有機金屬化合物的蒸發/進料系統的製作方法
2023-06-13 13:12:06 2
專利名稱：有機金屬化合物的蒸發/進料系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及對感應耦合等離子體(ICP)發射攝譜儀進行蒸發和進料有機金屬化合物的系統。
背景技術：
作為化合物半導體的晶體生長方法，現在最感興趣的是應用有機金屬化合物進行金屬有機化學汽相澱積(MOCVD)的方法。MOCVD方法是一種在化合物半導體的外延薄膜的生產中通常採用的晶體生長方法。該方法由有機金屬化合物如(CH3)3Ga、(CH3)3In和(CH3)3Al作為反應物開始，應用其熱分解反應進行晶體生長從而形成薄膜。
因為由MOCVD方法產生的半導體薄膜的質量主要取決於用作反應物的有機金屬化合物的化學純度，因此從本技術開發的早期至今一直持續要求更高純度的有機金屬化合物。
但是由於其具有非常高的化學活性和毒性，致使有機金屬化合物很難處理。在目前的情況下，只有幾種方法用於分析有機金屬化合物中的微量雜質。
迄今為止已經報導的大部分分析有機金屬化合物中微量雜質的方法都應用ICP發射攝譜儀作為分析儀器。從ICP測量過程中有機金屬化合物的形式以及將有機金屬化合物引入ICP的方法和裝置方面來說，本領域已知該技術通常被劃分為下列六種方法(1)水解方法有機化合物被水解形成水溶液，所述水溶液被霧化成氣溶膠並進料至ICP焰炬(torch)。參見Journal of CrystalGrowth，77(1986)，pp.47-54。
(2)溶液方法當有機金屬化合物用溶劑如二甲苯稀釋後，混合後的溶液被霧化成氣溶膠並進料至ICP焰炬。參見ANALYST，May1990，Vol.115。
(3)流動注入方法通過混合有機金屬化合物和二乙醚一旦形成加合物，則使其通過霧化器以形成氣溶膠。然後將所述氣溶膠引入到膜乾燥管中，其中將二乙醚從系統中脫除而只有剩餘的有機化合物被進料至ICP焰炬中。參見Spectrochimica Acta，Vol.44B，No.10，pp.1041-1048，1989。
(4)電熱蒸發方法將有機金屬化合物放入能夠瞬時加熱至溫度為約3,000℃的加熱器中。這樣產生的有機金屬化合物的蒸氣被載氣所載帶並直接引入到ICP焰炬中。參見Journal of AnalyticalAtomic Spectrometry，December 1994，Vol.9。
(5)直接蒸氣引入方法將載氣吹入填充在不鏽鋼容器內的有機金屬化合物中，並將所形成的有機金屬化合物的蒸氣直接引入到ICP焰炬中。參見Journal of Electronic Materials，Vol.18，No.5，1989。
(6)指數稀釋方法將預定量的有機金屬化合物放入加熱器中，在其中被加熱而產生蒸氣，而所述蒸氣與載氣一起被直接引入至ICP焰炬中。參見歐洲專利申請EP 0447747A2。
上述六種方法中每一種均具有優點和缺點。其中沒有哪一種可以被認為是分析和引導有機金屬化合物至ICP的完備方法。但直接蒸氣引入方法(5)受到重視，這是因為(i)具有蒸氣壓的有機雜質的濃度隨時間的變化是直接可觀察的，(ii)有機金屬化合物的預處理是不必要的，(iii)由於有機金屬化合物可以不需稀釋而進行分析，從而可以進行高靈敏度的分析，以及(iv)對於測量來說僅需少量樣品。
但在應用中，直接蒸氣引入方法卻有幾個問題。即使當反應物容器的溫度被精確地控制時，載氣的溫度也可能與容器內的溫度不同。然後很難控制有機金屬化合物的蒸氣壓。由於缺乏測量被蒸發的和被載氣載帶的有機金屬化合物的質量流量的方法，所以不能檢測到進料量的變化。雖然有機金屬化合物的蒸氣壓曲線圖在設置進料量的過程中變成最重要的指示，但對於相同化合物來說可能存在有多個這樣的圖。從而不能精確地確定對於提供希望進料量來說必需的溫度。
發明概述本發明的目的是提供一種有機金屬化合物的蒸發和進料系統，該系統確保可以在非常高的靈敏度和具有可重複性的條件下進行ICP分析。
本發明涉及有機金屬化合物蒸發和進料系統，其中載氣進料流道和有機金屬化合物氣體流道與裝有有機金屬化合物的反應物容器相連，其中所述載氣進料流道用於從載氣源並通過質量流量控制器進料載氣，而所述有機金屬化合物氣體流道用於輸送被蒸發並通過載氣載帶的有機金屬化合物氣體至在線監測器，並且標定用標準氣流道與有機金屬化合物氣體流道相連，其中標定用標準氣流道上設置有用於控制標準氣流量的氣體質量流量控制器和用於按照需要調節標準氣濃度的稀釋氣質量流量控制器，並且所述有機金屬化合物氣體流道通過在線監測器與ICP攝譜儀的樣品入口相連。這樣可以按可重複的方式進行靈敏度非常高的ICP分析。
按照本發明，提供一種有機金屬化合物的蒸發和進料系統，包括(1)其中裝有有機金屬化合物的反應物容器、載氣源、在線監測器、載氣進料流道，其中所述載氣進料流道連接載氣源和反應物容器，並且其上設置有用於控制載氣流量的質量流量控制器，(2)有機金屬化合物氣體流道，所述氣體流道連接反應物容器和在線監測器用於輸送被蒸發並由載氣載帶的有機金屬化合物氣體，(3)ICP發射攝譜儀、樣品氣流道，所述樣品氣流道連接在線監測器和ICP攝譜儀的樣品入口，(4)充有標定用標準氣的氣體鋼瓶、連接氣體鋼瓶與樣品氣流道的標準氣流道，並且所述標準氣流道上設置有用於控制標準氣流量的氣體質量流量控制器，和(5)稀釋氣流道，所述稀釋氣流道與標準氣質量流量控制器下遊的標準氣流道相連，用於輸送稀釋氣，從而調節標定用標準氣的濃度，並且其上設置有用於控制稀釋氣流量的氣體質量流量控制器。
在一種優選實施方案中，所述蒸發和進料系統包括多個標定用標準氣鋼瓶以及相應的多個標準氣流道，並且每個流道上均設置有用於控制相應標準氣流量的氣體質量流量控制器，以及相應的多個稀釋氣流道，其中所述稀釋氣流道與相應的標準氣流道相連，並且其上設置有稀釋氣質量流量控制器。
在另一種優選實施方案中，所述蒸發和進料系統進一步包括與有機金屬化合物氣體流道相連的旁通流道，用於輸送載氣從而稀釋有機金屬化合物的濃度，並且其上設置有用於控制稀釋用載氣流量的質量流量控制器。
附圖的簡要描述
圖1是示意性流程圖，其描述了本發明第一種實施方案的蒸發/進料系統。
圖2是可以在圖1的系統中應用的兩位式切斷閥的示意性描述。
圖3是可以在圖1的系統中應用的另一種兩位式切斷閥的示意性描述。
圖4是示意性流程圖，其描述了本發明第二種實施方案的蒸發/進料系統的一部分。
圖5是示意性流程圖，其描述了本發明第三種實施方案的蒸發/進料系統的一部分。
優選實施方案描述參照圖1，其中示意性描述了按照本發明第一種實施方案的有機金屬化合物的蒸發/進料系統。所述系統包括裝有有機金屬化合物(MO)的反應物容器1、氬等的載氣源2以及在線監測器3。載氣進料流道G1連接反應物容器1和載氣源2從而進行流體連通。在載氣進料流道G1上從上遊側到下遊側依次設置有壓力調節器4、切換閥V1、用於控制載氣流量的質量流量控制器MFC-1和切換閥V2。有機金屬化合物氣體流道G2連接反應物容器1和在線監測器3從而進行流體連通，並且其上設置有切換閥V3。
反應物容器1設置在恆溫槽5中從而容器保持一定的溫度，在該溫度下有機金屬化合物保持為液態。載氣進料流道G1位於容器1一側的端部構造為汲取管，該汲取管的末端浸沒在有機金屬化合物液體中。其上設置有切換閥V4的橋連管道G3連接載氣進料流道G1的閥V2的上遊位置和有機金屬化合物氣體流道G2的閥V3的下遊位置，從而進行流體連通。
與蒸發/進料系統相連的是感應耦合等離子體(ICP)發射攝譜儀(10)，其包括等離子體焰炬11、注射器12以及RF線圈13，這些部件協作產生等離子體火焰14。樣品氣流道G4連接在線監測器3的出口和ICP攝譜儀10的樣品入口，並且其上設置有切換閥V5。
在所述系統中進一步包括充有標定用標準氣的氣體鋼瓶6以及標準氣流道G5，所述標準氣流道G5連接氣體鋼瓶6與樣品氣流道G4從而進行流體連通，其連接位置在在線監測器3和切換閥V5之間。在標準氣流道G5中，從上遊側到下遊側依次設置有壓力調節器4′、用於控制標定用標準氣流量的氣體質量流量控制器MFC-2和切換閥V6。第二載氣進料流道G6從載氣源2延伸至標準氣流道G5處。更具體地，第二載氣進料流道G6有一端與載氣源2相連；切換閥V7被設置在第二載體流道G6上；並且第二載氣流道G6的另一端在壓力調節器4′的上遊處與標準氣流道G5相連。稀釋氣流道G7連接第二載氣進料流道G6和標準氣流道G5，其與第二氣體進料流道G6的連接位置在閥V7的上遊，而與標準氣流道G5的連接位置在質量流量控制器MFC-2和閥V6之間。在稀釋氣流道G7中從上遊側到下遊側依次設置有切換閥V8、用於控制稀釋載氣流量的質量流量控制器MFC-3、以及切換閥V9。
所述系統進一步包括排放流道G8，其為標準氣流道G5在標準氣流道G5與稀釋氣流道G7的連接點與切換閥V6之間分支出來的，並且其上設置有切換閥V10。在該描述性實施方案中，另一排放流道G9還可以在在線監測器3和切換閥V5之間從樣品氣流道G4上分支出來，並且在其上設置有切換閥V11。
在線監測器3是一種測量通過有機金屬化合物氣體流道G2的有機金屬化合物氣體濃度的設備，用於確定進料至ICP攝譜儀的有機金屬化合物氣體的濃度是否為預先設定的值。所述在線監測器3在其中構造有IR吸收池和IR檢測器，並且其測量原理是使有機金屬化合物氣體通過IR吸收池，並通過IR檢測器測量氣體的IR吸收特性，並由此計算出有機金屬化合物氣體的濃度。其濃度已經由在線監測器3測量了的有機金屬化合物氣體通過樣品氣流道G4被直接導入ICP攝譜儀10。
為了進一步穩定在氣體流道中的有機金屬化合物氣體的濃度，如果需要，在確定時間間隔內關閉閥V5打開閥V11，通過流道G9排放氣體是有效的。當切換這些閥時，或多或少會發生壓力變化。為了減少這些壓力變化，應用如圖2所示的將切換閥V5和V11整合在一起的氣動兩位式切斷閥。這樣可以在沒有壓力變化的條件下瞬時改變流路。
當定量有機金屬化合物中剩餘的雜質濃度時必須有標定用標準氣。可以通過用超高純度的氬氣稀釋含有相同元素的化合物作為所要分析的雜質來製備，並利用高性能分析儀如大氣壓電離-質譜儀(API-MS)來精確分析氣體濃度。標定用標準氣通過具有質量流量控制器MFC-2的流道G5和流道G4被導入ICP攝譜儀10，在該過程中進入ICP攝譜儀的氣體流量可以通過質量流量控制器MFC-2而任意改變，從而繪出所要分析的雜質濃度的標定曲線(雜質濃度對ICP發射峰強度)。
為了進一步穩定在氣體流道G5中標定用標準氣的濃度，如果需要，在確定時間間隔內關閉閥V6且打開閥V10，由流道G8排放氣體是有效的。當切換這些閥時，或多或少會發生壓力變化。為了減少這些壓力變化，可以應用如圖3所示的將切換閥V6和V10整合在一起的氣動兩位式切斷閥。
當有機金屬化合物氣體或標定用標準氣被引導通過流道管道時，有機金屬化合物或金屬類物質被吸附到管道內壁上。這種沉積可具有記憶效果從而負面影響分析結果。為了減少或消除這種影響，優選將為帶狀形式的加熱設備加熱器7附加到從在線監測器3延伸至ICP攝譜儀10的樣品氣流道G4的管道區、以及質量流量控制器MFC-2下遊的標準氣流道G5的管道區上。
流道G6和G7可以用於其它目的，為了重新調節標定用標準氣的濃度或瞬時衝洗掉管道內的記憶效果，有效的是經由閥V8、質量流量控制器MFC-3和閥V9使載氣作為吹掃氣體流過稀釋氣流道G7。當更換標定用標準氣時，通過閥V7連接載氣源2與標準氣流道G5的第二載氣進料流道G6可以被用作吹掃管線。
圖4描述了按照本發明第二種實施方案的有機金屬化合物的蒸發/進料系統。所述系統包括分別裝有兩種標定用標準氣的兩個氣體鋼瓶6a和6b。氣體鋼瓶6a和6b分別與標準氣流道G5a和G5b的一端相連，所述標準氣流道G5a和G5b分別具有壓力調節器4′a和4′b、用於控制標準氣流量的氣體質量流量控制器MFC-2a和MFC-2b、以及切換閥V6a和V6b。標準氣流道G5a和G5b的另一端與標準氣進料流道G5c的一端相連，而標準氣進料流道G5c的另一端與切換閥V5上遊的樣品氣流道G4相連。
稀釋氣流道G7a和G7b分別連接載氣流道G6a和G6b與標準氣流道G5a和G5b。更具體地，在稀釋氣流道G7a和G7b上分別設置切換閥V8a和V8b、稀釋氣質量流量控制器MFC-3a和MFC-3b以及切換閥V9a和V9b。載氣流道G6a和G6b在壓力調節器4′a和4′b上遊連接載氣源2a和標準氣流道G5a和G5b，並且其上設置有切換閥V7a和V7b。稀釋氣流道G7a和G7b連接載氣流道G6a和G6b和標準氣流道G5a和G5b，其連接位置在載氣流道G6a和G6b上為切換閥V7a和V7b的上遊，而在標準氣流道G5a和G5b上為質量流量控制器MFC-2a、MFC-2b和閥V6a、V6b之間。從流道G5a和G5b上分支出具有閥V10a和V10b的排放流道G8a和G8b。所述系統的剩餘部分與圖1中的相同。
可以理解的是可以應用兩種以上的標定用標準氣，並且在這種情況下，它們的鋼瓶與相應數量的標準氣流道相連。
因為標定用標準氣對應於所要分析的雜質的類型，因此它們最終按所要分析的元素的數量而應用。為了簡化系統，多種元素標定用的標準氣可以通過用所有含有金屬的化合物作為測量對象注入單個壓力容器而製備。但有些化合物可能形成非揮發性化合物或通過化學反應變為其它化合物。然後這些化合物需被分成一些組，每組由即使當被混合在一起時仍保持不變的那些化合物組成。這就必須有多種標定用標準氣和相應的多個進料流道。當考慮ICP的操作和其它因素時，標定用標準氣的數量、氣體質量流量控制器的數量或氣體流道的數量優選為2-5。
應該注意到的是通過質量流量控制器MFC-2的標定用標準氣的流量優選為0.1-100ml/min，更優選為1-10ml/min。
圖5描述了按照本發明第三種實施方案的有機金屬化合物的蒸發/進料系統。所述系統包括旁路流道G10，其由載氣進料流道G6上分支出來去有機金屬化合物氣體流道G2，用於進料載氣從而稀釋流過流道G2的有機金屬化合物氣體的濃度。在旁路流道G10中，從上遊側到下遊側設置有切換閥V12、用於控制稀釋用載氣流量的質量流量控制器MFC-4和切換閥V13。旁路流道G10的下遊端與有機金屬化合物氣體流道G2相連，其連接位置在與橋連管道G3的連接點的下遊。所述系統的剩餘部分與圖1中的相同。
下面描述系統的操作。載氣通過壓力調節器4調節至預定的壓力。然後打開切換閥V1，並使載氣通過質量流量控制器MFC-1，其中流量已經預先設定。當確認切換閥V2和V3已經關閉後，打開切換閥V4和V5。然後載氣流過氣體流道G1、G3和G4經由在線監測器3而被導入ICP攝譜儀10的注射器中。按這種狀態進行的ICP測量的結果為空白。
當確認在恆溫槽5內的容器1的溫度為預定水平時，首先打開切換閥V3，然後打開切換閥V2，然後適度關閉切換閥V4。然後載氣從源2輸送至容器1通過汲取管，並且在容器1中劇烈鼓泡進入有機金屬化合物中用以蒸發。這樣蒸發並被載氣載帶的有機金屬化合物氣體被輸送通過有機金屬化合物氣體流道G2至在線監測器3，從而確定有機金屬化合物氣體的濃度是否達到預定濃度。有機金屬化合物氣體通過流道G4輸送至ICP攝譜儀10的注射氣中，在其中被分析。
為了精確定量有機金屬化合物氣體中雜質的量，標定用標準氣可以通過質量流量控制器MFC-2並通過流道G5和G4而被引入到ICP攝譜儀10中。
在ICP分析中感興趣的有機金屬化合物(MO)並不具體限定，只要其可用作MOCVD的反應物即可。在微量分析所謂的化合物半導體材料如III-V族和II-VI族半導體時本發明是有效的。
有機金屬化合物的描述性的非限定性例子包括三甲基(或乙基)鎵、三甲基(或乙基)銦、三甲基(或乙基)鋁、二甲基(或乙基)鋅、叔-丁基膦、叔-丁基砷、環戊二烯基鎂和五甲基環戊二烯基鎂。所有的有機金屬化合物、有機化合物、金屬氫化物和金屬滷化物都是分析物，只要它們在正常溫度和大氣壓力下具有任意的蒸氣壓即可。可以理解的是如果作為測量對象的金屬雜質沒有蒸氣壓或者不能被載氣所輸送，則分析基本上是不可能的。
在線監測器3是一種測量流過有機金屬化合物氣體流道G2的有機金屬化合物氣體濃度的設備，用於確定進料至ICP攝譜儀的有機金屬化合物氣體的濃度是否達到預定的值。正如前面所描述的，為了進一步穩定在氣體流道中有機金屬化合物氣體的濃度，如果需要，在確定時間間隔內關閉閥V5打開閥V11，通過流道G9排放氣體是有效的。當切換這些閥時，或多或少會發生壓力變化。應用如圖2所示的將切換閥V5和V11整合在一起的氣動兩位式切斷閥可以有效地減少這種變化。
對定量有機金屬化合物中剩餘的雜質的濃度來說標定用標準氣是必須的。標定用標準氣通過具有質量流量控制器MFC-2的流道G5和流道G4被導入ICP攝譜儀10中。
正如前面所描述，為了進一步穩定在氣體流道G5中標定用標準氣的濃度，如果需要，在確定時間間隔內關閉閥V6且打開閥V10，由流道G8排放氣體是有效的。當切換這些閥時，或多或少會發生壓力變化，應用如圖3所示的將切換閥V6和V10整合在一起的氣動兩位式切斷閥可以有效地減少這種變化。
為了重新調節標定用標準氣的濃度或瞬時衝洗掉管道內的記憶效果，應用載氣作吹掃氣使其經過閥V8、質量流量控制器MFC-3和閥V9流過稀釋氣流道G7是有效的。當更換標定用標準氣時，通過閥V7連接載氣源2和標準氣流道G5的第二載氣進料流道G6可以被用作吹掃管線。
下面描述的是系統操作的實施例。
首先，點燃ICP-AES的等離子體焰炬，確定等離子體的穩定燃燒。打開切換閥V4，並且按照氣體質量流量控制器MFC-1控制的流量導入載氣(氬)。雖然其隨所應用的有機金屬化合物的特定類型而變化，但載氣流量通常為5-1,000ml/min，優選為10-600ml/min。如果氬等離子體的燃燒變得不穩定或者如果大幅度改變有機金屬化合物的濃度是必須的話，則通過如圖5所示的稀釋氣質量流量控制器MFC-4進料用於稀釋的載氣，其流量優選為10-2,000ml/min，更優選為50-800ml/min。
打開反應物容器1的主閥V3，隨後適度打開主閥V2。在這種狀態下關閉切換閥V4，在這之後質量流量控制器MFC-1立即開始流量控制，按預定流量將載氣進料至容器1。蒸發並被載氣載帶的有機金屬化合物被引導通過有機金屬化合物氣體流道G2，並通過閥V3至在線監測器3，在其中精確測量有機金屬化合物氣體的濃度。有機金屬化合物氣體的濃度優選表示為0.001-1g/min的流量，更優選為0.01-0.1g/min。
然後將有機金屬化合物氣體通過氣體流道G4引入到ICP中。為了進一步穩定在氣體流道內有機金屬化合物氣體的濃度，在關閉切換閥V5並打開切換閥V11的條件下由流道G9排放氣體約2-5分鐘是有效的。
按這種方式，其濃度和流量均被明確預先確定的有機金屬化合物氣體被進料至ICP攝譜儀中。然後可以進行對人體高度安全的迅速的高精度的ICP分析。
在標定用標準氣中可以應用的化合物可以是含有目標金屬的、具有合適蒸氣壓的、並即使當多種化合物混合時也不進行複雜化學變化的化合物。當矽為要檢測的雜質時優選化合物的例子為四甲基矽烷，而當鍺為要檢測的雜質時，優選化合物的例子為四甲基鍺烷。稀釋化合物用的氣體最優選為氬，並且其濃度通常為0.1-1,000ppm，更具體為1-200ppm。標定用標準氣應該通過高性能分析儀如API-MS檢測其精確的金屬含量。
當標定用標準氣經由質量流量控制器MFC-2和閥V6通過流道G5和G4被導入ICP攝譜儀時，測量對應於各種元素的發射峰強度。應用峰強度對標準氣濃度的標定曲線，可以精確地確定在有機金屬化合物中雜質的濃度。
應該注意到的是通過提供如圖4所示的兩個分開的標定用標準氣體的迴路，可以阻止用作標準氣的化合物間的化學反應。
在本發明的有機金屬化合物的蒸發和進料系統中，載氣按質量流量控制器控制的流量被引入到裝填有有機金屬化合物的反應物容器中，從而蒸發所述有機金屬化合物。在進入ICP攝譜儀之前通過在線監測器測量有機金屬化合物氣體的濃度。進料至ICP攝譜儀的有機金屬化合物氣體的濃度以及雜質的濃度可以一直被監測，連續改變有機金屬化合物的進料量，可以直接觀察到雜質濃度的變化。這樣就可以一直向ICP攝譜儀中引入具有精確濃度的有機金屬化合物氣體。
因為標定用標準氣可以直接進料至ICP攝譜儀，因此可以在線定性和定量分析在有機金屬化合物氣體中剩餘的雜質的濃度。
因為可以同時產生多種標定用標準氣，因此可以即時進行多種雜質的定性和定量分析。本發明排除了應用分配器如注射器取樣液體有機金屬化合物的繁重和危險的操作，明顯提高了對人體的安全性，並避免了在取樣操作過程中汙染的危險。從而可以應用極少量貴重有機金屬化合物以非常高的靈敏度和可重複的方式進行ICP分析。
因此可以按高度安全並且可重複的方式進行靈敏度非常高的ICP分析。
權利要求
1.一種有機金屬化合物的蒸發和進料系統，包括(1)其中裝有機金屬化合物的反應物容器、載氣源、在線監測器、載氣進料流道，其中所述載氣進料流道連接所述載氣源和所述反應物容器，並且其上設置有用於控制載氣流量的質量流量控制器，(2)有機金屬化合物氣體流道，所述氣體流道連接所述反應物容器和在線監測器，用於輸送被蒸發並且被載氣載帶的有機金屬化合物氣體，(3)ICP發射攝譜儀、樣品氣流道，所述樣品氣流道連接所述在線監測器和所述ICP攝譜儀的樣品入口，(4)充有標定用標準氣的氣體鋼瓶、連接所述氣體鋼瓶與所述樣品氣流道的標準氣流道，並且所述標準氣流道上設置有用於控制標準氣流量的氣體質量流量控制器，和(5)稀釋氣流道，所述稀釋氣流道與標準氣質量流量控制器下遊的所述標準氣體流道相連，用於輸送稀釋氣，從而調節標定用標準氣的濃度，並且其上設置有用於控制稀釋氣流量的氣體質量流量控制器。
2.權利要求1的蒸發和進料系統，包括多個標定用標準氣鋼瓶、相應的多個標準氣流道以及相應的多個稀釋氣流道，其中所述多個標準氣流道中的每一個上均設置有用於控制相應的標準氣流量的氣體質量流量控制器，並且所述多個稀釋氣流道與對應的標準氣流道相連，並且其上設置有稀釋氣質量流量控制器。
3.權利要求1或2的蒸發和進料系統，進一步包括與所述有機金屬化合物氣體流道相連的旁路流道，用於通過載氣，從而稀釋有機金屬化合物的濃度，並且其上設置有用於控制稀釋載氣流量的質量流量控制器。
全文摘要
一種有機金屬化合物的蒸發和進料系統，包括連接載氣源和裝有有機金屬化合物MO的容器並且其上具有載氣質量流量控制器的載氣進料流道；連接容器和在線監測器的用於輸送MO氣體的MO氣體流道；連接在線監測器和ICP攝譜儀樣品入口的樣品氣流道；連接充有標定用標準氣的氣體鋼瓶和樣品氣流道並且具有標準氣質量流量控制器的標準氣流道；以及與標準氣流道相連並且其上具有稀釋氣質量流量控制器的稀釋氣流道，該流道用於輸送稀釋氣從而調節標準氣的濃度。
文檔編號G01N21/71GK1493716SQ0315859
公開日2004年5月5日 申請日期2003年9月19日 優先權日2002年9月19日
發明者平原和弘, 津寺貴信, 巖井大祐, , 信 申請人:信越化學工業株式會社