半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線結合方法

2023-05-27 19:13:11 2

專利名稱：半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線結合方法
半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線結合方法
技術領域：
本發明是有關於一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線結合方法，特 別是有關於一種可對焊球提供預熱功能以保持焊球具適當軟硬度的半導體封裝用導線接 合裝置的焊針構造及導線結合方法。
背景技術：
在半導體封裝構造製造過程中，打線接合(wire bonding)技術已廣泛地應用於半 導體晶片與封裝基板或導線架之間的電性連接上。一般打線接合製造過程是以金線(gold wire)為主，但相較於金線，由於銅線(copper wire)具有低成本的優勢且具有較佳的導電 性、導熱性及機械強度，因而銅製焊線的線徑可設計得更細且散熱效率較佳。然而，銅線最 大的缺點在於銅金屬本身容易與氧起氧化反應；以及銅金屬本身的硬度較大，可能在打線 期間產生較大的衝擊作用力予焊墊表面。上述問題可能影響銅線與半導體晶片或基板的焊 墊之間的結合可靠度及結合良品率(yield)，並可能造成焊墊的損壞。為了解決上述技術問題，美國專利公開第2007/0251980號提出一種打線用減少 氧化系統(Reduce Oxidation System for Wire Bonding)，其適用於具有反應活性的導線 (如銅線)，其中一打線機臺包含一結合位置區，用以在打線過程中支撐一半導體裝置，所 述半導體裝置包含一基板及一晶片；一焊針(capillary)，用以輸出一具反應活性的導線 (如銅線)；一電子火焰熄滅杆(electronic flame off wand)，用以在導線的端部形成焊 球；一第一氣體供應管，用以在導線(如銅線)形成焊球時，提供一氮氣及氫氣的混合氣體， 以減少導線的氧化，並利用氫氣與周遭氧氣的氧化反應而提供高溫，以提供熱能維持焊球 具適當軟硬度(或稱為可塑性)；以及，一第二氣體供應管，具有一出口朝向所述結合位置 區，所述第二氣體供應管可以由所述結合位置區的上方提供另一混合氣體至所述結合位置 區，以便在導線結合所述基板及晶片的過程中，減少導線的氧化及維持焊球的軟硬度。雖然上述打線機臺可利用所述第一及第二氣體供應管提供混合氣體，以覆蓋處於 高溫環境下的導線並避免導線氧化及維持焊球的軟硬度，但是實際上作業常遇到的問題在 於若混合氣體供應量太少，則導線可能氧化或硬度太高；若氣體供應量太多，則可能過度 浪費氣體使用量或硬度太軟。因此，若僅要求操作人員依靠經驗調控氣體控制閥門，以控制 氣體的單位時間流量，顯然無法達到即時精準調整控制導線氧化程度及焊球軟硬度等參數 的目的。若焊球的硬度過大，則可能在打線期間產生較大的衝擊作用力予焊墊表面，因此可 能影響銅線與焊墊之間的結合可靠度及結合良品率(yield)，並可能造成焊墊的損壞。故，有必要提供一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針改良構造，以解決現有技 術所存在的問題。

發明內容本發明的主要目的在於提供一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線 結合方法，其是在焊針表面設置預熱電阻層，其可在通電後產生熱能，以對焊針尖端的焊球
3提供預熱功能，以保持焊球具適當軟硬度(可塑性)，進而提高導線與焊墊之間的結合可靠 度及結合良品率(yield)，並相對降低造成焊墊損壞的機率。本發明的次要目的在於提供一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線 結合方法，其是在焊針表面設置預熱電阻層，預熱電阻層包含至少一弧型迴路，其環繞供線 孔，以利用足夠的迴路長度來擴大總預熱表面積，故能相對提高預熱效果。本發明的另一目的在於提供一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線 結合方法，其是在焊針表面設置預熱電阻層，以對焊針尖端的焊球提供預熱功能，故能相對 減少對氫氣燃燒供熱的需求，以降低保護氣體中氫氣的使用量，進而相對降低打線程序的 加工成本。為達成本發明的前述目的，本發明提供一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構 造，其特徵在於所述焊針構造包含一絕緣本體，其具有一桿體部、一縮徑部、一導線通道 及一供線孔，所述導線通道設於所述杆體部及縮徑部內，所述供線孔形成於所述縮徑部的 末端並連通於所述導線通道，以輸出一導線；及一預熱電阻層，其具有一陽極部、一陰極部 及一熱能產生部，所述陽極部及陰極部分別形成在所述杆體部的不同圓周面位置上，及所 述陽極部及陰極部分別由所述杆體部延伸至所述縮徑部，並且所述陽極部及陰極部在所述 縮徑部上相互連接而形成所述熱能產生部，所述熱能產生部鄰近於所述供線孔。在本發明的一實施例中，所述導線為具反應活性的導線；所述的具反應活性的導 線為銅線、鋁線、銀線、鈀線或其合金線材。在本發明的一實施例中，所述絕緣本體由陶瓷材料製成，所述陶瓷材料包含氧化 鋁、氧化鋯或其混合。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層是由具電阻特性的金屬或合金製成，所 述金屬或合金包含鎳、鉻、鐵、銅、銀、金、鉬、鈀、鋁或其合金。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層是選擇由電鍍、蒸鍍或濺射來沉積形成 在所述絕緣本體的表面上。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層由陶瓷材料複合金屬或合金的複合粉末 材料加工製成。在本發明的一實施例中，所述絕緣本體的表面具有一凹槽，所述預熱電阻層是網 版印刷填入所述絕緣本體的凹槽內。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層是一金屬箔，其固定在所述絕緣本體的 表面上。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層的熱能產生部是至少一弧型迴路，其環 繞所述供線孔。在本發明的一實施例中，所述預熱電阻層上另覆蓋有一絕緣保護層。在本發明的一實施例中，所述絕緣保護層選自低散熱性絕緣材料。或者，所述絕緣 保護層選自絕緣漆料，並在其外表面另外多加一低散熱材料層。在本發明的一實施例中，所述陽極部或陰極部的寬度大於所述熱能產生部的寬度。另一方面，本發明提供一種半導體封裝用的導線接合方法，其特徵在於所述導線 接合方法包含提供一半導體封裝用的元件，其具有至少一焊墊；提供一焊針，所述焊針包含一絕緣本體及一預熱電阻層，所述絕緣本體具有一桿體部、一縮徑部、一導線通道及一供 線孔，及所述預熱電阻層附著於所述焊針的絕緣本體，其中所述預熱電阻層具有一陽極部、 一陰極部及一熱能產生部，所述陽極部及陰極部分別形成在所述杆體部的不同圓周面位置 上，及所述陽極部及陰極部分別由所述杆體部延伸至所述縮徑部，並且所述陽極部及陰極 部在所述縮徑部上相互連接而形成所述熱能產生部，所述熱能產生部鄰近於所述供線孔； 所述焊針利用所述預熱電阻層的熱能產生部加熱所述焊針的絕緣本體；由所述焊針提供一 導線，所述導線穿過所述供線孔，使所述導線的端部延伸至所述焊針外部並形成一焊球；及 接合所述導線的焊球於所述半導體封裝用的元件的焊墊上。

圖1是本發明第一實施例半導體封裝用導線接合裝置的示意圖。圖2是本發明第一實施例半導體封裝用導線接合裝置的使用示意圖。圖3是本發明第一實施例半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造的俯視圖。圖4是本發明第一實施例半導體封裝用導線接合裝置的另一焊針構造的縱向剖 視圖。圖4A是本發明圖4的局部放大圖。圖5是本發明第二實施例半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造的俯視圖。
具體實施方式為讓本發明上述目的、特徵及優點更明顯易懂，下文特舉本發明較佳實施例，並配 合附圖，作詳細說明如下請參照圖1及2所示，本發明第一實施例的半導體封裝用導線接合裝置主要包含 一焊針(capillary) 1、一電子點火杆(spark rod) 2、一第一氣體供應管3及一第二氣體供 應管4，上述元件共同裝設在所述接合裝置的一可移動式的機構(未繪示)上，以在打線 (wire bonding)期間同步移動。在本實施例中，所述焊針1是一中空微型針狀元件，用以輸 出一導線5，所述焊針1的細部構造將於下文另予詳細說明。再者，所述電子點火杆2可適 時產生火花，使所述焊針1輸出的導線5的端部形成一焊球51。所述電子點火杆2並可選 擇結合在所述第一氣體供應管3上。所述第一氣體供應管3也鄰接於所述焊針1，且所述第 一氣體供應管3具有一第一供氣口 31，所述第一供氣口 31朝向所述焊針1的一導線成球 位置，以對所述導線成球位置提供一第一保護氣體32。所述導線成球位置指的是所述導線 5的端部形成所述焊球51時所在的一空間位置。再者，所述第二氣體供應管4鄰接於所述 焊針1，且通常與所述第一氣體供應管3位在所述焊針1的不同側。所述第二氣體供應管4 具有一第二供氣口 41，所述第二供氣口 41朝向所述焊針1的一導線焊接位置，以對所述導 線焊接位置提供一第二保護氣體42。所述導線焊接位置指的是所述導線5焊接至一半導體 封裝半成品6時所在的一空間位置。在本實施例中，所述第一及第二保護氣體32、42優選 包含氮(N2)、氬(Ar)或其組合，並可選擇另混合有氫(H2)等還原氣體。所述第一及第二保 護氣體32、42所含的氣體種類及比例可選擇為相同或不同。另外，所述導線5優選為具反 應活性的導線5，例如選自銅線(Cu)、鋁線(Al)、銀線(Ag)、鈀線(Pd)或其合金線材。請參照圖1、2及3所示，本發明第一實施例的焊針1包含一絕緣本體11及一預熱電阻層12。所述絕緣本體11由熔點高於所述導線5熔點的耐熱絕緣材質所製成，所述耐熱 絕緣材質優選為陶瓷材料，所述陶瓷材料可包含氧化鋁、氧化鋯或其混合，但並不限於此。 所述絕緣本體11具有一桿體部111、一縮徑部112、一導線通道113及一供線孔114，所述 杆體部111與縮徑部112是由耐熱絕緣材質所製成的一體成型微型針狀元件，在本發明中， 所述杆體部111與縮徑部112僅是概述其基本形狀的差別，兩者的實際形狀可能因為打線 需求而有所改變，例如所述杆體部111可以是圓柱型、多角柱型、多段式柱型或其他杆型或 柱型，而所述縮徑部112可以是圓錐型、角錐型、多段式漸縮錐型、細針型或外徑比所述杆 體部111為小的其他型態；惟，所述杆體部111與縮徑部112的形狀並非用以限制本發明。 再者，所述導線通道113是設於所述杆體部111及縮徑部112內的一中空通道，其內徑稍大 於所述導線5，並可由所述導線通道113的頂端輸入所述導線5。所述供線孔114則形成於 所述縮徑部112的末端並連通於所述導線通道113，所述供線孔114可以輸出所述導線5， 所述供線孔114的形狀通常是呈圓弧凹槽狀，但並不限於此。請再參照圖1、2、3、4及4A所示，本發明第一實施例的預熱電阻層12是由具電阻 特性的金屬或合金製成，且其熔點必需高於所述導線5的預熱溫度設定值(例如介於150°C 至所述導線5的熔點之間)，上述具電阻特性的金屬或合金可根據所述導線5的材質而選 自鎳、鉻、鐵、銅、銀、金、鉬、鈀、鋁或其合金，例如選自鎳鉻鐵合金或鎳鉻合金。所述預熱電 阻層12是選擇由電鍍(electroplating)、蒸鍍(evaporation)或濺射(sputtering)來沉 積形成在所述絕緣本體11的表面上。如圖4及4A所示，在第一實施例的另一焊針1構造 中，所述預熱電阻層12亦可能是由陶瓷材料複合金屬或合金的複合粉末材料所製成。此 時，所述絕緣本體11的表面可先利用雷射(laser)加工形成一凹槽115，可再利用網版印 刷(printing)方式將複合粉末材料填入所述絕緣本體11的凹槽115內，以形成嵌鑲狀的 所述預熱電阻層12的各個部位，如此嵌鑲狀的構造可獲得更好的結合強度，亦方便調整材 料的電阻值，且所述預熱電阻層12向內加熱所述導線5的效率將更好，同時嵌鑲狀的構造 亦具有保持熱能及減少熱能損失的效果。或者，所述預熱電阻層12亦可能是一預製的金屬 箔(例如鎳鉻鐵合金、鎳鉻合金的箔片)，其利用耐熱粘膠(例如環氧樹脂)、焊接、靜電或 通過固定用線材等輔助配件等物理性固定方式貼覆固定在所述絕緣本體11的表面上或凹 槽115內。再者，必要時，本發明另可在所述預熱電阻層12上另覆蓋有一絕緣保護層13，例 如各種耐熱漆料，例如綠漆(即防焊層solder mask)，但並不限於此。所述絕緣保護層13 可用以避免所述預熱電阻層12在長期使用下發生氧化問題。再者，所述絕緣保護層13可 選自低散熱性絕緣材料，以提供電性絕緣、保持熱能以及減少熱能損失等多重效果。或者， 所述絕緣保護層13選自絕緣漆料，並在所述絕緣保護層13的外表面再另外多加一低散熱 材料層(未繪示)，如此亦可達到相同效果。請再參照圖1、2及3所示，本發明第一實施例的預熱電阻層12具有一陽極部121、 一陰極部122及一熱能產生部123，所述陽極部121及陰極部122分別形成在所述絕緣本 體11的杆體部111的不同圓周面位置上，及所述陽極部121及陰極部122分別由所述杆體 部111延伸至所述縮徑部112，並且所述陽極部121及陰極部122在所述縮徑部112上相 互連接而形成所述熱能產生部123，所述熱能產生部123鄰近於所述供線孔114。在本實施 例中，所述陽極部121或陰極部122的寬度優選皆大於所述熱能產生部123的寬度，但所述 陽極部121及陰極部122的寬度可以相同或不同，其設計優點在於所述陽極部121及陰極部122的大面積寬度能方便向外電性連接外部電源的導線(未繪示)，同時所述熱能產生部 123的寬度愈小，通過的電流密度愈大，產生熱能的效率愈高。所述熱能產生部123是形成 多重的弧型迴路狀構造，例如包含一第一弧型迴路123a及一第二弧型迴路123b。所述第一 弧型迴路123a包含二個概呈半圓弧型的部分，每一部分的一端分別連接所述陽極部121及 陰極部122，及每一部分的另一端則連接所述第二弧型迴路123b的二端。所述第一弧型回 路123a環繞在所述第二弧型迴路123b外側。所述第二弧型迴路123b概呈C型，其環繞於 所述供線孔114外側。請參照圖1、2及3所示，當使用本發明第一實施例的半導體封裝用導線接合裝置 進行打線(wire bonding)時，本發明的半導體封裝用的導線接合方法包含下列步驟提供 一半導體封裝用的元件，其具有至少一焊墊(未標示)；提供一焊針1，所述焊針1包含一絕 緣本體11及一預熱電阻層12，所述絕緣本體11具有一桿體部111、一縮徑部112、一導線 通道113及一供線孔114，及所述預熱電阻層12附著於所述焊針1的絕緣本體11，其中所 述預熱電阻層12具有一陽極部121、一陰極部122及一熱能產生部123，所述陽極部121及 陰極部122分別形成在所述絕緣本體11的不同圓周面位置上，及所述陽極部121及陰極部 122分別由所述杆體部111延伸至所述縮徑部112，並且所述陽極部121及陰極部122在所 述縮徑部112上相互連接而形成所述熱能產生部123，所述熱能產生部123鄰近於所述供線 孔114 ；所述焊針1利用所述預熱電阻層12的熱能產生部123加熱所述焊針1的絕緣本體 11 ；由所述焊針1提供一導線5，所述導線5穿過所述供線孔114，使所述導線5的端部延伸 至所述焊針1外部並形成一焊球51 ；及接合所述導線5的焊球51於所述半導體封裝用的 元件的焊墊上。在上述導線接合方法中，所述接合裝置下方預先放置有一半導體封裝半成品6，其 具有一載板61及至少一半導體晶片62 (如圖2所示)，所述載板61可選自單層或多層的電 路基板(substrate)，或選自導線架(Ieadframe)。所述載板61及半導體晶片62即為半導 體封裝用的元件，兩者的表面各具有至少一焊墊(未標示)。在使用時，由所述焊針1的供 線孔114輸出一具反應活性的導線5，利用所述電子點火杆2使所述導線5的端部在導線成 球位置形成一焊球51，並在成球期間利用所述第一氣體供應管3的第一供氣口 31朝向所 述導線成球位置提供一第一保護氣體32。接著，移動所述焊針1及其輸出的導線5至一導 線焊接位置進行焊接，並在焊接期間利用所述第二氣體供應管4的供氣口 41朝向所述導線 焊接位置提供一第二保護氣體42。在焊接期間，如圖2所示，所述焊針1首先壓迫所述導 線5的焊球51，使所述焊球51焊接結合至所述半導體晶片62 (或載板61)表面的焊墊上； 接著，所述焊針1牽引所述導線5，並由所述供線孔11進一步輸出一段長度的導線5，直到 所述導線5延伸至所述載板61 (或半導體晶片62)的焊墊上。之後，所述焊針1壓迫所述 導線5，使所述導線5焊接結合至所述載板61 (或半導體晶片62)的焊墊上，並扯斷所述導 線5。在完成焊接動作後，所述焊針1回復至所述導線成球位置，以進行下一周期的成球及 焊接動作。值得注意的是，在上述成球及焊接期間，本發明導線接合裝置的陽極部121及陰 極部122已預先電性連接外部電源(未繪示)，以便在上述形成所述焊球51前後，由所述外 部電源通入電流至所述熱能產生部123，如此所述第二弧型迴路123b及第一弧型迴路123a 處將因金屬、合金或其複合材質本身的電阻特性而產生熱能，所述第二弧型迴路123b及第一弧型迴路123a的總長度則可用以擴大總預熱表面積。所述熱能可以使所述絕緣本體11 鄰近於所述供線孔114的位置保持在一預熱溫度設定值，例如介於150°C至所述導線5的熔 點之間；若所述導線5為銅合金導線，則銅合金導線的熔點約為1100°C，而所述預熱溫度設 定值可設定在175°C至500°C之間，但並不限於此。因此，所述熱能產生部123的第二弧型 迴路123b及第一弧型迴路123a將可提供預熱功能，以保持所述焊球51具適當軟硬度(可 塑性)，進而在焊接期間提高所述導線5與焊墊之間的結合可靠度及結合良品率(yield)， 並相對降低造成所述焊墊損壞的機率。請參照圖5所示，其揭示本發明第二實施例的半導體封裝用導線接合裝置的焊針 構造的俯視圖，第二實施例的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造相似於本發明第一實 施例，但第二實施例的差異特徵在於所述第二實施例的熱能產生部123僅具單一弧型回 路，其概呈C型，並環繞於所述供線孔114外側。本發明第二實施例的熱能產生部123相對 具有較簡單的架構，能相對簡化構造及焊針購置成本，但所述熱能產生部123仍可產生足 夠熱能來使所述絕緣本體11鄰近於所述供線孔114的位置保持在一預熱溫度設定值，以提 供預熱功能保持所述焊球51具適當軟硬度(可塑性)，進而在焊接期間提高所述導線5與 焊墊之間的結合可靠度及結合良品率(yield)，並相對降低造成所述焊墊損壞的機率。如上所述，相較於現有銅線打線程序中常因銅金屬本身的硬度較大，而使銅線的 焊球可能在打線期間產生較大的衝擊作用力予焊墊表面，導致影響銅線與焊墊之間的結合 可靠度及結合良品率等缺點，圖1至5的本發明通過在所述焊針1表面設置所述預熱電阻 層12，其可在通電後產生熱能，以對所述焊針1尖端的焊球51提供預熱功能，以保持所述焊 球51具適當軟硬度(可塑性)，進而提高所述導線5與焊墊之間的結合可靠度及結合良品 率(yield)，並相對降低造成焊墊損壞的機率。再者，本發明在所述焊針1表面設置所述預 熱電阻層12，所述預熱電阻層12包含至少一弧型迴路，其環繞所述供線孔114，以利用足夠 的迴路長度來擴大總預熱表面積，故能相對提高預熱效果。另外，本發明在所述焊針1表面 設置所述預熱電阻層12，以對所述焊針1尖端的焊球51提供預熱功能，其亦能相對減少對 氫氣燃燒供熱的需求，以降低保護氣體32、42中氫氣的使用量，進而相對降低銅線打線程 序的加工成本。本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明的範例。 必需指出的是，已公開的實施例並未限制本發明的範圍。相反地，包含於權利要求書的精神 及範圍的修改及均等設置均包括於本發明的範圍內。
8
權利要求
一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所述焊針構造包含一絕緣本體，其具有一桿體部、一縮徑部、一導線通道及一供線孔，所述導線通道設於所述杆體部及縮徑部內，所述供線孔形成於所述縮徑部的末端並連通於所述導線通道，以輸出一導線；及一預熱電阻層，其具有一陽極部、一陰極部及一熱能產生部，所述陽極部及陰極部分別形成在所述杆體部的不同圓周面位置上，及所述陽極部及陰極部分別由所述杆體部延伸至所述縮徑部，並且所述陽極部及陰極部在所述縮徑部上相互連接而形成所述熱能產生部，所述熱能產生部鄰近於所述供線孔。
2.如權利要求1所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所述導 線為具反應活性的導線；所述的具反應活性的導線為銅線、鋁線、銀線、鈀線或其合金線材。
3.如權利要求1所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所述預 熱電阻層是由具電阻特性的金屬或合金製成，所述金屬或合金包含鎳、鉻、鐵、銅、銀、金、 鉬、鈀、鋁或其合金。
4.如權利要求1或3所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所 述預熱電阻層是選擇由電鍍、蒸鍍或濺射來沉積形成在所述絕緣本體的表面上。
5.如權利要求1所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所述預 熱電阻層由陶瓷材料複合金屬或合金的複合粉末材料加工製成。
6.如權利要求1或5所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所 述絕緣本體的表面具有一凹槽，所述預熱電阻層填入所述絕緣本體的凹槽內。
7.如權利要求1或3所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所 述預熱電阻層是一金屬箔，其固定在所述絕緣本體的表面上。
8.如權利要求2所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所述預 熱電阻層的熱能產生部是至少一弧型迴路，其環繞所述供線孔。
9.如權利要求1或8所述的半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造，其特徵在於所 述預熱電阻層上另覆蓋有一絕緣保護層。
10.一種半導體封裝用的導線接合方法，其特徵在於所述導線接合方法包含提供一半導體封裝用的元件，其具有至少一焊墊；提供一焊針，所述焊針包含一絕緣本體及一預熱電阻層，所述絕緣本體具有一桿體部、 一縮徑部、一導線通道及一供線孔，及所述預熱電阻層附著於所述焊針的絕緣本體，其中所 述預熱電阻層具有一陽極部、一陰極部及一熱能產生部，所述陽極部及陰極部分別形成在 所述杆體部的不同圓周面位置上，及所述陽極部及陰極部分別由所述杆體部延伸至所述縮 徑部，並且所述陽極部及陰極部在所述縮徑部上相互連接而形成所述熱能產生部，所述熱 能產生部鄰近於所述供線孔；所述焊針利用所述預熱電阻層的熱能產生部加熱所述焊針的絕緣本體；由所述焊針提 供一導線，所述導線穿過所述供線孔，使所述導線的端部延伸至所述焊針外部並形成一焊 球；及接合所述導線的焊球於所述半導體封裝用的元件的焊墊上。
全文摘要
本發明公開一種半導體封裝用導線接合裝置的焊針構造及導線結合方法，所述焊針構造包含一絕緣本體及一預熱電阻層。所述絕緣本體具有一桿體部、一縮徑部、一導線通道及一供線孔。所述導線通道設於所述杆體部及縮徑部內，所述供線孔形成於所述縮徑部的末端並連通於所述導線通道，以輸出一導線。所述預熱電阻層具有一陽極部、一陰極部及一熱能產生部。所述陽極部及陰極部分別形成在所述杆體部的不同圓周面位置上，及所述陽極部及陰極部分別由所述杆體部延伸至所述縮徑部，並且所述陽極部及陰極部在所述縮徑部上相互連接而形成所述熱能產生部，所述熱能產生部鄰近於所述供線孔。
文檔編號H01L21/00GK101930901SQ20091005365
公開日2010年12月29日 申請日期2009年6月23日 優先權日2009年6月23日
發明者於睿, 呂岱烈, 王德峻 申請人:日月光封裝測試(上海)有限公司