垂直記錄系統中用於減小寬面積道擦除的尾屏蔽件的製作方法
2023-06-13 18:07:11
專利名稱：垂直記錄系統中用於減小寬面積道擦除的尾屏蔽件的製作方法
技術領域：
本發明涉及垂直磁記錄，更特別地，涉及新穎的具有減小的雜散場靈敏度的磁尾屏蔽件設計。
背景技術：
計算機長期存儲的核心是稱為磁碟驅動器的組件。磁碟驅動器包括旋轉磁碟、通過懸臂被懸置地與旋轉磁碟的表面相鄰的寫和讀頭、以及轉動懸臂從而將讀和寫頭置於旋轉盤上選定環形道(track)之上的致動器。讀和寫頭直接位於具有氣墊面(ABS)的滑塊上。懸臂偏置滑塊朝向盤的表面，當盤旋轉時，鄰近盤的空氣與盤表面一起移動。滑塊在該移動空氣的墊上飛行於盤表面之上。當滑塊騎在氣墊上時，採用寫和讀頭來寫磁轉變到旋轉盤且從旋轉盤讀取磁轉變。讀和寫頭連接到根據電腦程式運行的處理電路以實現寫和讀功能。
寫頭傳統上包括嵌在第一、第二和第三絕緣層(絕緣堆疊)中的線圈層，絕緣堆疊夾在第一和第二極片層(pole piece layer)之間。在寫頭的氣墊面(ABS)處間隙(gap)通過間隙層形成在第一和第二極片層之間，極片層在背間隙(back gap)處連接。傳導到線圈層的電流在極片中感應磁通，其導致磁場在ABS處在寫間隙彌散出來，用於在移動介質上在道中寫上述磁轉變，例如在上述旋轉盤上在環形道中。
在近來的讀頭設計中，自旋閥傳感器，也稱為巨磁致電阻(GMR)傳感器，已經被用於檢測來自旋轉磁碟的磁場。該傳感器包括下文中稱為間隔層(spacer layer)的非磁導電層，其被夾在下文中稱為被釘扎層和自由層的第一和第二鐵磁層之間。第一和第二引線(lead)連接到自旋閥傳感器以傳導通過那裡的檢測電流。被釘扎層的磁化被釘扎為垂直於氣墊面(ABS)，自由層的磁矩平行於ABS但可以響應於外磁場自由旋轉。被釘扎層的磁化通常通過與反鐵磁層的交換耦合而被釘扎。
間隔層的厚度被選擇為小於通過傳感器的傳導電子的平均自由程。採用此設置，部分傳導電子被間隔層與被釘扎層和自由層每個的界面所散射。當被釘扎層和自由層的磁化彼此平行時，散射最小，當被釘扎層和自由層的磁化反平行時，散射最大。散射的變化與cosθ成比例地改變自旋閥傳感器的電阻，其中θ是被釘扎層與自由層的磁化之間的角度。在讀模式中，自旋閥傳感器的電阻與來自旋轉盤的磁場的大小成比例地改變。當檢測電流傳導通過自旋閥傳感器時，電阻變化導致電勢變化，其被檢測到並作為重放信號(playback signal)處理。
當自旋閥傳感器採用單被釘扎層時其被稱為簡單自旋閥。當自旋閥採用反平行(AP)被釘扎層時其被稱為AP被釘扎自旋閥。AP自旋閥包括由薄的非磁耦合層例如Ru分隔開的第一和第二磁層。選擇間隔層的厚度從而反平行耦合被釘扎層的鐵磁層的磁化。根據釘扎層在頂部(在自由層之後形成)還是在底部(在自由層之前)，自旋閥還被稱為頂型或底型自旋閥。
自旋閥傳感器位於第一和第二非磁電絕緣讀間隙層之間，第一和第二讀間隙層位於鐵磁的第一和第二屏蔽層之間。在合併式(merged)磁頭中，單個鐵磁層作為讀頭的第二屏蔽層且作為寫頭的第一極片層。在背負式(piggyback)頭中，第二屏蔽層和第一極片層是分開的層。
被釘扎層的磁化通常通過將鐵磁層之一(AP1)與反鐵磁材料例如PtMn的層交換耦合來被固定。雖然反鐵磁(AFM)材料例如PtMn本身自然地沒有磁化，但是當與磁材料交換耦合時，它可以強烈地釘紮鐵磁層的磁化。
為了滿足日益增長的對改善的數據速率和數據容量的需求，研究者近來已經將他們的努力集中到垂直記錄系統的開發。傳統縱向記錄系統，例如包括上述寫頭的系統，存儲數據為沿磁碟表面平面中的道縱向取向的磁位。該縱向數據位通過形成在由寫間隙分隔開的磁極對之間的彌散場(fringingfield)記錄。
相反，垂直記錄系統記錄數據為垂直於磁碟的平面取向的磁化。該磁碟具有由薄的硬磁頂層覆蓋的軟磁襯層。垂直寫頭具有橫截面很小的寫極和橫截面大得多的返回極。強的、高度集中的磁場沿垂直於磁碟表面的方向從該寫極發出，磁化該硬磁頂層。所得磁通然後通過軟磁襯層行進，返回到返回極，在返回極處其充分散開且是微弱的從而當其在回到返回極的途中經過硬磁頂層時將不擦除由寫極記錄的信號。
垂直記錄系統的特徵之一在於磁介質的高矯頑力頂層具有高翻轉場。這意味著當寫數據的磁位時需要強磁場來翻轉介質的磁矩。為了降低翻轉場和提高記錄速度，已經嘗試使從寫極發出的寫場成角或「傾斜」。使寫場相對於介質的法線以一角度傾斜通過減小翻轉場而使介質的磁矩易於翻轉。模擬顯示，根據用於單個顆粒的Stoner-Wohlfarth模型，如果有效通量場成角的話，垂直記錄系統中單極寫頭可以表現出改善的轉變銳度(transitionsharpness)(即更好的場梯度和解析度)，實現更好的介質信噪比，且允許用於更高面密度磁記錄的更高矯頑場介質。已經研究了一種方法來傾斜磁場，該方法提供了與寫頭相鄰的尾磁屏蔽件以磁吸引來自寫極的場。
尾屏蔽件可以是浮置設計，其中磁尾屏蔽件不與寫頭的其他結構直接磁連接。來自寫極的磁場在屏蔽件中產生通量，其基本穿過磁介質行進回到寫頭的返回極。供選地，屏蔽件可以是縫合設計(stitched design)，其中屏蔽件與返回極磁連接。屏蔽件的各種尺寸對於尾屏蔽件正確操作是重要的。例如，當寫極到尾屏蔽件分隔(間隙)約等於頭到軟磁襯層間隔(HUS)且尾屏蔽件喉高大致等於寫極的道寬的一半時，有效通量場的有效成角或傾斜被優化。此設計以有效通量場為代價改善了寫場梯度。為了最小化損失到尾屏蔽件的有效通量場且仍實現所期望的效果，調節間隙和屏蔽件厚度以分別最小化在屏蔽件處的飽和及損失到屏蔽件的有效通量場。為了使尾屏蔽件最優地運行，尾屏蔽件間隙的厚度必須嚴格控制。因此，需要一種裝置或方法以在製造期間精確控制這樣的尾間隙厚度。
然而，垂直磁記錄系統的使用遇到了與磁介質的不期望的非故意寫入有關的挑戰。垂直記錄系統的磁介質產生了縱向記錄系統一般不遇到的與數據擦除有關的問題。磁介質包括薄的硬磁頂層和低矯頑力襯層。由於其低的矯頑力和較大尺寸，軟磁襯層非常易受磁場影響。
諸如上述的尾屏蔽件可以從寫極的展開區(flare region)拾取來自尾屏蔽件後面的方向(沿喉高方向)的雜散場。這些磁場與來自寫極的極尖部分的磁場結合可以在寫頭的道寬外的尾屏蔽件區域中導致磁飽和。該飽和可以導致在傳感器的道寬外側的區域中磁場從尾屏蔽件發射。這會引起稱為寬角道擦除(Wide Angle Track Erasure，WATER)的現象。
因此，需要一種尾屏蔽件設計，其能夠提供有效的所需場傾斜，同時還避免了不期望的對介質的非故意寫入例如寬角道擦除(WATER)。這樣的設計將優選使用現有製造工藝容易地實施而只有少量或沒有額外費用。
發明內容
本發明提供一種在用於垂直磁記錄的寫頭中使用的磁尾屏蔽件結構。該寫頭包括一結構，該結構具有朝向ABS設置的前邊緣和遠離ABS設置的背邊緣，該前邊緣和背邊緣之間的距離在該屏蔽件上任何給定位置定義喉高。該屏蔽件結構包括具有恆定喉高(TH2)的居中定位區域或部分，且包括位於第一和第二橫向外端的第一和第二外區域，該第一和第二外區域具有大於TH2的喉高(TH1)。第一和第二中間部分每個位於所述外部分之一與該中心部分之間。該中間部分每個具有錐形背邊緣，其定義變化的喉高。
每個中間部分的背邊緣可以定義隨著離該結構中心的橫向距離線性變化的喉高。該中間部分的每個的背邊緣可相對於ABS形成10至20或約15度的角，且可以從它遇到中心部分處的喉高TH2改變到它遇到各個外部分處的TH1。
喉高TH1可以是TH2的1.5至5倍且中心部分可具有0.8-1.0微米的橫向寬度(平行於ABS)。
根據本發明的屏蔽件的構造有利地提供了期望量的磁通阻斷從而防止來自屏蔽件的外部分的太多磁通到達屏蔽件的中心部分，中心部分處這樣的磁通會影響寫入。然而，中間區域的緩和逐漸增大的喉高有利地防止磁通聚集導致雜散場寫入或寬角道擦除(WATER)。
通過結合附圖閱讀下面對優選實施例的詳細描述，本發明的這些和其他特徵和優點將變得明顯，附圖中相似的附圖標記始終表示相似的元件。
為了充分理解本發明的本質和優點，以及優選使用模式，應結合附圖參考下面的詳細描述，附圖未按照比例繪製。
圖1是其中可實現本發明的盤驅動系統的示意圖；圖2是從圖1的線2-2取得的滑塊的ABS視圖，示出其上磁頭的位置；圖3是從圖2的線3-3取得的放大且逆時針旋轉90度的磁頭的剖視圖；圖4是根據本發明一實施例的磁頭的ABS視圖，從圖3的線4-4取得且旋轉180度；圖5-7是尾磁屏蔽件的俯視圖，示出使用這樣的尾磁屏蔽件遇到的挑戰；
圖8是尾屏蔽件的俯視圖，示出本發明一實施例；圖9是尾屏蔽件的俯視圖，示出本發明另一實施例。
具體實施例方式
下面的描述是關於目前構思的用於實施本發明的優選實施例。進行該說明以示出本發明的基本原理，而不是限制這裡要求保護的發明概念。
現在參照圖1，示出了實施本發明的盤驅動器100。如圖1所示，至少一個可旋轉磁碟112支承在心軸(spindle)114上且通過盤驅動器馬達118被旋轉。每個盤上的磁記錄是磁碟112上的同心數據道(未示出)的環形圖案形式。
至少一個滑塊113位於磁碟112附近，每個滑塊113支持一個或更多磁頭組件121。當磁碟旋轉時，滑塊113在磁碟表面122之上徑向進出移動，從而磁頭組件121可以存取磁碟的寫有所需數據的不同道。每個滑塊113藉助懸臂(suspension)115連到致動器臂119。懸臂115提供輕微的彈力，其偏置滑塊113倚著磁碟表面122。每個致動器臂119連到致動器裝置127。如圖1所示的致動器裝置127可以是音圈馬達(VCM)。該VCM包括在固定磁場中可移動的線圈，該線圈移動的方向和速度被由控制器129提供的馬達電流信號所控制。
盤存儲系統運行期間，磁碟112的旋轉在滑塊113和盤表面122之間產生對滑塊施加向上的力或舉力的氣墊(air bearing)。於是在正常運行期間該氣墊平衡懸臂115的輕微的彈力，並且支承滑塊113離開盤表面並且以小的基本恆定的距離稍微位於磁碟表面之上。
盤存儲系統的各種組元在運行中由控制單元129產生的控制信號來控制，例如存取控制信號和內部時鐘信號。通常，控制單元129包括邏輯控制電路，存儲裝置和微處理器。控制單元129產生控制信號從而控制各種系統操作，例如線123上的驅動馬達控制信號以及線128上的頭定位和尋道控制信號。線128上的控制信號提供所需的電流分布(current profile)，從而優化地移動並定位滑塊113到盤112上的所需數據道。寫和讀信號藉助記錄通道125傳達到和讀出自寫頭和讀頭121。
參照圖2，滑塊113中磁頭121的取向可以更詳細地被觀察。圖2是滑塊113的ABS視圖，可以看出包括感應寫頭和讀傳感器的磁頭位於滑塊的尾邊緣(trailing edge)。一般磁碟存儲系統的上述描述以及圖1的附圖僅用於示例。應顯然地，盤存儲系統可包括多個盤和致動器，每個致動器可支持多個滑塊。
現在參照圖3，示出用於在垂直磁記錄系統中使用的磁頭221。頭221包括寫元件302和讀傳感器304。讀傳感器優選是巨磁致電阻(GMR)傳感器且優選是電流垂直平面(CPP)GMR傳感器。CPP GMR傳感器尤其適合於在垂直記錄系統中使用。然而，傳感器304可以是其他類型的傳感器，例如面內電流(CIP)GMR傳感器或隧道結傳感器(TMR)或者某些其他類型的傳感器。傳感器304位於第一和第二磁屏蔽件306、308之間並與它們絕緣，且嵌在電介質材料307中。可以由例如CoFe或NiFe構成的磁屏蔽件吸收磁場，例如來自上道(uptrack)或下道數據信號的磁場，確保讀傳感器304僅檢測位於屏蔽件306、308之間的所需數據道。非磁電絕緣間隙層309可設置在屏蔽件308和寫頭302之間。
繼續參照圖3，寫元件302包括寫極310，其與磁成形層312磁連接且嵌入在絕緣材料311中。如圖4所示，寫極在氣墊面具有小橫截面且由具有高飽和矩的材料例如NiFe或CoFe構成。返回極層320由諸如CoFe或NiFe的磁材料構成且具有比寫極310顯著更大的平行於ABS表面的橫截面，如圖4所示。返回極314通過背間隙部分316與成形層312磁連接，如圖3所示。返回極314和背間隙316可由例如NiFe、CoFe或某些其他磁材料構成。
如圖3中的橫截面所示，導電寫線圈317在成形層312和返回極314之間穿過寫元件302。寫線圈317被電絕緣材料320圍繞，電絕緣材料320將線圈317的匝彼此電絕緣且將線圈317與周圍磁結構310、312、316、314電隔離。當電流經過線圈317時，所得磁場導致磁通流過返回極314、背間隙316、成形層312和寫極310。該磁通導致寫場321朝向相鄰磁介質發射。成形層312也被絕緣層321圍繞，其將成形層312與ABS分隔開。絕緣層320、321、311可以全部由相同材料例如氧化鋁(Al2O3)構成，或者由不同的電絕緣材料構成。
寫頭元件302還包括尾屏蔽件322。寫極310具有尾邊緣402和前導邊緣404。術語尾和前導是相對於使用寫頭302時沿數據道行進的方向。寫極310還優選具有第一和第二橫向相對側面406、408，其配置來定義在前導邊緣404的寬度，該寬度窄於在尾邊緣402的寬度，形成具有梯形形狀的寫極310。該梯形形狀在防止頭302位於盤上極外或內的位置時寫頭302的歪斜引起的相鄰道寫入方面是有用的。然而，寫極310的該梯形形狀對於實踐本發明不是必須的。
繼續參照圖4，磁尾屏蔽件322通過尾間隙412與寫極310分隔開，尾間隙412填充有非磁材料諸如Rh或氧化鋁。尾屏蔽件間隙構造為一厚度從而提供所需量的寫場傾斜，同時不引起將導致寫場性能損失的太多場洩漏至屏蔽件322。尾屏蔽件322可以由磁材料例如NiFe構成。
現在參照圖5，尾屏蔽件的俯視圖示出在垂直磁記錄系統中使用尾屏蔽件502遇到的挑戰。示出尾屏蔽件具有沿喉高方向測量的ABS邊緣504和背邊緣506。尾屏蔽件502在其中心具有較窄的喉高508且在其外端部展開為較高喉高510。寫極310在圖5中以虛線示出且在圖5所示的視圖中位於尾屏蔽件502之下。來自寫極310極尖的磁通512從寫極位於的中心行進到外端，在那裡該磁通可被屏蔽件吸收。然而，其他雜散磁場514可以從寫極的展開區516且甚至從下面的成形層312或線圈317(圖5未示出)發射。
這些雜散場可以與磁通312結合從而導致磁飽和，其又導致磁場518從屏蔽件502的ABS邊緣504發出。使情況更壞的是，磁通集中點例如窄的恆定展開區508遇到已展開區520的點能導致該發射場中的尖峰(spike)522。當然，該尖峰522是不期望的，因為它會導致前述寬面積道擦除(WATER)。
參照圖6，使場尖峰WATER問題惡化的是不能理想地進行尾屏蔽件502的構圖的事實。由於構圖和鍍工藝中的某些變化，會發生喉高的窄化和收縮，如位置602所示。另外，參照圖7，用於形成ABS 504的研磨工藝中的變化會導致研磨深度的變化，又導致例如在位置702的窄化和收縮。這又導致了場尖峰522的增大。
現在參照圖8，根據本發明一實施例的尾屏蔽件802示出為構造在寫極310之上，寫極310在屏蔽件802之下，到圖8的頁平面中。屏蔽件802由磁材料構成，例如但不限於NiFe。屏蔽件802優選關於中線804基本對稱，儘管某些變化和非對稱是可行的。屏蔽件800具有ABS邊緣806以及與ABS邊緣806相反的背邊緣808。該屏蔽件具有中心的、淺的恆定喉高部分810，展開的楔形中間區域812，以及深的恆定喉高外部分814。本領域技術人員將意識到，術語「喉高」指的是從ABS 806到屏蔽件800的背邊緣808的距離。
為了簡明，術語「橫向」將在這裡定義為指的是離中線804的距離(即到如圖8所示的右和左)。類似地，術語向前指的是朝向或超過ABS的方向(即朝向圖8的頁底部)。術語「背」指的是遠離ABS的方向(即喉高方向或朝向圖8所示的頁頂部)。
深的恆定喉高部分814形成在尾屏蔽件802的橫向向外部分，每個楔形部分812位於外恆定喉高部分814與中心淺恆定喉高部分810之間的橫向中間位置。
較深恆定喉高部分814優選具有喉高TH1，其是淺恆定喉高中心部分810的喉高TH2的1.5至5倍。淺恆定喉高部分優選從中線延伸0.4-0.5μm的距離。楔形部分812的背邊緣808優選相對於ABS 806形成10至20度或約15度角。
楔形部分提供的阻斷(choking)防止過多磁通進入TS中心部分，例如防止較大的外部分814可能拾取的雜散場。喉高的漸縮還避免飽和且防止過多負荷。外恆定喉高部分814提供足夠的屏蔽件區域以吸收來自中心部分810的期望的磁通，同時具有顯著受限的區域以防止外部分過多拾取雜散磁場。
現在參照圖9，在本發明一可行實施例中，屏蔽件900可以構造有錨墊902。錨墊902可以從屏蔽件900的端部延伸。可以在屏蔽件900的一端或者兩端上具有錨墊。錨墊902可以從外恆定喉高部分814的端部延伸例如5μm的距離904。錨墊部分902可以沿喉高方向延伸得比屏蔽件900的其餘部分顯著更遠，具有比TH1或TH2大的喉高TH3。錨墊向屏蔽件提供機械強度且防止屏蔽件902從其期望的位置移動。
雖然描述了各實施例，但是應理解，他們是以示例而不是限制的方式給出。落入本發明的範圍內的其他實施例也會對本領域技術人員變得顯然。因此，本發明的廣度和範圍不應局限於任何上述示例性實施例，而應僅根據所附權利要求及其等價物來定義。
權利要求
1.一種在垂直磁寫頭中使用的磁屏蔽件，該磁屏蔽件包括基本直的氣墊面ABS；中心區域；外區域；以及設置在該中心區域與該外區域之間的中間區域，其中該外區域具有定義從該ABS測量基本恆定的喉高TH1的背邊緣，該中心區域具有定義小於TH1的基本恆定的喉高TH2的背邊緣，該中間區域具有定義變化的喉高的背邊緣，該變化的喉高從朝向該中心區域的較小喉高漸變至朝向該外區域的較大喉高。
2.根據權利要求1的磁屏蔽件，其中該中間區域具有與所述中心區域的外端相遇的內端，且具有與該外區域的內端相遇的外端，且其中該中間區域的內端具有等於TH2的喉高且該中間區域的外端具有等於TH1的喉高。
3.根據權利要求2的磁屏蔽件，其中該中間區域具有從該中間區域的內端至該中間區域的外端線性變化的背邊緣。
4.根據權利要求1的磁屏蔽件，其中TH1是TH2的1.5-5倍。
5.根據權利要求1的磁屏蔽件，其中該屏蔽件關於中線基本對稱且其中該中心區域從該中線延伸0.4至0.5μm的距離。
6.根據權利要求1的磁屏蔽件，其中該屏蔽件具有中線且其中該中心區域從該中線延伸0.4至0.5μm的距離。
7.一種在垂直磁記錄頭中使用的磁尾屏蔽件，該屏蔽件包括設置在氣墊面ABS的前邊緣；中心區域，具有定義從該ABS測量的中心區域喉高TH2的背邊緣；第一和第二中間區域，從該中心區域的相對兩端橫向延伸，該中間區域的每個具有定義隨著離該中心區域的增大的距離而增大的喉高的背邊緣；以及第一和第二外區域，每個從該第一和第二中間區域之一橫向向外延伸，該外區域的每個具有定義從該ABS測量基本恆定的喉高TH1的背邊緣，TH1大於TH2。
8.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中TH1是TH2的1.5至5倍。
9.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中該中心區域具有0.8至1.0μm的橫向寬度。
10.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中該中間區域的每個具有定義從TH2線性變化至TH1的喉高的背邊緣。
11.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中該中間區域的每個具有從該中間區域遇到各該外區域處的TH1變化至該中間區域遇到該中心區域處的TH2的喉高。
12.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中該中間區域的每個具有從該中間區域遇到各該外區域處的TH1線性變化至該中間區域遇到該中心區域處的TH2的喉高。
13.根據權利要求1的磁屏蔽件，其中該中間區域具有相對於該ABS定義10至20度角的背邊緣。
14.根據權利要求7的磁尾屏蔽件，其中該中間區域的每個具有相對於該ABS定義10至20度角的背邊緣。
15.一種在垂直磁記錄系統中使用的磁寫頭，該寫頭包括具有尾邊緣的磁寫極；磁返回極，與該寫極磁連接；導電寫線圈，其一部分經過該返回極和該寫極之間；磁尾屏蔽件，與該寫極的尾邊緣相鄰地形成且通過非磁尾屏蔽件間隙層與該寫極的尾邊緣分隔開，該磁尾屏蔽件具有朝向該寫頭的氣墊面ABS設置的前邊緣、以及與該ABS相反的背邊緣、該屏蔽件具有有喉高TH2的中心部分、每個具有變化的喉高的第一和第二中間部分、以及具有基本恆定喉高TH1的第一和第二外部分，該第一和第二喉高從該ABS測量至該屏蔽件的背邊緣，TH1大於TH2，每個中間部分設置在外部分和該中心部分之間。
16.根據權利要求15的磁寫頭，其中每個中間部分具有從TH2線性改變至TH1的喉高。
17.根據權利要求15的磁寫頭，其中TH1是TH2的1.5-5倍。
18.根據權利要求15的磁寫頭，其中該中心部分具有0.8-1.0μm的橫向寬度。
19.根據權利要求15的磁寫頭，其中每個中間部分具有相對於該ABS形成10-20度角的背邊緣。
20.根據權利要求1 5的磁寫頭，其中每個中間部分具有相對於該ABS形成10-20度角的背邊緣且其中TH1是TH2的1.5至5倍。
21.根據權利要求1的磁寫頭，還包括從該外區域的外端橫向延伸的錨墊，該錨墊具有大於TH1的喉高TH3。
22.根據權利要求7的磁屏蔽件，還包括從該外區域的至少一個端部延伸的錨墊，該錨墊具有大於TH1的喉高TH3。
23.根據權利要求7的磁屏蔽件，還包括從該外區域的每個端部延伸的錨墊，該錨墊具有大於TH1的喉高TH3。
全文摘要
本發明提供一種在磁頭中使用的磁結構以避免寬角道擦除和其他形式的相鄰道幹擾。該磁結構包括尾屏蔽件，其具有與氣墊面ABS相反的特別構造的背邊緣。該磁屏蔽件在中心部分具有淺的基本恆定的喉高。此外，屏蔽件的背邊緣在位於中心部分兩側的第一和第二中間部分遠離ABS回縮。這些中間部分通向具有比在中心區域的喉高大的基本恆定喉高的第一和第二外部分。在該橫向外部分的每個處的喉高可以是該中心部分的喉高的1.5至5倍。該構造阻斷了可能被屏蔽件的外部分拾取的雜散場，防止了過多磁通到達屏蔽件的中心部分，該處其會影響寫入。另外，外部分的受限喉高(即外部分的背邊緣不保持遠離ABS回縮)防止了外部分拾取太多雜散磁場，同時還確保了存在足夠的磁材料來吸收使用期間來自寫極的期望磁場。
文檔編號G11B5/10GK101064110SQ20071010186
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月25日 優先權日2006年4月25日
發明者蕭文千, 徐一民, 弗拉迪米爾·尼基汀 申請人:日立環球儲存科技荷蘭有限公司