半塞孔沉金板前處理方法
2023-07-04 03:24:41 4
專利名稱：半塞孔沉金板前處理方法
技術領域：
本發明涉及印製電路領域，尤其涉及一種半塞孔沉金板前處理方法。
背景技術：
沉金工藝的目的的是在印製線路表面上沉積顏色穩定，光亮度好，鍍層平 整，可焊性良好的鎳金鍍層。基本可分為五個階段沉金前處理、預處理(除 油，微蝕，後浸、活化)，沉鎳，沉金，後處理(廢金水洗，DI水洗，烘乾)。
現有沉金前處理採用Na2S20s+H2S04微蝕體系。沉金預處理一般有以下幾
個步驟除油、微蝕、活化及後浸。以除去銅面氧化物，並在銅面沉鈀，以作
沉鎳活化中心。其中某個環節處理不好，將會影響隨後的沉鎳和沉金，並導致 批量性的報廢。生產過程中，各種藥水必須定期分析和補加，控制在要求範圍 內。
半塞孔(一面開窗一面塞孔)板為沉金製作難點之一，因Na2S208+H2S04 微蝕體系容易藏於半塞孔位置，在孔內半塞孔側蝕(undercut)位置發生原電 池反應，影響沉鎳過程中的電極電位(沉鎳為自催化氧化還原反應)，導致缺 鍍。
發明內容
本發明的目的在於提供一種半塞孔沉金板前處理方法，採用H202+H2S04 微蝕體系，易揮發，避免殘留於半塞孔位置，從而能有效減少原電池反應的產 生，對缺鍍有明顯的改善作用。
為實現上述目的，本發明提供一種半塞孔沉金板前處理方法，包括以下步
驟
步驟一將半塞孔沉金板進行沉金前處理，採用微蝕液處理銅面，所述微 蝕液採用H202+H2S04微蝕體系； 步驟二將半塞孔沉金板進行預處理。
所述的半塞孔沉金板前處理方法，其中，所述預處理流程包括除油、後浸 及活化。
所述H202+H2S04微蝕體系中&02的濃度為1%-5%， H2S04的濃度為
5%-10%。
本發明的有益效果採用H202+H2S04微蝕體系，易揮發，避免殘留於半
塞孔位置，從而能有效減少原電池反應的產生，對缺鍍有明顯的改善作用，且 微蝕後體系容易清洗，殘餘極少，適合半塞孔沉金板各種化學鍍的前處理。
下面結合附圖,通過對本發明的具體實施方式
詳細描述,將使本發明的技術 方案及其他有益效果顯而易見。 附圖中，
圖1為本發明的半塞孔沉金板前處理方法的流程圖。
具體實施例方式
如圖1所示，本發明半塞孔沉金板前處理方法，包括以下幾個步驟 步驟一將半塞孔沉金板進行沉金前處理，採用微蝕液處理銅面，所述微 蝕液採用H202+H2S04微蝕體系。此藥水中11202與H2S04共同作用，產生
1.0-1.5微米的微蝕量。所述H202+H2S04微蝕體系中H202的濃度為1%-5%， 1^04的濃度為5%-10%。其中，使用11202作為氧化劑，用於銅的氧化，濃度 低，則蝕刻速率太慢，效率低；若濃度過高，則蝕銅速率太快，難於控制蝕銅 量，故在藥水中添加一定的穩定劑，保證微蝕速率穩定；使用H2S04作為氧化 劑，用於銅的氧化，濃度小於5%，則蝕刻速率太慢，效率低；若濃度大於10%, 則蝕銅速率太快，難於控制蝕銅量；其餘為去離子水稀釋劑，通過去離子水稀 釋劑進行11202、 H2S04的濃度配比。本步驟的工作溫度控制在25-35'C，溫度
太高，H202分解太快；溫度太低，微蝕速率太慢，微蝕效果不佳。
步驟二將半塞孔沉金板進行預處理，該預處理包括除油、後浸及活化。
預處理流程中，跳過現有生產線的微蝕缸，其餘按正常流程操作，以防止沉金
線微蝕缸影響；其中，除油可通過常規的酸性除油除去沉金板表面的氧化物及
油脂；活化通過化學沉鈀的方式在銅面上沉上一層鈀，活化鎳面，為沉鎳提供 催化劑，除油、後浸及活化可通過現有技術實現。
綜上所述，半塞孔沉金板進入沉金線前，先通過一次微蝕前處理，所述微
蝕液採用H202+H2S04微蝕體系。在沉金預處理過程中，進行除油、除油後跳
過微蝕缸生產，其餘按正常流程製作，防止沉金線微蝕缸的影響，以避免原電 池反應的產生。
本發明半塞孔沉金板前處理方法採用H202+H2S04微蝕體系，易揮發，避
免殘留於半塞孔位置，從而能有效減少原電池反應的產生，對缺鍍有明顯的改 善作用，且微蝕後體系容易清洗，殘餘極少，適合半塞孔沉金板各種化學鍍的 前處理。
以上所述，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案 和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬於 本發明後附的權利要求的保護範圍。
權利要求
1、一種半塞孔沉金板前處理方法，其特徵在於，包括以下步驟步驟一將半塞孔沉金板進行沉金前處理，採用微蝕液處理銅面，所述微蝕液採用H2O2+H2SO4微蝕體系；步驟二將半塞孔沉金板進行預處理。
2、 如權利要求1所述的半塞孔沉金板前處理方法，其特徵在於，所述預 處理流程包括除油、後浸及活化。
3、 如權利要求1所述的半塞孔沉金板前處理方法，其特徵在於，所述 H202+H2S04微蝕體系中&02的濃度為1°/。-5%， H2SCU的濃度為5%-10%。
4、 如權利要求1所述的半塞孔沉金板前處理方法，其特徵在於，步驟一 的工作溫度為25-35'C。
全文摘要
本發明涉及一種半塞孔沉金板前處理方法，包括以下步驟將半塞孔沉金板進行沉金前處理，採用微蝕液處理銅面，所述微蝕液採用H2O2+H2SO4微蝕體系；將半塞孔沉金板進行預處理流程。所述預處理流程包括除油、後浸及活化，跳過微蝕缸生產。本發明半塞孔沉金板前處理方法採用H2O2+H2SO4微蝕體系，易揮發，避免殘留於半塞孔位置，從而能有效減少原電池反應的產生，對缺鍍有明顯的改善作用，且微蝕後體系容易清洗，殘餘極少，適合半塞孔沉金板各種化學鍍的前處理。
文檔編號C23G1/02GK101338436SQ20081014232
公開日2009年1月7日 申請日期2008年8月8日 優先權日2008年8月8日
發明者袁繼旺, 邢玉偉 申請人:東莞生益電子有限公司