多放射線產生設備和放射線成像系統的製作方法

2023-06-02 20:29:01 3

多放射線產生設備和放射線成像系統的製作方法
【專利摘要】本發明涉及多放射線產生設備和放射線成像系統。根據本發明的多放射線產生設備包括布置成一行的多個放射線源。每個放射線源包括被配置為發射電子的電子源以及被配置為在收到從該電子源發射的電子時產生放射線的靶單元。放射線源中的至少一個是用於層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像兩者的兩用放射線源，並且其它放射線源是僅僅用於層析攝影合成成像的單用放射線源。
【專利說明】多放射線產生設備和放射線成像系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及可應用於例如在醫療設備和工業設備領域中使用的非破壞性X射線成像的多放射線產生設備，並且涉及使用多放射線產生設備的放射線成像系統。
【背景技術】
[0002]近年來，在諸如乳房造影法之類的放射線成像的領域中，層析攝影合成(tomosynthesis)成像已經被執行作為用於獲得被攝體的深度方向上的信息的技術。在層析攝影合成成像中，利用放射線從多個角度照射被攝體以便捕獲多個圖像。獲得的圖像被重構以便獲得截面的圖像。
[0003]通常，在層析攝影合成成像中，操作者通過在以相對於被攝體的在預定角度範圍(大約±7.5°到±25° )之內的一個角度移動放射線管的同時利用放射線照射被攝體來執行成像。
[0004]美國專利N0.8，094，773討論了三維的X射線圖像產生裝置。通過使用多個X射線源並且利用X射線從多個角度順序地照射被攝體，這個裝置在將X射線源維持在固定狀態中的同時執行層析攝影合成成像。另外，討論了一種裝置，其除了層析攝影合成成像X射線源之外還包括在層析攝影合成成像路徑之外的非層析攝影合成成像的X射線源。
[0005]包括在成像期間移動放射線管的設備具有問題。例如，假像被形成在圖像上。另外，由於需要時間 來進行機械移動，因此成像時間被延長。另外，放射線管的移動會給予對象害怕的感覺。
[0006]在臨床實踐中，存在其中使用層析攝影合成圖像和傳統的二維(2D)圖像(非層析攝影合成圖像)兩者的情況。這些2D圖像是有利的，這是因為2D圖像能提供比層析攝影合成圖像更高的空間解析度，並且醫療專家能利用多年的知識。因此，有效的是，使用層析攝影合成圖像來具體地觀察在2D圖像上顯得可疑的部分。
[0007]然而，如果分開地提供層析攝影合成成像的放射線源和非層析攝影合成成像的放射線源，則使得設備的配置複雜，由此提高設備的製造成本。另外，需要使層析攝影合成圖像和非層析攝影合成圖像彼此適當地關聯。因此，需要優化層析攝影合成成像的放射線源和非層析攝影合成成像的放射線源之間的位置關係，這是布局約束。

【發明內容】

[0008]本發明涉及具有更簡單的配置的可應用於層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像兩者的多放射線產生設備、以及使用該多放射線產生設備的放射線成像系統。
[0009]根據本發明一個方面，多放射線產生設備包括布置成一行的多個放射線源。每個放射線源包括被配置為發射電子的電子源以及被配置為在收到從該電子源發射的電子後產生放射線的靶單元。放射線源中的至少一個是用於層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像兩者的兩用放射線源，並且其它放射線源是僅僅用於層析攝影合成成像的單用放射線源。[0010]從以下參考附圖的示例性實施例的描述中本發明更多的特徵將變得清晰。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1A、圖1B和圖1C示出根據第一示例性實施例的多放射線產生設備。更具體地，圖1A是正面垂直截面圖，圖1B是底視圖，並且圖1C是兩用放射線源附近的放大截面圖。
[0012]圖2A、圖2B和圖2C示出根據第二示例性實施例的多放射線產生設備。更具體地，圖2A是正面垂直截面圖，圖2B是底視圖，並且圖2C是兩用放射線源附近的放大截面圖。
[0013]圖3是根據第三示例性實施例的兩用放射線源的靶單元的示意性截面圖。
[0014]圖4A和圖4B示出根據第四示例性實施例的多放射線產生設備。更具體地，圖4A是正面垂直截面圖並且圖4B是底視圖。
[0015]圖5A和圖5B不出根據第五不例性實施例的多放射線產生設備。更具體地，圖5A是正面垂直截面圖並且圖5B是底視圖。
[0016]圖6A和圖6B示出根據第六示例性實施例的兩用放射線源的靶單元周圍的配置。更具體地，圖6A和圖6B是示出屏蔽物的配置的示意性截面圖。
[0017]圖7是示出根據第七示例性實施例的靶單元的安裝配置的示意性截面圖。
[0018]圖8示出根據第八示例性實施例的放射線成像系統的配置。
[0019]圖9A和圖9B示出使用根據本發明的第八示例性實施例的放射線成像系統的成像方法。更具體地，圖9A示出層析攝影合成成像方法，而圖9B示出非層析攝影合成成像方法。
【具體實施方式】
[0020]下面將參考附圖來詳細描述本發明的各個示例性實施例、特徵以及方面。雖然在示例性實施例中X射線能被用作放射線，但是還可應用其它種類的放射線，諸如中子射線或者質子束。另外，在下文中，多放射線產生設備I將簡單地被稱為放射線產生設備I而多電子源4將簡單地被稱為電子源4。
[0021]如圖1A、圖1B和圖1C中所示出的，根據第一示例性實施例的放射線產生設備I包括多個放射線源2以及在發射電子時產生放射線的靶單元5，其中每個放射線源2具有發射電子的電子源4。另外，放射線產生設備I包括真空箱9。電子源4和靶單元5被以一定間隔排成一行。也就是說，放射線源2被布置成一行。在放射線源2之中，用於層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像兩者的放射線源在下文中將被稱為兩用放射線源2a。與此對t匕，僅僅用於層析攝影合成成像的放射線源在下文中將被稱為單用放射線源2b。雖然可以布置僅僅一個兩用放射線源2a作為中心放射線源，但是如果放射劑量不足，則可以將多個放射線源2用作兩用放射線源2a。如果布置多個兩用放射線源2a，則兩用放射線源2a的數量可以被設定為等於或小於放射線源2的總數的十分之一，以便實現設備成本的減少。特別地，兩用放射線源2a的數量能被設定為三個或更少個。另外，兩用放射線源2a能被布置在該行放射線源2中的中心處，以便於在非層析攝影合成成像期間將放射線照射到必需的區域。
[0022] 每個靶單元5包括靶層6a和襯底6b，並且靶層6a被形成在襯底6b的面向對應電子源4的那側上。當使得從電子源4發射的電子入射在靶5的靶層6a上時，從靶層6a產生放射線。產生的放射線通過對應襯底6b被發射到放射線產生設備I的外部。[0023]放射線產生設備I的內部被維持在減壓的大氣之下。放射線產生設備I內部的真空度至少在大約10-4到IO-SPa之間的範圍內。減壓的大氣能通過提供具有排氣管(未示出)的真空箱9來形成。為了維持必需的真空度，可以將吸氣劑(未示出)布置在放射線產生設備I內部。
[0024]對於每個電子源4，可以使用諸如鎢絲或者浸潰式陰極之類的熱陰極或者諸如碳納米管之類的冷陰極。提取電極(未示出)以及透鏡電極(未示出)可以被布置在每個放射線源2的電子源4附近。提取電極和透鏡電極被依次布置在對應的電子源4和對應的靶單元5之間。如果布置這些電極，則通過由提取電極形成的電場來促進來自電子源4的電子的發射，並且所發射的電子通過透鏡電極而被會聚並且被導致入射在靶單元5上。
[0025]具有高熔點和高放射線產生效率的材料可以被用作每個靶層6a的材料。例如，可以使用諸如鎢、鉭、鑰之類的材料或者這些材料的合金。每個靶層6a可以被形成為具有I到20 μ m的厚度。
[0026]支撐靶層6a並且具有用於密封放射線產生設備I的內部的足夠強度的材料可以被用作每個襯底6b的材料。另外，吸收較少的從靶層6a產生的放射線並且具有高導熱性的材料可以被使用，以使得從靶層6a產生的熱可以被快速釋放。例如，可以使用金剛石、矽碳化物、以及鋁氮化物。
[0027]屏蔽物7和8可以被布置在每個放射線源2的靶單元5周圍。當從靶層6a發射放射線時，這些屏蔽物7和8屏蔽不必要的放射線。被布置得比每個屏蔽物7更接近於對應電子源4的每個屏蔽物8與對應的靶層6a連通，並且具有使從電子源4發射的電子通過的通路孔10。被布置得比每個屏蔽物8更遠離電子源4的每個屏蔽物7具有發射孔11，該發射孔11確定從對應靶層6a發射到外部的放射線的發射角和發射方向(中心軸方向)。
[0028]從每個電子源4發射的電子經過對應屏蔽物8的通路孔10並且被發射到對應靶層6a。每個屏蔽物8屏蔽由對應靶層6a在對應電子源4方向上散射的所反射的電子以及放射線。另外，已經經過對應襯底6b的放射線經過對應屏蔽物7的發射孔11。在不必要的方向上行進的放射線被屏蔽物7屏蔽，並且經由發射孔11發射到預定的區域。可以使用具有高放射線吸收和高導熱性的材料作為屏蔽物7和8的材料。例如，可以使用諸如鎢、鉭或者銅之類的金屬材料。在圖1A、圖1B和圖1C中，分開地示出為每個放射線源2布置的屏蔽物7和8。然而，這些屏蔽物7和8可以被一體化地形成以便整個地改善屏蔽物7和8的熱導率。
[0029]在層析攝影合成成像中，放射線被從不同的角度發射到被攝體的照射表面上的單個區域。也就是說，利用放射線從多個角度照射被攝體。角度的數量等於放射線源2的數量，其中每個放射線源2包括電子源4和靶層6a的組合。每個發射孔11被形成為使得從對應靶層6a發射的放射線被發射到照射表面上的單個區域。也就是說,每個發射孔11被形成為使得每個柱狀的發射孔11的中心軸的方向根據每個發射孔11的位置而改變。例如，假設布置在該行放射線源2的中心的發射孔11的中心軸匹配電子束沿著其通過的軸，形成為更接近於該行放射線源2的兩端的發射孔11的中心軸被形成為朝向中心傾斜。結果，從所有放射線源發射的錐形束形狀的放射線的中心軸可以在照射表面上的單個點處相交。
[0030]屏蔽物8和屏蔽物7可以被一體化地形成。
[0031]根據第二示例性實施例的基本配置類似於根據第一示例性實施例的基本配置。然而，當在相同的條件下照射電子時，兩用放射線源2a的靶單元5的電子照射表面經歷比單用放射線源2b的靶單元5的電子照射表面所經歷的溫度升高更小的溫度升高。更具體地，如圖2C中所示出的，兩用放射線源2a的靶單元5的襯底6b被形成為比單用放射線源2b的靶單元5的襯底6b更厚。
[0032]當使得電子入射在靶層6a上時，大部分入射能被轉換為熱。因此，可以使得入射在靶層6a上的電子的數量(電流量)由靶層6a的耐熱性和放熱特性限制。在本示例性實施例中，由每個靶層6a產生的熱經由對應的襯底6b以及對應的屏蔽物7和8被釋放到放射線產生設備I的外部。因為兩用放射線源2a的襯底6b比作為其它放射線源2的單用放射線源2b的襯底6b厚，所以由靶層6a產生的熱經由襯底6b被更快速地傳送到屏蔽物7和8。因此，當在相同的條件下將電子發射到靶層6a時，作為電子照射表面的靶層6a經歷比單用放射線源2b的靶層6a更小的溫度升高。結果，可以引起更大電流量入射在靶層6a上。
[0033]通常，襯底6b可以被形成為具有0.05到IOmm的厚度。根據本示例性實施例的兩用放射線源2a的靶單元5的襯底6b的厚度根據襯底6b的材料而改變。然而，在上述厚度範圍之內，厚度可以被設定為單用放射線源2b的靶單元5的襯底6b的厚度的大約1.5到5倍。所有放射線源2的襯底6b可以被形成為具有與兩用放射線源2a的襯底6b的厚度相同的厚度。然而，通過僅僅增大兩用放射線源2a的襯底6b的厚度，可以避免製造成本的不必要的增大。
[0034]根據本示例性實施例，可以將比可以被供應給單用放射線源2b的靶單元5的電流量更大的電流量供應給兩用放射線源2a的靶單元5。
[0035]圖3示出用於在相同的條件下照射電子時使得根據第三示例性實施例的兩用放射線源2a的靶單元5的電子 照射表面的溫度升高小於單用放射線源2b的靶單元5的電子照射表面中的每一個的溫度升高的另一個配置。兩用放射線源2a的襯底6b的直徑被形成為大於單用放射線源2b的襯底6b中的每一個的直徑。如上所述，金剛石、矽碳化物、鋁氮化物等可以被用作每個襯底6b的材料。這些材料具有比屏蔽物7和8的金屬材料的導熱性更高的導熱性。因此，通過增大襯底6b的直徑，可以增大靶層6a的放熱特性，由此可以使得更大的電流量入射在靶層6a上。
[0036]襯底6b的直徑的最佳範圍可以基於放射線的聚焦直徑、放射線源2的間隔、襯底6b的製造成本和製造易加工性等來確定。通常，直徑可以被設定為大約I到10mm。兩用放射線源2a的襯底6b的直徑根據襯底6b的材料而改變。通常，直徑可以被設定為單用放射線源2b的襯底6b中的每一個的直徑的大約1.5到5倍。所有放射線源2的襯底6b可以被形成為具有與兩用放射線源2a的襯底6b的直徑相同的直徑。然而，通過僅僅增大兩用放射線源2a的襯底6b的直徑，可以避免製造成本的不必要的增大。
[0037]根據第四示例性實施例的基本配置類似於根據第一示例性實施例的基本配置。然而，如圖4A和圖4B中所示出的，兩用放射線源2a的屏蔽物7和8被形成為在與靶單元5的行以及電子入射的方向垂直的方向上比單用放射線源2b的屏蔽物7和8厚。由每個靶層6a產生的熱經由對應的襯底6b以及對應的屏蔽物7和8被釋放到放射線產生設備I的外部。通過如上所述增大兩用放射線源2a的屏蔽物7和8的厚度，熱被各向同性地並且廣泛地擴散。也就是說，放熱特性被改善。另外，因為屏蔽物7和8的熱容量增大，所以溫度升高被減少。因此，可以使得更大電流量入射在靶層6a上。[0038]兩用放射線源2a的屏蔽物7和8的在與靶單元5的行以及電子入射的方向垂直的方向上的厚度可以被設定為比由靶層6a產生的熱被傳遞的距離L (熱傳遞距離L)更大的值。這個熱傳遞距離L由以下公式(I)表示。
[0039]L=KtX λ )/(CX P )}0.5…(I)
[0040]熱傳遞距離L是通過使用在非層析攝影合成成像期間的平均成像時間t、屏蔽物7和8的導熱率λ、屏蔽物7和8的比熱C以及屏蔽物7和8的密度P來計算的。
[0041]所有放射線源2的屏蔽物7和8可以被形成為在與靶單元5的行以及電子入射的方向垂直的方向上更厚。然而，通過僅僅增大兩用放射線源2a的屏蔽物7和8的厚度，可以避免製造成本以及重量的不必要的增大。
[0042]根據第五示例性實施例的基本配置類似於根據第一示例性實施例的基本配置。然而，如圖5A和圖5B中所示出的，放熱鰭(fin) 12連接到兩用放射線源2a的屏蔽物7和8。鰭12可以被布置在屏蔽物7和8的表面以及至少真空箱9的外側上。
[0043]通過將鰭12連接到兩用放射線源2a的屏蔽物7和8，屏蔽物7和8的放熱特性增大，並且靶層6a的溫度升高被進一步減少。因此，可以使得更大電流量入射在靶層6a上。
[0044]諸如銅或者鋁之類的材料可以被用作鰭12的材料。另外，鰭12可以被與屏蔽物7和8—體化地形成。所有放射線源2的屏蔽物7和8可以連接到各自的鰭12。然而，通過僅僅將鰭12連接到兩用 放射線源2a的屏蔽物7和8，可以避免製造成本以及重量的不必要的增大。
[0045]在圖6A中，根據第六示例性實施例的兩用放射線源2a的屏蔽物8的通路孔10在其中通路孔10與靶單元5接觸的位置處具有比單用放射線源2b的屏蔽物8的通路孔10中的每一個的直徑更小的直徑。在圖6B中，兩用放射線源2a的屏蔽物8的發射孔11在其中發射孔11與靶單元5接觸的位置處具有比單用放射線源2b的屏蔽物8的發射孔11中的每一個的直徑更小的直徑。可替代地，兩用放射線源2a的屏蔽物8可以被形成為具有圖6A和圖6B中的兩種配置。
[0046]對於兩用放射線源2a，減少了在電子被發射到其的靶層6a的位置(產熱位置)和對應的屏蔽物7和/或對應的屏蔽物8之間的距離。因此，因為靶層6a產生的熱被快速傳送到屏蔽物7和/或屏蔽物8，所以靶層6a的放熱特性被進一步增大。結果，可以使得更大電流量入射在靶層6a上。
[0047]基於例如聚焦直徑、對於不必要的放射線的屏蔽性能、電子源4和放射線源2之間的對準的精度，為通路孔10的直徑和發射孔11的直徑設定合適的值。如果通路孔10和/或發射孔11的直徑被減少，則對於電子源4和放射線源2之間的對準要求高精度。因此，可以僅僅對於兩用放射線源2a減少通路孔10和/或發射孔11的直徑。以這種方式，僅僅對於兩用放射線源2a要求高度精確的對準。
[0048]根據圖7中示出的第七示例性實施例的兩用放射線源2a的靶單元5被相對於電子入射的方向傾斜地布置。另外，作為其它放射線源2的單用放射線源2b的靶單元5與電子入射的方向垂直地布置。通過相對於電子入射的方向傾斜地布置靶單元5，入射在靶單元5上的每一單位面積的電流密度可以被減少。因此，可以使得更大電流量入射在靶單元5上。兩用放射線源2a的靶單元5可以被相對於電子入射的方向傾斜大約30°到60°地布置。所有放射線源2的靶單元5可以如兩用放射線源2a的靶單元5的情況一樣被傾斜地布置。然而，通過僅僅傾斜地布置兩用放射線源2a的靶單元5，可以避免製造成本的不必要的增大。
[0049]第八示例性實施例涉及其中應用在第一到第七示例性實施例中描述的放射線產生設備的放射線成像系統。
[0050]圖8示出放射線成像系統的配置。系統控制設備22執行放射線產生設備I和放射線檢測設備21之上的協同控制。在系統控制設備22的控制下，設備控制單元20將各種控制信號輸出到放射線產生設備I。這些控制信號控制從放射線產生設備I發射的放射線的狀態。從放射線產生設備I發射的放射線經過被攝體25並且被檢測器26檢測。放射線檢測設備21將檢測到的放射線轉換成圖像信號並且將圖像信號輸出到信號處理單元24。在系統控制設備22的控制下，信號處理單元24對圖像信號執行預定的信號處理，並且將經處理的圖像信號輸出到控制設備22。基於經處理的圖像信號，系統控制設備22將用於使得顯示裝置23顯示圖像的顯示信號輸出到顯示裝置23。基於顯示信號，顯示裝置23在屏幕上顯示圖像作為被攝體25的捕獲圖像。
[0051]接下來，將參考圖9A和圖9B描述使用根據本示例性實施例的放射線成像系統的層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像。放射線成像系統具有層析攝影合成成像模式和非層析攝影合成成像模式。在層析攝影合成成像模式中，從被布置成一行的放射線源2(例如，參見圖1A、圖1B和圖1C)順序地發射放射線。在非層析攝影合成成像模式中，放射線被僅僅從兩用放射線源2a (例如，參見圖1A、圖1B和圖1C)發射。
[0052]如圖9A中所示出的，在層析攝影合成成像模式中，放射線被從包括例如圖1A、圖1B和圖1C中示出的兩用放射線源2a的多個放射線源2順序地發射到被攝體25。已經經過被攝體25的放射線被檢測器26檢測，並且多個圖像被捕獲。多個捕獲圖像由信號處理單元24重構並且截面的圖像被形成。如圖9B中所示出的，在非層析攝影合成成像模式中，放射線被從兩用放射線源2a發射到被攝體25。已經經過被攝體25的放射線被檢測器26檢測，並且信號處理單元24形成2D圖像。
[0053]根據本示例性實施例的放射線成像系統可以在不改變放射線源2的位置的情況下連續地執行層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像。另外，用於兩種類型成像的兩用放射線源2a被配置為供應比每個單用放射線源2b更大的電流量到對應靶單元5。因此，可以減少成像時間。供應給靶單元5的電流的量可以通過使得系統控制設備22控制施加在對應電子源4和對應靶單元5之間的加速電壓來調節。例如，在層析攝影合成成像模式中，第一加速電壓被施加在每個放射線源2的靶單元5和電子源4之間。與此對比，在非層析攝影合成成像模式中，與第一加速電壓不同的第二加速電壓被施加在兩用放射線源2a的靶單元5和電子源4之間。通過把比第一加速電壓更大的值設定給第二加速電壓，可以將比供應給單用放射線源2b的靶單元5中的每一個的電流量更大的電流量供應給兩用放射線源2a的靶單元5。
[0054]另外，通過在電子源4和靶單元5之間布置提取電極(未示出)並且使得系統控制設備22控制施加到提取電極的電壓，可以調節供應給靶單元5的電流的量。例如，在層析攝影合成成像模式中，第一電壓被施加在每個放射線源2的提取電極和電子源4之間。與此對比，在非層析攝影合成成像模式中，與第一電壓不同的第二電壓被施加在兩用放射線源2a的提取電極和電子源4之間。通過把比第一電壓更大的值設定給第二電壓，可以將比供應給單用放射線源2b的靶單元5中的每一個的電流量更大的電流量供應給兩用放射線源2a的靶單元5。
[0055]根據本發明的示例性實施例，通過把多個放射線源中的至少一個配置為兩用放射線源，可以製造具有更小尺寸的放射線產生設備。另外，因為兩用放射線源被布置在其中兩用放射線源可以被用於非層析攝影合成成像和層析攝影合成成像兩者的位置處，所以層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像可以在不改變放射線源的位置的情況下連續地被執行。
[0056]通常，層析攝影合成成像中的總放射劑量近似等於非層析攝影合成成像中的總放射劑量。因此，例如，在使用單個兩用放射線源時，在非層析攝影合成成像期間從這個兩用放射線源發射的放射劑量至少為在層析攝影合成成像期間從單個放射線源發射的放射劑量的十倍到幾十倍。結果，在非層析攝影合成成像中，為了獲得必需的放射劑量需要更多的成像時間。
[0057]根據本發明的示例性實施例，在相同的條件下照射電子時，兩用放射線源的靶單元的電子照射表面被配置為經受比僅僅發射用於層析攝影合成成像的放射線的單用放射線源的靶單元中的每一個經受的溫度升高更小的溫度升高。以這種方式，在非層析攝影合成成像期間更大的電流量可以被供應給兩用放射線源的靶單元並且產生的放射劑量可以被增大。結果，可以縮短成像時間。
[0058] 雖然已經參考示例性實施例描述了本發明，但是應當理解，本發明不限於所公開的示例性實施例。以下權利要求的範圍將被給予最寬的解釋從而包括所有這樣的修改、等同的結構與功能。
【權利要求】
1.一種多放射線產生設備，包括: 布置成一行的多個放射線源， 其中每個放射線源包括被配置為發射電子的電子源以及被配置為在接收到從所述電子源發射的電子時產生放射線的靶單元，以及 其中放射線源中的至少一個是用於層析攝影合成成像和非層析攝影合成成像兩者的兩用放射線源，並且其它放射線源是僅僅用於層析攝影合成成像的單用放射線源。
2.根據權利要求1所述的多放射線產生設備，其中，在相同的條件下照射電子時，兩用放射線源的靶單元的電子照射表面被配置為具有比單用放射線源的每個靶單元的電子照射表面的溫度升高更小的溫度升高。
3.根據權利要求2所述的多放射線產生設備，其中兩用放射線源的靶單元具有比單用放射線源的靶單元中的每一個的放熱特性更高的放熱特性。
4.根據權利要求2或3所述的多放射線產生設備， 其中靶單元包括襯底以及被形成在面向電子源那側的襯底一側上的靶層，以及 其中兩用放射線源的靶單元的襯底比單用放射線源的靶單元中的每一個的襯底厚。
5.根據權利要求2或3所述的多放射線產生設備， 其中靶單元包括襯底以及被形成在面向電子源那側的襯底一側上的靶層，以及其中兩用放射線源的靶單 元的襯底具有比單用放射線源的靶單元的襯底中的每一個的直徑更大的直徑。
6.根據權利要求2所述的多放射線產生設備， 其中兩用放射線源的靶單元被相對於電子入射的方向傾斜地布置，以及 其中單用放射線源的靶單元中的每一個被相對於電子入射的方向垂直地布置。
7.根據權利要求1所述的多放射線產生設備， 其中放射線源中的每一個還包括布置在對應的靶單元周圍的屏蔽物， 其中，在電子源的一側，屏蔽物具有電子通過的通路孔，以及 其中，在電子源的相對側，屏蔽物具有允許靶單元產生的放射線發射到預定區域的發射孔。
8.根據權利要求7所述的多放射線產生設備，其中兩用放射線源的屏蔽物在與靶單元的行以及電子入射的方向垂直的方向上比單用放射線源的屏蔽物中的每一個厚。
9.根據權利要求7所述的多放射線產生設備，其中放熱鰭連接到兩用放射線源的屏蔽物。
10.根據權利要求7所述的多放射線產生設備，其中兩用放射線源的屏蔽物的通路孔或者發射孔在其中通路孔或者發射孔與靶單元接觸的位置處具有比單用放射線源的屏蔽物的每個通路孔或者發射孔的直徑更小的直徑。
11.根據權利要求7所述的多放射線產生設備，其中放射線源的屏蔽物被一體化地形成。
12.—种放射線成像系統，包括: 根據權利要求1所述的多放射線產生設備； 放射線檢測設備，被配置為檢測已經從多放射線產生設備發射並且已經經過被攝體的放射線；以及系統控制設備，被配置為執行放射線產生設備和放射線檢測設備之上的協同控制。
13.根據權利要求12所述的放射線成像系統，其中放射線成像系統具有其中從布置成一行的放射線源順序地發射放射線的層析攝影合成成像模式和其中僅僅從兩用放射線源發射放射線的非層析攝影合成成像模式。
14.根據權利要求13所述的放射線成像系統，其中系統控制設備執行控制使得，在層析攝影合成成像模式中將第一加速電壓施加在每個放射線源的靶單元和電子源之間，並且在非層析攝影合成成像模式中將與第一加速電壓不同的第二加速電壓施加在兩用放射線源的靶單元和 電子源之間。
【文檔編號】A61B6/03GK104000616SQ201410065369
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月26日 優先權日:2013年2月26日
【發明者】田村美樹, 上田和幸 申請人:佳能株式會社