一種多晶矽片的製造方法

2023-06-21 13:23:31

專利名稱：一種多晶矽片的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種用於生產太陽能電池的多晶矽片的製造方法。
背景技術：
目前的太陽能電池大多數是用晶體矽片製造，晶體矽片分為單晶矽片和多晶矽片，由於多晶矽片的成 本較低，現在的太陽能電池越來越多地使用多晶矽片。但是目前的多晶矽片的製造方法是對結晶成型後的 塊狀矽錠進行機械切割的方式來製造的，這種方法有兩個主要的缺點， 一個是這種切割方式的矽材料消耗
太大，會損失切割過程中產生的矽粉末，這種方法的矽材料的利用率一般只有百分之五十左右；另一個缺 點是切割法的矽片由於機械切割的技術限制不能割的很薄， 一般只能達到200微米左右，而實際的太陽能 電池所需要的矽片厚度只需要50微米左右，這樣厚的矽片會造成太陽能電池的矽材料的利用率很低。這 兩個缺點都會降低製造太陽能電池的矽材料的利用率，而用於製造太陽能電池的高純矽的成本非常高，矽 片是太陽能電池的最大成本的部分，因此低的矽材料的利用率是目前多晶矽片製造的太陽能電池價格居高 不下的主要原因，從而影響了太陽能電池的普及。

發明內容
為了解決製造多晶矽片過程中矽材料的消耗大和矽片較厚的問題，從而達到降低製造多晶矽太陽能電 池成本的目的，本發明提供一種製造多晶矽片的方法，可以降低製造多晶矽片過程中矽材料的消耗，並且 可以減薄矽片的厚度。
本發明為了實現上述目的，是通過下述的技術方案。
本發明是一種使熔融狀態的矽直接結晶成薄片矽的方法，其具體是通過以下的方法來實現首先將多 晶矽的原料裝入坩堝，坩堝被加熱後，把坩堝內的矽原料熔成液態的矽熔體，將矽熔體注入到一個狹縫， 該狹縫是由兩個平行的耐高溫面(耐高溫面以下有時簡稱為面)形成的，這兩個耐高溫面可以是平面或曲 面，是用陶瓷、石墨或耐高溫金屬材料製成，兩個耐高溫面之間的空間就是該狹縫的縫隙。兩個耐高溫面 上都設有獨立的溫度控制裝置，可以使狹縫的兩個耐高溫面處於分別設定的溫度，將其中一個耐高溫面的 溫度控制在矽的熔點1415攝氏度以下，另一個耐高溫面可以處於1415攝氏度左右。當矽熔體流到狹縫時，
由於狹縫的一個耐高溫面的溫度低於矽的熔點，矽原子就會在這個面上開始結晶，由於狹縫的兩個面之間 有溫度差，在結晶面上就會有個垂直結晶面的溫度場梯度，這個溫度場梯度可以生長出適於太陽能電池的 柱狀結晶多晶矽片，這對製造出高性能太陽能電池用的矽片至關重要。熔融的矽原子在狹縫處結晶成矽片， 狹縫的兩個面對結晶的矽片厚度有個約束，起到了限制矽片厚度的作用，矽片的厚度近似等於狹縫的厚度，
從而可以得到指定厚度的矽片。狹縫兩個面之間的距離範圍可以在10微米到300微米之間，也就是縫隙 的厚度，相應產出的矽片厚度就在20微米到300微米的範圍。由於矽在狹縫處結晶成固體矽片，將已經 結晶的矽片與狹縫分離，就得到了指定厚度的多晶矽片。
本發明主要有兩個優點其中一個優點是可以將多晶矽的原料幾乎全部利用製成矽片，沒有切割方法 的矽材料損失，另一個優點是本發明可以將矽片製成很薄，可以低於200微米，這是切割方法無法做到的。 這兩個優點都可以節省製造太陽能電池矽片的矽材料，從而降低太陽能電池的成本。
下面結合附圖和幾種優選方案的實施例對本發明進一步說明。


圖1是本發明的實施例1的示意圖，圖1中狹縫的第一個耐高溫面1，狹縫的第二個耐高溫面2，
多晶矽片3，旋轉輥4，旋轉輥軸5，矽熔體出口嘴6，矽熔體7，坩堝8,坩堝進氣口9。
圖2是本發明的實施例2的示意圖，圖2中狹縫的第一個耐高溫面1，狹縫的第二個耐高溫面2，
多晶矽片3，左側旋轉輥4，左側旋轉輥軸5，矽熔體出口6，矽熔體7，坩堝8，坩堝進氣口9，右側旋轉 輥10，右側旋轉輥軸ll。
圖3是本發明的實施例3的示意圖，圖3中狹縫的第一個耐高溫面1,狹縫的第二個耐高溫面2, 多晶矽片3，左側旋轉輥4，左側旋轉輥軸5，矽熔體出口嘴6，矽熔體7，坩堝8，坩堝進氣口9，右側旋 轉輥IO,右側旋轉輥軸ll。
圖4是本發明的實施例4的示意圖，圖4中狹縫的第一個耐高溫面l，狹縫的第二個耐高溫面2， 多晶矽片3，上旋轉輥4，上旋轉輥軸5，矽熔體出口嘴6，矽熔體7，坩堝8，坩堝進氣口 9，下旋轉輥 10，下旋轉輥軸ll，傳輸帶12。
圖5是本發明的實施例5的示意圖，圖5中狹縫的第一個耐高溫面1，狹縫的第二個耐高溫面2， 多晶矽片3，左側上旋轉輥4，左側上旋轉輥軸5，矽熔體出口嘴6，矽熔體7，坩堝8，坩堝進氣口9，左 側下旋轉輥IO,左側下旋轉輥軸ll，左側傳輸帶12，右側上旋轉輥13，右側上旋轉輥軸14，右側下旋轉 輥15，右側下旋轉輥軸16,右側傳輸帶。
圖6是本發明的實施例6的示意圖，圖6中凹坑的底面l,上模板的底面2，矽熔體3，下模具4, 上模板5，矽熔體進口6，矽熔體出口7。
圖7是本發明的實施例6的下模具與上模板分離情況的示意圖，圖7中凹坑底面1,上模板底面2, 下模具4，上模板5，矽熔體進口6，矽熔體出口7，矽片8。
具體實施方式
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實施例l:該實施例的示意圖如圖l所示，這個實施例主要由狹縫的第二個耐高溫面2、旋轉輥4、矽 熔體出口嘴6和坩堝8等構成，坩堝8由耐高溫的材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，坩堝 內裝有多晶矽的原料，在坩堝的加熱器加熱下，將多晶矽原料熔化為矽熔體7，坩堝8上方設有坩堝進氣 口 9，進氣口接有惰性氣體，如氮氣或氬氣等，通過調整惰性氣體的壓力，就可以控制坩堝內部的壓力， 在坩堝內部壓力和重力的作用下，矽熔體可以從坩堝底部的矽熔體出口嘴6流出，坩堝的內的壓力可以控 制矽熔體的流量。矽熔體流出口嘴6的一側是與狹縫的第二個耐高溫面2連為一體，旋轉輥4的表面與狹 縫第二個耐高溫面2最靠近的部分就是狹縫的第一個耐高溫面1，狹縫的第一個耐高溫面1和狹縫的第二 個耐高溫面2之間，就形成了一個狹縫，狹縫的第一個面和狹縫的第二個面的之間的距離在10微米到300 微米的範圍，狹縫的厚度就是這個距離。旋轉輥是由耐高溫材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材 料，旋轉輥上設有溫度控制裝置，可以控制旋轉輥表面的溫度，從而控制狹縫第一個面的溫度；狹縫的第 二個耐高溫面2也是採用耐高溫材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，在狹縫的第二個面上也 設有溫度控制裝置，也可以控制狹縫第二個面的溫度。可將旋轉輥的表面上狹縫第一個耐高溫面1區域的 溫度控制在低於矽的熔點1415攝氏度，將狹縫第二個耐高溫面2的溫度控制在矽的熔點附近，當矽熔體 流到旋轉輥表面的狹縫的第一個耐高溫面1上時，由於這時狹縫的第一個耐高溫面1的溫度低於矽的熔點， 熔融的矽原子就會在狹縫的第一個耐高溫面上結晶形成矽片3，由於狹縫的第二個耐高溫面的溫度在矽熔 點附近，兩個面有溫度差，在狹縫處就會形成一個垂直於耐高溫面的溫度場梯度，這個梯度可以有助於形 成有利的柱狀矽晶體。由於受到狹縫的空間限制，矽片3的厚度不會超過狹縫的厚度，從而能夠較好的控 制矽片的厚度。在結晶的同時，旋轉輥也在旋轉，在附著力作用下可以將結晶完的矽片從狹縫處輸出，旋 轉的速率與結晶速度相匹配，多晶矽片的厚度等於狹縫的厚度，這樣就可以連續地製造出多晶矽片。
實施例2:該實施例的示意圖如圖2所示，這個實施例主要由狹縫的第一個面l，狹縫的第二個面2， 左側旋轉輥4、右側旋轉輥10，矽熔體出口 6和坩堝8等構成。該實施例的坩堝部分與實施例1基本相同， 坩堝8由耐高溫的材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，坩堝內裝有多晶矽的原料，在坩堝的 加熱器加熱下，將多晶矽原料熔化為矽熔體7,坩堝8上方設有坩堝進氣口 9，進氣口接有惰性氣體，如 氮氣或氬氣等，通過調整惰性氣體的壓力，就可以控制坩堝內部的壓力，在坩堝內部壓力和重力的作用下， 矽熔體可以從坩堝底部的矽熔體出口6流出，坩堝的內的壓力可以控制矽熔體的流量。在矽熔體流出口6 的兩側分別與狹縫的第一個耐高溫面1和狹縫的第二個耐高溫面2相連，狹縫的第一個耐高溫面1和狹縫 的第二個耐高溫面2之間，就形成了一個狹縫，狹縫的第一個面和狹縫的第二個面的之間的距離在10微
米到300微米的範圍，狹縫的厚度就是這個距離。狹縫的兩個耐高溫面也是採用耐高溫材料製成， 一般如 陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，在狹縫的兩個面上分別設有溫度控制裝置，可以分別控制狹縫兩個面的溫 度。可將狹縫第一個耐高溫面1的溫度控制在低於矽的熔點1415攝氏度，將狹縫第二個耐高溫面2的溫 度控制在矽的矽熔點附近，當矽熔體由矽熔體出口6流到狹縫的第一個耐高溫面1上時，由於這時狹縫的 第一個耐高溫面1的溫度低於矽的熔點，熔融的矽原子就會在狹縫的第一個面上結晶形成矽片3,由於狹 縫的第二個耐高溫面的溫度在矽熔點附近，兩個面有溫度差，在狹縫處就會形成一個垂直於耐高溫面的溫 度場梯度，這個梯度可以有助於形成有利的柱狀矽晶體。由於受到狹縫空間的限制，矽片3的厚度不會超 過狹縫的厚度，從而能夠較好的控制矽片的厚度。在狹縫的下面有兩個反向旋轉的旋轉輥，分別是左側旋 轉輥4和右側旋轉輥10,兩個旋轉輥並排夾住已經固化的矽片3，在摩擦力的作用下將結晶完的矽片不斷 地從狹縫拉出，拉出的速率與結晶速度相匹配，多晶矽片的厚度等於狹縫的厚度，這樣就可以連續地製造 出多晶矽片。
實施例3:該實施例的示意圖如圖3所示，這個實施例主要由左側旋轉輥4、右側旋轉輥IO、矽熔體 出口嘴6和坩堝8等構成，該實施例的坩堝部分與實施例1基本相同，坩堝8由耐高溫的材料製成， 一般 如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，坩堝內裝有多晶矽的原料，在坩堝的加熱器加熱下，將多晶矽原料熔化 為矽熔體7，坩堝8上方設有坩堝進氣口 9，進氣口接有惰性氣體，如氮氣或氬氣等，通過調整惰性氣體 的壓力，就可以控制坩堝內部的壓力，在坩堝內部壓力和重力的作用下，矽熔體可以從坩堝底部的矽熔體 出口嘴6流出，坩堝的內的壓力可以控制矽熔體的流量。與實施例l不同的是矽熔體流出口嘴6不與狹縫 相連，在矽熔體流出口嘴6的下方有兩個旋轉輥並排設置，分別是左側旋轉輥4和右側旋轉輥10，左右側 旋轉輥的表面最接近的部分就分別是狹縫的第一個耐高溫面1和狹縫的第二個耐高溫面2，兩個面之間就 形成了一個狹縫，狹縫的第一個面和狹縫的第二個面的之間的距離在10微米到300微米的範圍，狹縫的 厚度就是這個距離。兩個旋轉輥都是由耐高溫材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，兩個旋轉 輥上分別設有溫度控制裝置，可以分別控制旋轉輥表面的溫度，從而分別控制狹縫兩個耐高溫面的溫度。 可將左側旋轉輥的表面上狹縫第一個耐高溫面1的溫度控制在低於矽的熔點1415攝氏度，將右側旋轉輥 的表面上狹縫第二個耐高溫面2的溫度控制在矽的熔點附近，當矽熔體流到旋轉輥表面的狹縫的第一個耐 高溫面1上B寸，由於這時狹縫的第一個耐高溫面1的溫度低於矽的熔點，熔融的矽原子就會在狹縫的第一 個面上結晶形成矽片3,由於狹縫的第二個面的溫度在矽熔點附近，兩個面有溫度差，在狹縫處就會形成 一個垂直於耐高溫面的溫度場梯度，這個梯度可以有助於形成有利的柱狀矽晶體。由於受到狹縫空間的限 制，矽片3的厚度不會超過狹縫的厚度，從而能夠較好的控制矽片的厚度。在結晶的同時，兩個旋轉輥也 在反向旋轉，在附著力作用下可以將結晶完的矽片從狹縫處輸出，旋轉的速率與結晶速度相匹配，多晶矽 片的厚度等於狹縫的厚度，這樣就可以連續地製造出多晶矽片。
實施例4:該實施例的示意圖如圖4所示，這個實施例主要由狹縫的第二個耐高溫面2、上旋轉輥4、 下旋轉輥10、傳輸帶12、矽熔體出口嘴6和坩堝8等構成，該實施例的柑堝部分與實施例1基本相同， 坩堝8由耐高溫的材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料，坩堝內裝有多晶矽的原料，在坩堝的 加熱器加熱下，將多晶矽原料熔化為矽熔體7，坩堝8上方設有坩堝進氣口 9,進氣口接有惰性氣體，如 氮氣或氬氣等，通過調整惰性氣體的壓力，就可以控制坩堝內部的壓力，在坩堝內部壓力和重力的作用下， 矽熔體可以從坩堝底部的矽熔體出口嘴6流出，坩堝的內的壓力可以控制矽熔體的流量。在矽熔體流出口 嘴6的一側與狹縫的第二個耐高溫面2相連，與實施例1不同的是，該實施例在矽熔體流出口嘴的下面設 有上旋轉輥4和下旋轉輥10，兩個旋轉輥之間連有傳輸帶12，傳輸帶12的表面與狹縫第二個面最靠近的 部分就是狹縫的第一個耐高溫面1，狹縫的第一個面1和狹縫的第二個面2之間就形成了一個狹縫，狹縫 的第一個面和狹縫的第二個面的之間的距離在IO微米到300微米的範圍，狹縫的厚度就是這個距離。傳 輸帶是由耐高溫材料製成， 一般如高熔點的金屬材料，在傳輸帶上設有溫度控制裝置，可以控制傳輸帶表 面的溫度，從而控制狹縫第一個面的溫度；狹縫的第二個耐高溫面也是採用耐高溫材料製成， 一般如陶瓷、 石墨或高熔點金屬材料，在狹縫的第二個面上也設有溫度控制裝置，也可以控制狹縫第二個面的溫度。可 將傳輸帶表面上的狹縫的第一個耐高溫面1的溫度控制在低於矽的熔點1415攝氏度，將狹縫第二個耐高
溫面2的溫度控制在矽的熔點附近，當矽熔體流到傳輸帶表面上的狹縫的第一個耐高溫面1上時，由於這 時狹縫的第一個耐高溫面1的溫度低於矽的熔點，熔融的矽原子就會在狹縫的第一個面上結晶形成矽片3, 由於狹縫的第二個面的溫度在矽熔點附近，兩個面有溫度差，在狹縫處就會形成一個垂直於耐高溫面的溫 度場梯度，這個梯度可以有助於形成有利的柱狀矽晶體。由於受到狹縫空間的限制，矽片y的厚度不會超 過狹縫的厚度，從而能夠較好的控制矽片的厚度。在結晶的同時，上下兩個旋轉輥也在同向旋轉，傳輸帶 也隨之傳動，在附著力的作用下可以將在傳輸帶表面上結晶完的矽片從狹縫處輸出，旋轉的速率與結晶速 度相匹配，多晶矽片的厚度等於狹縫的厚度，這樣就可以連續地製造出多晶矽片。
實施例5:該實施例的示意圖如圖5所示，這個實施例主要由左上旋轉輥4、左下旋轉輥IO、左側傳 輸帶12、右側上旋轉輥13、右側下旋轉輥15、右側傳輸帶17、矽熔體出口嘴6和坩堝8等構成，該實施 例的坩堝部分與實施例l基本相同，坩堝8由耐高溫的材料製成， 一般如陶瓷、石墨或高熔點金屬材料， 坩堝內裝有多晶矽的原料，在坩堝的加熱器加熱下，將多晶矽原料熔化為矽熔體7，坩堝8上方設有柑堝 進氣口 9，進氣口接有惰性氣體，如氮氣或氬氣等，通過調整惰性氣體的壓力，就可以控制坩堝內部的壓 力，在坩堝內部壓力和重力的作用下，矽熔體可以從坩堝底部的矽熔體出口嘴6流出，坩堝的內的壓力可 以控制矽熔體的流量。與實施例l不同的是在矽熔體流出口嘴6不與狹縫相連，該實施例在矽熔體流出口 嘴6的左側下方設有左側上旋轉輥4和左側下旋轉輥10，兩個旋轉輥之間連有左側傳輸帶12;在矽熔體 流出口嘴6的右側下方設有右側上旋轉輥13和右側下旋轉輥15，兩個旋轉輥之間連有右側傳輸帶17。左 側傳輸帶的右側表面就是狹縫的第一個耐高溫面1，右側傳輸帶的左側表面就是狹縫的第二個耐高溫面2， 狹縫的第一個耐高溫面1和狹縫的第二個耐高溫面2之間，就形成了一個狹縫，狹縫的第一個面和狹縫的 第二個面的之間的距離在10微米到300微米的範圍，狹縫的厚度就是這個距離。傳輸帶是由耐高溫材料 製成， 一般如高熔點的金屬材料，在兩個傳輸帶上分別設有溫度控制裝置，可以控制傳輸帶表面的溫度， 從而分別控制狹縫的兩個耐高溫面的溫度。可將左側傳輸帶表面上的狹縫的第一個耐高溫面1的溫度控制 在低於矽的熔點1415攝氏度，將右側傳輸帶表面上的狹縫第二個耐高溫面2的溫度控制在矽的熔點附近， 當矽熔體流到第一個耐高溫面1上時，由於這時狹縫的第一個耐高溫面1的溫度低於矽的熔點，熔融的矽 原子就會在狹縫的第一個耐高溫面上結晶形成矽片3，由於狹縫的第二個耐高溫面的溫度在矽熔點附近， 兩個面有溫度差，在狹縫處就會形成一個垂直於耐高溫面的溫度場梯度，這個梯度可以有助於形成有利的 柱狀矽晶體。由於受到狹縫空間的限制，矽片3的厚度不會超過狹縫的厚度，從而能夠較好的控制矽片的 厚度。在結晶的同時，左側上下兩個旋轉輥在旋轉，左側傳輸帶隨之傳動，做順時針傳動，右側上下兩個 旋轉輥也在旋轉，右側傳輸帶也隨之傳動，做逆時針傳動，在兩個傳輸帶的傳動下，在附著力的作用下可 以將在傳輸帶表面上結晶完的矽片從狹縫處輸出，旋轉的速率與結晶速度相匹配，多晶矽片的厚度等於狹 縫的厚度，這樣就可以連續地製造出多晶矽片。
實施例6:該實施例的側面截面示意圖如圖6所示，這個實施例主要由下模具4、上模板5、矽熔體進 口6和矽熔體出口7等構成，該實施例與上面幾個實施例差別比較大，上面幾個實施例都是一種連續製造 矽片方式，該實施例是一片一片非連續地製造矽片的方式。下模具4採用耐高溫材料製成， 一般是陶瓷、 石墨材料或高熔點金屬，下模具4是一塊帶有凹坑的平板，凹坑的底面l是一個平面，在凹坑的兩邊上分 別有兩個通孔，它們分別就是矽熔體進口6和矽熔體出口7。上模板5是蓋在下模具4上的，下模具的凹 坑底面1和上模板底面2之間就形成了一個狹縫，凹坑底面1就是狹縫的一個耐高溫面，上模板底面2就 是狹縫的另一個耐高溫面，凹坑的深度在IO微米到300微米的範圍，凹坑的深度就是狹縫厚度。上模板 也是採用高溫材料製成， 一般是陶瓷、石墨材料或高熔點金屬。下模具和上模板分別都設有溫度控制裝置， 分別可以控制凹坑底面和下模板底面的溫度。可以將凹坑底面1的溫度控制在矽熔點1415攝氏度附近， 上模板底面2溫度也控制在矽熔點1415攝氏度左右，從矽熔體進口 6將熔融的矽熔體注入到有下模具和 上模板構成的狹縫中，直至將狹縫完全注滿，矽熔體出口7的作用是可以排出狹縫內的空氣，同時在注入 過程中多餘的矽熔體也可由矽熔體出口流出，當狹縫中注滿矽熔體後，將矽熔體出口7加一定的壓力與狹 縫內的矽熔體的壓力保持平衡，注滿的矽熔體就不會從矽熔體出口7流出了。此時將上模板底面的溫度控 制到低於矽的熔點，注入的矽熔體就開始會在上模板底面結晶，下模具凹坑底面的溫度在矽熔點附近，兩
個面有溫度差，在狹縫處就會形成一個垂直於底面的溫度場梯度，這個梯度可以有助於形成有利的柱狀矽 晶體。由於受到狹縫空間的限制，矽片3的厚度不會超過狹縫的厚度，從而能夠較好的控制矽片的厚度。 當矽片結晶完後，將下模具與上模板分離，如圖7所示，上模板的底面上附著的就是結晶完的矽片8。
權利要求
1.一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於將熔融的矽熔體注入一個狹縫，該狹縫是由兩個耐高溫面形成，可以分別獨立設定這兩個耐高溫面的溫度，矽熔體會在狹縫的耐高溫面上結晶成矽片，狹縫的耐高溫面可以約束矽片的厚度。
2、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於將熔融的矽熔體注入一個狹縫。
3、 根據權利要求l所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於該狹縫是由兩個耐高溫面形成。
4、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於可以分別獨立設定這兩個耐高溫面的 溫度。
5、 根據權利要求l所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於狹縫的耐高溫面可以約束矽片的厚度。
6、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於狹縫的兩個耐高溫面可以是旋轉輥的表面。
7、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於狹縫的兩個耐高溫面可以是傳輸帶的 表面。
8、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於可以只有一個狹縫的耐高溫面是旋轉 輥的表面。
9、 根據權利要求1所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於可以只有一個狹縫的耐高溫面是傳輸 帶的表面。
10、 根據權利要求l所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於狹縫的耐高溫面可以是上模板底面2。
11、 根據權利要求10所述的一種多晶矽片的製造方法，其特徵在於狹縫的耐高溫面可以是下模具 的凹坑底面l。
全文摘要
一種用於生產太陽能電池的多晶矽片的製造方法，是將熔融的矽熔體注入到一個狹縫，矽熔體在狹縫的耐高溫面上結晶，在狹縫空間的約束下，結晶成指定厚度的多晶矽片。它是一種使熔融狀態的矽直接結晶成薄片矽的方法，因此可以提高矽材料的利用率，可以製造出200微米以下厚度的矽片，從而降低太陽能電池的成本。
文檔編號C30B11/00GK101368290SQ20071004494
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月16日 優先權日2007年8月16日
發明者科 陳 申請人:科 陳