自發光顯示裝置和電子設備的製作方法
2023-05-28 06:02:31
專利名稱：自發光顯示裝置和電子設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及包括自發光元件的自發光顯示裝置和包括該自發光顯示裝 置的電子設備。
背景技術：
近年來，人們積極地開發了將有機EL (電致發光)元件用作自發光元 件的自發光顯示裝置(有機EL顯示裝置)。有機EL元件是利用施加電場至 有機薄膜而發光的現象的元件。因為有才幾EL元件能夠在例如IOV或者更小 的施加電壓下被驅動，所以其功耗較低。此外，因為有機EL元件為如上所 述的自發光元件，所以不需要照明構件(諸如液晶元件的照明構件)，因此 易於減輕重量並減少厚度。此外，因為有4幾EL元件的響應速度非常高(約 幾jas )，所以其具有在顯示的視頻中不產生殘留圖像的優點。
對於採用這樣的有機EL元件的有機EL顯示裝置，具體地講，人們積 極地開發了有源矩陣有機EL顯示裝置，其中在每個像素中集成形成作為驅 動元件等的薄膜電晶體(TFT)(例如，參考曰本未審查專利申請公開No. 2007-310311 )。
發明內容
在前述的日本未審查專利申請公開No.2007-310311等中，披露了形成在 每個像素中的像素電路。在某些情況下，R(紅)、G(綠)和B(藍)每種 顏色的各像素電路的驅動電晶體和累積電容元件的尺寸根據所需的每個顯 示驅動電流的大小而不同。結果，在具體顏色的像素電路中，像素圖案密度 變得很高，因此圖案的缺陷率將因灰塵等而增加。在圖案缺陷率增加的情況 下，製造產率P爭低。
前述的缺點不僅存在於自發光元件為有機EL元件的情況，而且也存在 於無機EL元件或者LED (發光二極體)的情況。
考慮到前述的缺點，在本發明中，所希望的是提供能夠改善產率的自發光顯示裝置和電子設備。
根據本發明的實施例，所提供的第一自發光顯示裝置包括像素層，其 中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發光元件的多個顏色像素 構成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅 動顏色像素的多個顏色像素電路構成。在像素電路內，該顏色像素電路的尺 寸根據使像素中的顏色自發光元件以相同的發光亮度發光的電流的大小比 率而非均等地設定。
根據本發明的實施例，所提供的第一電子設備包括具有顯示功能的前述 第一自發光顯示裝置。
在本發明實施例的第一自發光顯示裝置和第一電子設備中，在像素電路 內顏色像素電路的尺寸根據使像素中的顏色自發光元件以相同的發光亮度 發光的電流的大小比率而非均等地設定。因此，即使在每個顏色的像素中像 素電路中的元件尺寸根據驅動電流的大小而彼此不同，對應像素電路中的像 素圖案密度也彼此均等。因此，避免了圖案缺陷率因具體顏色的像素電路中 像素圖案密度的增加而增加，並且減少了整個像素電路的圖案缺陷率。
根據本發明的實施例，所提供的第二自發光顯示裝置包括像素層，其 中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發光元件的多個顏色像素 構成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅 動顏色像素的多個顏色像素電路構成。顏色像素電路的每個包括具有有源層 和柵極電極的驅動電晶體。在像素電路內，顏色像素電路的尺寸根據每個都 定義為驅動電晶體中的有源層和柵極電極彼此重疊的區域的重疊區域之間 的面積比而非均等地設定。
根據本發明的實施例，所提供的第二電子設備包括具有顯示功能的前述 第二自發光顯示裝置。
在本發明實施例的第二自發光顯示裝置和第二電子設備中，在像素電路 內顏色像素電路的尺寸根據每個都定義為驅動電晶體中的有源層和柵極電 極彼此重疊的區域的重疊區域之間的面積比而非均等地設定。因此，即使在 每個顏色的像素中驅動電晶體的元件尺寸根據重疊區域之間的面積而彼此 不同，對應像素電路中的像素圖案密度也彼此均等。因此，避免了圖案缺陷 率因具體顏色的像素電路中像素圖案密度的增加而增加，並且減少了整個像 素電路的圖案缺陷率。根據本發明的實施例，所提供的第三自發光顯示裝置包括像素層，其
中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發光元件的多個顏色像素
構成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅 動顏色像素的多個顏色像素電路構成。顏色像素電路的每個包括電容元件。 此外，在像素電路內顏色像素電路的尺寸根據顏色像素電路中的電容元件之 間的面積比而非均等地設定。
根據本發明的實施例，所提供的第三電子設備包括具有顯示功能的前述 第三自發光顯示裝置。
在本發明實施例的第三自發光顯示裝置和第三電子設備中，在像素電路 內顏色像素電路的尺寸根據顏色像素電路中的電容元件之間的面積比非均 等地設定。因此，即使在每個顏色的像素中累積電容元件的元件尺寸根據累 積電容元件的面積而彼此不同，對應像素電路中的4象素圖案密度也彼此均 等。因此，避免了圖案缺陷率因具體顏色的像素電路中像素圖案密度的增加 而增加，並且減少了整個像素電路的圖案缺陷率。
根據本發明實施例的第一自發光顯示裝置或者第一電子設備，在像素電 路內顏色像素電路的尺寸根據使像素中的顏色自發光元件以相同的發光亮 度發光的電流大小的比而非均等地設定。因此，對應於每個顏色的像素電路 的像素圖案密度變為彼此均等，並且能減少整個像素電路的圖案缺陷率。從 而，能改善產率。
根據本發明實施例的第二自發光顯示裝置或者第二電子設備，在像素電 路內顏色像素電路的尺寸根據每個都定義為驅動電晶體中的有源層和柵極 電極彼此重疊的區域的重疊區域之間的面積比而非均等地設定。因此，對應 於每個顏色的像素電路的像素圖案密度變為彼此均等，並且能減少整個像素 電路的圖案缺陷率。從而，能改善產率。
根據本發明實施例的第三自發光顯示裝置或者第三電子設備，在像素電 路內顏色像素電路的尺寸根據顏色像素電路中的電容元件之間的面積比而 非均等地設定。因此，對應於每個顏色的像素電路的像素圖案密度變為彼此 均等，並且能減少整個像素電路的圖案缺陷率。從而，能改善產率。
通過下面的描述，本發明的其它和進一步的目標、特徵和優點將更加明 顯易懂。
圖1是圖解根據本發明第一實施例的自發光顯示裝置的整體結構的框
圖2是圖解圖1所示的每個像素中的像素電路的結構示例的電路圖； 圖3是圖解圖2所示的像素電路結構的平面圖； 圖4是圖解根據第一實施例的各顏色像素的像素電路層的結構示例的平 面圖5是圖解根據第一實施例的各顏色像素的自發光元件的結構示例的平 面圖6是圖解圖4和圖5所示的像素電路層和自發光元件的截面結構示例 的截面圖7是圖解圖2所示的像素電路中的顯示驅動運行示例的時間波形流程
圖8是圖解根據比較示例的各顏色像素的像素電路層的現有結構的平面
圖9是圖解根據比較示例的各顏色像素的自發光元件的現有結構的平面
圖io是圖解根據第二實施例的各顏色像素的自發光元件的結構示例的 平面圖11是用於解釋可以在第一實施例的像素電路層和自發光元件中產生
的寄生電容成分的平面圖12A和12B是用於解釋圖11所示的寄生電容成分的示意性截面圖13是用於解釋圖11所示的寄生電容成分的電路圖14是用於解釋由圖ll所示的寄生電容成分引起的串擾現象的時間波
形流程圖15是圖解根據第三實施例的各顏色像素的自發光元件的結構示例的 平面圖16是圖解根據第四實施例的各顏色像素的像素電路層的結構示例的 平面圖17是圖解根據第四實施例的各顏色像素的^像素電路層的另一個結構 示例的平面圖；圖18是圖解本發明的自發光顯示裝置的第 一應用示例的外觀的透視圖； 圖19A是圖解第二應用示例從前側看的外觀的透視圖，而圖19B是圖 解第二應用示例從後側看的外觀的透視圖20是圖解第三應用示例的外觀的透視圖； 圖21是圖解第四應用示例的外觀的透視圖22A是第五應用示例打開狀態的主視圖，圖22B是其側視圖，圖22C 是第五應用示例閉合狀態的主視圖，圖22D是其左i見圖，圖22E是其右視 圖，圖22F是其俯視圖，而圖22G是其仰視圖23是圖解根據本發明修改示例的像素電路結構的電路圖24是圖解圖23所示的電路圖結構的平面圖；和
圖25是圖解對應於圖23所示的像素電路的自發光元件結構的平面圖。
具體實施例方式
下面，將參考附圖詳細地描述本發明的實施例。 第一實施例
圖1圖解了根據本發明第一實施例的自發光顯示裝置(有機EL顯示裝 置1)的總體結構。有機EL顯示裝置1包括具有以矩陣狀態二維布置的像 素20的像素陣列部分2，以及布置在像素陣列部分2的周邊上的電源掃描電 路31、寫入掃描電路32和水平驅動電路33。在像素陣列部分2的mxn的 像素布置中，電源供應線VL-1至VL-m和掃描線WL-1至WL-m連接到每 個像素行的像素，信號線DL-1至DL-n連接到每個像素列的像素。
像素陣列部分2形成在例如由玻璃板等製作的透明絕緣基板(未示出) 上，並且具有平板型的面板結構。在像素陣列部分2中的每個像素20中， 如稍後所述，形成採用非晶矽TFT (薄膜電晶體)或者低溫多晶矽TFT的 像素電路。在像素電路中，如稍後所述，包括作為自發光元件的有機EL元 件和由金屬層、半導體層和絕緣層等組成的像素電路層。在像素電路中採用 低溫多晶矽TFT的情況下，電源掃描電路31、寫入掃描電路32和水平驅動 電路33也可以安裝在形成有像素陣列部分2的面板(基板)上。
寫入掃描電路32是通過給掃描線WL-1至WL-m逐行(line-sequentially ) 提供掃描信號而逐行掃描行單元中的像素20的電路。
電源掃描電路31是與寫入掃描電路32的逐行掃描同步地給電源供應線VL-1至VL-m提供電源電壓的電路。
水平驅動電路33是給信號線DL-1至DL-n提供適當的基於根據亮度信 息的圖片信號的顯示驅動電壓(具體地講，信號電位(後面將要描述的信號 電位Vsig))和參考電位(後面將要描述的參考電位Vo)的電路。
圖2是圖解形成在每個像素20中的像素電路的結構示例的電路圖。像 素電路包括寫入電晶體21、驅動電晶體22、累積電容元件23和有機EL元 件24。電源供應線VL、掃描線WL和信號線DL連接到像素電路。寫入晶 體管21和驅動電晶體22分別由N溝道型TFT構造。寫入電晶體21和驅動 電晶體22的導電類型的組合不限於此，而是可以採用其它的組合。
在寫入電晶體21中，柵極連接到掃描線WL,源極連接到信號線DL, 並且漏極連接到驅動電晶體22的柵極和累積電容元件23的一端。寫入晶體 管21根據從寫入掃描電路32經由掃描線WL施加給^I極的掃描信號而變成 導通狀態，並且由此對從水平驅動電路33經由信號線DL提供的圖片信號 的信號電位Vsig進行才採樣，並且將信號電位寫入像素20。寫入的信號電 位Vsig (顯示驅動電流)保持在累積電容元件23中。
在驅動電晶體22中，源極連接到累積電容元件23的另一端和有機EL 元件24的陽極(陽極電極)，並且漏極連接到電源供應線VL。在電源供應 線VL的電位處於"H(高電位)"的情況下，驅動電晶體22經由電源供應 線VL提供有電流。因此，驅動電晶體22根據保持在累積電容元件23中的 信號電位Vsig給有機EL元件24提供顯示驅動電流，並且電流驅動有機EL 元件24。
如上所述，累積電容元件23累積顯示驅動電流。
在有機EL元件24中，陰極(陰極電極)連接到公共連接到所有像素 20的公共電源供應線25。
下面，將參考圖3至圖6詳細描述圖2所示像素電路的平面結構示例和 截面結構示例。
圖3圖解了一個像素20中的像素電路(像素電路層)的平面結構示例。 該像素電路具有層疊結構，其中第一金屬層M1、多晶矽層P1和第二金屬層 M2分別以絕緣層(未示出)(例如，由氧化矽(Si02 )等組成)在其間而從 基板側(未示出)依次層疊。第一金屬層Ml和第二金屬層M2例如分別由 鋁(Al)或銅(Cu)等組成。第一金屬層M1和第二金屬層M2與其間的連接接觸部分CT 12電連接。第二金屬層M2和多晶石圭層Pl與其間的接接觸 部分CT2P電連接。
具體地講，信號線DL由第一金屬層Ml和第二金屬層M2構造。電源 供應線VL和掃描線WL分別由第二金屬層M2構造。
寫入電晶體21和驅動電晶體22分別由第 一金屬層M1 、第二金屬層M2 、 多晶矽層Pl和絕緣層(未示出)構造。累積電容元件23由第一金屬層Ml、 多晶矽層Pl和絕緣層(未示出)構造。
有機EL元件24經由構造為節點Na的連接接觸部分CT 23連接到圖3 所示的像素電路層。
圖4圖解了各顏色像素20 Rl、 20G1和20B1的像素電路(像素電路層) 的平面結構示例。在該圖中，紅像素20R1、綠像素20G1和藍像素20B1沿 著電源供應線VL和掃描線WL依次設置。就是說，像素20由R(紅)、G (綠)和B (藍)的像素20R1 、 20G1和20B1構造。分別為R、 G和B的 每個像素20R1、 20G1和20B1連接基於圖片信號提供顯示驅動電壓的信號 線(信號線DLr、 DLg和DLb)。
在紅像素20R1中，如圖4所示，形成寫入電晶體21Rl、驅動電晶體 22R1和累積電容元件23R1等。電源供應線VL、掃描線WL和信號線DLr 連接到紅像素20R1。同樣，在綠像素20G1中，形成寫入電晶體21G1、驅 動電晶體22G1和累積電容元件23G1等。電源供應線VL、掃描線WL和信 號線DLg連接到綠像素20Gl。此外，在藍像素20B1中，形成寫入電晶體 21Bl、驅動電晶體22B1和累積電容元件23B1等。電源供應線VL、掃描線 WL和信號線DLb連接到藍像素20Bl。
在該實施例的像素電路層中，對應於R、 G和B的像素20R1、 20Gl和 20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據每個有機EL元件24獲 得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小比率而分別非均等地設定在像 素電路內。具體地講，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據像素電路 中驅動電晶體22R1、 22G1和22B1中的有源層(多晶矽層Pl )和柵極電極 (第二金屬層M2)的相對區域(重疊區域)在顏色《象素電路間的面積比而 在像素電路內分別非均等地設定。此外，在像素電路內，顏色像素電路的尺 寸26R、 26G和26B^4居累積電容元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電 路間的面積比而非均等地設定。然而，紅像素20R、綠像素20G和藍像素20B的總像素尺寸(總像素尺寸26RGB:例如約為100 jam)設定為與常規 的總像素尺寸相同。
顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B由下面的^^式1表示 (與G的像素20G1對應的像素尺寸26G) < (與R的像素20R1對應 的像素尺寸26R) < (與B的像素20B1對應的像素尺寸26B ) ... 1
在該實施例的像素層中，如圖5所示的平面結構示例，在像素內R、 G 和B的像素20R1、20G1和20B1的各尺寸27R1、27G1和27B1均等地設定， 在像素內R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的形成位置均等地設定。 具體地講，在像素內陽極電極281R1、 281G1和281B1以及發光層29Rl、 29G1和29B1的布置間距分別均等地設定，並且在^f象素內陽極電極281R1、 281G1和281B1以及發光層29R1、 29G1和29B1的形成位置分別均等地設 定。更具體地講，在像素內陽極電極281R1、 281G1和281B1的布置間距分 別均等地設定，在像素內陽極電極281R1、 281G1和281B1的形成位置以及 進一步地發光層29R1、 29G1和29B1的布置間3巨分別均等地設定，並且在 像素內發光層29R1、 29G1和29B1的形成位置分別均等地設定。陽極電極 281R1、 281G1和281B1例如由ITO (氧化銦錫合成物)層疊在銀(Ag)或 Ag合金上的電極構造。
如圖6 (沿著圖5中的II-II線剖取的截面結構示例)的截面構造示例所 示，有機EL元件24具有層疊結構並且形成在像素電路層41上，其中層疊 結構包括陽極電極281R1等、發光層29R1等、每個^象素共用的陰極電極282、 電連接到陰極電極282的輔助電極部分280-1、和絕^彖層42。陰極電極282 由諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、 4丐(Ca)和鈉(Na)的金屬元素的單一物質或 者合金構造。
接下來，將詳細描述該實施例的有機EL顯示裝置1的運行和效果。 首先，將參考圖7及圖2描述有機EL顯示裝置1的基本運行(顯示驅 動每個像素20的像素電路的運行)。圖7是圖解圖2所示像素電路中的顯示 驅動運行示例的時間波形流程圖。在圖7中，(A)圖解掃描線電位V(WL)、 (B)圖解電源供應線電位V(VL)、 (C)圖解信號線電位V(DL)、 (D)圖 解驅動電晶體22的4冊;fel電位Vg和(E)圖解驅動電晶體22的源極電位Vs。 發光時間段段TO
首先，在時間tl前的發光時間段段TO中，有才幾EL元件24處於發光狀態(發光時間段段)。在發光時間段TO,電源供應線VL的電位V (VL)處 於高電位("H，，狀態)，顯示驅動電流(漏極到源極的電流)從電源供應線 VL經由驅動電晶體22提供給有機EL元件24。因此，有機EL元件24以與 顯示驅動電流對應的亮度發光。 閾值矯正預備時間段T1
接下來，在時間tl，狀態變為逐行掃描的新區^:。此時，電源供應線 VL的電位V (VL)從高電位移動到充分4氐於信號線DL ("L (低)"狀態) 的參考電位Vo的電位，驅動電晶體22的源極電位Vs變為幾乎等於該低電 4立的電4立。
接下來，在時間t2，掃描信號從寫入掃描電路32輸出，掃描線DL的 電位移動到高電位側。因此，寫入電晶體21變為導通狀態。此時，因為從 水平驅動電路33給信號線DL提供參考電位Vo，所以驅動電晶體22的柵極 電位Vg變為參考電位Vo。此時，驅動電晶體22的源極電位Vs是充分低於 參考電位Vo的電位。
低電位設定為使得驅動電晶體22的柵極到源極的電壓Vgs大於驅動晶 體管22的閾值電壓Vth。如上所述，執行各初始化使得驅動電晶體22的柵 極電位Vg變為參考電位Vo,源極電位Vs變為低電位，由此完成了閾值電 壓矯正運行的準備。
閾值矯正時間段T2
接下來，在時間t3，電源供應線VL的電位V (VL)從低電位移動到高 電位。驅動電晶體22的源極電位Vs開始增加。在適當的時間，驅動電晶體 22的柵極到源極的電壓Vgs變為驅動電晶體22的閾^直電壓Vth。對應於閾 值電壓Vth的電壓被寫入累積電容元件23。
為了方^f更起見，與閾值電壓Vth對應的電壓寫入累積電容元件23的時 間段稱為閾值矯正時間段T2。在閾值矯正時間段T2中，為了使得電流僅流 到累積電容元件23側，並且防止電流流到有機EL元件24側，公共電源供
採樣時間段/遷移率矯正時間段T3
接下來，在時間t4，停止來自寫入掃描電路32的掃描信號的輸出，並 且掃描線WL的電位V (WL)移動到低電位側。因此，寫入電晶體21變為 非導通狀態。此時，驅動電晶體22的柵才及變為浮置狀態。然而，因為柵極到源極的電壓Vgs與驅動電晶體22的閾值電壓Vth是相等的，所以驅動晶 體管22處於截止狀態。因此，漏極到源極的電流不流動。
接下來，在時間t5，信號線DL的電位V (DL)從參考電位Vo移動到 圖片信號的信號電位Vsig。在時間t6,掃描信號再一次從寫入掃描電路32 輸出，並且掃描線WL的電位V (WL)移動到高電位側。因此，寫入晶體 管21變為導通狀態，並且對圖片信號的信號電位Vsig進行採樣。
由於通過寫入電晶體21對信號電位Vsig進行採樣，驅動電晶體22的 柵極電位Vg變為信號電位Vsig。此時，有機EL元件24首先處於截止狀態 (高阻抗狀態)。因此，驅動電晶體22的漏極到源;〖及的電流流入到與有機 .EL元件24並聯連接的寄生電容元件(未示出)，並且開始充電寄生電容元 件。
由於充電寄生電容元件，驅動電晶體22的源極電位Vs開始增加。在適 當的時間，驅動電晶體22的柵極到源極的電壓Vgs變為(Vsig+Vth-AV )。 就是說，源極電位Vs的增加部分AV可以從累積電容元件23中保持的電壓 (Vsig+Vth)推出，即源極電位Vs的增加部分AV ^f吏得累積電容元件23釋 放電荷，導致負反饋的狀態。因此，源極電位Vs的增加部分AV變為負反饋 的反饋量。
如上所述，流過驅動電晶體22的漏極到源極的電流負反饋給驅動晶體 管22的柵極輸入，也就是負反饋給柵極到源極的電壓Vgs,由此完成了遷 移率矯正，其中消除了對驅動電晶體22的漏極到源^l的電流的遷移率p的 依賴性，也就是完成了矯正每個像素的遷移率p變化的遷移率矯正。
更具體地講，隨著圖片信號的信號電位Vsig的增加，漏極到源極的電 流增加，並且負反饋(矯正量)AV的反饋量的絕對值也增加。因此，能夠 實現根據發光亮度水平的遷移率矯正。此外，在圖片信號的信號電位Vsig 不變的情況下，隨著驅動電晶體22的遷移率p的增加，負反饋AV的反饋量 的絕對值也增加，並且因此消除了每個像素的遷移率p的變化。
發光時間段T4 (TO)
接下來，在時間t7,停止來自寫入掃描電路32的掃描信號的輸出，並 且掃描線WL的電位V (WL)移動到低電位側。因此，寫入電晶體21變為 非導通狀態。因此，驅動電晶體22的柵極與信號線DL分離。同時，漏極 到源極的電流開始流入有機EL元件24，由此有機EL元件24的陽極電位根據漏極到源極的電流而增加。
有機EL元件24的陽極電位的這種增加正好增加了驅動電晶體22的源 極電位Vs。因此，在驅動電晶體22的源極電位Vs增加的情況下，由於累 積電容元件23的自舉運行(boot strap operation),驅動電晶體22的柵極電 位Vg相應地增加。此時，柵極電位Vg的增加量與源4及電位Vs的增加量相 等。因此，在發光時間段T4中，驅動電晶體22的柵極到源極的電壓Vgs 恆定地保持為(Vin+Vth-AV)。
在像素陣列部分2中逐行完成上述的顯示驅動每個像素20中的像素電 路，由此在圖1所示的整個有機EL顯示裝置1上完成基於圖片信號的圖像 顯示。
接下來，將參考圖8和圖9以及圖4和圖5並與比較示例進行對比來詳 細描述本發明特徵部分的運行和效果。圖8和圖9圖解了根據比較示例的現 有有機EL顯示裝置中各顏色像素100R、100G和100B的像素電路層和有機 EL元件的平面結構示例。在紅像素100R中，形成寫入電晶體101R、驅動 電晶體102R和累積電容元件103R等。電源供應線VL、掃描線WL和信號 線DLr連接到紅像素100R。同樣，在綠像素100G中，形成寫入電晶體101G、 驅動電晶體102G和累積電容元件103G等。電源供應線VL、掃描線WL和 信號線DLg連接到綠像素100G。此外，在藍像素100B中，形成寫入晶體 管101B、驅動電晶體102B和累積電容元件103B等。電源供應線VL、掃 描線WL和信號線DLb連接到藍像素100B。
如圖8所示，在根據比較示例的有機EL顯示裝置中，分別對應於R、 G和B的像素100R、 100G和100B的顏色像素電路的尺寸106R、 106G和 106B在像素電路內分別均等地設定。此外，驅動電晶體102R、 102G和102B 的尺寸以及累積電容元件103R、 103G和103B的尺寸根據各有機EL元件 24獲得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小而彼此不同。
因此，在具體顏色(在此情況下，具體地講，藍色像素100B)的像素 電路中，增加了像素圖案密度，並且因此增加了由灰塵等引起的圖案缺陷率。 因此，由於圖案缺陷率的增加，產率降低。
R、 G和B的像素IOOR、 100G和100B的像素構造例如具有圖9所示 的平面結構。就是說，以與該實施例的圖5相同的方式，在像素內R、 G和 B的像素IOOR、 100G和100B的各尺寸27R1、 27G1和27B1分別均等地設定，並且在像素內R、 G和B的像素100R、 100G和100B的形成位置分別 均等地設定。
同時，在該實施例的有機EL顯示裝置1中，如圖4所示，分別對應於 R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和 26B根據每個有機EL元件24獲得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小 比率而在像素電路內分別非均等地設定。具體地講，顏色像素電路的尺寸 26R、 26G和26B根據像素電路中的驅動電晶體22R1、 22G1和22B1的有 源層(多晶矽層Pl )和柵極電極(第二金屬層M2 )的相對區域(重疊區域) 在顏色像素電路間的面積比而在像素電路內分別非均等地設定。此外，顏色 像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據累積電容元件23R1、 23G1和23B1 在顏色像素電路之間的面積比而在像素電路內分別非均等地設定。
因此，即使像素電路中的元件尺寸(具體地講，驅動電晶體22R1、 22G1 和22B1的尺寸和累積電容元件23R1、 23G1和23B1的尺寸)根據顯示驅動 電流的大小、前述相對區域的面積和累積電容元件23Rl、 23G1和23B1的 面積等而彼此不同，分別對應於R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的 顏色像素電路的圖案密度也變為彼此均等。因此，避免了因像素電路中的像 素圖案密度的增加而導致的圖案缺陷率增加，並且減少了整個像素電路的圖 案缺陷率。
如上所述，在該實施例中，分別對應於R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據每個有機EL元件24 獲得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小的比率而在像素電路內分別 非均等地設定。因此，分別對應於R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1 的顏色像素電路的圖案密度變為彼此均等，並且減少了整個像素電路的圖案 缺陷率。因此，能夠改善產率。
具體地講，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據像素電路中的驅 動電晶體22R1、 22G1和22B1的有源層(多晶矽層Pl )和柵極電極(第二 金屬層M2)相對區域(重疊區域)在顏色像素電路間的面積比而在像素電 路內分別非均等地設定。因此，能夠獲得前述效果。
此外，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據累積電容元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電路間的面積比而在像素電路內分別非均等地設 定。因此，能夠獲得前述的效果。
1此外，在像素內R、 G和B的像素20R1 、 20G1和20B1的各尺寸27R1 、 27G1和27B1分別均等地設定，並且在像素內R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地設定。因此，可以直接採用陽極電極281R1、281G1 和281B1和發光層29R1、 29G1和29B1的現有圖案而不需要任何修改。就 是說，儘管保持了現有圖案的面板等的亮度特性，但是能夠減少整個像素電 路的圖案缺陷率。
下面，將描述本發明的幾個其它實施例。對於與前述第一實施例中相同 的元件，採用與其相同的附圖標記，並且適當省略描述。 第二實施例
圖10圖解了在根據本發明第二實施例的自發光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中各顏色像素20R2、 20G2和20B2的像素電路層和有機EL元件的平 面結構示例。
在該實施例的像素電路層中，以與第一實施例相同的方式，根據每個有 機EL元件24獲得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小在顏色像素電路 間的比率、像素電路中的驅動電晶體22R1、 22G1和22B1的多晶矽層Pl 和第二金屬層M2間的相對區域在顏色像素電路之間的面積比或者累積電容 元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電路之間的面積比，分別對應於R、 G 和B的像素20R2、 20G2和20B2的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B 在像素電路內分別非均等地設定。
此外，在該實施例的有機EL元件中，與第一實施例不同，在像素內R、 G和B的像素20R2、 20G2和20B2的各尺寸27R2、 27G2和27B2根據顏色 像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地設定。具體地講，在顏色 像素電路之間，陽極電極281R2、 281G2和281B2的布置間距27R2、 27G2 和27B2根據顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B而分別非均等地設定， 並且在顏色像素電路之間，發光層29R2、 29G2和29B2的布置間距27R2、 27G2和27B2根據顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B而分別非均等地設 定。
顏色像素電路的尺寸26R、26G和26B以及顏色像素的尺寸27R2、27G2 和27B2由下面的公式2和公式3表示
G顏色像素的尺寸27G2 < R顏色像素的尺寸27R2 < B顏色像素的尺寸 27B2 ... 2G顏色像素電路的尺寸26G < R顏色像素電路的尺寸26R < B顏色像素 電路的尺寸26B …3
接下來，與前述第一實施例的有機EL顯示裝置1進行比較，參考圖11 至圖14以及圖IO描述該實施例的有機EL顯示裝置的運行和效果。
在前述第一實施例的像素電路層和有機EL元件24中，例如，如圖11 所示，在像素內R、 G和B的顏色像素20R1、 20G1和20B1的尺寸27Rl、 27G1和27B1均等地設定，並且在像素內R、 G和B的顏色像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地設定。因此，例如，如圖所示，在某些情況下， 一個顏色像素的陽極電極(在此情況下，綠像素20G1的陽極電極281R1 ) 和連接到與其相鄰的顏色像素的信號線(在此情況下，連接到藍像素20B1 的信號線DLb)沿著層疊方向彼此相對(重疊)。在此情況下，在其間產生 了寄生電容成分Cp。
就是說，在現有像素IOOR、 100G和100B中，例如，如圖12A的示意 性截面圖所示，顏色像素電路的尺寸(間距)106R、 106G和106B對應於 顏色像素的尺寸(間距)27Rl、 27G1和27B1。因此，僅存在固有的電容成 分CrlOl、 CglOl和CMOl。同時，在前述第一實施例的像素20R1、 20G1 和20B1中，例如，如圖12B的示意性截面圖所示，顏色像素電路的尺寸(間 距)26R、 26G和26B不對應於顏色像素的尺寸(間距)27Rl 、 27G1和27B1。 因此，寄生電容成分Cp產生在與相鄰像素重疊的區域中。例如，圖13示出 了圖解這樣的寄生電容成分Cp的電路圖。
在產生這樣寄生電容成分Cp的情況下，例如，如圖14的時間波形流程 圖(時間tll至tl8)所示，在對應於發光像素(在此情況下，綠像素20G1) 的信號線(在此情況下，信號線DLg)中，受寄生電容成分Cp引起的耦合 的影響，會產生圖像質量異常(串擾現象)。具體地講，根據對應於藍像素 20B1的信號線DLb的電位V (DLb)的振幅，在綠驅動電晶體22的源極中 產生經由寄生電容成分Cp而來自藍信號電位Vsig的耦合(diving:躍入)。
綠驅動電晶體22中的源極電位Vs和柵極電位Vg。在驅動電晶體22的柵極 電位Vg增加的狀態下寫入信號的情況下，例如，如在時間tl8和其後的發 光時間段T4中，與不串擾的情況相比柵極到源極的電壓Vgs減小，並且產 生圖像質量異常(串擾現象)。因此，在該實施例中，如圖IO所示，顏色像素20R2、 20G2和20B2的 尺寸27R2、 27G2和27B2根據顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比 而非均等地設定。具體地講，根據顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的 比，陽極電極281R2、 281G2和281B2的布置間距27R2、 27G2和27B2分 別非均等地設定，並且發光層29R2、 29G2和29B2的布置間距27R2、 27G2 和27B2分別非均等設定。由此，將不產生一個像素的陽極電極和連接到與 其相鄰像素的信號線之間的重疊區域，因此避免了寄生電容成分Cp的產生。
如上所述，在該實施例中，因為顏色像素20R2、 20G2和20B2的尺寸 27R2、 27G2和27B2根據顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非 均等地設定，所以除了前述第一實施例中的效果外，還可以避免產生寄生電 容成分Cp，並且可以消除圖像質量異常(串擾現象)。從而，可以減少整個 像素電路的圖案缺陷率而不影響圖像質量。
第三實施例
圖15圖解了在根據本發明第三實施例的自發光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中顏色像素20R3、 20G3和20B3以及分別與其對應的顏色像素電路 的平面結構示例。
在該實施例的像素電路層中，以與前述的第一實施例相同的方式，根據 每個有機EL元件24獲得相同發光亮度所需的顯示驅動電流的大小的比、像 素電路中的驅動電晶體22R1、 22G1和22B1的多晶矽層Pl和第二金屬層 M2間的相對區域在顏色像素電路之間的面積比或者累積電容元件23Rl、 23G1和23B1在顏色像素電路之間的面積比，分別對應於R、 G和B的像素 20R3、 20G3和20B3的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B在像素電路 內分別非均等地設定。
此外，在該實施例中，以與前述第一實施例相同的方式，在像素內顏色 像素20R3、 20G3和20B3的尺寸均等地設定。
然而，在該實施例的有機EL元件中，與前述第一實施例和前述第二實 施例不同，在像素內顏色像素20R3、 20G3和20B3的形成位置根據顏色像 素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地設定。具體地講，陽極電極 281R1、 281G1和281B1和發光層29R1、 29G1和29B1的形成位置設定為， 使得一個像素的陽極電極和與連接到其相鄰像素的信號線沿著層疊方向彼 此不相對(不產生重疊區域)，並且電連接到陰極電極282的輔助配線部分280-3形成在陽極電極281R1、281G1和281B1與發光層29R1、29G1和29B1 的形成區域的間隙(niche)中。
因此，與前述的第一實施例不同，將不產生一個像素的陽極電極和連接 到與其相鄰像素的信號線之間的重疊區域。因此，避免了寄生電容成分Cp產生。
此外，與前述的第二實施例不同，因為在像素內顏色像素20R3、 20G3 和20B3的尺寸(具體地講，發光層29R1 、 29G1和29B1等的尺寸)均等地 設定。因此，避免了對應於每個顏色的視角特性差別和電流密度差別的壽命 時間差別。此外，避免了R、 G和B的白色平衡異常和垂直線尺寸的差別。
從而，在該實施例中，因為在像素內顏色像素20R3、 20G3和20B3的 尺寸(具體地講，發光層29R1、 29G1和29B1等的尺寸)均等地設定，所 以除了前述第二實施例中的效果外，還可以減少整個像素電路的圖案缺陷率 而不影響圖像質量，且不因每個顏色的視角特性差別和電流密度差別而改變 壽命特性。
第四實施例
圖16圖解了在根據本發明第四實施例的自發光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中顏色像素20R4、 20G4和20B4以及分別與其對應的顏色像素電路 的平面結構示例。圖17圖解了在根據該實施例的另一個自發光顯示裝置(有 機EL顯示裝置)中顏色像素20R5、 20G5和20B5以及分別與其對應的顏色 像素電路的平面結構示例。
在圖16所示的結構示例中，在為R、 G和B的每個像素均等地布置顏 色像素電路的情況下(在假定像素尺寸106R、 106G和106B均等設定的情 況下)，各像素20R4、 20G4和20B4的驅動電晶體22R2、 22G2和22B2分 別布置在它們自己的顏色像素區域中。就是說，每個驅動電晶體22R2、 22G2 和22B2設置在定義為顏色像素電路區域的均等劃分的區域內，其中該均等 劃分的區域在像素電路被均等地分成顏色像素電路時產生，該均等劃分的區 域對應於每個驅動電晶體實際所屬的顏色像素電路。
此外，在圖17所示的結構示例中，在為R、 G和B的每個像素均等地 布置顏色像素電路的情況下(在假設像素尺寸106R、 106G和106B均等設 定的情況下)，各像素20R5、 20G5和20B5的累積電容元件23R2、 23G2和 23B2分別布置在它們自己的顏色像素區域中。就是說，每個累積電容元件23R2、 23G2和23B2設置在定義為顏色像素電路區域的均等劃分的區域內， 其中該均等劃分的區域在像素電路均等地分成顏色像素電路時產生，該均等 劃分的區域對應於每個累積電容元件實際所屬的顏色像素電路。
由於前述結構，與前述第一實施例不同，沒有產生一個像素的陽極電極 和連接到與其相鄰像素的信號線之間的重疊區域。從而，避免了寄生電容成 分Cp的產生。
如上所述，在該實施例中，驅動電晶體22R2、 22G2和22B2的每一個 或者累積電容元件23R2、 23G2和23B2的每一個都設置在定義為顏色像素 電路區域的均等劃分的區域內，其中該均等劃分的區域在像素電路均等地分 成顏色像素電路時產生，該均等劃分的區域對應於每個驅動電晶體或者每個 累積電容元件實際所屬的顏色像素電路。因此，除了前迷第一實施例的效果 外，還可以避免寄生電容成分Cp的產生，並且可以消除圖像質量的異常(岸 擾現象)。結果，能夠減少整個像素電路的圖案缺陷率而不影響圖像質量。
同樣，對應於每個像素的每條信號線DLr、 DLg和DLb可以設置在定 義為顏色像素電路的均等劃分的區域內，其中該均等劃分的區域在像素電路 均等地分成顏色像素電路時產生，該均等劃分的區域對應於每條信號線實際 所屬的顏色像素電路。在此情況下，可以消除圖像質量異常(串擾現象)， 並且可以減少整個電路的圖案缺陷率而不影響圖像質量。
此外，更一般地講，對於選自驅動電晶體22R2、 22G2和22B2、累積 電容元件23R2、 23G2和23B2以及信號線DLr、 DLg和DLb的三個組中的 至少一組或多組，如果一組中的每個元件設置在定義為顏色像素電路區域的 均等劃分的區域內，其中該均等劃分的區域在像素電路均等地分成顏色像素 電路時產生，該均等劃分區域對應於每個元件實際所屬的顏色像素電路，則 就可以獲得該實施例的效果。
應用示例
接下來，將參考圖18至圖22G描述在前述第一至第四實施例中描述的 自發光顯示裝置的應用示例。前述第一至第四實施例中描述的自發光顯示裝 置(具體地講，有機EL顯示裝置)可以應用於任何領域中的將從外面輸入 的圖片信號或者在內部產生的圖片信號顯示為圖像或者圖片的電子設備，如 電視機、數位相機、筆記本個人電腦、諸如行動電話的可攜式終端和攝像機。
第一應用示例圖18是應用前述實施例的自發光顯示裝置的電視機的外觀。該電視機
例如具有包括前面板511和濾光器玻璃512的圖片顯示屏部分510。圖片顯 示屏部分510由根據前述實施例等的自發光顯示裝置構造。 第二應用示例
圖19A和19B是應用前述實施例的自發光顯示裝置的數位相機的外觀。 該數位相機例如具有用於閃光燈521的發光部分、顯示部分522、菜單開關 523和快門按4醜524。顯示部分522由才艮據前述實施例的自發光顯示裝置構造。
第三應用示例
圖20是應用前述實施例的自發光顯示裝置的筆記^^個人電腦的外觀。 該筆記本個人電腦例如具有主體531、用於輸入字符等的操作的鍵盤532和 用於顯示圖像的顯示部分533。該顯示部分533由根據前述實施例的自發光 顯示裝置構造。
第四應用示例
圖21是應用前述實施例的自發光顯示裝置的攝像機的外觀。該攝像機 例如具有主體541、提供在主體541的前側面的目標攝取鏡頭542、攝像開 始/停止開關543和顯示部分544。該顯示部分544由根據前述實施例的自發 光顯示裝置構造。
第五應用示例
圖22A至22G是應用前述實施例的自發光顯示裝置的行動電話的外觀。 在該行動電話中，例如，上殼體710和下殼體720通過連接部分(鉸鏈部分) 730連接。該行動電話具有顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和照相機 770。顯示器740或者副顯示器750由才艮據前述實施例的自發光顯示裝置構 造。
儘管本發明已經參考第一至第四實施例以及應用示例進行了描述，但是 本發明不限於前述的實施例等，而是可以進行各種修改。
例如，在前述實施例等中，儘管對顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B 或者顏色像素的尺寸27R2、 27G2和27B2由上述公式1至3表示的情況進 行了描述，但是非均等布置的實施例不限於此。
此外，例如，如圖23至圖25所示的像素20-1中的像素電路，本發明 可以應用於與有機EL元件24並聯地產生寄生電容成分240的情況(每個顏色的電容值不同)，並且每個顏色的電容值的差由累積電容元件23a和23b
等調整。
另外，在前述實施例等中，描述了由R、 G和B像素組成的結構(在三 色像素的情況下)。然而，本發明不限於這樣的結構。就是說，例如，本發 明能夠應用於具有任意顏色數量的像素的結構，例如，通過給其加入w(白 色)像素獲得的四色像素的情況、兩色像素的情況以及五色像素的情況。
此外，在前述實施例等中，描述了自發光元件是有機EL元件的情況。 然而，本發明也可應用於採用其它的自發光元件(例如，無機EL元件或者 LED)的自發光顯示裝置等。
本領域的技術人員應當理解，在所附權利要求或其等同特徵的範圍內， 可以根據設計要求和其他因素來進行各種修改、組合、部分組合及替換。
本申請包含2008年6月18日提交至日本專利局的日本優先權專利申請 JP 2008-159169所涉及的主題，將其全部內容引用結合於此。
權利要求
1、一種自發光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中在該像素電路內，該顏色像素電路的尺寸根據使像素中的該顏色自發光元件以相同的發光亮度發光的驅動電流的大小比率而非均等地設定。
2、 才艮據權利要求1所迷的自發光顯示裝置，其中 在該像素內該顏色像素的尺寸均等地設定，並且 在該像素內該顏色像素的位置均等地設定。
3、 根據權利要求2所述的自發光顯示裝置，其中該顏色像素的每個中的該顏色自發光元件具有層疊結構，該層疊結構包 括陽極電極、發光層和陰極電極，在該像素內該陽極電極的尺寸均等地設定， 在該像素內該陽極電極的位置均等地設定， 在該像素內該發光層的尺寸均等地設定，並且 在該像素內該發光層的位置均等地設定。
4、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中在該像素內，該顏色 像素的尺寸根據該像素電路內的該顏色像素電路之間的尺寸比而非均等地設定。
5、 根據權利要求4所述的自發光顯示裝置，其中該顏色像素的每個中的該顏色自發光元件具有層疊結構，該層疊結構包 括陽極電極、發光層和陰極電極，並且根據該像素電路內的該顏色像素電路之間的尺寸比，在該像素內該陽極 電極的尺寸非均等地設定，並且在該像素內該發光層的尺寸非均等地設定。
6、 根據權利要求4所述的自發光顯示裝置，其中該像素由R(紅)顏色像素、G (綠)顏色像素和B (藍)顏色像素構成，該l象素電路由R顏色像素電路、G顏色像素電路和B顏色像素電路構 成，並且滿足公式"該G顏色像素的尺寸<該R顏色像素的尺寸<該B顏色像素 的尺寸"和公式"該G顏色像素電路的尺寸〈該R顏色像素電路的尺寸〈該 B顏色像素電路的尺寸"。
7、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中 在該像素內該顏色像素的尺寸均等地設定，並且.在該像素內，該顏色像素的位置根據該像素電路內的該顏色像素電路之 間的尺寸比而非均等地設定。
8、 根據權利要求7所述的自發光顯示裝置，其中 該顏色像素的每個中的該顏色自發光元件具有層疊結構，該層疊結構包括陽極電極、發光層和陰極電極，在該像素內該陽極電極的尺寸均等地設定， 在該像素內該發光層的尺寸均等地設定，並且根據該像素電路內的該顏色像素電路之間的該尺寸比，在該像素內該陽 極電極的位置非均等地設定，並且在該像素內該發光層的位置非均等地設定。
9、 根據權利要求7所述的自發光顯示裝置，其中該顏色像素的每個連接到用於根據圖片信號提供驅動電壓的信號線，並且該陽極電極和該發光層的位置設定為使得一個顏色像素的陽極電極和 連接到相鄰顏色像素的信號線彼此不重疊。
10、 根據權利要求9所述的自發光顯示裝置，其中電連接到該陰極電極
11、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中 該顏色像素電路的每個包括驅動電晶體，並且該驅動電晶體設置在定義為顏色像素電路區域的均等劃分的區域內，假 定該像素電路均等地分成顏色像素電路而產生該均等劃分的區域，該均等劃 分的區域對應於該驅動電晶體本來所屬的顏色像素電路。
12、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，並且該電容元件設置在定義為顏色像素電路區域的均等劃分的區域內，假定 該像素電路均等地分成顏色像素電路而產生該均等劃分的區域，該均等劃分 的區域對應於該電容元件本來所屬的顏色像素電路。
13、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中該顏色像素的每個連接到用於根據圖片信號提供驅動電壓的信號線，並且該信號線設置在定義為顏色像素電路區域的均等劃分的區域內，假定該 像素電路均等地分成顏色像素電路而產生該均等劃分的區域，該均等劃分的 區域對應於該信號線本來所屬的顏色像素電路。
14、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中該像素由R顏色像素、 G顏色像素和B顏色像素構成。
15、 根據權利要求14所述的自發光顯示裝置，其中滿足公式"該G顏 色像素的尺寸<該R顏色像素的尺寸〈該B顏色像素的尺寸"。
16、 根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其中該顏色自發光元件是 有機EL元件。
17、 一種自發光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中該顏色像素電路的每個包括具有有源層和柵極電極的驅動電晶體，並且在該像素電路內，該顏色像素電路的尺寸根據每個都定義為該驅動晶體 管中的有源層和柵極電極彼此重疊的區域的重疊區域之間的面積比而非均 等地設定。
18、 一種自發光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，並且在該像素電路內，該顏色像素電路的尺寸根據該顏色像素電路中的電容 元件之間的面積比而非均等地設定。
19、 一種電子設備，包括具有顯示功能的自發光顯示裝置，該自發光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中在該像素電路內該顏色像素電路的尺寸根據使像素中的該顏色自 發光元件以相同的發光亮度發光的驅動電流的大小比率而非均等地設定。
20、 一種電子設備，包括具有顯示功能的自發光顯示裝置，該自發光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中該顏色像素電路的每個包括具有有源層和柵極電極的驅動電晶體，並且在該像素電路內，該顏色像素電路的尺寸根據每個都定義為該驅動晶體 管中的有源層和柵極電極彼此重疊的區域的重疊區域之間的面積比而非均 等地設定。
21、 一種電子設備，包括具有顯示功能的自發光顯示裝置，該自發光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發光元件的多個顏色像素構成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅動顏色像素的多個顏色像素電路構成，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，並且在該像素電路內，該顏色像素電路的尺寸根據該顏色像素電路中的電容 元件之間的面積比而非均等地設定。
全文摘要
本發明提供了自發光顯示裝置和電子設備，並且可以改善該自發光顯示裝置的產率。在像素電路內，對應於R、G和B像素的各顏色像素電路的尺寸根據使像素中的顏色自發光元件以相同的發光亮度發光的驅動電流的大小比率而分別非均等地設定。因此，分別對應於R、G和B像素的顏色像素電路的圖案密度變得彼此均等，並且減少整個像素電路的圖案缺陷。
文檔編號G06F1/16GK101609646SQ20091014619
公開日2009年12月23日 申請日期2009年6月18日 優先權日2008年6月18日
發明者富田昌嗣, 淺野慎 申請人:索尼株式會社