埋置電阻的製作方法
2023-07-04 10:04:06
專利名稱：埋置電阻的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及微波領域，特別涉及一種埋置電阻。
背景技術：
常見的電阻集成在器件表面。這樣的電阻雖然易於調試，但是卻不方便與其它電器元件進行線路連接。而且，表面電阻容易損壞。因而，在微波領域，埋置電阻應用越來越廣泛。但是，由於埋置電阻埋置在介質基板內，在燒結前不能調阻，其容差較大。
實用新型內容本實用新型提出一種埋置電阻，解決了現有技術中無法對埋置電阻進行調試導致電阻阻值不準確的問題。本實用新型的技術方案是這樣實現的:一種埋置電阻，包括頂層金屬地和底層金屬地；第一介質層和第二介質層；電阻片，所述電阻片位於所述第一介質層和所述第二介質層之間；兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調試孔，所述至少一個調試孔位於所述電阻片的表面上，並穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。可選地，所述至少一個調試孔包括一個調試孔，所述一個調試孔位於所述電阻片的上表面上，並穿過所述頂層金屬地。可選地，所述至少一個調試孔包括一個調試孔，所述一個調試孔位於所述電阻片的下表面上，並穿過所述底層金屬地。
可選地，所述至少一個調試孔包括多個調試孔，所述多個調試孔位於所述電阻片的上表面上或下表面上，並相應地穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。本實用新型的有益效果是可通過調試孔對埋置電阻進行調試，達到所需阻值，減小電阻容差。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型一種埋置電阻一個實施例的立體結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。圖1為本實用新型一種埋置電阻一個實施例的立體結構示意圖。如圖1所示，埋置電阻I包括頂層金屬地21、底層金屬地22、第一介質層31以及第二介質層32。埋置電阻I還包括電阻片4以及兩個金屬焊盤5。其中，電阻片4位於第一介質層31和第二介質層32之間。兩個金屬焊盤5分別焊接在電阻片4的兩端。另外，埋置電阻I還包括調試孔6，調試孔6位於電阻片4的上表面上，並穿過頂層金屬地21，露出部分埋置電阻。在圖1所示實施例中，調試孔6向上穿過頂層金屬地21。然而，本技術領域的技術人員應當理解，由於埋置電阻I在垂直方向上為對稱結構，調試孔6亦可位於電阻片4的下表面上，並向下穿過底層金屬地22，露出部分埋置電阻。另外，在圖1所示實施例中，埋置電阻I只包括一個調試孔。然而，本技術領域的技術人員應當理解，在其它實施例中，埋置電阻可包括多個調試孔。這些調試孔可位於電阻片的上表面上並穿過頂層金屬地，亦可位於電阻片的下表面上並穿過底層金屬地，露出部分埋置電阻。表面上並穿過底層金屬地，露出部分埋置電阻。利用本實用新型提出的埋置電阻，由於具有調試孔，在基板燒結完成之後，可通過調試孔對埋置電阻進行調試，達到所需阻值，減小電阻容差。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，並不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護範圍之內。
權利要求1.一種埋置電阻，其特徵在於，包括: 頂層金屬地和底層金屬地； 第一介質層和第二介質層； 電阻片，所述電阻片位於所述第一介質層和所述第二介質層之間； 兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調試孔，所述至少一個調試孔位於所述電阻片的表面上，並穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。
2.如權利要求1所述的埋置電阻，其特徵在於，所述至少一個調試孔包括一個調試孔，所述一個調試孔位於所述電阻片的上表面上，並穿過所述頂層金屬地。
3.如權利要求1所述的埋置電阻，其特徵在於，所述至少一個調試孔包括一個調試孔，所述一個調試孔位於所述電阻片的下表面上，並穿過所述底層金屬地。
4.如權利要求1所述的埋置電阻，其特徵在於，所述至少一個調試孔包括多個調試孔，所述多個調試孔位於所述電阻片的上表面上或下表面上，並相應地穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。
專利摘要本實用新型提出了一種埋置電阻，包括頂層金屬地和底層金屬地；第一介質層和第二介質層；電阻片，所述電阻片位於所述第一介質層和所述第二介質層之間；兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調試孔，所述至少一個調試孔位於所述電阻片的表面上，並穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。本實用新型的有益效果是可通過調試孔對埋置電阻進行調試，達到所需阻值，減小電阻容差。
文檔編號H01C1/16GK202977031SQ20122067805
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月29日 優先權日2012年11月29日
發明者臧玉華, 單光祥, 滿起祥, 楊傳超, 馬振剛, 黃運河, 馬欣, 祁海霞 申請人:青島瑞豐氣體有限公司