薄膜電晶體基板、薄膜電晶體基板製造方法及顯示裝置的製作方法
2023-06-23 03:12:11
專利名稱：薄膜電晶體基板、薄膜電晶體基板製造方法及顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明是關於一種薄膜電晶體基板、薄膜電晶體基板製造方法 及電溼潤式顯示裝置。
背景技術：
如今，諸多光電技術正在快速的發展且應用於下一代平板顯示
器，如投影顯示器(Projection Display)、可撓式顯示器(Flexible Dispaly)等。在此環境下， 一 種基於電溼潤原理的顯示裝置由於其 響應速度快、視角廣、耗電量小、輕薄便攜等優點受到廣泛的關注。
請參閱圖1,是一種現有技術揭示的基於電溼潤原理的反射式 顯示裝置的平面結構示意圖。該顯示裝置1包括多個呈矩陣排列的 像素10，通過控制該像素10顯示不同的灰階以組成該顯示裝置1 所需顯示的畫面。
請參閱圖2,是圖l所示顯示裝置1的一像素10的放大剖視結 構示意圖。該像素10包括一對向基板11、 一與其相對的漆膜晶體 管基板12和設置於該二基板11、 12之間的四間隔壁13,該四間隔 壁13依序首尾相接並與該二基板11、 12形成一收容空間14。
該對向基板11是使用透光材料製成，如玻璃或塑料。該對向基 氺反11鄰近該收容空間14的表面設置有一7>共電極111,該公共電 極111由透明的導電材料製成。
該收容空間14由互不相融(Immiscible)的一第 一液體15和一第 二液體16充滿。例如，該第一液體15可以是導電的水，該第二液 體16可以是黑色的油。
該薄膜電晶體基板12鄰近該收容空間14的表面依序設置有一 主動元件(圖未示)、 一反射電才及121和一絕桑彖層122。由於該反射電 極121採用純鋁製成，因此具有較高的反射率。該絕緣層122是由疏水性(Hydrophobic)材料製成，如無定型的含氟聚合物(Amorphous Fluoropolymer)。
由於該絕緣層122的疏水性，即在該絕糹彖層122、第一液體15 和第二液體16三者之間的表面張力(Interfacial Tension)作用下，該 第二液體16充分覆蓋該絕緣層122。由於該第二液體16呈黑色， 其吸收了絕大部分自該對向基板11方向射入的光束，因此此時的像 素10為暗態(0ff State)。
請一併參閱圖3,是圖2所示像素10亮態結構示意圖。當 一電 壓差被施加在該公共電極111與該反射電極121之間時，由於該第 一液體15與該公共電極111相接觸使該第 一液體15與該公共電極 111上的電壓相同。該第 一液體15與該反射電極121各自所載的異 性電荷的吸引力破壞了暗態時分子張力的平衡態，即此時電勢能的 介入使該絕緣層122與第一液體15傾向於接觸，因此該第一液體 15將該第二液體16排開，從而自該對向基板11方向射入的光束經 過上述被排開的部分所對應的反射電極121反射，實現亮態(0n State)。
但是，由於為該公共電極111和反射電極121分別提供電壓差 的驅動電路(圖未示)通常設置在該薄膜電晶體基板12,因此位於薄 膜電晶體基板12的該驅動電路需要與位於對向基板11的公共電極 111電連接，因此該顯示裝置1結構較複雜。同時，該公共電極111 對光具有一定吸收作用，使該顯示裝置1光利用率下降，光學質量 較差。
發明內容
為了解決現有技術結構複雜且光學質量較差的問題，有必要提 供一種結構簡單且光學質量較佳的電溼潤式顯示裝置。
同時，也有必要提供該電溼潤式顯示裝置所釆用的薄膜電晶體 基板。
同時，也有必要提供上述薄膜電晶體基板的製造方法。 一種薄膜電晶體基板，其包括一顯示區、位於該顯示區至少一
8側的至少一接觸區、 一包圍該顯示區和該接觸區並用於設置框膠的 框膠設置區、多個設置於該顯示區的像素電極和設置於該至少一接 觸區的至少 一公共電極，且該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一公共 電極的至少一部分。
一種電溼潤式顯示裝置，其包括一對向基板、 一與該對向基板 相對設置的薄膜電晶體基板、設置於該對向基板和該薄膜電晶體基 板之間並與該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成一收容空間的 一框膠、 一設置於該收容空間內的極性的第一液體和一與該第一液 體不相融且設置於該收容空間內的非極性的第二液體，其中，該薄 膜電晶體基板包括位於該框膠在該薄膜電晶體基板界定的區域內的 至少一接觸區、位於該框膠在該薄膜電晶體基板限定的區域內的一 顯示區、多個設置於該顯示區的像素電極、 一設置於該像素電極的 親油性絕緣層圖案和至少 一設置於該至少 一接觸區的公共電極，且 該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一公共電極的至少 一部分。
一種薄膜電晶體基板，其包括一第一區域、 一位於該第一區域 外圍用於設置框膠的框膠設置區、設置於該第 一 區域內的多個像素 電極和至少一設置於該第一區域內的公共電極，該公共電極與該像 素電極絕緣，且該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一 公共電極的至少 一部分。
一種電溼潤式顯示裝置，其包括一對向基板、 一與該對向基板 相對設置的薄膜電晶體基板、設置於該對向基板和該薄膜電晶體基 板之間並與該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成一收容空間的 一框膠、交叉設置於該對向基板和該薄膜電晶體基板的多個間隔壁、 一設置於該收容空間內的極性的第一液體和一第二液體，該框膠在 該薄膜電晶體基板上界定一第一區域，該間隔壁位於該第一區域內， 該第二液體位於該間隔壁界定的區域內，其中，該薄膜電晶體基板 包括設置於該間隔壁界定的區域內的多個像素電極和至少一設置於 該第一區域內的公共電極，該公共電極與該像素電極絕緣，且該薄 膜電晶體基板棵露出該至少 一 公共電極的至少 一 部分。
一種薄膜電晶體基板製造方法，其包括如下步驟提供一基底；在該基底上形成至少 一 電容電極線和多條掃描線；在該電容電極線、 該掃描線和該基底上形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成多 條數據線；在該第一絕緣層和該數據在線形成一鈍化層；對應該電 容電極線位置形成一貫穿該鈍化層和該第 一絕緣層的通孔；在該鈍 化層上間隔形成一公共電極和多個像素電極，使該公共電極通過該 通孔與該電容電極線電連接；在該像素電極上形成一親油性絕緣層 圖案，並棵露出該至少一公共電極的至少一部分。
一種薄膜電晶體基板，其包括一基底、 一設置於該基底上的多 個柵極、多條掃描線和多條電容電極線、 一設置於該多個柵極、該 掃描線、電容電極線和該基底上的柵極絕緣層、設置於該柵極絕緣 層上的一半導體圖案和多條數據線、設置於該半導體圖案和該柵極 絕緣層上的多個源極和多個漏極、 一設置於該柵極絕緣層、該數據 線、該源極、該漏極和該半導體圖案上的鈍化層、設置於該鈍化層 上的多個像素電極和一公共電極和一設置於該像素電極上的親油性 絕緣層圖案，該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一公共電極的至少一 部分。
一種電溼潤式顯示裝置，其包括一對向基板、 一與該對向基板
相對設置的薄膜電晶體基板、設置於該對向基板和該薄膜電晶體基
板之間並與該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成 一 收容空間的
一框膠、 一設置於該收容空間內的極性的第一液體和一設置於該收
容空間內的非極性的第二液體，其中，該薄膜電晶體基板包括一基
底、 一設置於該基底上的多個柵極、多條掃描線和多條電容電極線、
一設置於該多個柵極、該掃描線、電容電極線和該基底上的柵極絕
緣層、設置於該柵極絕緣層上的一半導體圖案和多條數據線、設置
於該半導體圖案和該柵極絕緣層上的多個源極和多個漏極、 一設置
於該柵極絕緣層、該數據線、該源極、該漏極和該半導體圖案上的
鈍化層、設置於該鈍化層上的多個像素電極和一公共電極和一設置
於該像素電極上的親油性絕緣層圖案，該薄膜電晶體基板棵露出該 至少一/^共電 一及的至少 一 部分。
一種薄膜電晶體基板製造方法，其包括如下步驟提供一基底；在該基底上形成多個柵極、多條掃描線和多條電容電極線；在該多 個柵極、該掃描線、電容電極線和該基底上形成一柵極絕緣層；在 該柵極絕緣層上形成一半導體圖案和多條數據線；在該半導體圖案 和該柵極絕緣層上形成多個源極和多個漏極；在該柵極絕緣層、該 數據線、該源極、該漏極和該半導體圖案上形成一鈍化層；在該鈍 化層上形成多個像素電極和一公共電極；在該像素電極上形成一親 油性絕緣層圖案，並棵露出該至少 一公共電極的至少 一部分。
與現有技術相比，本發明的電溼潤式顯示裝置由於其公共電極 和像素電極均位於該薄膜電晶體基板上，無須將公共電壓導接到對 向基板上，且不會對用於顯示畫面的光束造成影響，因此該電溼潤 式顯示裝置結構較簡單，光學質量較佳。
與現有技術相比，本發明的薄膜電晶體基板和薄膜電晶體基板 製造方法由於其公共電極和像素電極均位於該薄膜電晶體基板上， 無須將公共電壓導接到其它基板上，因此該薄膜電晶體基板使用較 方便。
圖1是本發明觸控液晶顯示裝置第一實施方式的側面結構示意圖。
圖2是圖1所示電容傳感層的平面結構示意圖。
圖3是圖1所示觸控液晶顯示裝置的工作原理示意圖o
圖4是本發明觸控液晶顯示裝置第二實施方式的結構示意圖。
圖5是本發明觸控液晶顯示裝置第三實施方式的結構示意圖。
圖6是本發明觸控液晶顯示裝置第四實施方式的結構示意圖。
圖7是圖6所示第一和第二電容傳感層的立體結構示意圖
圖8是本發明觸控液晶顯示裝置第五實施方式的結構示意圖。
圖9是本發明觸控液晶顯示裝置第六實施方式的結構示意圖。
圖IO是圖9所示第一和第二電容傳感層的立體結構示意圖。 圖11是本發明觸控液晶顯示裝置第七實施方式的結構示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖4，是本發明電溼潤式顯示裝置第一實施方式的局部結構示意圖。該電溼潤式顯示裝置4是透射式顯示裝置，其包括一對向基板41、 一與該對向基板41相對設置的薄膜電晶體基板42、一位於該對向基板41和該薄膜電晶體基板42之間的框月交49、位於該對向基板41和該薄膜電晶體基板42之間的多個成行列交叉排列之間隔壁43和一與該薄膜電晶體基板42鄰近設置的背光模組(圖未示)。該薄膜電晶體基板42包括一框膠設置區(未標示)。該框膠49設置於該框膠設置區且抵接該二基板41、 42並與該二基板41、 42配合形成一封閉的第一收容空間441，且該框膠49在該薄膜電晶體基板42界定一第 一 區域48。該第 一 區域48包括一顯示區481和一接觸區482。該間隔壁43設置於該薄膜電晶體基板42的顯示區481並界定多個呈矩陣排列的像素區40，且該間隔壁43與該薄膜電晶體基板42配合形成多個第二收容空間442。其中，該間隔壁43的高度小於該框膠49的高度。
該第 一 收容空間441內由互不相融的 一 第 一 液體45和 一 第二液體46充滿。該第二液體46位於每一第二收容空間442中，且該第二液體46相對於該薄膜電晶體基板42的高度小於該間隔壁43的高度。該第一液體45可以是水或鹽溶液等導電液體或極性液體，如氯化鉀(KC1)溶解於水和普通酒精(Ethyl Alcohol)混合液後所形成的溶液。該第二液體46可以是著黑色的鏈烷或烷烴(Alkane)等非極性液體，如十六烷(Hexadecane)或油，以作為一種遮蔽液體。
請一併參閱圖5和圖6，圖5是圖4所示電溼潤式顯示裝置4薄膜電晶體基板42的平面結構局部示意圖，圖6是圖5所示薄膜電晶體基板42沿VI-VI方向剖視示意圖。該薄膜電晶體基板42包括一玻璃的基底420、設置於該基底420上的多個柵極421、多條相互平行間隔的掃描線422和多條相互平行間隔的電容電極線423 、設置於該柵極421、掃描線422和該電容電極線423上的柵極絕緣層424、設置於該柵極絕緣層424上的一半導體圖案425和多條相互平行間隔的數據線426、設置於該半導體圖案425和該柵極絕緣層424上的多個源極427和多個漏極428、 一i殳置於該柵極絕緣層424、該數據線426、該源極427、該漏極428和該半導體圖案425上的鈍化層429、設置於該鈍化層429上的多個像素電極430和一公共電極431 、和一設置於該像素電極430上的親油性絕緣層圖案432。
該數據線426平行於該顯示區481與該接觸區482的交界線。該掃描線422與該數據線426相互垂直，每一掃描線422和每一數據線426均對應 一 間隔壁43並夾在間隔壁43與基底420之間，二相鄰掃描線422與二相鄰數據線426交叉界定的最小區域與該像素區40——對應。該電容電極線423自該接觸區482延伸至該顯示區481並與該掃描線422交替設置，使每一電容電極線423穿過一行像素區40。每一柵極421、每一源極427、每一漏極428、每一像素電極430對應一像素區40，該柵極421電連接至對應的掃描線422,該源極427電連接至對應的數據線426,該漏極428通過一貫穿該鈍化層429的第一通孔433電連接至對應的Y象素電極430。該/>共電極431位於該接觸區482,並通過一貫穿該鈍化層429和該片冊極絕緣層424的第二通孔434電連接至該電容電極線423。該公共電極431和該像素電極430由透明導電材料製成，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
對於每一像素區40，該柵極421、該柵極絕緣層424、該半導體圖案425、該源極427和該漏極428配合形成一薄膜電晶體，用來控制對應的像素電極430的充電或不充電；穿過該像素區40的電容電極線423、該柵極絕緣層424、該鈍化層429和該像素電極430層疊形成一儲存電容，用來維持該像素電極430的電壓。
該電溼潤式顯示裝置4工作時，該公共電極431 4皮施加一 共電壓，每一像素電極430被施加對應的灰階電壓。由於該公共電極431與位於該接觸區482的該第 一液體45接觸，可以使該第 一液體45與該公共電極431電連接從而具有與公共電極431相同的電壓。通過改變每一像素電極430 ^皮施加的灰階電壓的大小來控制該第一液體45排開該第二液體46多寡來使該電溼潤式顯示裝置4正常顯示圖像。相較於現有技術，本發明電溼潤式顯示裝置4由於其公共電極431和像素電極430均位於該薄膜電晶體基板42，無須將公共電壓導接至該對向基板41上，因此該電溼潤式顯示裝置4結構較簡單。且，由於該公共電極431位於該像素區40旁邊，因此不會對穿過像素區40的光束造成影響，因此該電溼潤式顯示裝置4光學質量較佳。
請一併參閱圖7,是圖6所示薄膜電晶體基板42的製造流程圖。該薄膜電晶體基板42的製造方法包括如下步驟
步驟S1:形成柵極金屬層；
提供一玻璃基底420，在該基底420上依序形成一柵極金屬層和一第一光致抗蝕劑層。
步驟S2:形成柵極421、掃描線422和電容電極線423;
提供一第 一掩膜對該第一光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成 一 預定的第 一 光致抗蝕劑圖案；以第 一 光致抗蝕劑圖案為阻擋物對該柵極金屬層進行刻蝕，形成該柵極421、掃描線422和電容電極線423的圖案，移除第一光致抗蝕劑圖案。
步驟S3:形成柵極絕緣層424和半導體層；
在該柵極421、該掃描線422、該電容電才及線423和該玻璃基底420上形成該柵極絕緣層424、 一半導體層和一第二光致抗蝕劑層。步驟S4:形成半導體圖案425;
提供一第二掩膜對該第二光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定的第二光致抗蝕劑圖案；以第二光致抗蝕劑圖案為阻擋物對該摻雜非晶矽層和該非晶矽層進行刻蝕，進而形成該半導體圖案425，移除第二光致抗蝕劑圖案。
步驟S5:形成源/漏極金屬層；
在該玻璃基底420和該半導體圖案425上形成一源/漏極金屬層和一第三光致抗蝕劑層。
步驟S6:形成源極427、漏極428和該數據線426;
提供一第三掩膜對該第三光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定的第三光致抗蝕劑圖案；以第三光致抗蝕劑圖案為阻擋物對該源/漏極金屬層進行刻蝕，進而形成該源才及427、該漏極428和該數據線426，移除第三光致抗蝕劑圖案。步驟S7:形成鈍化層429;
在該才冊極絕緣層424、源才及447、漏極448、該數據線426和該半導體圖案423上依序沉積形成該鈍化層424和一第四光致抗蝕劑層。
步驟S8:形成貫穿該鈍化層424的第一通孔433和第二通孔
434;
提供一第四掩膜對該第四光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定第四光致抗蝕劑圖案；以第四光致抗蝕劑圖案為阻擋物對該鈍化層424進行刻蝕，進而形成該第一通孔433和該第二通孔434，移除第四光致抗蝕劑圖案。
步驟S9:形成一透明導電層；
在該4屯化層424上和該二通孔433、434內形成一透明導電層層和一第五光致抗蝕劑層。
步驟S10:形成/>共電極431和〗象素電極430;
提供一第五掩膜對該第五光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定的第五光致抗蝕劑圖案；以第五光致抗蝕劑圖案為阻擋物對該透明導電層進行刻蝕，進而定義出該公共電極431和像素電極430的圖案，移除第五光致抗蝕劑圖案。
步驟S11:形成親油性絕緣層圖案432;
在該像素電極430上形成該親油性絕緣層圖案432。
請參閱圖8，是本發明電溼潤式顯示裝置第二實施方式的局部結構剖視示意圖。該電溼潤式顯示裝置5與該電溼潤式顯示裝置4大體相同，其主要區別在於該電溼潤式顯示裝置5為反射式顯示裝置，其薄膜電晶體基板52的像素電極530由反射率較高的金屬鋁(Al)製成。
該薄膜電晶體基板52的製造方法與該薄膜電晶體基板42的製造方法大體相同，該薄膜電晶體基板52的製造方法為步驟S1:形成柵極金屬層；
步驟S2:形成柵極521、掃描線(圖未示)和電容電極線523;
15步驟S3:形成柵極絕緣層524和半導體層；步驟S4:形成半導體圖案525;步驟S5:形成源/漏極金屬層；
步驟S6:形成源極527、漏極528和該數據線526;步驟S7:形成鈍化層529;
步驟S8:形成貫穿該鈍化層524的第一通孔533和第二通孔
534;
步驟S9:形成一透明導電層；步驟S10:形成7>共電極531;步驟Sll:形成一金屬鋁層；
在該鈍化層524上、該公共電極531和該第 一通孔533內依序形成 一金屬鋁層和 一 第六光致抗蝕劑層。步驟S12:形成i"象素電極530;
提供一第六掩膜對該第六光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定的光致抗蝕劑圖案；對該金屬鋁層進行刻蝕，進而定義出該像素電極530的圖案，移除第六光致抗蝕劑層。
步驟S13:形成親油性絕緣層圖案532。
請參閱圖9，是本發明電溼潤式顯示裝置第三實施方式的結構示意圖。該電溼潤式顯示裝置6與該電溼潤式顯示裝置5大體相同，其主要區別在於該電溼潤式顯示裝置6的薄膜電晶體基板62的像素電極630為多層結構。該像素電極630包括一設置於該鈍化層624上的連接層651、 一設置於該連接層651上的阻障層652、 一設置於該阻障層652上的反射層653和一設置於該反射層653上的保護層654。該連接層651由質地較堅固的氧化銦錫製成，該反射層653由反射率較高的金屬鋁製成，該阻障層652由與氧化銦錫和鋁均化學穩定的鉬(Mo)製成，該保護層654由化學性質穩定且透光率較高的氧化鋁(Al20"製成。
相較與第一實施方式，由於該電溼潤式顯示裝置6的像素電極630為多層結構，該連接層651可以使該反射電極630電連接更為可靠，該保護層654可以防止該反射層653 ;故腐蝕，因此該電溼潤式顯示裝置6可靠性更佳。
該薄膜電晶體基板62的製造方法與該薄膜電晶體基板52的製造方法大體相同，該薄膜電晶體基板62的製造方法為
步驟Sl:形成柵極金屬層；
步驟S2:形成柵極621、掃描線(圖未示)和電容電極線623;
步驟S3:形成柵-極絕緣層624和半導體層；
步驟S4:形成半導體圖案625;
步驟S5:形成源/漏極金屬層；
步驟S6:形成源極627、漏極628和該數據線626;
步驟S7:形成鈍化層629;
步驟S8:形成貫穿該鈍化層624的第一通孔623和第二通孔
步驟S9:形成一透明導電層；
步驟S10:形成公共電極631和該連接層651;
步驟Sll:依序形成一金屬鉬層、 一金屬鋁層和一氧化鋁層；
在該鈍化層624上、該公共電極631和該連接層651上依序形成一金屬鉬層和一金屬鋁層。其中該金屬鋁層為純鋁材料，厚度為1000A 。 爾後置於大氣壓化學氣相沉積(Atmospheric PressureChemical Vapor Deposition, APCVD)或電漿輔助化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)的氣室(Chamber)中並通入氧氣以產生氧電漿，利用該氧電漿與該純鋁材料
進行化學反應，在該純鋁表面形成一氧化鋁(Al203)層，操作溫度在
25至600攝氏度之間，壓力約為1.333x104至6.555xl04N/m2,操作時間小於等於l分鐘。在該氧化鋁層表面沉積一第六光致抗蝕劑層。其中，該氧電漿力量的作用可以使該純鋁表面自然形成的突起平坦化。
步驟S12:形成像素電極630;
提供一第六掩膜對該第六光致抗蝕劑層進行曝光顯影，從而形成一預定的光致抗蝕劑圖案；對該金屬鉬層和金屬鋁層進行刻蝕，進而定義出該阻障層652、該反射層653和該保護層654，進而形成該像素電極630,移除第六光致抗蝕劑層。步驟S13:形成親油性絕緣層圖案632。
請一併參閱圖IO和圖11，圖10是本發明電溼潤式顯示裝置第四實施方式的局部結構剖視示意圖。圖ll是圖IO所示電溼潤式顯示裝的薄膜電晶體基板72的局部結構平面示意圖。該電溼潤式顯示裝置7與該電溼潤式顯示裝置4大體相同，其主要區別在於該電溼潤式顯示裝置7的薄膜電晶體基板72包括二接觸區782和位於該二接觸區782間的一顯示區781。每一接觸區782設置有一^>共電極731。該至少一電容電極線723自 一接觸區782延伸至另 一接觸區782。每一公共電極731電連接至該電容電才及線723。
相較於第 一 實施方式，由於該電溼潤式顯示裝置7的電容電極線723與該第一液體75並聯，因此該電溼潤式顯示裝置7的公共電壓均勻性較佳。
權利要求
1.一種薄膜電晶體基板，其包括一顯示區；至少一接觸區，其位於該顯示區至少一側；一框膠設置區，其包圍該顯示區和該接觸區，用於設置框膠；多個像素電極，設置於該顯示區；和至少一公共電極，其特徵在於該至少一公共電極設置於該至少一接觸區，且該薄膜電晶體基板裸露出該至少一公共電極的至少一部分。
2. 如權利要求l所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該薄膜 電晶體基板進一 步包括至少 一 電容電極線，該至少 一 電容電極線與 該像素電極絕緣層疊，該至少 一公共電極與該至少 一 電容電極線電 連接。
3. 如權利要求2所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該至少 一電容電才及線自該至少一4妻觸區延伸至該顯示區。
4. 如權利要求l所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該薄膜 電晶體基板所包括的該至少一接觸區的數量為兩個，該薄膜電晶體 基板所包括的該至少 一公共電極的數量為兩個，該兩個接觸區分別 設置於該顯示區相對兩側，每一該接觸區設置有一該公共電極。
5. 如權利要求4所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該薄膜 電晶體基板進 一 步包括至少 一 電容電極線，該至少 一 電容電極線與 該像素電極絕緣層疊，該兩個公共電才及與該至少 一 電容電極線電連 接。
6. —種電溼潤式顯示裝置，其包括 一對向基板；一薄膜電晶體基板，其與該對向基板相對設置； 一框膠，其設置於該對向基板和該薄膜電晶體基板之間，並與 該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成 一 收容空間； 一極性的第一液體，其設置於該收容空間內；和一與該第 一 液體不相融的非極性的第二液體，其設置於該收容空間內；其中，該薄膜電晶體基板包括至少一 觸區和 一 顯示區，該至少一 4妻觸區和該顯示區4立於該框膠在該薄膜電晶體基板界定的區域內； 多個像素電極，設置於該顯示區； 一親油性絕緣層圖案，設置於該像素電極，和 至少一公共電極，其特徵在於該至少一公共電極設置於該至少 一 接觸區，且該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一 公共電極的至少一部分。
7. 如權利要求6所述的電溼潤式顯示裝置，其特徵在於該至 少 一公共電極與該第 一 液體電接觸，該像素電極與該第 一 液體相絕緣。
8. —種薄膜電晶體基板，其包括 一第 一 區域；一位於該第 一 區域外圍的框膠設置區，該框膠設置區用於設置 框膠；設置於該第一區域內的多個像素電極；和至少一設置於該第一區域內的公共電極，該至少一公共電極與 該像素電極絕緣，其特徵在於該薄膜電晶體基板棵露出該至少一 公共電極的至少 一 部分。
9. 如權利要求8所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該薄膜 電晶體基板進 一 步包括至少 一 電容電極線，該至少 一 電容電極線與 該像素電極絕緣層疊，該至少 一公共電極與該至少 一 電容電極線電 連接。
10. 如權利要求9所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該至 少 一公共電極的數量為兩個，該兩個公共電極分別設置於該像素電 極相對兩側且均與該至少 一 電容電才及線電連4妄。
11. 如權利要求9所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該薄膜 電晶體基板進一步包括一基底、多條相互平行間隔設置的掃描線，多條與該掃描線垂直且間隔設置的數據線、 一第一絕緣層、 一鈍化 層和 一 親油性絕緣層圖案，該電容電極線和該掃描線設置於該基底， 該第一絕緣層設置於該至少一電容電極線、掃描線和該基底，該數 據線設置於該第 一絕緣層，該鈍化層設置於該第 一絕緣層和該數據 線，該至少一公共電極和該像素電極間隔設置於該鈍化層，該親油 性絕緣層圖案設置於該像素電極上。
12. —種電溼潤式顯示裝置，其包括 一對向基板；一薄膜電晶體基板，其與該對向基板相對設置；一框膠，其設置於該對向基板和該薄膜電晶體基板之間，該框膠與該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成一收容空間，並在該薄膜電晶體基板界定一第 一 區域；多個交叉的間隔壁，設置於該第一區域內； 一極性的第一液體，其設置於該收容空間內；和 一非極性的第二液體，其設置於該間隔壁界定的區域內； 其中，該薄膜電晶體基板包括 設置於該間隔壁界定的區域內的多個像素電極；和 至少一設置於該第一區域內的公共電極，該7>共電極與該^象素電極絕緣，其特徵在於該薄膜電晶體基板棵露出該至少一公共電;歐的至少一部分。
13. 如權利要求12所述的電溼潤式顯示裝置，其特徵在於該 7>共電極與該第 一 液體電接觸，該像素電極與該第 一 液體相絕緣。
14. 一種薄膜電晶體基板製造方法，其包括如下步驟 提供一基底；在該基底上形成至少一電容電極線和多條掃描線； 在該電容電極線、該掃描線和該基底上形成 一 第 一 絕緣層； 在該第一絕緣層上形成多條數據線； 在該第 一 絕緣層和該數據線形成 一鈍化層； 對應該電容電極線位置形成 一貫穿該鈍化層和該第 一 絕緣層的 通孔；在該鈍化層上間隔形成一公共電極和多個^f象素電極，使該公共電極通過該通孔與該電容電極線電連接；在該像素電極上形成 一 親油性絕緣層圖案，並棵露出該至少一 7>共電 一及的至少 一 部分。
15. —種薄膜電晶體基板，其包括 一基底；一設置於該基底上的多個柵極、多條掃描線和多條電容電極線； 一設置於該多個柵極、該掃描線、電容電極線和該基底上的柵 極絕緣層；設置於該柵極絕緣層上的 一 半導體圖案和多條數據線；設置於該半導體圖案和該柵極絕緣層上的多個源極和多個漏極；一設置於該柵極絕緣層、該數據線、該源極、該漏極和該半導體圖案上的鈍化層；設置於該鈍化層上的多個像素電極和一公共電極；和 一設置於該像素電極上的親油性絕緣層圖案，其特徵在於該薄膜電晶體基板棵露出該至少 一公共電極的至少 一部分。
16. 如權利要求15所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該像 素電極為一多層結構，其包括一設置於該鈍化層上的連接層、 一設 置於連接層上的阻障層、 一設置於該阻障層上的反射層和 一設置於 該反射層上的保護層。
17. 如權利要求16所述的薄膜電晶體基板，其特徵在於該連 接層的材料為氧化銦鋅，該阻障層的材料為鉬，該反射層的材料為 鋁，該保護層的材料為氧化鋁。
18. —種電溼潤式顯示裝置，其包括 一對向基板；一薄膜電晶體基板，其與該對向基板相對設置； 一框膠，其設置於該對向基板和該薄膜電晶體基板之間，並與 該對向基板和該薄膜電晶體基板配合形成 一 收容空間； 一極性的第一液體，其設置於該收容空間內；和一非極性的第二液體，其設置於該收容空間內； 其中，該薄膜電晶體基板包括 一基底；一設置於該基底上的多個柵極、多條掃描線和多條電容電極線； 一設置於該多個柵極、該掃描線、電容電極線和該基底上的柵 極絕緣層；設置於該柵極絕緣層上的一半導體圖案和多條數據線； 設置於該半導體圖案和該柵極絕緣層上的多個源極和多個漏極；一設置於該柵極絕緣層、該數據線、該源極、該漏極和該半導 體圖案上的鈍化層；設置於該鈍化層上的多個像素電極和一公共電極；和設置於該像素電極上的親油性絕緣層圖案，其特徵在於該薄 膜電晶體基板棵露出該至少 一公共電極的至少 一部分。
19. 一種薄膜電晶體基板製造方法，其包括如下步驟提供一基底；在該基底上形成多個柵極、多條掃描線和多條電容電極線； 在該多個柵極、該掃描線、電容電極線和該基底上形成一柵極 絕緣層；在該柵極絕緣層上形成一半導體圖案和多條數據線； 在該半導體圖案和該柵極絕緣層上形成多個源極和多個漏極； 在該柵極絕緣層、該數據線、該源極、該漏極和該半導體圖案 上形成一鈍化層；在該鈍化層上形成多個像素電極和 一公共電極； 在該像素電極上形成 一 親油性絕緣層圖案，並棵露出該至少一 共電糹及的至少 一 部分。
全文摘要
本發明提供一種薄膜電晶體基板、薄膜電晶體基板製造方法及電溼潤式顯示裝置。該薄膜電晶體基板包括一顯示區、位於該顯示區至少一側的至少一接觸區、一包圍該顯示區和該接觸區並用於設置框膠的框膠設置區、多個設置於該顯示區的像素電極和設置於該接觸區的至少一公共電極，且該薄膜電晶體基板裸露出該至少一公共電極的至少一部分。
文檔編號H01L21/84GK101593756SQ20081006752
公開日2009年12月2日 申請日期2008年5月28日 優先權日2008年5月28日
發明者李睿勻, 顏碩廷, 黃榮龍 申請人:群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司