減少布線數量的顯示裝置及其製造方法
2023-06-02 20:46:21 4
專利名稱:減少布線數量的顯示裝置及其製造方法
技術領域:
本發明涉及一種顯示裝置及其製造方法,尤其涉及一種減少布線數量的顯示裝置。
背景技術:
近來,有機發光二極體(OLED)裝置已經在平板顯示器產業中引起了人們的高度關注和興趣。其中一些引起高度關注和興趣的原因是這樣的優點,例如功耗低、重量輕、外形薄、視角寬、響應速度高等。根據驅動模式,OLED通常分為無源矩陣型和有源矩陣型。無源矩陣型可通過相對簡單的製作工藝製成,但具有不利方面為能耗隨著顯示區域和解析度的增大而急劇增加。基於這些不利,無源矩陣型主要應用於小型顯示裝置。較大型顯示裝置通常使用有源矩陣型OLED,有源矩陣型OLED的能耗不會隨尺寸而急劇增加。但是有源矩陣型OLED要求複雜的製作工藝。
OLED基板包括多個驅動薄膜電晶體。形成像素的陽極和提供參考電壓的陰極形成在薄膜電晶體上。當電壓施加於兩個電極時,空穴和電子在電極之間的層中組合形成激子。這些激子在位於電極之間的發光層中躍遷至基態時發光。OLED通過控制發光來顯示期望的圖像。
為了形成像素,典型的OLED包括連接數據線的開關電晶體和連接於電源線的驅動電晶體。此外,OLED可包括用於補償數據電壓或用於施加參考電壓的多重補償電晶體。但是每個附加電晶體要求單獨的布線來傳送其信號。這種對單獨布線的需求增加了布線數量,從而使基板的製作工藝複雜化並降低了開口率。
發明內容
因此,本發明提供一種比傳統顯示裝置具有更少電線的顯示裝置及其製造方法。
本發明的特徵通過以下描述會更加顯著,也可通過本發明的實施獲悉。
一方面,本發明的顯示裝置包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,該薄膜電晶體包括第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體。該顯示裝置還包括形成在第一薄膜電晶體上的分隔壁,該分隔壁具有使該數據布線暴露的接觸孔,該顯示裝置還包括通過該接觸孔電連接於該數據布線的陰極。
又一方面,本發明的顯示裝置包括多個信號線,多個連接於該信號線的薄膜電晶體,多個電連接於該薄膜電晶體的像素電極,分隔壁,以及公共電極。其中該分隔壁分隔相鄰的像素電極,並具有使該薄膜電晶體中的一個薄膜電晶體暴露的接觸孔。該公共電極通過該接觸孔電連接於該薄膜電晶體。
又一方面,本發明的顯示裝置包括多個薄膜電晶體和公共電極。其中該薄膜電晶體電連接於數據布線。該公共電極的至少一部分接觸該數據布線。
本發明的顯示裝置也可包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體。多個第一電極電連接於該薄膜電晶體。第二電極形成在至少兩個該第一電極上,該第二電極連接於該數據布線。
又一方面,本發明的顯示裝置包括絕緣基板,多個形成在該絕緣基板上並電連接於數據布線的薄膜電晶體,以及形成在該絕緣基板的大致整個表面上並電連接於該數據布線的電極。
又一方面,本發明的顯示裝置包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,形成在該薄膜電晶體上的發光層,以及形成在該發光層上的電極。其中該電極電連接於該數據布線。該發光層能夠響應於來自該薄膜電晶體的信號而發光。
又一方面,本發明的顯示裝置包括電連接於數據布線的薄膜電晶體陣列,形成在該薄膜電晶體上的分隔壁,以及形成在該分隔壁上的電極。其中該分隔壁將該薄膜電晶體陣列分隔成像素區。該電極電連接於該數據布線。
又一方面,本發明的顯示裝置包括像素電極,驅動電晶體,參考電壓電晶體,分隔壁以及公共電極。其中該驅動電晶體電連接於該像素電極。該參考電壓電晶體能夠向該驅動電晶體施加參考電壓。形成在該參考電壓電晶體上的分隔壁具有使該參考電壓電晶體的電極暴露的接觸孔。該公共電極通過該接觸孔電連接於該電極。
又一方面,本發明提供一種製造顯示裝置的方法。該方法包括形成多個薄膜電晶體和數據布線,在該薄膜電晶體上形成分隔壁,以及形成陰極。該分隔壁具有使該數據布線暴露的接觸孔。該陰極通過該接觸孔電連接於該數據布線。
應該理解以上概括描述和以下具體描述都是典型性和解釋性的,並試圖對本發明的權利要求提供進一步解釋。
本發明的以上和/或其它方面和益處通過以下典型實施例的描述並結合附圖會變得更加顯著並更加容易理解,其中圖1是按照本發明第一實施例的顯示裝置的剖面圖;圖2A-2C描述了按照本發明的第一實施例的顯示裝置的製造方法;圖3示意性地表示按照本發明第二實施例的顯示裝置;圖4是沿圖3的IV-IV線的剖面圖;圖5是沿圖3的V-V線的剖面圖;圖6是按照本發明的第二實施例的像素的等效電路圖。
圖7是按照本發明第三實施例的像素的等效電路圖。
具體實施例方式
下面對本發明的實施例進行詳細參考,結合附圖闡述其示例,其中相同的參考標號全部表示相同的元件。下面參照附圖描述實施例。
圖1是按照本發明第一實施例的顯示裝置的剖面圖。圖2表示圖1的顯示裝置的製造方法。儘管該實施例的顯示裝置將被描述為有機發光二極體(OLED),但這不是對本發明的限制,該發明構思可適用於其它類型的顯示裝置。
如圖所示,該顯示裝置包括由例如玻璃、石英、陶瓷或塑料的絕緣材料形成的基板10,以及形成在基板10上的第一薄膜電晶體(TFT)200和第二薄膜電晶體(TFT)300。第一薄膜電晶體200具有柵極210、漏極220和源極230。類似地,第二薄膜電晶體300具有柵極310、漏極320和源極330。漏極220、320和源極230、330在這裡統稱為「數據電極」。第一TFT 200包括使漏極220暴露的分隔壁40以及電連接於暴露的漏極220的陰極800。此外,第二TFT 300包括電連接於源極330的像素電極700以及形成在像素電極700上的發光層50。
這裡使用的術語「柵極布線」指金屬布線,包括用於施加柵極信號的柵極線(未示出)以及TFT 200的柵極210和TFT 300的柵極310。術語「數據布線」指金屬布線,包括與柵極布線絕緣的用於施加數據信號的數據線(未示出)以及TFT 200和TFT 300的數據電極。根據實施例,柵極布線和數據布線還可包括附加元件。
柵極布線可形成在多重層中,每層中的材料補償另一層中金屬/合金的缺陷,從而獲得期望的物理特性的結合。例如,柵極布線可構建於兩層中由鋁或鋁合金形成的下層和由鉻、鉬、鉬鎢或鉬鎢氮化物形成的上層。下層使用具有低電阻率的鋁或鋁合金,以改善由布線電阻引起的信號電阻。由於鋁或鋁合金通常不具有強抗化學腐蝕性,因此僅使用鋁或其合金的布線可能被氧化和破裂。為了補償這種缺陷,上層由具有良好抗化學腐蝕性的材料形成,例如鉻、鉬、鉬鎢或鉬鎢氮化物。近來,鉬(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎢(W)等已經被廣泛用作布線材料。
柵極絕緣膜20形成在柵極210和柵極310上。柵極絕緣膜20由氮化矽(SiNx)等製成,並覆蓋柵極210和柵極310。
此外,半導體層240、340形成在具有柵極210和柵極310的柵極絕緣膜20上。歐姆接觸層242、342形成在半導體層240、340上。半導體層240、340由氫化非晶矽等製成,歐姆接觸層242、342由摻雜有高濃度n型雜質的n+氫化非晶矽製成。這裡,各個歐姆接觸層242、342被分為兩部分,柵極210和柵極310位於它們之間。
漏極220、320和源極230、330即數據電極形成在歐姆接觸層242、342上。類似於柵極布線,包括這些數據電極的數據布線可形成在多重層中,其中一層用於補償另一層的缺陷。在數據布線具有多層結構的典型情況下,其形成為三層鉬(Mo)、鋁(Al)和鉬(Mo)。這裡,歐姆接觸層242、342用於降低半導體層240、340以及源極230、330和漏極220、320的接觸電阻。
保護膜30形成在包括TFT 200和TFT 300的數據布線上。保護膜30具有使第一TFT 200的漏極220暴露的接觸孔250和使第二TFT 300的源極330暴露的接觸孔350。保護膜30由含氮化矽(SiNx)的材料形成。接觸孔250和接觸孔350優選地形成在作為數據布線一部分的數據電極上,但不限於形成在上述漏極220或源極330上。也就是說,根據是否通過源極或漏極施加驅動TFT的驅動電壓,接觸孔可形成在不同位置。在該實施例中,接觸孔250和接觸孔350形成在將數據電壓施加於像素電極700的源極330中,並形成在接收負電壓的漏極220中。
像素電極700通過形成在保護膜30中的接觸孔350連接於第二TFT 300的源極330。像素電極700用作陽極,向發光層50提供帶正電的空穴。
第二TFT 300為驅動電晶體,向像素電極700施加數據電壓。也就是說,第二TFT 300通過漏極320接收數據電壓,漏極320是數據布線(未示出)的分支。當柵極310接通時,所接收的數據電壓通過半導體層340被傳輸至源極330,最終被傳輸至像素電極700,從而施加於發光層50。
由有機材料製成的分隔壁40形成在TFT 200和TFT 300上。分隔壁40分隔相鄰的像素電極700,以避免在像素電極700之間發生短路。分隔壁40還分隔各個像素區域。與連接於像素電極700的第二TFT 300的漏極320不同,第一TFT 200的漏極220不被分隔壁40完全覆蓋。通過移除保護膜30和分隔壁40的一部分而形成的接觸孔250位於漏極220上。接觸孔250將第一TFT 200的漏極220與陰極800直接相連,以便使漏極220接收施加於陰極800的電壓。
陰極800位於發光層50上,並基本上在基板10的整個表面上方形成。陰極800通常為不透明材料,例如鋁(Al)或銀(Ag)。陰極800由具有低功函的金屬材料形成,使電子平滑地注入發光層50,但在某些實施例中,可由透明導電材料形成(如同在像素電極700中)。在透明材料用於陰極800的場合,可在基板10中雙向地發光。在陰極800由不透明材料形成的場合,主要朝向基板10發光。
第一TFT 200從陰極800接收TFT驅動電壓,而不是從在基板10上形成的單獨的布線接收TFT驅動電壓。這種結構消除了對單獨的布線的需求,在傳統顯示裝置中,單獨的布線用於驅動第一TFT 200。公共電壓,又稱參考電壓,施加於陰極800,一般作為零伏參考點或負電壓。OLED裝置需要許多TFT,以利用施加於發光層50的電壓產生圖像,或者施加期望電平的參考電壓。無論何時形成附加TFT,都需要附加布線以向TFT傳輸驅動信號。此外,存在特殊的TFT,其需要施加於陰極800的公共電壓,還需要形成單獨的公共電壓布線。
在按照本發明的顯示裝置中,施加於陰極800的電壓可用作公共電壓。這樣,無須在基板10上形成單獨的公共電壓布線。從陰極800接收的電壓不一定必須是公共電壓,並且只要陰極800可操作地連接於TFT的數據電極,從陰極800接收的電壓可用作另一類型的電壓。
儘管沒有說明,但OLED可進一步包括用於保護陰極800的保護膜和用於避免溼氣和空氣進入發光層50的包封構件。
下面參照圖2A至圖2C解釋按照本發明第一實施例的製造顯示裝置的方法。
首先,如圖2A所示,TFT 200和TFT 300形成在基板10上。TFT 200和TFT 300可通過任意合適的公知技術進行製造,它們的溝道由非晶矽形成。此後,保護膜30形成在TFT 200和TFT 300上。在保護膜30由氮化矽形成的情況下,保護膜30可通過化學氣相沉積工藝形成。然後,保護膜30通過光刻工藝刻蝕以形成使第二TFT 300的源極330和第一TFT 200的漏極220暴露的接觸孔350、250。形成接觸孔350後,像素電極700形成並連接於源極350。像素電極700可通過這樣的方式形成,即銦錫氧化物(ITO)通過濺射技術產生氣相沉積並形成圖形。像素電極700向發光層提供正電荷空穴,因此像素電極700也稱陽極。
此後,如圖2B所示,有機材料氣相沉積在TFT 200和TFT 300上,以形成分隔壁40。然後,分隔壁40通過光刻工藝刻蝕以形成使第一TFT 200的漏極220暴露的接觸孔250。漏極220上的接觸孔250通過兩道刻蝕工藝形成的,例如,一道形成保護膜30,另一道形成分隔壁40。陰極800形成之後,接觸孔250使漏極220連接於陰極800。分隔壁40的形成使其橫截面面積隨著與基板10的距離而減小,並被放置來與像素電極700分離。
然後,如圖2C所示,發光層50形成在像素電極700的未被分隔壁40覆蓋的區域上。發光層50包括能發出紅光、藍光、綠光等的有機材料,且發出彩色光的發光層50的部分順序形成在像素電極700的陣列上,從而每個像素具有一種顏色。
有機材料包括高分子量和低分子量材料,不同技術用於形成不同材料。在高分子量材料的情況下,發光層50可使用噴墨法,其中液體通過噴嘴流出,或者使用噴嘴塗覆或旋轉塗覆技術,其中利用溶於溶劑的墨水。在低分子量材料的情況下,可使用掩膜蒸發各個顏色。
為了促進正電荷空穴的移動,空穴注入層或空穴傳輸層可進一步形成在像素電極700和發光層50之間。電子注入層或電子傳輸層可進一步形成在發光層50上。
此後,陰極800形成在發光層50上,從而得到圖1的顯示裝置。
下面參照圖3至圖6解釋本發明的第二實施例。圖3表示按照本發明第二實施例的薄膜電晶體基板的排列。圖4和圖5分別是沿圖3的IV-IV線和V-V線的剖視圖。圖6是像素的等效電路圖。
如圖所示,該實施例的顯示裝置包括柵極布線(下面所述的元件110、120、125、410、510和610)、數據布線(下面所述的元件130、140、420、520、620、430、530和630)、開關電晶體、驅動電晶體、恢復電晶體以及像素電極700。柵極布線、數據布線以及形成像素電極700和橋電極155、455和665的透明材料層位於不同層中。為了清楚地理解本發明,同一層中形成的元件用相同粗細的線表示。在下層中形成的某些元件儘管不出現在實際基板上,但如果必要,也被顯示出來。
柵極布線110、120、125、410、510和610包括在第一方向上延伸的柵極線110,與柵極線110平行的用於施加恢復接通(recovery-on)電壓的恢復線120,用於向電源線130施加驅動電壓的驅動電壓施加線125,以及各個電晶體的柵極410、510和610。恢復線120在沿第一方向上彼此相鄰的像素電極700之間成對排列,並向恢復薄膜電晶體的柵極610施加恢復接通電壓。
在該實施例中,數據布線包括與柵極線110交叉的電源線130、接收數據電壓的數據線140以及各個電晶體的漏極420、520、620和源極430、530、630。
電源線130和數據線140相互平行地形成並與柵極線交叉以形成矩形像素區。每個像素區中具有像素電極700,電源線130和數據線140交替排列在兩個像素電極700之間。因此,在像素A、B、C、D、E排列在第一方向上時,電源線130位於像素A、B之間和像素C、D之間。數據線140位於像素B、C之間和像素D、E之間。
通常,一個像素電極700連接於一條電源線和一條數據線。然而,在本發明的該實施例中,單條的電源線130由兩個像素電極700共用。也就是說,在電源線130兩側上的兩個像素電極700通過單條的電源線130接收其驅動電壓。這種減少的線結構簡化了製作工藝,且施加電壓的區域減小從而減輕了電磁幹擾。此外,由於減少的線結構增大了像素電極700的面積,從而改善了開口率。
驅動電壓施加線125和驅動電壓施加線130通過第一橋電極155相互電連接,第一橋電極155將分別使驅動電壓施加線125和驅動電壓施加線130暴露的接觸孔150a、150c和接觸孔150b相互連接。第一橋電極155以及第二橋電極455、第三橋電極665(下面進行說明)一般地由透明導電材料形成,例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、無定形銦錫氧化物(a-ITO)、無定形銦鋅氧化物(a-IZO)等。
數據線140a和140b在相鄰的像素電極700之間成對排列。數據線140a和140b間接連接於其各自相鄰的像素電極700以提供數據電壓。數據線140a和140b的排列不限於該實施例。例如,各個單獨的數據線可在相鄰的像素電極700之間一個接一個地排列,而不是成對排列。然而,不管採取何種具體的排列,連接於數據線140a和140b的開關電晶體和連接於電源線130的驅動電晶體相互電連接。
開關電晶體包括構成柵極線110的一部分的柵極410、從數據線140a和140b分出的漏極420、與漏極420分離的源極430、形成在漏極420和源極430之間的半導體層440。接觸孔450a和450b形成在開關電晶體的源極430和驅動電晶體的柵極510上,它們通過第二橋電極455相互電連接。
驅動電晶體由柵極510、漏極520、源極530和半導體層540組成,其中柵極510形成在電源線130下的層上,漏極520形成在柵極510上並構成電源線130的一部分,源極530與漏極520分離並延伸至像素區,半導體層540形成在漏極520和源極530之間。半導體層540在與電源線130相同的方向上延伸。源極530具有與像素電極700相連的接觸孔550。
如圖5的放大圖所示,恢復電晶體包括柵極610、漏極620和源極630和半導體層640,其中柵極610形成恢復線120的一部分,漏極620和源極630組成數據布線,半導體層640形成在漏極620和源極630之間。單個的漏極620在兩個恢復線120上方延伸,接觸孔650形成在漏極620上。
圖4是沿圖3的IV-IV線橫向截取的漏極620的剖面圖。如圖4所示,柵極絕緣膜20形成在基板10上,構成數據布線的漏極620形成而無柵極布線。柵極絕緣膜20和漏極620的一部分由保護膜30和分隔壁40覆蓋。使漏極620暴露的接觸孔650形成在漏極620上。接觸孔650通過移除部分保護膜30和分隔壁40而形成。通過該接觸孔650,漏極620物理連接並電連接於陰極800。通常,為了向漏極620施加負電壓,負電壓施加線單獨地位於恢復線120之間。這樣,布線變複雜,且開口率減小。通過消除對單獨的負電壓施加線的需求,本發明的實施例避免了這些問題。在該實施例中,漏極620通過陰極800接收負電壓。這簡化了顯示裝置的製造過程,同時可有效地應用陰極800。
圖5是沿圖3的V-V線垂直截取的恢復薄膜電晶體的剖面圖。源極630和漏極620彼此跨過柵極610而形成。這裡,柵極610形成恢復線120的一部分。兩個恢復薄膜電晶體共用一個漏極620,該漏極620提供有接觸孔650。如圖4所示,漏極620直接連接於陰極800。
像素電極700形成在像素區的保護膜30上。像素電極700經通過接觸孔550的連接從源極530接收圖像信號。接觸孔710(見圖3)被提供給電容器Cst,並將像素電極700與驅動電晶體的柵極510電連接。電容器Cst存儲對應於數據電壓和驅動電壓之間的差值的電壓,並在一幀期間維持恆定的電壓。
圖6是按照本發明的第二實施例的像素的等效電路圖。下面參照圖6解釋電晶體之間的信號傳輸。
首先,施加於柵極線110的柵極接通電壓被傳輸至開關電晶體的柵極410。隨著柵極410接通,來自數據線140a和140b的數據電壓從漏極420流向源極430。開關電晶體的源極430通過接觸孔450a、450b和第二橋電極455電連接於驅動電晶體的柵極510。
驅動電晶體利用接收數據電壓的柵極510調整漏極520和源極530之間的電流。通過源極530施加於像素電極700的電壓對應於數據電壓和驅動電壓之間的差值。漏極520將該電壓差施加於像素電極700。
電容器Cst存儲對應於數據電壓和驅動電壓之差的電壓,以便施加於驅動電晶體的柵極510的數據電壓和施加於像素電極700的電流在一幀期間保持恆定。
為了避免剩餘電流累積在驅動電晶體中,恢復電晶體向驅動電晶體施加反向電壓。恆定的驅動電壓施加於驅動電晶體的漏極520,這可能導致剩餘電流的累積。這種累積會干擾圖像信號正確地傳輸到像素電極700。為了避免這種問題,反向電壓施加於驅動電晶體,以釋放所累積的電流。換句話說,反向偏置電壓施加於流經驅動電晶體的電流。
柵極接通電壓施加於柵極線110之後,恢復接通電壓施加於恢復線120。當恢復電晶體通過恢復接通電壓被接通時,從陰極800施加的反向電壓通過漏極620和源極630被傳輸至驅動電晶體的柵極510。通常,約為零(0)伏的公共電壓施加於陰極800。但是按照本發明的該實施例,負電壓(即反向電壓)施加於陰極800。如果公共電壓為負電壓,則數據電壓和公共電壓之間的電壓差增大。這種電壓差的增大是有益的,因為它允許表達更多的色彩。
圖7是按照本發明第三實施例的像素的等效電路圖。如圖7所示,開關電晶體和驅動電晶體的電路的設置與圖6的實施例的方式基本相同。但是在該實施例中,像素不具有用於向像素電極700施加負電壓的恢復電晶體。為了將穩定的數據電壓施加於發光層,該實施例的像素包括連接於驅動電晶體的源極530的參考電壓電晶體。
參考電壓電晶體在施加數據電壓之前將期望的參考電壓施加於驅動電晶體的源極530。當作為參考電壓的驅動電壓Vdd恆定時,數據電壓以穩定的方式施加於發光層。然而,當數據電壓增大時,驅動電壓也會增大。當這種情況發生時,數據電壓不會正確地施加於發光層。提供參考電壓的參考電壓電晶體的存在避免了驅動電壓和數據電壓一起增大,並使恆定電壓維持在發光層的端子中。在這種情況下,零(0)伏的參考電壓或不變的參考電壓施加於參考電壓電晶體。在該實施例中,陰極800連接於參考電壓電晶體並應用施加於陰極800的公共電壓。陰極800電連接於基板上的薄膜電晶體而無須用於施加參考電壓的單獨布線。
如上所述,本發明提供了一種顯示裝置及其製造方法,其中可減少要在基板上形成的布線。
儘管已經示出並描述了本發明的一些典型實施例,但本領域普通技術人員應該理解,可以對這些實施例進行改變而不偏離本發明的原則和精神,其範圍被限定在權利要求及其等同特徵之中。
權利要求
1.一種顯示裝置,包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,所述薄膜電晶體包括第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體,所述數據布線包括數據線和數據電極;分隔壁,形成在所述第一薄膜電晶體和所述第二薄膜電晶體的至少部分上,並具有使所述數據布線暴露的接觸孔;以及通過所述接觸孔電連接於所述數據布線的陰極。
2.如權利要求1所提出的顯示裝置,進一步包括電連接於所述第二薄膜電晶體的像素電極;以及形成在所述像素電極上的發光層,響應於施加在所述像素電極上的信號而發光。
3.如權利要求1所提出的顯示裝置,其中所述分隔壁分隔相鄰的像素電極。
4.一種顯示裝置,包括多條信號線;多個連接於所述信號線的薄膜電晶體;多個電連接於所述薄膜電晶體的像素電極;分隔壁,分隔相鄰的像素電極並具有使所述薄膜電晶體中的一個薄膜電晶體暴露的接觸孔;以及通過所述接觸孔電連接於所述薄膜電晶體的公共電極。
5.如權利要求4所提出的顯示裝置,其中負電壓施加於所述公共電極。
6.如權利要求4所提出的顯示裝置,進一步包括形成在所述像素電極上的發光層,所述發光層能夠響應於施加到所述像素電極上的信號而發光。
7.如權利要求4所提出的顯示裝置,其中所述薄膜電晶體為恢復電晶體,用於將反向電壓施加於所述像素電極,並且所述接觸孔形成在所述恢復電晶體的電極上。
8.如權利要求7所提出的顯示裝置,其中所述電極包括源極和漏極中的一個。
9.如權利要求7所提出的顯示裝置,進一步包括恢復線,用於將恢復接通電壓施加於所述恢復電晶體。
10.如權利要求4所提出的顯示裝置,其中所述信號線包括柵極線,施加柵極接通電壓;數據線,施加數據電壓並基本上垂直於所述柵極線延伸;以及電源線,用於向所述像素電極施加驅動電壓。
11.如權利要求10所提出的顯示裝置,其中所述電源線基本上平行於所述數據線延伸。
12.如權利要求10所提出的顯示裝置,其中所述薄膜電晶體包括開關電晶體,位於所述柵極線和所述數據線的交叉點;驅動電晶體,用於驅動所述像素電極。
13.如權利要求9所提出的顯示裝置,進一步包括施加柵極接通電壓的柵極線,其中所述恢復線與所述柵極線位於同一層上。
14.如權利要求4所提出的顯示裝置,其中所述發光層包括聚合物。
15.一種顯示裝置,包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,其中所述數據布線包括數據線和數據電極;以及公共電極,其中所述公共電極的至少一部分接觸所述數據布線。
16.一種顯示裝置,包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,其中所述數據布線包括數據線和數據電極;多個電連接於所述薄膜電晶體的第一電極;以及形成在至少兩個所述第一電極上的第二電極,所述第二電極連接於所述數據布線。
17.一種顯示裝置,包括絕緣基板;多個形成在所述絕緣基板上並電連接於數據布線的薄膜電晶體,其中所述數據布線包括數據線和數據電極;以及形成在該絕緣基板的大致整個表面上並電連接於所述數據布線的電極。
18.一種顯示裝置,包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,其中所述數據布線包括數據線和數據電極;形成在所述薄膜電晶體上的發光層,所述發光層能夠響應於來自所述薄膜電晶體的信號而發光;以及形成在所述發光層上並電連接於所述數據布線的電極。
19.一種顯示裝置,包括電連接於數據布線的薄膜電晶體陣列,其中所述數據布線包括數據線和數據電極;形成在所述薄膜電晶體上的分隔壁,其中所述分隔壁將所述薄膜電晶體陣列分隔成像素區;以及形成在所述分隔壁上並電連接於所述數據布線的電極。
20.一種顯示裝置,包括像素電極;電連接於所述像素電極的驅動電晶體;用於向所述驅動電晶體施加參考電壓的參考電壓電晶體;分隔壁,形成在所述參考電壓電晶體上並具有使所述參考電壓電晶體的電極暴露的接觸孔;以及通過所述接觸孔電連接於所述電極的公共電極。
21.如權利要求20所提出的顯示裝置,其中所述電極包括源極和漏極的其中一個。
22.如權利要求20所提出的顯示裝置,進一步包括形成在所述像素電極上的發光層。
23.如權利要求22所提出的顯示裝置,其中所述發光層包括聚合物。
24.一種製造顯示裝置的方法,所述方法包括形成多個薄膜電晶體和數據布線;在所述薄膜電晶體上形成分隔壁,所述分隔壁具有使所述數據布線暴露的接觸孔;以及通過所述接觸孔形成電連接於所述數據布線的陰極。
25.如權利要求24所提出的方法,進一步包括形成所述薄膜電晶體之後,形成電連接於所述薄膜電晶體的像素電極;以及在所述像素電極上形成發光層。
全文摘要
本發明提供了一種減少電線數量的顯示裝置以及製造這種顯示裝置的方法。該顯示裝置包括多個電連接於數據布線的薄膜電晶體,其中該數據布線包括數據線和數據電極;分隔壁,形成在該薄膜電晶體上,並具有使該數據布線暴露的接觸孔;以及通過該接觸孔電連接於該數據布線的陰極。
文檔編號H01L21/768GK1897297SQ20061012125
公開日2007年1月17日 申請日期2006年6月30日 優先權日2005年6月30日
發明者洪尚美, 鄭光哲, 金南德 申請人:三星電子株式會社