半導體加工站的製作方法
2023-05-28 12:20:31
本發明涉及一種半導體加工站、半導體工藝以及操作半導體加工站的方法。
背景技術：
近年來，半導體加工站是半導體製造中的重大進步。多個襯底(例如，晶片)通常由運輸載具成批地共同存儲並運輸遍布在不同晶片處理工具或設備的裝載埠之間的半導體製造設施(「製造(fab)」)。此類工具一般執行各種光刻、刻蝕、材料/薄膜沉積、固化、退火、檢查或用於ic晶片製造的其它工藝。一個此類運輸載具為前開式晶片盒(frontopeningunifiedpod,foup)，所述前開式晶片盒為經設計以將多個襯底保持於經控制環境中的塑料外殼。
技術實現要素：
本發明實施例提供一種半導體加工站，包括平臺及裝載埠，其中平臺包含進氣/出氣埠及多個處理模塊。裝載埠包含裝載室、可移動蓋板及載具傳送模塊。裝載室與進氣/出氣埠連通且在其頂端處具有用於接收裝載室內的運輸載具的裝載開口。可移動蓋板安置於裝載開口處且經配置以密封裝載開口。載具傳送模塊經配置以將運輸載具傳送到進氣/出氣埠。
附圖說明
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本發明的各方面。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了論述清楚起見，可以任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1為根據本發明的一些實施例的半導體加工站的平面示意圖。
圖2為根據本發明的一些實施例的圖1的半導體加工站的側視示意圖。
圖3至圖9為根據本發明的一些實施例的圖1中的說明運輸載具的裝載工藝的半導體加工站的前視示意圖。
圖10為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。
圖11為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。
圖12為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。
圖13為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。
圖14為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。
附圖標號說明：
10：半導體加工站；
12：襯底；
100：平臺；
110：進氣/出氣埠；
120：處理模塊；
130：中央傳送模塊；
132：中央傳送機構；
200：裝載埠；
210：裝載室；
210a：第一裝載室；
210b：第二裝載室；
212：裝載開口；
214：頂端；
216：底端；
220：載具傳送模塊；
230：可移動蓋板；
230a：可移動蓋板；
230b：可移動蓋板；
240：真空泵；
300：運輸載具；
300a：運輸載具；
300b：運輸載具；
300c：運輸載具；
300d：運輸載具；
300e：運輸載具；
300f：運輸載具；
400：載具運輸軌道；
410：頂側；
420：底側；
500：自動材料處置系統；
600a：第一緩衝埠；
600b：第二緩衝埠；
1010-1040：步驟；
1110-1150：步驟；
1210-1250：步驟；
1310-1350：步驟；
1410-1470：步驟。
具體實施方式
以下公開內容提供用於實施所提供的標的物的不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述組件和布置的特定實例以簡化本發明。當然，這些只是實例且並不旨在進行限制。舉例來說，在以下描述中，第一特徵在第二特徵上方或上的形成可包含第一特徵和第二特徵直接接觸地形成的實施例，且還可包含額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成使得第一特徵和第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本發明可以在各種實例中重複參考標號和/或字母。這種重複是出於簡化和清楚的目的並且本身並不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關係。
此外，為易於描述，可使用例如「在…下方」、「在…之下」、「下部」、「在…之上」、「上部」及類似者等的空間相對術語，以描述如圖中所說明的一個組件或特徵相對於另一組件或特徵的關係。除圖中所描繪的定向以外，空間相對術語旨在涵蓋在使用或操作中的裝置的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處於其它定向)，且本文中所使用的空間相關描述詞也可同樣地進行解釋。
圖1為根據本發明的一些實施例的半導體加工站的平面示意圖。圖2為根據本發明的一些實施例的圖1的半導體加工站的側視示意圖。
參考圖1及圖2，半導體加工站10經配置以處理襯底12，例如晶片。襯底12可包含一或多個半導體、導體和/或絕緣層。半導體層可包含基本半導體，例如，具有結晶、多晶、非晶和/或其它合適的結構的矽或鍺；包含碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦的化合物半導體；包含sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp的合金半導體；任何其它合適的材料；和/或其組合。在一些實施例中，半導體的組合可呈混合物或梯度的形式，例如，其中si與ge的比率隨位置的變化而變化的襯底。在一些實施例中，襯底12可包含層狀半導體。實例包含半導體層在(例如)用於產生絕緣體上矽(「silicon-on-insulator,soi」)襯底、藍寶石上矽襯底或絕緣體上矽鍺襯底的絕緣體上分層，或半導體在玻璃上分層從而產生薄膜電晶體(「thinfilmtransistor,tft」)。
半導體加工站10包含平臺100及裝載埠200。平臺100包含進氣/出氣埠110、多個處理模塊120以及具有中央傳送機構132的中央傳送模塊130。進氣/出氣埠110及多個處理模塊120布置於中央傳送模塊130的周邊。這種配置允許中央傳送機構132運輸處理模塊120與進氣/出氣埠110之間的襯底12。
處理模塊120可經配置以對襯底12執行任何製造程序。襯底製造程序包含沉積工藝，例如，物理氣相沉積(「physicalvapordeposition,pvd」)、化學氣相沉積(「chemicalvapordeposition,cvd」)、等離子增強化學氣相沉積(「plasma-enhancedchemicalvapordeposition,pecvd」)、電化學沉積(「electrochemicaldeposition,ecd」)、分子束外延法(「molecularbeamepitaxy,mbe」)、原子層沉積(「atomiclayerdeposition,ald」)和/或其它沉積工藝；刻蝕工藝，其包含溼式及乾式刻蝕以及離子束研磨；光刻曝光；離子植入；熱工藝，例如，退火和/或熱氧化；清洗工藝，例如，衝洗和/或等離子灰化；化學機械拋光或化學機械平坦化(統稱為「chemicalmechanicalpolishing/chemicalmechanicalplanarizing,cmp」)工藝；測試；涉及襯底12的處理的任何程序；和/或程序的任何組合。
密封由包含進氣/出氣埠110、多個處理模塊120以及中央傳送模塊130的平臺100定義的半導體加工站10的區域。大氣控制(包含過濾)提供具有極低水平的顆粒及空氣分子汙染(「airbornemolecularcontamination,amc」)的環境。通過在半導體加工站10內創建微環境，處理模塊120可在比周圍設施更清潔的環境中操作。這允許在襯底處理期間以減小的成本對汙染進行更緊密地控制。
裝載埠200包含裝載室210及裝載室210中的載具傳送模塊220。裝載室210與平臺100的進氣/出氣埠110連通。裝載室210在其頂端214處具有用於接收裝載室210內的運輸載具300的裝載開口212。此外，可移動蓋板230安置於裝載開口212處且可經配置以打開或密封裝載室210的裝載開口212。在一些實施例中，運輸載具300可為前開式晶片盒(「foup」)、前開式裝運箱(「front-openingshippingbox,fosb」)、標準機械接口(「standardmechanicalinterface,smif」)盒和/或其它合適的容器。運輸載具300可通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212裝載到裝載室210內。隨後，載具傳送模塊220可將運輸載具300傳送到進氣/出氣埠110。本文中，運輸載具300的位置可由載具傳送模塊220調節以將運輸載具300有效地耦合到進氣/出氣埠110。舉例來說，運輸載具300可在特定距離內移動並以較小角度轉動從而恰好面對進氣/出氣埠110。
在一些實施例中，裝載開口212可由可移動蓋板230密封從而形成用於容納運輸載具300的真空環境。真空泵240可安置於裝載室的底端216處從而形成真空環境。裝載室210連同進氣/出氣埠110通過密封裝載室210而與外界環境隔離以將大氣保存於中央傳送模塊130及處理模塊120內。
在其它實施例中，取決於運輸載具300經調度為下一載具的位置，裝載室210能夠產生與外界環境或中央傳送室14相容的大氣。這可需要通過例如添加純化氣體或產生真空的機構連同用於調節裝載鎖定室大氣的其它合適的裝置來更改裝載室210的氣體含量。當已達到校正大氣時，可打開運輸載具300，且運輸載具300中的襯底12可經進入並由中央傳送模塊130傳送到處理模塊120；或者，具有經處理襯底12的運輸載具300可通過裝載開口212從裝載室210去除。
在一些實施例中，中央傳送模塊130與進氣/出氣埠110及多個處理模塊120連通。襯底傳送機構132經配置於中央傳送模塊130中以將多個襯底12按順序抓取並從運輸載具300橫向傳送到處理模塊120。此外，在一些實施例中，載具傳送模塊220可包含載具升降機構222，所述載具升降機構經配置以在裝載室210中向上及向下移動運輸載具300。通過此配置，載具升降機構222可經配置以按照與襯底傳送機構132的抓取順序同步的步進移動而移動運輸載具300。在運輸載具300中的襯底12中的一者由襯底傳送機構132抓取之後，運輸載具300以一間距向上或向下移動。並且，重複上述步驟直到運輸載具300中的全部襯底12被抓取為止。類似地，經處理襯底12可通過反演上述步驟而裝載到運輸載具300中。
傳統的設備前端模塊(equipmentfrontendmodule,efem)側面沒有額外的裝載埠，運輸載具300可通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212直接裝載到經密封裝載室210中。因此，相較於傳統的半導體加工站，半導體加工站10的總覆蓋面積大大減小，且半導體加工站10的工具不那麼複雜以便降低工具成本並增大工具產量。
參考圖2，在一些實施例中，半導體加工站10進一步包括用於運輸裝載室210外側的運輸載具300的載具運輸軌道400且有助於將運輸載具300裝載到裝載室210中。更確切地說，載具運輸軌道400具有經配置以裝載並移動運輸載具300的頂側410及經配置以推動可移動蓋板230從而打開裝載室210的底側420。在下文中進一步說明伴有載具運輸軌道400的裝載運輸載具300的詳細操作。
圖3至圖9為根據本發明的一些實施例的圖1中的說明運輸載具的裝載工藝的半導體加工站的前視示意圖。
首先，如圖3中所示，裝載室210包括第一裝載室210a及第二裝載室210b。載具運輸軌道400安置在第一裝載室210a及第二裝載室210b上。自動材料處置系統(automatedmaterialhandlingsystem,amhs)500用於將運輸載具300運輸到載具運輸軌道400。本文中，具有經處理襯底的運輸載具300a及300b分別從第一裝載室210a及第二裝載室210b去除到載具運輸軌道400的頂側410。在一些實施例中，半導體加工站10進一步包括一或多個緩衝埠(例如，第一緩衝埠600a及第二緩衝埠600b)，所述緩衝埠安置於第一裝載室210a及第二裝載室210b的側面，並且經配置以將具有經處理襯底的運輸載具300a及300b排出。具有未處理襯底的運輸載具300c及300d通過amhs500分別裝載到第一緩衝埠600a及第二緩衝埠600b。
隨後，如圖4中所示，具有未處理襯底的運輸載具300d從載具運輸軌道400的頂側410到底側420進入第二緩衝埠600b的緩衝空間。因此，釋放最初由在載具運輸軌道400的頂側410處的具有未處理襯底的運輸載具300d佔據的空間。
隨後，如圖5所示，具有未處理襯底的運輸載具300c及具有經處理襯底的運輸載具300a及300b沿載具運輸軌道400向左移動。此時，第一裝載室210a的可移動蓋板230a由載具運輸軌道400的底側420去除從而通過(例如)電磁力或其它可適用方式打開第一裝載室210a。具有未處理襯底的運輸載具300c現對應於第一裝載室210a。
接下來，如圖6中所示，將具有未處理襯底的運輸載具300c裝載到第一裝載室210a中。並且，可移動蓋板230a返回以密封第一裝載室210a。
隨後，如圖7中所示，具有經處理襯底的運輸載具300a及300b沿載具運輸軌道400向右移動。因此，釋放最初由在載具運輸軌道400的頂側410處的具有經處理襯底的運輸載具300b佔據的空間。此時，第二裝載室210b的可移動蓋板230b由載具運輸軌道400的底側420去除從而通過(例如)電磁力或其它可適用方式打開第二裝載室210b。並且，在載具運輸軌道400的底側420處的第二緩衝埠600b的緩衝空間中的具有未處理襯底的運輸載具300d現移動返回到載具運輸軌道400的頂側410。
此後，如圖8中所示，具有未處理襯底的運輸載具300d現可裝載到第二裝載室210b中。並且接著，可移動蓋板230b返回以密封第二裝載室210b。
在上述圖3至圖8的步驟之後，具有未處理襯底的運輸載具300c及300d完全裝載到經密封第一裝載室210a及經密封第二裝載室210b中。隨後，未處理襯底可由平臺100及裝載埠200的機構傳送到如圖1及圖2中所提到的處理模塊120以對未處理襯底執行製造程序。另外，具有經處理襯底的運輸載具300a及300b可由amhs500抓取並運輸遠離半導體加工站10。
此外，如圖9中所示，在運輸載具300c及300d的襯底經處理之後，具有經處理襯底的運輸載具300c及300d分別從第一裝載室210a及第二裝載室210b去除到載具運輸軌道400的頂側410。並且，具有未處理襯底的運輸載具300e及300f通過amhs500分別裝載到第一緩衝埠600a及第二緩衝埠600b。工藝現傳回到如圖3中所示的狀態。遵從平臺100及裝載埠200的操作的自動化載具裝載及運輸工藝可通過重複如圖3至圖9中所示的步驟來完成。
伴隨圖1至圖9，在下文中進一步說明如上文所提到的操作半導體加工站10的方法。相關組件或步驟的詳細描述可參考前述實施例，且將不在下文中重複。
圖10為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。首先，通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212將運輸載具300裝載到裝載埠200的裝載室210中(步驟1010)。隨後，將運輸載具300傳送到平臺100的進氣/出氣埠110(步驟1020)。接下來，將運輸載具300中的多個襯底12按順序抓取並從運輸載具300橫向傳輸到平臺100的多個處理模塊120(步驟1030)。隨後，對處理模塊中的每一者中的襯底12執行工藝(步驟1040)。
處理模塊120可經配置以對襯底12執行任何製造程序。襯底製造程序包含沉積工藝，例如，物理氣相沉積(「pvd」)、化學氣相沉積(「cvd」)、等離子增強化學氣相沉積(「pecvd」)、電化學沉積(「ecd」)、分子束外延法(「mbe」)、原子層沉積(「ald」)以和/或其它沉積工藝；刻蝕工藝，其包含溼式及乾式刻蝕以及離子束研磨；光刻曝光；離子植入；熱工藝，例如，退火和/或熱氧化；清洗工藝，例如，衝洗和/或等離子灰化；化學機械拋光或化學機械平坦化(統稱為「cmp」)工藝；測試；涉及襯底12的處理的任何程序；和/或程序的任何組合。
圖11為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。首先，通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212將運輸載具300裝載到裝載埠200的裝載室210中(步驟1110)。隨後，裝載室210可由可移動蓋板230密封且真空環境可形成於裝載室210中(步驟1120)。隨後，運輸載具300由(例如)配置於裝載室210中的載具傳送模塊220傳送到平臺100的進口/出口埠110(步驟1130)。接下來，運輸載具300中的多個襯底12由(例如)配置於與進口/出口埠110及平臺100的多個處理模塊120連通的中央傳送模塊130中的襯底傳送機構132按順序抓取並從運輸載具300橫向傳送到平臺100的多個處理模塊120(步驟1140)。隨後，對處理模塊中的每一者中的襯底12執行上文所提到的工藝(步驟1150)。
圖12為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。首先，通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212將運輸載具300裝載到裝載埠200的裝載室210中(步驟1210)。隨後，運輸載具300由(例如)配置於裝載室210中的載具傳送模塊220傳送到平臺100的進氣/出氣埠110(步驟1220)。接下來，運輸載具300可通過載具傳送模塊220以步進移動在裝載室210中向上及向下移動(步驟1230)。並且，同時，運輸載具300中的多個襯底12按與運輸載具300的步進移動同步的順序由(例如)經配置於與平臺100的進氣/出氣埠110及多個處理模塊120連通的中央傳送模塊130中的襯底傳送機構132抓取並從運輸載具300橫向傳送到平臺100的多個處理模塊120(步驟1240)。隨後，對處理模塊中的每一者中的襯底12執行上文所提到的工藝(步驟1250)。
圖13為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。首先，通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212將運輸載具300裝載到裝載埠200的裝載室210中(步驟1310)。隨後，將運輸載具300傳送到平臺100的進氣/出氣埠110(步驟1320)。接下來，將運輸載具300中的多個襯底12按順序抓取並從運輸載具300橫向傳輸到平臺100的多個處理模塊120(步驟1330)。隨後，對處理模塊中的每一者中的襯底12執行上文所提到的工藝(步驟1340)。本文中，將運輸載具300裝載到裝載室210的步驟1310可由具有經配置以裝載並移動運輸載具300的頂側410及經配置以打開裝載室210的底側420的載具運輸軌道400執行。隨後，在運輸載具300中的多個襯底12經處理之後，可將運輸載具300從裝載室210排出到緩衝埠600a或600b(步驟1350)。並且，在步驟1350中，裝載室210可隨著將運輸載具300從裝載室210排出到緩衝埠600a或600b而打開。
圖14為根據本發明的一些實施例的表示半導體工藝的步驟的流程圖。首先，通過裝載室210的頂端214處的裝載開口212將運輸載具300裝載到裝載埠200的裝載室210(步驟1410)。隨後，裝載室210可由可移動蓋板230密封且真空環境可形成於裝載室210中(步驟1420)。隨後，運輸載具300由(例如)配置於裝載室210中的載具傳送模塊220傳送到平臺100的進氣/出氣埠110(步驟1430)。接下來，運輸載具300可通過載具傳送模塊220以步進移動而在裝載室210中向上及向下移動(步驟1440)。並且，同時，運輸載具300中的多個襯底12按與運輸載具300的步進移動同步的順序由(例如)經配置於與平臺100的進氣/出氣埠110及多個處理模塊120連通的中央傳送模塊130中的襯底傳送機構132抓取並從運輸載具300橫向傳送到平臺100的多個處理模塊120(步驟1450)。隨後，對處理模塊中的每一者中的襯底12執行上文所提到的工藝(步驟1460)。本文中，將運輸載具300裝載到裝載室210的步驟1310可由具有經配置以裝載並移動運輸載具300的頂側410及經配置以打開裝載室210的底側420的載具運輸軌道400執行。隨後，在運輸載具300中的多個襯底12經處理之後，可將運輸載具300從裝載室210排出到緩衝埠600a或600b(步驟1470)。並且，在步驟1470中，裝載室210可隨著將運輸載具300從裝載室210排出到緩衝埠600a或600b而打開。
根據一些實施例，半導體加工站包括平臺及裝載埠，其中平臺包含進氣/出氣埠及多個處理模塊。裝載埠包含裝載室、可移動蓋板及載具傳送模塊。裝載室與進氣/出氣埠連通且在其頂端處具有用於接收裝載室內的運輸載具的裝載開口。可移動蓋板安置於裝載開口處且經配置以密封裝載開口。載具傳送模塊經配置以將運輸載具傳送到進氣/出氣埠。
在進一步的實施例中，所述裝載開口由所述可移動蓋板密封從而形成容納所述運輸載具的真空環境。
在進一步的實施例中，所述平臺進一步包括：中央傳送模塊，與所述進氣/出氣埠以及所述多個處理模塊連通；以及，襯底傳送機構，經配置於所述中央傳送模塊中以將多個襯底按順序抓取並從所述運輸載具橫向傳送到所述多個處理模塊。
在進一步的實施例中，所述載具傳送模塊包括經配置以使所述運輸載具在所述裝載室中向上及向下移動的載具升降機構。
在進一步的實施例中，所述載具升降機構經配置以按照與所述襯底傳送機構的抓取順序同步的步進移動來移動所述運輸載具。
在進一步的實施例中，所述半導體加工站進一步包括具有經配置以裝載並移動所述運輸載具的頂側以及經配置以推動所述可移動蓋板以打開所述裝載室的底側的載具運輸軌道。
在進一步的實施例中，所述半導體加工站進一步包括安置於所述裝載室的側面以及經配置以排出所述運輸載具的緩衝埠。
根據一些實施例，提供一種適合於具有平臺及裝載埠的半導體加工站的半導體工藝，其中所述半導體工藝包括：通過裝載室的頂端處的裝載開口將攜載多個襯底的運輸載具裝載到裝載埠的裝載室中；將運輸載具傳送到平臺的進氣/出氣埠；將多個襯底按順序抓取並從運輸載具橫向傳送到平臺的多個處理模塊；以及對處理模塊中的每一者中的襯底執行工藝。
在進一步的實施例中，所述半導體工藝進一步包括在將所述運輸載具裝載到所述裝載室中之後以及在將所述運輸載具傳送到所述平臺的進氣/出氣埠之前密封所述裝載室，並在所述裝載室中形成真空環境。
在進一步的實施例中，所述多個襯底由經配置於與所述平臺的所述進氣/出氣埠以及所述多個處理模塊連通的中央傳送模塊中的襯底傳送機構抓取並從所述運輸載具橫向傳送到所述平臺的所述多個處理模塊。
在進一步的實施例中，將所述運輸載具裝載到所述裝載室包括使所述運輸載具在所述裝載室中向上及向下移動。
在進一步的實施例中，所述運輸載具以與將所述多個襯底抓取並從所述運輸載具橫向傳送到所述多個處理模塊的順序同步的步進移動在所述裝載室中向上及向下移動。
在進一步的實施例中，所述運輸載具由具有經配置以裝載並移動所述運輸載具的頂側以及經配置以打開所述裝載室的底側的載具運輸軌道裝載到所述裝載室中。
在進一步的實施例中，所述半導體工藝進一步包括提供安置於所述裝載室的側面處的緩衝埠，並在所述運輸載具中的所述多個襯底經處理之後將所述運輸載具從所述裝載室排出到所述緩衝埠。
在進一步的實施例中，所述裝載室隨著所述運輸載具從所述裝載室排出到所述緩衝埠而打開。
根據一些實施例，提供一種操作具有平臺及裝載埠的半導體加工站的方法，其中所述方法包括：通過裝載室的頂端處的裝載開口將運輸載具裝載到裝載埠的裝載室中；將運輸載具傳送到平臺的進氣/出氣埠；以及將多個襯底按順序抓取並從運輸載具橫向傳送到平臺的多個處理模塊。
在進一步的實施例中，所述多個襯底由經配置於與所述平臺的所述進氣/出氣埠以及所述多個處理模塊連通的中央傳送模塊中的襯底傳送機構抓取並從所述運輸載具橫向傳送到所述平臺的所述多個處理模塊。
在進一步的實施例中，將所述運輸載具裝載到所述裝載室中包括以與將所述多個襯底抓取並從所述運輸載具橫向傳送到所述多個處理模塊的順序同步的步進移動在所述裝載室中使所述運輸載具向上及向下移動。
在進一步的實施例中，所述運輸載具由具有經配置以裝載並移動所述運輸載具的頂側以及經配置以打開所述裝載室的底側的載具運輸軌道裝載到所述裝載室中。
在進一步的實施例中，所述方法進一步包括提供安置於所述裝載室的側面處的緩衝埠，並在所述運輸載具中的所述多個襯底經處理之後將所述運輸載具從所述裝載室排出到所述緩衝埠。
前文概述若干實施例的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本發明的各方面。本領域技術人員應理解，其可易於使用本發明作為用於設計或修改用於實現本文中所引入的實施例的相同目的和/或獲得相同優點的其它工藝和結構的基礎。所屬領域的技術人員還應認識到，此類等效構造並不脫離本發明的精神和範圍，且其可在不脫離本發明的精神和範圍的情況下在本文中進行各種改變、取代和更改。