，從而在等離子體所被照射的部分產生氧欠缺，能夠提高導電性從而改善與上述Al合金膜的接觸性。在進行了上述Ar等離子體處理後，利用濺射法，以成膜溫度200°C以上，形成膜厚 200nm左右的Al合金膜(例如Al_2at% Ni_0. 35at% La合金膜)。或者在進行了上述Ar等離子體處理後，利用濺射法以例如成膜溫度150°C形成膜厚200nm左右的所述Al合金膜， 之後，例如以250°C進行30分鐘的熱處理(參照圖3(d))。通過對所述Al合金膜實施光刻法以及蝕刻，從而形成源極電極5、漏極電極6(參照圖3(e))。然後，可以利用CVD法形成由S^2構成的保護層7從而得到圖1的TFT基板9 (參照圖3(f))。下面，參照圖4(a) (g)來說明所述圖2所示的TFT基板的製造方法的一例。在圖4(a) (g)中標註了與所述圖2相同的參照符號。首先，在玻璃基板1上，使用濺射法，層疊膜厚200nm左右的Al合金膜(例如 Al-2at% Ni-0. 35at% La合金膜)。通過對該Al合金膜進行圖案化，形成柵極電極2 (參照圖4(a))。此時，在後述的圖4(b)中，為了使柵極絕緣膜3的覆蓋率變得良好，可以預先將構成柵極電極2的Al合金膜的邊緣蝕刻為約30° 40°的錐狀。接下來，作為柵極絕緣膜3，通過CVD法形成膜厚300nm左右的SiN膜。進而，作為半導體層4，在Αι^Π &的混合氣體氣氛(氧含有量Ivol % )中，在基板溫度為室溫的條件下，使用組成例如為h Ga Zn(原子比)=1:1: 1的濺射靶，進行反應性濺射，從而形成由a-IGZO構成的氧化物半導體層(膜厚30nm左右)(參照圖4(b))。接下來，進行光刻法，使用草酸蝕刻a-IGZO膜，形成半導體層(氧化物半導體層)4(參照圖4(c))。接下來，利用CVD法形成膜厚IOOnm左右的S^2膜，將柵極電極作為掩膜，從玻璃基板背面(沒有形成柵極電極等的面)進行曝光來進行光刻法，通過幹法蝕刻形成溝道保護層8(參照圖4(d))。在與所述實施方式1的情況同樣地進行了 Ar等離子體處理後，利用濺射法，以成膜溫度200°C以上，形成膜厚200nm左右的Al合金膜(例如Al_2at% Ni-0. 35at% La合金膜)。或者在與所述實施方式1的情況同樣地進行了 Ar等離子體處理後，利用濺射法以例如成膜溫度150°C形成膜厚200nm左右的所述Al合金膜，之後，例如以250°C進行30分鐘的熱處理(參照圖4(e))。通過對所述Al合金膜實施光刻法和蝕刻，從而形成源極電極5、漏極電極6 (參照圖 4(f))。 然後，可以利用CVD法形成由S^2構成的保護層7從而得到圖2的TFT基板9 』(參照圖4(g))。使用如此得到的TFT基板，例如，可以通過一般進行的方法來完成顯示裝置。實施例以下，列舉實施例來更具體地說明本發明，但是本發明不受以下的實施例限制，當然可以在能夠符合上述/下述的主旨的範圍內適當地施加變更，那些都被包含在本發明的技術範圍內。(1)關於金屬膜的種類和觸點電阻使用如下述那樣製作的TLM元件，利用TLM法調查了純Al膜、或者Al_2at % Ni-0. 35at% La合金膜與氧化物半導體層之間的觸點電阻。詳細而言，首先，在玻璃基板(康寧(CORNING)公司制fegle2000)的表面，在Ar和O2的混合氣體氛圍(氧含有量Ivol 中，以基板溫度為室溫的條件，使用組成為 In Ga Zn (原子比)=1:1: 1的濺射靶，進行濺射，從而形成由a_IGZ0構成的氧化物半導體層(膜厚30nm)。接下來，通過CVD法形成200nm的SW2膜，並且通過光刻法，進行與源極電極/漏極電極的接觸部分的圖案化，利用RIE蝕刻裝置，通過Ar/CHF3等離子體進行了接觸孔蝕刻。接下來，進行灰化(ashing)去除抗蝕劑表面的反應層後，接著利用剝離液(東京應化工業(株)制的T0K106)完全地剝離抗蝕劑。然後，作為源極電極/漏極電極，形成了膜厚200nm的純Al膜、或者Al_2at % Ni-0. 35at% La合金膜。此時的成膜條件都採用氣氛氣體=氬氣、壓力=2mTorr、基板溫度=室溫或者200°C。此外，對於一部分樣品，在成膜後還實施了 250°C、30分鐘的熱處理。接下來，通過光刻法形成TLM元件的圖案，將抗蝕劑作為掩膜，蝕刻上述純Al膜、 或者Al-2at% Ni-0. 35at% La合金膜，通過剝離抗蝕劑，從而得到了包括多個電極、並且相連電極間的距離各種各樣的TLM元件。上述TLM元件的圖案，採用了間隙為10μπι、20μπι、 30μπι、40μπι、50μπι 分度(pitch)、150 μ m 寬 X 300 μ m 長的圖案。使用如此獲得的TLM元件，測量多個電極間的電流電壓特性，求出了各電極間的電阻值。根據如此得到的各電極間的電阻值與電極間距離的關係，求出了觸點電阻率(TLM 法)。對於上述測量，各金屬膜製作3個TLM元件，測量上述觸點電阻率求出平均值。表 1中示出該結果。[表 1] — ΓΓ ι.......rm
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權利要求
1.一種布線構造，在基板上從基板側依次具備薄膜電晶體的半導體層、和與所述半導體層直接連接的Al合金膜，所述半導體層由氧化物半導體構成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的布線構造，其中，所述Al合金膜與構成像素電極的透明導電膜直接連接。
3.根據權利要求1所述的布線構造，其中，所述Al合金膜包含0. 1 2原子％的Ni以及Co中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的布線構造，其中， 所述Al合金膜還包含Cu以及Ge中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的布線構造，其中，所述Al合金膜包含0. 05 2原子％的Cu以及Ge中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的布線構造，其中，所述氧化物半導體由包含從h、Ga、ai、Ti以及Sn構成的群中選擇的至少一種元素的氧化物構成。
7.根據權利要求1所述的布線構造，其中，所述 Al 合金膜還含有從 Nd、Y、Fe、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、 Pt、La、Gd、Tb、Dy、Sr、Sm、Ge以及Bi構成的群中選擇的至少一種。
8.根據權利要求7所述的布線構造，其中，所述Al合金膜含有從Nd、La以及Gd構成的群中選擇的至少一種。
9.根據權利要求1所述的布線構造，其中，薄膜電晶體的源極電極以及漏極電極的至少一個由所述Al合金膜構成。
10.一種顯示裝置，具備權利要求1所述的布線構造。
11.一種布線構造的製造方法，用於製造權利要求1所述的布線構造， 包括使所述半導體層成膜的工序以及使所述Al合金膜成膜的工序， 通過使所述Al合金膜的成膜時的基板溫度為200°C以上、和/或在所述Al合金膜的成膜後用200°C以上的溫度進行熱處理，從而在所述半導體層和與該半導體層直接連接的所述Al合金膜的界面，使Ni以及Co 的至少一種的一部分析出和/或濃化。
全文摘要
本發明提供一種布線構造，其在有機EL顯示器或液晶顯示器等顯示裝置中，能夠使半導體層與構成例如源極電極、漏極電極的Al繫膜穩定地直接連接，並且在溼法工藝所使用的電解質液中，所述半導體層和Al繫膜之間難以產生電化腐蝕，能夠抑制Al繫膜的剝離。布線構造在基板上從基板側依次具備薄膜電晶體的半導體層、和與所述半導體層直接連接的Al合金膜，所述半導體層由氧化物半導體構成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一種。
文檔編號H01L29/786GK102473730SQ20108003180
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月27日 優先權日2009年7月27日
發明者前田剛彰, 後藤裕史 申請人:株式會社神戶制鋼所