半導體器件及其製造方法、電路基板和薄膜載帶的製作方法
2023-05-27 20:52:01
專利名稱：半導體器件及其製造方法、電路基板和薄膜載帶的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件及其製造方法、電路基板和薄膜載帶，特別是涉及封裝尺寸接近於晶片尺寸的半導體器件及其製造方法、電路基板和薄膜載帶。
背景技術：
若追求半導體器件的高密度裝配，則裸片裝配是理想的。但是在裸片的狀態下，難以保證品質和進行處理。於是，作為雖然已把裸片封裝化但封裝的尺寸接近裸片的尺寸的封裝開發了CSP(ChipScale/Size Package，晶片規模/尺寸封裝)。
在以各種形態開發出來的CSP型的半導體器件之內，作為一種形態，有一種把撓性基板設於半導體晶片的有源面一側，在該撓性基板上形成了多個外部電極的器件。在該CSP型的半導體器件中，外部電極設於半導體晶片的區域內。因此，例如象QFP(Quad FlatPackage，方形扁平封裝)或TCP(Tape Carrier Package，載帶封裝)那樣，沒有從封裝本體的側面突出來的所謂的『外引線』。
此外，在使用了撓性基板的CSP型的半導體器件中，例如，象在國際公開WO95/08856號公報中所述的那樣，人們已經知道向半導體晶片的有源面和撓性基板之間注入樹脂以吸收熱應力。若用該樹脂把半導體晶片的與電極之間的接合部分全部覆蓋起來，則可以防止電極的腐蝕。
此外，在把半導體晶片裝配到撓性基板上去的時候，若使用薄膜載帶，則處理將變得更加容易且量產性也很好。在使用薄膜載帶的方式中，在進行了半導體晶片的樹脂密封之後，再從薄膜載帶上切斷每一個半導體器件。
在這裡，在形成於薄膜載帶上的布線上，已實施了鍍金。鍍金是用電鍍(也叫『電解電鍍』)的方法實施的。在電鍍法中，一般的做法是使全部布線都導通，並把布線一直引出到與半導體晶片之間的裝配區域的外側。被引出的布線用作進行電鍍的電極。另外，以往的情況是存在有外引線，並採用把外引線原樣不變地進行引出的辦法，也利用為電鍍用的布線。此外，在使用現存的撓性基板的情況下，就必須有電鍍用的電鍍引線。通常，設有與連接引線直接相連的電鍍引線，而且，人們知道這種構造應用了在現有的TCP中所用的TAB(Tape Automated Bonding，載帶自動鍵合)用基板。
但是，在要想保持原樣不變地使用該以往就存在的TAB基板並把它用到CSP型的半導體器件中去的情況下，由於各個連接引線原封不動地直接連接到各個電鍍引線上，所以如果在通常叫做外引線的地方切斷的話，則各個引線端面就將從封裝端面突出出來，引線端面部分肯定會露出來。在CSP型的半導體器件中，通過使封裝外形接近於晶片尺寸的辦法，晶片外形與封裝外形之間的距離將變得非常地窄。因此，雖然說是使之封裝化來保護半導體晶片，但是，與現有的封裝比，就必須努力進一步提高包括圍繞著半導體晶片的環境在內的可靠性。特別是在把上述的現有構造不加改變地應用到CSP型的半導體器件中去的情況下，由於從引線的切斷面到半導體晶片的電極為止的距離非常短，而且還是引線端部什麼也未覆蓋地露出來的構造，所以易於通過引線進行電極的腐蝕。此外，鄰近設置的引線間的間隔也越來越窄步距化，所以還會因在已露出來的切斷面上存在有例如導電性的異物等等而發生引線間的短路，使功能受到損失。
另一方面，如果從薄膜載帶上切斷每一個半導體器件，然後注入樹脂，則可以避免上述問題。但是，在這種情況下，就必須個別地處理已變得零亂無序的半導體器件，於是就不能充分發揮應用薄膜載帶方式的長處。
發明內容
本發明就是解決上邊所說過的那樣的課題的發明，這是一種用薄膜載帶製造的封裝尺寸接近於晶片尺寸的半導體器件，目的在於提供保持半導體晶片的可靠性的構造及其製造方法，以及把其周邊圍繞起來的電路基板和薄膜載帶。
本發明的半導體器件的製造方法，是一種應用了具有多個連接引線，在各個連接引線中，一方的端部被用作與半導體晶片的電極的連接，另一方的端部被用作與外部的連接的撓性基板的樹脂密封型的半導體器件的製造方法，包括有第1工序，用於進行配置，使相當於薄膜載帶的上述撓性基板的部位位於上述半導體晶片的上方，且使上述連接引線的上述一方和上述另一方位於上述半導體晶片的區域內；第2工序，用於在上述第1工序之後，使上述連接引線的上述一方的端部與上述半導體晶片的電極進行接合；第3工序，用於在上述第2工序之後，對包括上述已接合的電極在內的上述半導體晶片的有源面和包括上述連接引線的上述一方的端部在內的區域進行樹脂密封；第4工序，用於在上述第3工序之後，從上述薄膜載帶上切下單個晶片。
其中，上述第4工序，理想的是在上述樹脂密封后的區域的外側進行。
此外，在上述第1工序之前，還可以包括形成上述薄膜載帶的工序。
而形成上述薄膜載帶的工序還可以包括下述工序在薄膜上形成導通圖形的工序，該導通圖形使電連形成在上述樹脂密封區域內的上述電極和上述外部的上述多個連接引線、連接到任何一個上述連接引線上且延伸到樹脂密封區域之外的多個連接部分、已連接到上述連接部分和上述樹脂密封區域之外上的至少一個電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部變成電導通狀態；通過上述電鍍電極對上述導通圖形施行電鍍的工序；衝切上述各個連接部分的至少一部分的工序。
這樣一來，在樹脂密封的區域上就將形成接合到半導體晶片的電極和外部上的連接引線。因此，就可以使封裝尺寸接近於晶片尺寸。此外，由於用薄膜載帶製造半導體器件，故處理將會變得容易。
在對連接引線施行電鍍的時候，可以使用電鍍引線和電鍍電極。就是說，連接引線、連接部分、電鍍引線和電鍍電極已全部變成為導通狀態，所以，可以通過電鍍電極對連接引線施行電鍍。
此外，如果除去要進行電鍍的部分之外都用抗蝕劑覆蓋起來，則可以節省在電鍍處理中所用的電鍍材料。這裡所說的要進行電鍍的部分，具體地說，相當於連接引線或接合區(land)等。
在這裡，連接部分的至少一部分在樹脂密封的區域內被衝切。因此，當進行樹脂密封時，因該衝切而形成的端面也將被樹脂覆蓋。這樣，就可以防止來自該端面的連接引線的腐蝕，進而可以防止半導體晶片的電極的腐蝕。於是，成為即便是在高溼度環境中也具有優秀的封裝性能，改善了可靠性。
此外，在樹脂密封區域的外側，由於進行薄膜載帶的最終性的成型，故在作為最終製品的半導體器件的外周上也不會有樹脂溢出來。此外，還可以保持外形的直線性。
多個上述連接部分，可以採用一起衝切的辦法來減少工序。
本發明的薄膜載帶的製造方法，包括在薄膜上形成導通圖形的工序，該導通圖形使在要密封的預定的區域內形成並將接合到半導體晶片的電極和外部電極上的多個連接引線，連接到該連接引線上並一直形成到上述密封區域之外的至少一個的電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部都變成導通狀態。
或者，本發明的薄膜載帶的製造方法，包括下述工序在薄膜上形成引線孔的工序；在含有上述薄膜的上述引線孔的區域上邊設置金屬箔的工序；
形成包括上述金屬箔構成的焊盤部分、連接引線、電鍍引線、電鍍電極和連接部分的導電圖形的工序；通過上述電鍍電極對上述導電圖形施行電鍍處理的工序；對上述連接部分進行加工形成布線圖形的工序。
其中，上述形成布線圖形的工序也可以用衝切上述連接部分的辦法進行。
此外，多個上述連接部分，可以採用一起衝切的辦法來減少工序。
或者，上述衝切還可以與每一連接部分對應起來進行。
各個連接部分也可以用圓形的孔來衝切。
或者，也可以使上述圓形孔成為橢圓形狀，上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
此外，在施行上述電鍍處理之前，還可以在除上述導電圖形中的要進行上述電鍍處理的區域之外的區域上設置保護膜。
作為上述保護膜也可以用樹脂。
作為上述樹脂，也可以用阻焊劑。
本發明的半導體器件具備具有多個電極的半導體晶片；在上述半導體晶片上邊定位為與上述半導體晶片隔以規定的距離且相互重疊的撓性基板；位於上述半導體晶片和上述撓性基板之間並對上述半導體晶片的具有上述電極的面進行密封的樹脂，在上述撓性基板的上邊，具有一方的端部被接合到上述半導體晶片的上述電極上的同時，另一方的端部用於與外部之間的連接的多個連接引線，上述連接引線位於用上述樹脂對上述一方和另一方的端部進行密封后的區域內，不論哪一個端部位於上述半導體晶片的外周附近的同時，用上述樹脂一直到側面部分為止完全覆蓋起來。
在這裡，上述撓性基板中在上述連接引線中的用上述樹脂完全覆蓋起來的上述端部所處的部位上，也可以設置圓形和橢圓形狀的任何一種形狀的孔。
本發明的上述電路基板構成為通過焊盤電連並搭載上述半導體器件。
本發明的樹脂密封型的半導體器件中所用的薄膜載帶具備在應當進行樹脂密封的區域內已形成了外部電極的焊盤部分；配置在應當進行樹脂密封的區域內，把各個上述外部電極和半導體晶片的各個電極連接起來的多個連接引線；在樹脂密封的區域外形成的至少一個電鍍引線；使任一個上述連接引線和上述電鍍引線電連起來的多個連接部分；形成於上述連接部分上，用於進行上述連接引線與上述電鍍引線之間的電絕緣的至少一個孔；連接上述電鍍引線的電鍍電極，在上述焊盤部分、上述連接引線、上述電鍍引線、上述連接部分和上述電鍍電極上已施行了電鍍。
上述孔由矩形的孔構成，也可以形成為對多個上述連接部分進行跨接。
或者，形成多個上述的孔，各個孔由圓形或橢圓形的孔構成，還可以與各個上述連接部分對應起來形成。
或者，也可以使上述孔成為橢圓形狀，上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
採用形成上述那樣的孔的辦法，使連接部分的端面從孔中露出來，該露出來的連接部分的端面藉助於樹脂密封而被覆蓋。因此，就可以防止從連接部分向連接引線進行的腐蝕。
圖1是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖2是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖3是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖4是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖5是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖6是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖7是說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。圖8是圖7的VIII-VIII線的剖面圖。圖9示出了本實施例的變形例。圖10示出了本實施例的變形例。圖11示出了已經裝配上用本實施例製造的半導體器件的電路基板。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發明的優選實施例進行說明。
圖1到圖7是用薄膜載帶的製造步驟說明本實施例的半導體器件的製造方法的說明圖。特別是在圖1到圖5中，說明薄膜載帶的製造工序的步驟，圖6和圖7的工序是對用圖1到圖5的工序製造的薄膜載帶和半導體晶片進行鍵合後的工序，並不一定緊接著圖1到圖5的工序馬上(連續性的)進行。
首先，如圖1所示，準備將成為基材的薄膜10。薄膜10是用聚醯亞胺或聚酯等的樹脂形成的帶狀(長條狀)薄膜，根據要搭載的半導體晶片(圖中未畫出來)的大小來決定其寬度。該薄膜10最好採用既具有電絕緣性，同時又具有可撓性的材料。
在該薄膜10上，如圖2所示，用例如衝孔加工或雷射加工或化學刻蝕加工等眾所周知的開孔技術形成鏈輪孔12和引線孔14。引線孔14，如圖6所示，形成於與要搭載的半導體晶片40的電極42對應的區域上。就是說，引線孔14被形成為用於進行連接引線24和電極42之間的鍵合。
其次，把粘接劑塗敷到薄膜10上，把作為電導通構件的金屬箔，例如銅箔16用圖中未畫出來的熱輥子等的加熱和加壓裝置邊壓緊邊粘貼。圖3示出了已把銅箔16貼到了薄膜10上後的狀態。
接著，採用進行溼法刻蝕的辦法，如圖4所示，由箔狀的銅箔16形成所希望的導電圖形20。
導電圖形20含有焊盤部分22、連接引線24、電鍍引線26、電鍍電極28和連接部分29，在導電圖形20的步驟中，已變成了全部電導通的狀態。焊盤部分22是設有例如焊錫球等的突出電極用以構成外部電極的部分。因此，焊盤部分22若從平面上來看，其表面為平坦狀，且具有規定的面積(通常，比連接引線24寬)。另外，焊盤部分22自身也可以形成為凸狀，使之預先具有作為突出電極的功能。此外，焊盤部分22即便是半導體器件製造後，也可以如圖所示仍為接合區的原來的狀態。但是，在這種情況下，在要裝配的構件(裝配基板)一側必須設置焊錫等的接合構件。焊盤部分22，在已把半導體晶片搭載到了薄膜載帶上的時候(參照圖7)，被配置在半導體晶片40區域的內側，而且在模塑材料36所形成的樹脂密封的區域內。
連接引線24的一方的端部被連接到用於形成外部電極的焊盤部分22上，與焊盤部分22形成電導通。另外，與焊盤部分22相比連接引線24形成得細。連接引線24隻要能確保可以進行良好的電導通這種程度的寬度就行，如果考慮窄步距，則必然地要變得比焊盤部分22更細。這一情況不僅連接引線24是如此，在位於連接引線24的延長上的連接部分29中也是一樣的。此外，連接引線24的另一方的端部，如圖4所示，已通過了(跨過了)引線孔14，用位於連接引線24中的該引線孔14內的部位，與半導體晶片40的電極42相連。連接引線24與焊盤部分22一樣，被配置於後邊要講的模塑材料36所形成的樹脂密封的區域之內(參照圖7)。連接引線24，通過把從引線孔14的電鍍引線26一側的邊到電鍍引線26為止的區間連接起來的連接部分29，與電鍍引線26電連。其中，電鍍引線26被形成為位於樹脂密封區域之外。即，連接部分29被形成為從樹脂密封區域內的連接引線24，到樹脂密封區域外的電鍍引線26為止。各個電鍍引線26被形成於帶狀薄膜10的短邊方向上，同時，已連接到電鍍電極28上。電鍍電極28形成於帶狀薄膜10的長邊方向上。另外，在示於圖4的導電圖形20的兩側，雖然未畫出來，但連續地形成了已連接到電鍍電極28上的同樣的導電圖形。
其次，通過電鍍電極28用電鍍(電解電鍍)的方法，對整個導電圖形20施行鍍金。另外，作為電鍍處理除鍍金之外，也可以用錫或焊錫進行電鍍處理。只要根據接合等的狀況用眾所周知的方法即可。接著，如圖5所示，對位於連接引線24和電鍍引線26之間(就是說引線孔14的電鍍引線一側的邊和電鍍引線26之間)的連接部分29的至少一部分進行切削，由圖4的導電圖形20形成布線圖形(電路圖形)30。進行切削的方法，可以應用眾所周知的技術而不管它是機械方法還是化學方法。此外，被切削的該部分即便是不完全衝切，只要例如連接引線24和電鍍引線26為電氣的非導通狀態，即僅僅連接引線24的端部作成為自由端就可以，也可以僅僅使相應的部分(相當的位置的圖形)進行半刻蝕等。換句話說，本身為基底的薄膜10也可以不完全地去掉。這樣一來，就可得到已形成了規定的電路的長條狀的薄膜載帶34。此外，在已經形成了布線圖形30的狀態下，把已與連接部分29中的焊盤部分22電連的一側，即包括位於引線孔14和孔32之間的布線在內叫做連接引線24。另外，在已經形成了布線圖形30的工序以後，在僅僅叫做連接引線的情況下，也包括位於引線孔14和孔32之間的布線。
另外，衝切連接部分29的工序，是在電鍍處理工序之後，且在對半導體晶片40的電極42進行的鍵合工序(參照圖6)之前進行。此外，在本實施例中，採用衝切連接部分29的辦法來形成孔32。孔32在同圖中雖然是細長的矩形的孔，但是並不受限於該形狀。形成孔32的一對長邊之內的一方，如圖7所示，位於樹脂密封區域內，另一方則位於樹脂密封區域外。這樣一來，被衝切的連接部分29的端面就與形成孔32的長邊的位置變成為同一個面，其端部就在孔32的內側露了出來。該已經露了出來的連接部分29的端面被樹脂覆蓋起來。總起來說，孔32除形成所希望的電路外還被形成為把連接部分29的露出端面覆蓋起來。
其次，如圖6所示，把薄膜載帶34配置於半導體晶片40的上方。說得更詳細點，即便是在薄膜載帶之內也要使相當於撓性基板的部位在半導體晶片40的上方進行位置對準。在這裡，在從薄膜載帶34上最終性地脫離開而變成單片半導體器件時，作為基板留下來的部位，相當於撓性基板。
半導體晶片40的電極42被配置為使得面朝著薄膜載帶34的引線孔14。所用的半導體晶片的恰當的尺寸，如同圖所示，如果是從使半導體晶片端部位於已經超過了形成引線孔的內側邊的位置，到孔32中的引線孔14一側的邊為止的尺寸的話，就不必問其尺寸。此外，要做成為使得在半導體晶片40和薄膜載帶34之間形成規定的間隙。這時，要進行定位使得連接引線24配置到半導體晶片40的電極42上邊。接著，對多個電極42和多個連接引線24一起或者每次一個地方地進行鍵合。為了進行鍵合，理想的是在電極42或連接引線24的任何一方上形成突出電極。
還有，本實施例中的布線圖形30的形成位置，在已經把半導體晶片40配置到薄膜載帶34上的時候，被設置到半導體晶片相對面的相反一側的面上。因此，在布線圖形30的表面上塗敷阻焊劑之類的樹脂，求得絕緣和保護是理想的。另外，還可以做成為使得除想進行電鍍的部分之外都先用樹脂覆蓋起來。這裡所說的想進行電鍍的部分，具體地說，指的是連接引線或接合區等。這樣的話，由於在不要的部分上不塗敷鍍層，所以可以節省電鍍處理中所用的電鍍材料。或者，如果使布線圖形30面朝半導體晶片40一側來配置薄膜載帶34的話，則可以省略阻焊劑等的塗敷。
其次，如圖7所示，用模塑材料密封半導體晶片40。另外，標號36是模塑材料所處的區域。此外，圖8是圖7的VIII-VIII線的剖面圖。
詳細說來，模塑材料36由引線孔14向半導體晶片40和薄膜載帶34之間的間隙中注入。這樣，模塑材料36將把半導體晶片40的電極42覆蓋起來。
此外，用薄膜載帶34的孔32填充模塑材料，使得把端部露出來的連接部分29的端面29a(即，連接引線的端部)也覆蓋起來。採用進行這樣處理的辦法，就變成為用樹脂把要連接到半導體晶片40上的連接部分29的端面29a(連接引線的端部)覆蓋起來而不露出。這樣一來，由於可以防止從連接部分29 一側向連接引線24，進而向半導體晶片40的電極進行的腐蝕，所以將提高半導體器件的可靠性。
這樣處理之後，當用模塑材料36進行的密封結束後，就在模塑材料36所處的區域的外側，從成為母體的薄膜載帶34上進行切離。在進行切離的情況下，進行一起成型，從薄膜載帶34的母體上，衝出已被封裝利用的薄膜載帶34部分(即，撓性基板部位)。對於衝切位置，可以考慮各個實施形態。例如，若使切斷位置在孔32區域內，而且在比樹脂密封后的區域還往外的話，則對於布線圖形的走線方向(薄膜的長邊方向)已經加工，在本次的衝切工序時無須另外再加工。
另一方面，還可在孔32的更外側，在達不到孔的位置上衝切。這樣的話，採用進行衝切使得不切掉孔32的辦法，最終的半導體器件的外形就會變得具有直線性。在這種情況下，具有下述優點在其後的工序中，半導體器件的外形的識別將會變的容易起來。
其次，圖9和圖10示出了上述實施例的變形例，與圖7的局部放大圖相對應。
在示於圖9的薄膜載帶50中，每一個連接部分52分別用圓形的孔54衝切，並從電鍍引線56上切斷。就是說，該圓形孔具有比連接部分52還寬的直徑。對連接部分52衝切的工序，是在電鍍處理工序之後且在對半導體晶片的電極進行鍵合工序之前進行的。選擇圓形的理由是考慮到了樹脂的流入性和貼緊性。
接著，一直到點劃線58的位置為止進行樹脂密封，使得用樹脂把從圓形孔中露出來的連接部分52的端面覆蓋起來。然後，在雙點劃線59的位置上進行最後的衝切，就得到了半導體器件。結果變成為已經與半導體晶片的電極相連的各個連接引線的端部被樹脂完全覆蓋起來，這樣所得到的半導體器件也具有和上述實施例一樣的效果。
此外，在示於圖10的薄膜載帶60中，每一個連接部分62都分別用長孔64衝切，並從電鍍引線66上切斷。長孔換句話說就是橢圓形狀。接著，一直到點劃線68為止進行樹脂密封，使得把從長孔64露出來的連接部分62的端面覆蓋起來。之後，進行最後的衝切的位置是長孔64的內側的雙點劃線69的位置。即，如果進行最終性的衝切，則將變成為把長孔64切掉一塊的形狀。這樣一來，就可以得到半導體器件。此外，在圖9和圖10中的最終性的衝切位置59、69，並不限於此。這一點將在後邊說明。
在圖10中，如同圖所示，長孔的長徑方向設定為與形成封裝的外周的邊大體上成垂直的方向上，這樣的話，連接部分的界面比起圖9的例子來位於從封裝的外周更為往裡的地方。因此，到與外氣接觸的距離進一步增加，所以可以進一步提高引線的防止腐蝕的效果。此外，如果做成為長孔，還可以擴展與樹脂之間的接觸區域，更進一步提高樹脂與基板之間的粘接強度。這時，由於已經把長孔的長徑方向設定在對形成封裝的外周的邊大體垂直的方向上，所以可以使相鄰的連接引線的步距間隔與窄步距相對應。但是，在步距的限制某種程度地減緩的情況下，就無須注意長孔的長徑方向，既可以與上述同樣地設定在與形成封裝的外周的邊大體上垂直的方向上，也可以設定與其直行方向(即，與形成封裝的外周的邊大體上平行的方向)上。
此外，在圖9和圖10中，採用使樹脂密封位置58、68和最終的成型(切斷)位置59、69錯開來的辦法，說得更詳細一點的話，採用作為封裝來看的時候把切斷(衝切)位置設定為樹脂密封位置更往外側的辦法，最終的半導體器件的外形將變成為有直線性。這樣一來，在其後的工序中，半導體器件的外形識別就將變得容易。此外，在切斷工序中，也不必擔心對樹脂密封部分會造成損傷。
另一方面，也不是說樹脂密封位置與切斷(衝切)位置必須要錯開來，也可以做成為相同。此外，也可以在孔內的樹脂位置外側處且在收容於孔內的位置處進行切斷。還有，即便是假定使衝切位置與樹脂密封位置變成為相同，也可以衝切成樹脂密封部分的最外形直線狀而沒有必要在孔內重新衝切成樹脂引入時的形狀。不論怎麼樣，由於連接到各個連接引線上的各個連接部分的端部，已經形成了孔(圓形孔，長孔等)且已設定於從基板(薄膜載帶)的端部引進來的位置上，故結果變成為連接部分端部保持被樹脂覆蓋起來的狀態。
在上述的實施例中，在進行電鍍處理時，除電解電鍍外，也可以用眾所周知的無電解電鍍。此外，薄膜本身也不限於象本實施例那樣由導電圖形、粘接劑、薄膜這3層構成的載帶，還可以用由例如從上述構成中去掉粘接劑的2層的載帶。
另外，在上述的實施例中雖然用的是在兩邊上已形成了電極的晶片，但是，在4個邊上設有電極的情況下也同樣地可以應用，這是不言而喻的。那時，結果將變成為可在載帶的4個邊上設置矩形的孔。
此外，在本實施例中，雖然說明的是把外部電極向半導體晶片區域的內側方向引入的所謂的扇入型，但是也可以把扇入型與和其相反的扇出型融合起來應用。在這種情況下，扇入型可以用本例進行而扇出型則可以利用以前的技術進行。
圖11示出了已經裝配上應用上述實施例製造出來的半導體器件110的電路基板。雖然沒有畫出詳細的圖，但是半導體器件110的焊盤部分22和已形成於電路基板100上邊的連接部分(例如，接合區)已電連。作為連接構件用了例如眾所周知的焊錫，指的是存在於兩者(半導體器件110的焊盤部分和電路基板100的連接部分)間並進行連接的焊錫。作為連接構件，除了焊錫外，還可以利用例如各向異性導電粘接劑等的各種連接方法。
權利要求
1.一種薄膜載帶的製造方法，在薄膜上形成導通圖形，該導通圖形使所具有的在要密封的預定的區域內形成並將接合到半導體晶片的電極和外部電極上的多個連接引線，連接到該連接引線上並一直形成到上述密封區域之外的至少一個電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部都變成導通狀態。
2.一種薄膜載帶的製造方法，包括下述工序在薄膜上形成引線孔的工序；在含有上述薄膜的上述引線孔的區域上設置金屬箔的工序；形成由上述金屬箔構成的焊盤部分、連接引線、電鍍引線、電鍍電極和連接部分所構成的導電圖形的工序；通過上述電鍍電極對上述導電圖形施行電鍍處理的工序；對上述連接部分進行加工形成布線圖形的工序。
3.權利要求2所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是上述形成布線圖形的工序用衝切上述連接部分的辦法進行。
4.權利要求3所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是一起衝切多個上述連接部分。
5.權利要求3所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是上述衝切與每一連接部分對應起來進行。
6.權利要求3到5中的任何一項所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是各個連接部分也可以用圓形的孔來衝切。
7.權利要求6所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是使上述圓形孔成為橢圓形狀，上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
8.權利要求2所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是在施行上述電鍍處理之前，還可以在除上述導電圖形中的要進行上述電鍍處理的區域之外的區域上設置保護膜。
9.權利要求8所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是把樹脂用作上述保護膜。
10.權利要求9所述的薄膜載帶的製造方法，其特徵是把阻焊劑用作上述樹脂。
11.一種半導體器件，具備具有多個電極的半導體晶片；在上述半導體晶片上邊定位為與上述半導體晶片隔以規定的距離且相互重疊的撓性基板；位於上述半導體晶片和上述撓性基板之間並對上述半導體晶片的具有上述電極的面進行密封的樹脂，在上述撓性基板的上邊，具有一方的端部被接合到上述半導體晶片的上述電極上的同時，另一方的端部用於和外部之間的連接的多個連接引線，上述連接引線位於用上述樹脂對上述一方和另一方的端部進行密封后的區域內，不論哪一個端部位於上述半導體晶片的外周附近的同時，用上述樹脂一直到側面部分為止完全覆蓋起來。
12.權利要求11所述的半導體器件，其特徵是在上述撓性基板位於上述連接引線中的用上述樹脂完全覆蓋起來的上述端部所處的部位上，也可以設置圓形和橢圓形狀的任何一種形狀的孔。
13.一種電路基板，通過權利要求16或17所述的半導體器件的焊盤電連並搭載上述半導體器件。
14.一種在樹脂密封型的半導體器件中所用的薄膜載帶，具備在應當進行樹脂密封的區域內形成了外部電極的焊盤部分；配置在應當進行樹脂密封的區域內，把各個上述外部電極和半導體晶片的各個電極連接起來的多個連接引線；在樹脂密封的區域外形成的至少一個電鍍引線；使除去至少一個之外的上述連接引線和上述電鍍引線電連起來的多個連接部分；使上述被除外的連接引線與上述電鍍引線之間電絕緣的至少一個孔；連接上述電鍍引線的電鍍電極，在上述焊盤部分、上述連接引線、上述電鍍引線、上述連接部分和上述電鍍電極上已施行了電鍍。
15.權利要求14所述的薄膜載帶，其特徵是上述孔由矩形孔構成，也可以形成為對多個上述連接部分進行跨接。
16.權利要求14所述的薄膜載帶，其特徵是具有多個上述孔，各個孔由圓形或橢圓形的孔構成，並與每一上述連接部分對應起來形成。
17.權利要求16所述的薄膜載帶，其特徵是使上述孔成為橢圓形狀，上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
全文摘要
一種用薄膜載帶製造，封裝尺寸接近晶片尺寸的半導體器件，且與半導體晶片的電極之間的連接部分不露出來的半導體器件及其製造方法。具有形成於模塑材料36的填充區域之內並接合到半導體晶片40的電極42和焊盤部分22上的連接引線24，連接到連接引線24上的電鍍引線26，電鍍引線26所連接的電鍍電極28，且在全體都已變成為導通狀態下施行電鍍，直到使連接部分29進入模塑材料的填充區域內為止對連接部分29進行衝切，使連接引線24和電極42接合，填充模塑材料36。從孔32中露出來的連接引線24的端面也被模塑材料36覆蓋而不露出來。
文檔編號H01L23/495GK1516250SQ0311981
公開日2004年7月28日 申請日期1997年9月29日 優先權日1996年10月17日
發明者橋元伸晃 申請人:精工愛普生株式會社