一種液晶顯示裝置的製造方法及其tft完成基板的製作方法

2023-06-07 16:59:46 2

專利名稱：一種液晶顯示裝置的製造方法及其tft完成基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體元件及製造方法，尤其涉及薄膜電晶體液晶顯示裝置的 製造方法及TFT完成基板，該TFT完成基板上設置有多個液晶顯示面板單元。
背景技術：
液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯 示器，具有低功耗、外型薄、重量輕以及低驅動電壓等特徵。液晶顯示器模塊主 要由液晶顯示面板和背光模塊所構成。其中，液晶顯示面板通常是由薄膜電晶體 陣列基板(TFT基板)、彩色濾光膜基板(CF基板)以及設置於兩者之間的液晶 層所構成。而背光模塊用以提供上述液晶顯示面板所需的面光源，以使液晶顯示 模塊達到顯示的效果。TFT基板可分為顯示區域(display Area)和外圍電路 (peripheral circuit area)，其中顯示區域包含以陣列結構排列的多個子像素單元， 每個子像素單元包括一個或者多個薄膜電晶體以及與之連接的像素電極。此外， 在外圍電路與顯示區域內設置有多條掃描線與數據線，其中每一個像素單元的薄 膜電晶體由對應的掃描線與數據線所控制。液晶顯示面板通常會因為外在因素，例如連續的製程操作以及搬運或者環境變 化等，而在面板內產生靜電積累的現象。由於玻璃本身是絕緣物質，因此除非有 適當的放電通道，否則靜電荷會一直停留在基板表。如此一來，當靜電電荷積累 到一定數量以後，便可能因為靜電放電，而導致TFT基板上的電路或者是薄膜晶 體管本身遭到破壞。如何以靜電放電防護的措施解決基板帶電的問題，是液晶面 板製程特別是大尺寸液晶面板製程當中非常重要的課題。如圖1所示，是公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之一種。如圖 所示，是對陣列基板的薄膜電晶體像素進行電性檢測的一種布線結構，同時也可 以起到預防靜電的效果。具體方式為利用多條測試電路線(第一、第二數據短路 線l、 2，第一、第二柵極短路線3、 4)分別連接奇數條之柵極配線、偶數條之柵 極配線、奇數條之數據配線、偶數條之數據配線，並且由測試電路之輸入端(arraytest pad)輸入測試信號，再以非接觸式的電光模塊作為信號接收端，以判斷薄膜 電晶體是否工作正常。這些測試用的電路線分別並聯柵極配線和數據配線的奇數 以及偶數條，在一定程度上可以分攤靜電帶來的影響，減少靜電破壞的發生。靜 電防護方面，這樣的電路面板切斷之後就會被去除，因此這樣的措施對陣列階段 之後的製程缺少靜電防護作用；即使在陣列階段，這些測試線由於要與柵極線和 數據線跨接，需要做在不同的層別上，因此彼此之間的導通需要到最後打孔之後 的ITO金屬成膜之後才能完成，也就是說，在最後一道製程ITO成膜之前，陣列 工藝製程對於靜電破壞處於完全無防護狀態。如圖2所示，是公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之另一種。如 圖所示，在陣列基板的有效顯示區域和周邊電路之間放置內部抗靜電環(inner short ring) 20或者外部抗靜電環(out short ring)，通過兩個反向的二極體結構把發生 在局部區域的靜電疏導到整個面板迴路當中去，以降低靜電破壞發生的概率。但 是這種防護措施也有其缺陷，因為它是靠兩個反向的電晶體來工作，因此其靜電 防護必須在電晶體的整體結構完成之後才能生效，也就是說，與前一種製程技術 相似，在ITO金屬成膜之前的整個陣列製程中，這種結構並不能防止靜電破壞的 產生。如圖3所示，是公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之一種。如圖 所示，把掃描線和數據線的末端製作成尖銳的形狀，並於掃描線或者數據線的末 端相對處放置一梳齒型金屬帶5，梳形金屬帶5 —般採取浮置方式，金屬帶5的梳 齒末端也製作成尖銳的形狀，並於掃描線或者數據線的尖銳末端相對。末端製作 成尖銳形狀的作用是可以將玻璃基板上存在的靜電荷，通過尖端處易於放電的效 應，將靜電電荷自玻璃基板上釋放出來，從而達到靜電放電防護的效果。其更進 一步的做法是在兩尖端相對處放置一半導體襯底6以代替原來的絕緣膜，以此來 增大導通電流，改善放電效果。但是這樣的防護方式也有其缺點，就是兩個尖端 之間的距離不好控制，距離太遠導致放電困難，失去防護效果，距離太近會發生 配線之間的短路，而造成面板的不良。發明內容地形成，有效增加液晶顯示裝置製造過程中的靜電保護。本發明為解決上述技術問題而採用的液晶顯示裝置的製造方法，其TFT基板 製作步驟包括提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的第一金屬層信號配線和靜電保護走線，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層，對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，靜電保護走線和/或第一金屬層信號配線 要與第二金屬層配線重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域 覆蓋的光刻膠具有第一高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度， 第一高度大於第二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉靜電保護走線要與數據線重疊互 連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然 後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第 二金屬互連圖形。作為實施方式之一，所述的靜電保護走線可以由設置於外圍測試電路區的短路棒走線充任，其製作步驟包括提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區， 在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試電路區的柵極配線和測試電路區內要與數據配線連接的第一、第二數據短路棒走線，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層， 對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，使測試電路區內柵極配線要與柵極短路棒重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域以及兩層短路棒要重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠具有第一高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度，第一高度大於第 二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉測試電路區內柵極配線的要與柵 極短路棒重疊電連接的區域以及、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域兩 層短路棒要重疊互連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然 後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第 二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試 電路區的數據配線和第一、第二柵極短路棒走線。所述的第一、第二數據短路棒走線分別與奇數條和偶數條之數據配線電連接， 所述的第一、第二柵極短路棒走線分別與奇數條和偶數條之柵極配線電連接。所述TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，而 每個面板的陣列測試焊盤組可以是彼此獨立的，也可以是使用輔助用保護配線把 所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相連接。而作為另一種實施方式，所述的靜電保護走線為一網絡狀第一金屬層走線， 其相互連接成網絡狀並與每一個面板的柵極配線、數據配線相連接，其製作步驟 包括提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從 液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的柵極配線和面板外圍區域內網 絡狀的靜電保護走線，延伸到相應的面板外圍的柵極配線與網絡狀靜電保護走線 連通，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層， 對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，靜電保護走線要與數據線重疊互連的區 域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠由具有第一高度，除 上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度，第一高度大於第二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉靜電保護走線要與數據線重疊互連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然 後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第 二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍 區域並與網絡狀靜電保護走線直接電連接的數據配線。上述方法中所述的柵極配線和數據配線的端子部最好分別設置有靜電保護環。本發明同時提供了一種液晶顯示裝置的TFT完成基板，包括一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在液晶顯示面板單元以及面板外圍區域的第一、第二金屬層內分別設置有信 號配線和靜電保護走線，在隔層的靜電保護走線和延伸至面板外圍區域信號配線 重疊處兩者之間不設置絕緣層和半導體層，而直接疊合電連接。所述的靜電保護走線可以由設置於外圍測試電路區的短路棒走線充任，所述TFT完成基板設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區，該外圍測試電路 區內設置有分別與奇數條和偶數條之柵極配線隔層直接疊合電連接的第一、第二 柵極短路棒走線以及分別與奇數條和偶數條之數據配線隔層直接疊合電連接的第 一、第二數據短路棒走線。所述TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，進 一步的其結構可以是每個面板的陣列測試焊盤組彼此獨立；也可以是通過輔助用保護配線把所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相連 接。進一步地，上述結構中可以在所述的柵極配線和數據配線的端子部分別設置 有靜電保護環。作為另一種結構方式，所述的靜電保護走線也可以是一網絡狀第一金屬層走 線，其相互連接成網絡狀並與每一個面板的柵極配線相連接，並且與每一個面板 的數據配線隔層直接疊合電連接。基於上述結構的液晶顯示裝置及製造方法，本發明液晶顯示裝置的TFT基板在製作過程中，只要在第二金屬層沉積之後，就可以形成靜電保護迴路，當面板 內有靜電產生時，即可通過這些靜電保護用配線上下導通，並發散到對應連線的整個面板迴路中，達到靜電保護的作用，使得沉積第二層金屬層到ITO層之後打接觸孔工序之間同樣能達到靜電保護的作用。而作為一種實施方式可以由外圍測試電路區的短路棒走線充任靜電保護走線，這種結構利用了 TFT基板的外圍測試電路，使其同時起到靜電短路配線的作 用，節省了靜電保護的專用配線。而當使用輔助用保護配線把所有TFT基板上不 同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相連接的結構，使得在靜電產生瞬 間，最大限度地把局部的靜電電荷擴散到整塊大玻璃基板當中去；同時陣列測試 可以都使用同一套探針，節省了工序和成本。作為另一種結構方式，靜電保護走線為一網絡狀第一金屬層走線，相互連接 並與每一柵極配線、數據配線相連接。這樣的結構，同樣在陣列製程第二層金屬 成膜的時候即通過該網絡狀金屬層走線把所有的上下層面板金屬迴路一起導通， 把局部區域產生的靜電電荷最大限度地擴散到整塊玻璃基板上下層的金屬迴路 中，防止出現靜電電荷積累而發生靜電破壞，適用於一些不需要設置測試電路的 TFT基板的靜電保護。進一步地，上述結構和製造方法中在信號配線的端子部分別設置了靜電保護 環後，在陣列製程完成、面板切割之後，依然可以使用面板內的靜電防護環來防 護靜電，達到了在所有製程工序中都防護靜電的目的。總之，靜電破壞現象多數是由於上下兩層金屬之間積累的靜電電荷過多，擊 穿上下金屬之間的耦合電容而造成不同金屬層之間的短路或者同一金屬層之間的 開路。依據上述製造方法製得的液晶顯示裝置，第一層金屬的互連結構形成以後， 對第一層金屬之上的絕緣層進行灰階曝光，使第一層金屬(數據線短路棒走線、 柵極配線)要與第二層金屬(數據配線、柵極短路棒走線)交疊的區域露出；第 二層金屬成膜的時候，就會直接與第一層金屬互連而共享同一電位，並且彼此之 間互相分擔積累的靜電電荷，防止了在上下兩層金屬之間的放電現象。本專利的特徵在於，可在薄膜電晶體陣列基板的陣列製程階段(沉積數據線 金屬層時)就能使靜電防護措施生效，有效地避免了這一階段靜電破壞現象的產 生。


為讓本發明的上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明 的具體實施方式
作詳細說明，其中圖1為公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之一種； 圖2為公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之另一種； 圖3為公知技術中關於製作陣列基板時靜電防護措施之另一種； 圖4為本發明TFT完成基板的結構示意圖之一；圖5為本發明TFT完成基板製造方法的步驟示意圖，其中A為圖3中A處(即 短路棒走線與數據線隔層疊合連接處)的截面示意圖，A'為液晶顯示面板電晶體溝 道處的界面示意圖；圖6為本發明TFT完成基板實施例3的結構示意圖；圖7為本發明TFT完成基板實施例4的結構示意圖。圖中1 、 2.第一、第二數據短路棒走線 3、 4.第一、第二柵極短路棒走線 5.梳形金屬帶 6.半導體襯底29.面板切割線 31.陣列測試焊盤組 33.網絡狀靜電保護走線 38.第一金屬層(柵極金屬層) 40.半導體層 42.氮化矽絕緣層20.抗靜電環30.輔助用保護配線32.總陣列測試焊盤組37.玻璃基板39.柵絕緣層41.光刻膠層具體實施方式
實施例1一種液晶顯示裝置的製造方法，其TFT基板製作步驟包括 提供一玻璃基板37，設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區， 在玻璃基板37上沉積一第一金屬層38並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試電路區的柵極配線和測試電路區內要與數據配線連接的第一、第二數據短路棒走線l、 2，在該互連圖形上依次沉積絕緣層39和半導體層40，並塗布第一光刻膠層41， 對該第一光刻膠層41進行多灰階曝光，使測試電路區內柵極配線要與柵極短 路棒3、 4重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線1、 2重疊電連接的區域 以及兩層短路棒要重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆 蓋的光刻膠41具有第一高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠41具有第二高 度，第一高度大於第二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉測試電路區內柵極配線的要與柵 極短路棒3、 4重疊電連接的區域、數據短路棒1、 2要與數據配線重疊電連接的 區域以及兩層短路棒要重疊互連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區， 除去第二高度光刻膠41，同時把第一高度光刻膠41打薄， 以剩餘的光刻膠41作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠41覆蓋的半導體 層40，然後除去剩餘的光刻膠41，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層38直接電連接，並刻蝕出 第二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測 試電路區的數據配線和第一、第二柵極短路棒走線3、 4。該第一、第二數據短路棒走線1、 2分別與奇數條和偶數條之數據配線電連接， 該第一、第二柵極短路棒走線3、 4分別與奇數條和偶數條之柵極配線電連接。所述TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組31 ， 而每個面板的陣列測試焊盤組31彼此獨立。同時本實施例提供的一種液晶顯示裝置的TFT完成基板，設置有多個液晶顯 示面板單元和外圍測試電路區(參見圖4),設置於外圍測試電路區的短路棒走線 同時作為靜電保護走線，該外圍測試電路區內設置有分別與奇數條和偶數條之柵 極配線隔層直接疊合電連接的第一、第二柵極短路棒走線3、 4以及分別與奇數條 和偶數條之數據配線隔層直接疊合電連接的第一、第二數據短路棒走線1、 2。每 個面板的第一、第二柵極短路棒走線3、 4以及第一、第二數據短路棒走線1、 2 分別連接至該面板的陣列測試焊盤組31。而每個面板的陣列測試焊盤組31彼此獨立當面板內有靜電產生時，即可通過這些短路棒走線上下導通，並發散到對應 連線的整個面板迴路中。實施例2一種液晶顯示裝置的製造方法及TFT完成基板，其方法、結構與實施例l基 本相同之外，還在柵極配線和數據配線的端子部分別設置有靜電保護環20。通過 這些靜電保護環20內的Guard電晶體的導通效應實現全部陣列製程結束後的面板 內靜電防護，在陣列製程完成，面板切割之後，依然可以使用面板內的靜電防護 環20來防護靜電，達到了在所有製程工序中都防護靜電的目的。實施例3一種液晶顯示裝置的製造方法及TFT完成基板，其方法、結構與實施例l基 本相同之外，短路棒走線l、 2、 3、 4分別連接至各面板的陣列測試焊盤31，並通 過輔助用保護配線30把所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按 順序互相連接，並連結至總陣列測試焊盤組32。這樣，可以在靜電產生瞬間，最大限度地把局部的靜電電荷擴散到整塊大玻 璃基板當中去；同時，由於這種面板間互連的陣列測試結構，可使不同產品的陣 列測試都使用同一套探針，省去探針開發的費用，並可在很大程度上縮短產品開 發的時程。實施例4一種液晶顯示裝置的製造方法，其TFT基板製作步驟包括 提供一玻璃基板37，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在玻璃基板37上沉積一第一金屬層38並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形 包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的柵極配線和面板外圍區 域內網絡狀的靜電保護走線33，延伸到相應的面板外圍的柵極配線與網絡狀靜電 保護走線33連通，在該互連圖形上依次沉積絕緣層39和半導體層40，並塗布第一光刻膠層41， 對該第一光刻膠層41進行多灰階曝光，靜電保護走線33要與數據線重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠41由具有第一 高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠41具有第二高度，第一高度大於第二高 度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉靜電保護走線33要與數據線重疊 互連的區域的半導體40和絕緣層39，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠41，同時把第一高度光刻膠41打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠41覆蓋的半導體層 40，然後除去剩餘的光刻膠41，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層38直接電連接，並刻蝕出 第二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外 圍區域並與網絡狀靜電保護走線33直接電連接的數據配線。同時本實施例提供的一種液晶顯示裝置的TFT完成基板，設置有多個液晶顯 示面板單元和面板外圍區域，在面板外圍區域內設置有一網絡狀第一金屬層走線 33作為靜電保護走線，其相互連接成網絡狀並與每一個面板的柵極配線相連接， 每一個面板的數據配線延伸至面板外圍在與網絡狀靜電保護走線33重疊處不設置 絕緣層、半導體層而直接疊合電連接。這樣的結構，可以在陣列製程第二層金屬成膜的時候即可通過網絡狀金屬走 線33把所有的上下層面板金屬迴路一起導通，把局部區域產生的靜電電荷最大限 度地擴散到整塊玻璃基板上下層的金屬迴路中，防止出現靜電電荷積累而發生靜 電破壞。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置的製造方法，其TFT基板製作步驟包括提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域，在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的第一金屬層信號配線和靜電保護走線，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層，對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，靜電保護走線和/或第一金屬層信號配線要與第二金屬層配線重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠具有第一高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度，第一高度大於第二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉靜電保護走線要與數據線重疊互連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第二金屬互連圖形。
2. 根據權利要求1所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述的靜電 保護走線由設置於外圍測試電路區的短路棒走線充任，其製作步驟包括-提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區， 在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從 液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試電路區的柵極配線和測試電路區 內要與數據配線連接的第一、第二數據短路棒走線，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層， 對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，使測試電路區內柵極配線要與柵極短路 棒重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域以及兩層短路 棒要重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠具 有第一高度，除上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度，第一高度大於第 二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉測試電路區內柵極配線的要與柵 極短路棒重疊電連接的區域、數據短路棒要與數據配線重疊電連接的區域以及兩 層短路棒要重疊互連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然 後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第 二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的外圍測試 電路區的數據配線和第一、第二柵極短路棒走線。
3. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述的第 一、第二數據短路棒走線分別與奇數條和偶數條之數據配線電連接，所述的第一、 第二柵極短路棒走線分別與奇數條和偶數條之柵極配線電連接。
4. 根據權利要求3所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述TFT 基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，而每個面板的陣 列測試焊盤組彼此獨立。
5. 根據權利要求3所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述TFT 基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，並使用輔助用保 護配線把所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相連 接。
6. 根據權利要求l所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述的靜電 保護走線為一網絡狀第一金屬層走線，其相互連接成網絡狀並與每一個面板的柵 極配線、數據配線相連接，其製作步驟包括提供一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在玻璃基板上沉積一第一金屬層並刻蝕出第一金屬互連圖形，該圖形包括從 液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍的柵極配線和面板外圍區域內網 絡狀的靜電保護走線，延伸到相應的面板外圍的柵極配線與網絡狀靜電保護走線 連通，在該互連圖形上依次沉積絕緣層和半導體層，並塗布第一光刻膠層， 對該第一光刻膠層進行多灰階曝光，靜電保護走線要與數據線重疊互連的區域被完全曝光，而薄膜電晶體的半導體島區域覆蓋的光刻膠由具有第一高度，除 上述以外其他區域覆蓋的光刻膠具有第二高度，第一高度大於第二高度，以上述第一光刻膠層圖案作為掩膜，刻蝕掉靜電保護走線要與數據線重疊互 連的區域的半導體和絕緣層，形成隔層互連區，除去第二高度光刻膠，同時把第一高度光刻膠打薄，以剩餘的光刻膠作為掩膜，刻蝕掉原本第二高度光刻膠覆蓋的半導體層，然 後除去剩餘的光刻膠，沉積第二金屬層，在所述隔層互連區與第一金屬層直接電連接，並刻蝕出第 二金屬互連圖形，該圖形包括從液晶顯示面板單元內一直延伸到相應的面板外圍 區域並與網絡狀靜電保護走線直接電連接的數據配線。
7. 根據權利要求4、 5或6所述的液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於 所述的柵極配線和數據配線的端子部分別設置有靜電保護環。
8. —種根據權利要求1所述的方法製得的液晶顯示裝置的TFT完成基板，包括一玻璃基板，設置有多個液晶顯示面板單元和面板外圍區域， 在液晶顯示面板單元以及面板外圍區域的第一、第二金屬層內分別設置有信 號配線和靜電保護走線，在隔層的靜電保護走線和延伸至面板外圍區域信號配線 重疊處兩者之間不設置絕緣層和半導體層，而直接疊合電連接。
9. 根據權利要求8所述的液晶顯示裝置的TFT完成基板，其特徵在於所述 的靜電保護走線由設置於外圍測試電路區的短路棒走線充任，所述TFT完成基板 設置有多個液晶顯示面板單元和外圍測試電路區，該外圍測試電路區內設置有分 別與奇數條和偶數條之柵極配線隔層直接疊合電連接的第一、第二柵極短路棒走 線以及分別與奇數條和偶數條之數據配線隔層直接疊合電連接的第一、第二數據 短路棒走線。
10. 根據權利要求9所述的液晶顯示裝置的TFT完成基板，其特徵在於所述 TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，而每個面板 的陣列測試焊盤組彼此獨立。
11. 根據權利要求9所述的液晶顯示裝置的TFT完成基板，其特徵在於所述 TFT基板上的每個面板的短路棒走線連接到各自的陣列測試焊盤組，並通過輔助用保護配線把所有TFT基板上不同面板的陣列測試焊盤組的測試端子按順序互相 連接。
12. 根據權利要求8所述的液晶顯示裝置的TFT完成基板，其特徵在於所述 的靜電保護走線為一網絡狀第一金屬層走線，其相互連接成網絡狀並與每一個面 板的柵極配線相連接，並且與每一個面板的數據配線隔層直接疊合電連接。
13. 根據權利要求10、 11或12所述的液晶顯示裝置的TFT完成基板，其特徵 在於所述的柵極配線和數據配線的端子部分別設置有靜電保護環。
全文摘要
本發明涉及一種液晶顯示裝置的製造方法及其TFT完成基板，該製造方法利用多灰階光罩在靜電保護迴路中隔層線路的重疊連接處，刻蝕去兩層金屬層之間的絕緣層和半導體層，使該處兩層金屬層直接疊合電連接。這樣結構和製造方法，使得在第二金屬層成膜的時候，就會直接與第一層金屬互連而共享同一電位，並且彼此之間互相分擔積累的靜電電荷，防止了在上下兩層金屬之間的放電現象。提前了有效靜電防護形成的時間。
文檔編號H01L21/768GK101256986SQ20081003496
公開日2008年9月3日 申請日期2008年3月21日 優先權日2008年3月21日
發明者徐華偉 申請人:上海廣電光電子有限公司