巖層電阻率校正方法及裝置與流程

2023-05-28 07:49:36

本發明實施例涉及石油天然氣勘探技術領域，尤其涉及一種巖層電阻率校正方法及裝置。

背景技術：

近年來，緻密砂巖儲層的勘探越來越受到重視。其中，緻密砂巖儲層中的緻密砂巖氣屬於非常規油氣藏，對非常規油氣藏的勘探開發是當前解決我國能源問題很重要的環節。通常情況下，通過對緻密砂巖儲層的電特性(例如電阻率)的測量來測定緻密砂巖儲層的物理特性。

但現有技術中，由於不同應力作用下巖石孔隙結構的差別會導致複雜油氣儲集層(例如緻密砂巖儲層)電阻率的測井響應複雜多變，從而無法根據測量得到電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。

技術實現要素：

本申請實施例提供一種巖層電阻率校正方法及裝置，通過根據模擬應力下的電阻率校正係數對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，使得校正後的巖層電阻率更加準確，以便於能夠根據校正後的巖層電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。

第一方面，本申請實施例提供一種巖層電阻率校正方法，包括：

測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力；

分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；

根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。

可選地，所述根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數，包括：

根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，採用數學擬合方式確定所述模擬應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬張性應力，所述根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1，得到對所述張性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt1為所述校正後的電阻率，rc1為所述測量得到的張性應力下的巖層電阻率，P1為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A1、B1以及C1屬於所述模擬張性應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬壓性應力，所述根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt2為所述校正後的電阻率，rc2為所述測量得到的壓性應力下的巖層電阻率，P2為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A2、B2以及C2屬於所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數。

可選地，所述測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，包括：

根據三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用於為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用於測量位於所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻。

第二方面，本申請實施例提供一種巖層電阻率校正裝置，包括：

測量模塊，用於測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力；

第一確定模塊，用於分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

第二確定模塊，用於根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；

校正模塊，用於根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。

可選地，所述第二確定模塊具體用於：

根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，採用數學擬合方式確定所述模擬應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬張性應力，所述校正模塊，包括：

第一校正子模塊，用於根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述第一校正子模塊具體用於：

根據公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1，得到對所述張性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt1為所述校正後的電阻率，rc1為所述測量得到的張性應力下的巖層電阻率，P1為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A1、B1以及C1屬於所述模擬張性應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬壓性應力，所述校正模塊，包括：

第二校正子模塊，用於根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述第二校正子模塊具體用於：

根據公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt2為所述校正後的電阻率，rc2為所述測量得到的壓性應力下的巖層電阻率，P2為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A2、B2以及C2屬於所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數。

可選地，所述測量模塊包括：三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用於為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用於測量位於所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻；

所述測量模塊具體用於：根據三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻。

本申請實施例中，通過測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力；進一步地，分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率，並根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；進一步地，根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。可見，通過根據所述模擬應力下的電阻率校正係數對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，使得校正後的巖層電阻率更加準確，以便於能夠根據校正後的巖層電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1A為本申請巖層電阻率校正方法實施例一的流程示意圖；

圖1B為本申請巖層電阻率校正方法中應用的測量裝置結構示意圖一；

圖2A為本申請實施例中巖心的受力方向示意圖；

圖2B為本申請巖層電阻率校正方法中應用的測量裝置結構示意圖二；

圖3為不同圍壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖；

圖4為不同壓力差下電阻率隨圍壓的變化示意圖；

圖5為不同軸壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖；

圖6為不同壓力差下電阻率隨軸壓的變化示意圖；

圖7為本申請巖層電阻率校正裝置一實施例的結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

首先，對本申請實施例中所涉及的一些詞彙進行解釋。

1)緻密砂巖儲層

深層的緻密砂巖儲層，具有超深高溫高壓、孔隙結構複雜、地層壓力體系複雜、及地應力較強等特點。

2)模擬張性應力

通過將巖心放置在三軸方形夾持器中，調節軸壓與圍壓使得軸壓大於圍壓來模擬張性應力。

3)模擬壓性應力

通過將巖心放置在三軸方形夾持器中，調節軸壓與圍壓使得圍壓大於軸壓來模擬壓性應力。

圖1A為本申請巖層電阻率校正方法實施例一的流程示意圖。本實施例的執行主體可以為巖層電阻率校正裝置，該裝置可以通過軟體和/或硬體實現。如圖1A所示，本實施例的方法可以包括：

S101、測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻。

本步驟中，測量模擬應力的不同壓力差下巖心的電阻；可選地，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力。例如：測量模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻，和/或，測量模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻。

圖1B為本申請巖層電阻率校正方法中應用的測量裝置結構示意圖一。可選地，通過根據三軸方形夾持器1、壓力泵2以及電阻測量單元3，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻。如圖1B所示，所述壓力泵2與所述三軸方形夾持器1的電阻測量端連接，用於為所述三軸方形夾持器1提供圍壓和軸壓；所述電阻測量單元3連接至所述三軸方形夾持器1的電阻測量端，用於測量位於所述三軸方形夾持器1中的巖心的電阻。

當然，還可通過其它方式測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，本申請實施例中對此並不作限制。

S102、分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率。

本步驟中，分別根據模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，確定該模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：根據壓力差為P0下巖心的電阻1確定該壓力差下巖心的電阻率1，根據壓力差為P1下巖心的電阻2確定該壓力差下巖心的電阻率2。可選地，分別根據模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，通過如下公式(1)確定該模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻率：

r＝R×W×H/100L (1)

其中，r為不同壓力差下巖心的電阻率，單位(Ω·m)；R為不同壓力差下巖心的電阻，單位(Ω·m)；W為巖心的寬度，單位(cm)；H為巖心的高度，單位(cm)；L為巖心的長度，單位(cm)。

當然，分別根據模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，還可通過其它方式(例如，上公式的其它變形公式，或者其它計算公式)確定該模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻率，本申請實施例中對此並不作限制。

S103、根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數。

本步驟中，根據所述模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；可選地，根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，採用數學擬合方式確定所述模擬應力下的電阻率校正係數。其中，數學擬合方式可以採用現有的擬合方式(例如，數據擬合方式、曲線擬合方式等)，本申請實施例中對此並不作限制。例如，根據模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬張性應力下的一組電阻率校正係數S1，可選地，S1包括但不限於：A1、B1以及C1；根據模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬壓性應力下的一組電阻率校正係數S2，可選地，S2包括但不限於：A2、B2以及C2。可見，本步驟中，分別根據不同應力類型在不同壓力差下巖心的電阻率，確定出對應應力類型下的電阻率校正係數，以便於後續分別對測量得到的不同應力類型下的巖層電阻率進行校正。

當然，本申請實施例中，根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，還可通過其它方式確定所述模擬應力下的電阻率校正係數，本申請實施例中對此並不作限制。

S104、根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正。

本步驟中，根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型(可選地，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力)下的巖層電阻率進行校正，使得校正後的巖層電阻率更加準確，以便於能夠根據校正後的巖層電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。可選地，測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率為：實際井下測量得到的電阻率。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬張性應力，則根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數(例如，S1)，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。可選地，根據公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1，得到對所述張性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt1為所述校正後的電阻率，rc1為所述測量得到的張性應力下的巖層電阻率，P1為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A1、B1以及C1屬於所述模擬張性應力下的電阻率校正係數。

當然，根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數，還可通過其它方式(例如，公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1的其它變形公式等)對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正，本申請實施例中對此並不作限制。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬壓性應力，則根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數(例如，S2)，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。可選地，根據公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt2為所述校正後的電阻率，rc2為所述測量得到的壓性應力下的巖層電阻率，P2為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A2、B2以及C2屬於所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數。

當然，根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數，還可通過其它方式(例如，公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2的其它變形公式等)對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正，本申請實施例中對此並不作限制。

本申請實施例中，通過測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力；進一步地，分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率，並根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；進一步地，根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。可見，通過根據所述模擬應力下的電阻率校正係數對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，使得校正後的巖層電阻率更加準確，以便於能夠根據校正後的巖層電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。

可選地，為了使得計算得到的模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻率更加接近實際的緻密砂巖儲層的電阻率，本申請實施例中在步驟S101之前，還包括如下步驟：

1)巖心加工

本實施例中，為了保證巖心各項測量參數的測量精度，通過將巖心加工成規則的正方體(可選地，5cm*5cm*5cm)，以便對巖心的三個方向上施加不同的壓力，以模擬應力的不同應力類型(即以實現模擬張性應力或模擬壓性應力)和大小。圖2A為本申請實施例中巖心的受力方向示意圖，如圖2A所示，將一水平層理方向作為X方向，另一水平層理方向作為Y方向，垂直層理方向作為Z方向。可選地，巖心加工可以遵照國家標準《工程巖體試驗方法標準》(GB/T 50266-2013)製備，且巖心切割後經機械加工銑床加工成符合三軸方形夾持器要求的尺寸，以保證X、Y、Z三面的垂直度偏差小於±0.2°，且各自對應端面的平整度誤差小於±0.1mm以及邊長誤差小於±0.3mm。可選地，為了區分不同巖心，可以在每個巖心上標註巖心編號等相關信息。

2)巖心烘乾

本實施例中，將每個巖心採用恆溫烘乾法進行烘乾。可選地，在烘乾時，將溫度控制在[65℃,85℃]之間的溫度，歷時48小時，直至巖心恆重為止，並記錄巖心的尺寸和乾重。

3)巖心飽和

本實施例中，配製與目標地層的試水資料提供的礦化度相同的溶液，用於對所有巖心進行加壓飽和。例如，大北克深地區由於目標地層埋藏深，上覆地層壓力大且溫度高，目標地層水礦化度高，飽和溶液標準取180000mg/L。可選地，巖心飽和處理過程如下：a)配用礦化度為180000mg/L的NaCl型鹽水，在15℃時，其電阻率為0.059Ω·m以及密度為1.1314g/cm3。b)對巖心抽真空5h以上，然後將巖心置入NaCl型鹽水中，並加壓飽和12h以上，使得巖心充分飽和，其中，加壓過程中依然要繼續抽真空較長的時間，確保巖心100％飽和地層水(如NaCl型鹽水)，直到巖心重量不再變化為止。c)記錄巖心飽和後的尺寸和飽和重量，並存放於盛有飽和溶液(如NaCl型鹽水)的容器中備用。

可選地，通過如下公式計算巖心的孔隙度φ：

其中，ρs是NaCl型鹽水的密度，Ws為巖心飽和後的重量(單位：克)，Wd為巖心烘乾後的重量(單位：克)，L、W、H分別為巖心的長寬高(單位：釐米/cm)。

進一步地，在步驟S101中，根據三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻。圖2B為本申請巖層電阻率校正方法中應用的測量裝置結構示意圖二，如圖2B所示，測量裝置包括：三軸方形夾持器、壓力泵、電阻測量單元、溫控儀(用於控制巖心加熱溫度)、圍壓表(用於檢測圍壓)以及軸壓表(用於檢測軸壓)。

本申請實施例中，測量模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻，以及模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻。可選地，通過調節加載到三軸方形夾持器1上的軸壓和圍壓大小來模擬不同應力類型。其中，當軸壓大於圍壓，即上覆地層壓力與水平最小地應力相同，實現模擬張性應力；當圍壓大於軸壓，即上覆地層壓力與水平最大地應力相同，實現模擬壓性應力。如圖2A所示，巖心加工時已經確定X方向是一水平層理方向，將X方向作為電阻測量方向，也是軸壓方向，模擬水平壓力X；Z、Y方向一起承受圍壓，模擬上覆地層壓力和水平壓力Y。

可選地，當軸壓大於圍壓時，測量模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻的步驟如下：

第1步、按照巖心的測量方向將其放入三軸方形夾持器1中密封，然後依次對軸向和圍向加低壓1MPa，並通過三軸方形夾持器1中的加熱器對巖心加熱至設定測量溫度。

第2步、調節軸壓和圍壓使二者達到一定的壓力差，保持溫度和壓力不變，待壓力平衡後測量巖心的電阻。

第3步、保持溫度和圍壓不變，依次按照第一預設間隔(例如1MPa、2MPa或5MPa等)增加軸壓，並依次在壓力平衡後測量巖心的電阻(記錄至表1)，直到軸壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大軸壓或預設最大壓力差。

表1 不同軸/圍壓下巖心的測量電阻數據表

第4步、在同一個圍壓下測量完不同軸壓下的巖心電阻後，將軸壓卸載至圍壓大小，再按照第二預設間隔(如1MPa、2MPa或5MPa等)增加圍壓，重複執行第3步和第4步，直到圍壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大圍壓。

可選地，在測量完畢後，關閉三軸方形夾持器中的加熱器，並卸載圍壓和軸壓，待三軸方形夾持器冷卻到常溫後，卸載巖心。

可選地，當圍壓大於軸壓時，測量模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻的步驟如下：

第1步、按照巖心的測量方向將其放入三軸方形夾持器1中密封，然後依次對軸向和圍向加低壓1MPa，並通過三軸方形夾持器1中的加熱器對巖心加熱至設定測量溫度。

第2步、調節軸壓和圍壓使二者達到一定的壓力差，保持溫度和壓力不變，待壓力平衡後測量巖心的電阻。

第3步、保持溫度和軸壓不變，依次按照第三預設間隔(例如1MPa、2MPa或5MPa等)增加圍壓，並依次在壓力平衡後測量巖心的電阻(記錄至表2)，直到圍壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大圍壓或預設最大壓力差。

表2 不同軸/圍壓下巖心的測量電阻數據表

第4步、在同一個軸壓下測量完不同圍壓下的巖心電阻後，將圍壓卸載至軸壓大小，再按照第三預設間隔(如1MPa、2MPa或5MPa等)增加軸壓，重複執行第3步和第4步，直到軸壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大軸壓。

可選地，在測量完畢後，關閉三軸方形夾持器中的加熱器，並卸載圍壓和軸壓，待三軸方形夾持器冷卻到常溫後，卸載巖心。

進一步地，在步驟S102中，當軸壓大於圍壓時(即實現模擬張性應力)，根據表1中不同壓力差下巖心的電阻，採用上述公式(1)確定模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：通過上述步驟對克深地區庫車河露頭剖面的白堊系砂巖露頭取樣巖心進行測量得到如表3所示的模擬張性應力在不同壓力差下巖心的電阻率。

表3 軸壓大於圍壓時的電阻率

根據表3的數據，製作得到圖3(圖3為不同圍壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖)和圖4(圖4為不同壓力差下電阻率隨圍壓的變化示意圖)。如圖3及圖4所示，a)在相同的圍壓條件下，當壓力差增大時，電阻率的變化幅度很小，但隨壓力差的增大其電阻率增長率減小；還有部分是隨壓力差的增加電阻率減小；b)在相同壓力差條件下，電阻率隨著圍壓的增大而明顯增大，但隨壓力差的增大其電阻率增長率減小。其原因在於隨著地層有效應力的增加，巖石的孔隙結構與流體分布均發生變化。當模擬上覆地層壓力或最小水平壓力(圍壓)小於最大水平壓力(軸壓)，特別對Z方向的孔隙影響大，相對X方向(電阻測量方向)的孔隙影響較小，因此電阻率增加緩慢。

可選地，在步驟S102中，當圍壓大於軸壓時(即實現模擬壓性應力)，根據表2中不同壓力差下巖心的電阻，採用上述公式(1)確定模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：通過上述步驟對克深地區庫車河露頭剖面的白堊系砂巖露頭取樣巖心進行測量得到如表4所示的模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻率。

表4、圍壓大於軸壓時的電阻率

根據表4的數據，製作得到圖5(圖5為不同軸壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖)和圖6(圖6為不同壓力差下電阻率隨軸壓的變化示意圖)。如圖5及圖6所示，a)在相同的軸壓條件下，當壓力差增大時，電阻率也增大，且增幅較大，但隨軸壓的增大其電阻率增長率減小；b)在相同壓力差條件下，電阻率隨著軸壓的增大而明顯增大，但隨壓力差的增大其電阻率增長率減小。其原因在於隨著地層有效應力的增加，巖石的孔隙結構與流體分布均發生變化。當模擬上覆地層壓力或最大水平壓力(圍壓)大於最小水平壓力(軸壓)，特別對X方向(電阻測量方向)的孔隙影響大，導電流體的實際有效通道變小，增大了電流通過的阻力，使電阻率上升較大。

進一步地，在步驟S103中，當軸壓大於圍壓時(即實現模擬張性應力)，根據表3中的不同壓力差下巖心的電阻率，採用數據擬合方式確定所述模擬張性應力下的一組電阻率校正係數S1，可選地，S1包括但不限於：A1、B1以及C1。

可選地，在步驟S103中，當圍壓大於軸壓時(即實現模擬壓性應力)，根據表4中的不同壓力差下巖心的電阻率，採用數據擬合方式確定所述模擬壓性應力下的一組電阻率校正係數S2，可選地，S2包括但不限於：A2、B2以及。

進一步地，在步驟S104中，當軸壓大於圍壓時(即實現模擬張性應力)，根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數(例如，S1)對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。可選地，根據公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1，得到對所述張性應力下的巖層電阻率rc1校正後的電阻率rt1。

可選地，在步驟S104中，當圍壓大於軸壓時(即實現模擬壓性應力)，根據所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數(例如，S2)對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。可選地，根據公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率rc2校正後的電阻率rt2。

綜上所述，通過測量模擬張性應力和模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻，並確定出模擬張性應力和模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻率；進一步地，根據模擬張性應力和模擬壓性應力在不同壓力差下巖心的電阻率，分別確定出模擬張性應力和模擬壓性應力下的電阻率校正係數；進一步地，根據模擬張性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的模擬張性應力下的巖層電阻率進行校正，以及根據模擬壓性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的模擬壓性應力下的巖層電阻率進行校正。可見，通過根據模擬應力下的電阻率校正係數對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，使得校正後的巖層電阻率更加準確，以便於能夠根據校正後的巖層電阻率來準確地測定實際的緻密砂巖儲層的物理特性。

圖7為本申請巖層電阻率校正裝置一實施例的結構示意圖。如圖7所示，本實施例提供的巖層電阻率校正裝置70包括：測量模塊701、第一確定模塊702、第二確定模塊703及校正模塊704。

其中，測量模塊701，用於測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力；

第一確定模塊702，用於分別根據所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

第二確定模塊703，用於根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正係數；

校正模塊704，用於根據所述模擬應力下的電阻率校正係數，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。

可選地，所述第二確定模塊703具體用於：

根據所述不同壓力差下巖心的電阻率，採用數學擬合方式確定所述模擬應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬張性應力，所述校正模塊704，包括：

第一校正子模塊，用於根據所述模擬張性應力下的電阻率校正係數，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述第一校正子模塊具體用於：

根據公式rt1＝rc1×A1×P1+B1×P1+C1，得到對所述張性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt1為所述校正後的電阻率，rc1為所述測量得到的張性應力下的巖層電阻率，P1為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A1、B1以及C1屬於所述模擬張性應力下的電阻率校正係數。

可選地，若所述模擬應力包括：模擬壓性應力，所述校正模塊704，包括：

第二校正子模塊，用於根據所述模擬壓性應力下的電阻率，校正係數對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。

可選地，所述第二校正子模塊具體用於：

根據公式rt2＝rc2×A2×P2+B2×P2+C2，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率校正後的電阻率；

其中，rt2為所述校正後的電阻率，rc2為所述測量得到的壓性應力下的巖層電阻率，P2為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A2、B2以及C2屬於所述模擬壓性應力下的電阻率校正係數。

可選地，所述測量模塊701包括：三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用於為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用於測量位於所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻；

所述測量模塊701具體用於：根據所述三軸方形夾持器、所述壓力泵以及所述電阻測量單元，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻。

本實施例的巖層電阻率校正裝置，可以用於本發明上述任意巖層電阻率校正方法實施例的技術方案，其實現原理和技術效果類似，此處不再贅述。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。