一種芍藥切花促成栽培方法
2023-06-28 18:56:01
專利名稱：一種芍藥切花促成栽培方法
技術領域：
本發明涉及花卉栽培技術領域，具體的說，涉及一種芍藥切花促成栽培方法。
技術背景
芍藥屬芍藥科芍藥屬植物，多年生宿根草本植物，其花大色豔，花型豐富，自古以 來深受我國人民喜愛，是我國的傳統名花。早在《詩經)》中就有關於芍藥的記載「維士與 女，伊其相墟，贈之以芍藥」，因此，芍藥也是中國古代的定情之花。芍藥自然花期集中在5 月份，而進行促成栽培即可使芍藥提前至1 2月份開花。這期間集中了我國最重要的傳 統節日——春節和備受年輕人熱捧的情人節。芍藥花朵碩大，奼紫嫣紅，且品種名多吉祥之 意，如『大富貴』，『紫鳳朝陽』等。人們祈盼吉祥如意的節日氣氛，使其春節開花更能增加歡 快熱鬧，而且芍藥是中國傳統的定情之花，在歐美也早已多作為婚禮用花的切花栽培，將舶 來的情人節和中國傳統「情花」——苟藥結合起來，慶祝浪漫之日，更是充滿新意。顯然，有必要利用栽培技術使芍藥的花期提前，一般來說影響催花質量的關鍵點 在於1、植株是否充分解除休眠；2、是否大量生根；3、是否滿足開花條件。目前芍藥催花生 產中往往因為不能完全滿足上述條件而致使催花失敗。另外，針對進行芍藥切花的促成栽培，滿足切花所需要的枝長也是極為重要的。常 規芍藥切花採收的時候是在原枝基部保留3 5片葉子，用來進行光合作用。由於芍藥催 花可能使植株矮化或枝葉生長不繁茂，因此如果按普通切花採收方法採切，將會有許多切 花枝長無法達到質量標準，所以常規方法不適合在切花促成栽培中使用。
發明內容
本發明的目的是提供一種芍藥切花促成栽培的方法，該方法一方面克服了傳統芍 藥催花開花質量差的缺點，另一方面能夠保證芍藥切花的枝長，為芍藥切花的促成栽培提 供便利。本發明所述的芍藥切花促成栽培的方法以下述步驟實現選取3 4年生、花芽飽 滿的芍藥植株，將種苗在0 4°C下冷藏30 60天解除花芽休眠，然後在種苗根部噴液；隨 後上盆，每盆澆濃度為200mg/L 500mg/L的赤黴素溶液，然後經過溫室培養60 90天， 當萌芽長到5 IOcm時，適當去除無蕾芽，最後從花枝根部進行採切。所述的芍藥切花促成栽培方法中，根部噴液是採用多菌靈可溼性粉劑和生根粉的 混合溶液噴淋種苗根部，該混合溶液中，多菌靈可溼性粉劑的濃度以市售的50%多菌靈可 溼性粉劑計算為500 1000mg/L ；生根粉(ABT)的濃度為100 200mg/L。所述的芍藥切花促成栽培方法中，溫室培養措施中，植株萌動期至萌發期，晝夜溫 度分別為白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝葉生長期、展葉期和顯蕾期，為白天15 20°C， 晚上10 12°C ；透色期和開花期，為白天20 25°C，晚上14 15°C ；整個生長期溼度要 求在60% 80%之間，並用日光燈補光，早晚各補光2小時，光照500-10001UX。所述的芍藥切花促成栽培方法中，所述赤黴素溶液的用量為每盆澆250ml赤黴素溶液，其中每盆栽有一個種苗；一般採用直徑30cm，高度35cm的盆進行栽培。所述的芍藥切花促成栽培方法中，在溫室培養過程中注意澆水，澆水量為澆透水， 並保持花盆溼潤，不可過幹或過溼。所述的芍藥切花促成栽培方法中，每株種苗含3 8個花芽。所述的芍藥切花促 成栽培方法中，適當去除無蕾芽為保留2 3個無蕾芽，其它除去。所述的芍藥切花促成栽培方法中，芍藥為盆栽芍藥。 所述的芍藥切花促成栽培方法中，芍藥的栽培基質可採用本領域常用的各種栽培 基質，優選的，可採用草炭珍珠巖陶粒雞糞的體積比為3 1 0. 5 0. 5的栽培基 質。在本發明的方法中，冷藏和赤黴素的配合使用可以使植株充分打破休眠；而生根 粉對先冷藏後上盆的植株有良好的生根效果，使植株能吸收更多養分，滿足芍藥正常生長 的需求；溫室管理以及適當的澆水可促使和保證芍藥開花正常、花大色豔，另外，赤黴素也 有提高開花質量的作用；去除部分無蕾芽後，利用剩餘無蕾芽發育的葉子進行光合作用，可 以為從原株基部採切切花後的母株提供營養；最後，從基部採切的切花枝長比起按常規方 法採切的切花枝長一般要長10 15cm，這在一定程度上彌補了促成栽培對芍藥株高的不 良影響。利用本方法進行栽培的芍藥『大富貴』切花枝長可達55cm，花徑9. 8cm ； 『粉玉奴』 切花枝長可達到48cm，花徑10. 7cm。本發明解決了常規催花芍藥對冷庫面積的要求和因催花芍藥植株矮小，開花質量 差而影響切花質量等問題，大大提高了切花芍藥的觀賞價值和商品價值，同時操作簡單，成 本較低，為芍藥切花的標準化生產提供了依據。
具體實施例方式以下實施例用於說明本發明，但不用來限制本發明的範圍。如無特別指明，本發明 所用的各種藥品、器皿等均為市售；採用的栽培基質為草炭珍珠巖陶粒雞糞的體積 比為3 1 0. 5 0.5的栽培基質。實施例1芍藥『大富貴』切花的促成栽培選取3 4年生、花芽飽滿的『大富貴』植株，將種苗在0 4°C下冷藏35天解除 花芽休眠，然後用含有50%多菌靈可溼性粉劑800mg/L和100mg/L生根粉ABT的混合溶液 噴淋根部；上盆，每盆1株種苗，2小時後澆透水，次日，每盆澆200mg/L赤黴素溶液250ml，溫
室培養，按照芍藥生長發育規律進行日常管理。所述溫室培養時，植株萌動期至萌發期，晝夜溫度分別為白天17 18°C，晚上5 6°C;枝葉生長期、展葉期和顯蕾期，為白天15 20°C，晚上10 12°C;透色期和開花期，為 白天20 25°C，晚上14 15°C ；整個生長期溼度要求在60% 80%之間，並用日光燈補 光，早晚各補光2小時，光照500lux。當萌芽長到8cm左右時，保留2個無蕾芽，其餘無蕾芽摘除，以便將花枝從根部採 切後仍有葉片進行光合作用為母根儲存養分。在花蕾透色，外層花瓣鬆動時，將花枝從根部 進行採切。利用本方法進行栽培的芍藥『大富貴』成花率可達72%，切花枝長可達55cm，花徑9. 8cm。同時，除了每盆澆100mg/L赤黴素溶液250ml之外，使用相同的步驟對『大富貴』進 行切花促成栽培。其結果表明，使用赤黴素濃度不在本發明範圍內的該對比促成栽培時，成 花率為40%，切花枝長為54cm，花徑9. 4cm,其栽培效果遠不如使用配方濃度範圍以內的赤 黴素溶液所進行的促成栽培。另外，除了摘除無蕾芽，採切時保留下部1 2片複葉進行採切之外，使用相同的 步驟對『大富貴』進行切花促成栽培。其結果，全部摘除無蕾芽，採切時保留下部1 2片 複葉剪取的該對比促成栽培，切花枝長僅為40. 6cm，其切花效果 遠不如適當保留無蕾芽，並 最後從花枝根部進行採切所進行的促成栽培。實施例2芍藥『蓮臺』切花的促成栽培選取3 4年生、花芽飽滿的『蓮臺，植株，將種苗在O 4°C下冷藏42天解除花 芽休眠，然後用含有50%多菌靈可溼性粉劑1000mg/L和200mg/L生根粉ABT的混合溶液噴 淋根部。上盆，每盆1株種苗，2小時後澆透水，次日，每盆澆400mg/L赤黴素溶液250ml，然
後按照芍藥生長發育規律進行日常管理。所述的芍藥切花促成栽培方法中，溫室培養措施中，植株萌動期至萌發期，晝夜溫 度分別為白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝葉生長期、展葉期和顯蕾期，為白天15 20°C， 晚上10 12°C ；透色期和開花期，為白天20 25°C，晚上14 15°C ；整個生長期溼度要求在60 % 80 %之間，並用日光燈補光，早晚各補光2小時，光 照 lOOOlux。當萌芽長到5 IOcm時，保留2個無蕾芽，其餘無蕾芽摘除，以便將花枝從根部採 切後仍有葉片進行光合作用為母根儲存養分。在花蕾透色，外層花瓣鬆動時，將花枝從根部 進行採切。利用本方法進行栽培的芍藥『蓮臺』成花率可達95%，切花枝長可達到53. 3cm，花 徑 12. 8cm。同時，除了每盆澆100mg/L赤黴素溶液250ml之外，使用相同的步驟對『蓮臺』進 行切花促成栽培。其結果，使用赤黴素濃度不在本發明範圍內的該對比促成栽培時，成花率 為85%，切花枝長為45. 1cm，花徑12. 0cm，其栽培效果遠不如使用配方濃度範圍以內的赤 黴素溶液所進行的促成栽培。另外，除了全部摘除無蕾芽，採切時保留下部1 2片複葉進行採切之外，使用相 同的步驟對『蓮臺』進行切花促成栽培。其結果，全部摘除無蕾芽，採切時保留下部1 2片 複葉剪取的該對比促成栽培，切花枝長僅為42cm，其切花效果遠不如適當保留無蕾芽，並最 後從花枝根部進行採切所進行的促成栽培。顯然，利用本發明的方法，解決了常規催花芍藥對冷庫面積的要求和因催花芍藥 植株矮小，開花質量差而影響切花質量等問題，大大提高了切花芍藥的觀賞價值和商品價 值，同時操作簡單，成本較低，為標準化生產提供了依據。
權利要求
一種芍藥切花促成栽培的方法，其特徵在於，選取3～4年生、花芽飽滿的芍藥植株，將種苗在0～4℃下冷藏30～60天解除花芽休眠，然後在種苗根部噴液；隨後上盆，每盆澆濃度為200mg/L～500mg/L的赤黴素溶液，然後經過溫室培養60～90天，當萌芽長到5～10cm時，適當去除無蕾芽、最後從花枝根部進行採切。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述根部噴液是採用多菌靈可溼性粉劑和 生根粉的混合溶液噴淋種苗根部。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述混合溶液中，多菌靈可溼性粉劑的濃度 以50%多菌靈可溼性粉劑計為500 1000mg/L ；生根粉的濃度為100 200mg/L。
4.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述溫室培養如下進行，植株萌動期至萌發 期，晝夜溫度分別為白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝葉生長期、展葉期和顯蕾期，為白天 15 20°C，晚上10 12°C ；透色期和開花期，為白天20 25°C，晚上14 15°C。
5.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，溫室培養期間，整個生長期溼度要求在 60% 80%之間，並用日光燈補光，早晚各補光2小時，光照500-10001UX。。
6.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述赤黴素溶液的用量為每盆澆250ml赤黴 素溶液，其中每盆栽有一個種苗。
7.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述每株種苗含3 8個花芽。
8.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述適當去除無蕾芽為保留2 3個無蕾 芽，其它除去。
9.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述的芍藥為盆栽芍藥。
10.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，芍藥的栽培基質是草炭珍珠巖陶粒 雞糞的體積比為3 1 0.5 0.5的栽培基質。
全文摘要
本發明涉及一種芍藥切花促成栽培的方法。該方法包括以下步驟選取3～4年生、花芽飽滿的芍藥植株，將種苗在0～4℃下冷藏30～60天解除花芽休眠，然後在種苗根部噴液；隨後上盆，每盆澆濃度為200mg/L～500mg/L的赤黴素溶液，然後經過溫室培養60～90天，當萌芽長到5～10cm時，適當去除無蕾芽、最後從花枝根部進行採切。本發明解決了常規催花芍藥對冷庫面積的要求和因催花芍藥植株矮小，開花質量差而影響切花質量等問題，大大提高了切花芍藥的觀賞價值和商品價值，同時操作簡單，成本較低，為標準化生產提供了依據。
文檔編號A01G1/00GK101861822SQ20101019939
公開日2010年10月20日 申請日期2010年6月7日 優先權日2010年6月7日
發明者於曉南, 張啟翔, 成仿雲, 王歷慧 申請人:北京林業大學