投影光學系統、其製造方法、曝光裝置及曝光方法

2023-06-22 09:34:56 4

專利名稱：：投影光學系統、其製造方法、曝光裝置及曝光方法
技術領域：
：本發明是有關於一種投影光學系統、其製造方法、曝光裝置及曝光方法。且特別是有關於一種以微影工藝，製造半導體元件等的微電子元件時使用的曝光裝置所適用的反射折射型投影光學系統。例如，波長在200nm以下的真空紫外線區域，特別是以F2雷射作為曝光光的情形，構成投影光學系統的光穿透性光學材料必須多半使用氟化鈣(螢石CaF2)或氟化鋇(BaF2)等的氟化物結晶。實際上，在使用F2雷射作為曝光光的曝光裝置中，基本上是假定僅以螢石來形成投影光學系統。螢石是屬於立方晶系(等軸晶系)的結晶，在光學上是等方性的，因此實質上並無雙折射。此外，在從前的可見光範圍的實驗中，螢石只觀察到很小的雙折射(起因於內部應力的隨機產物)。然而，在2001年5月15日所招開的關於微影技術(lithography)的研討會(2ndInternationalSymposiumon157nmLithography)中，美國NIST的JohnH.Burnett發表的論文中，從實驗與理論兩方面可以確認螢石具備固有的雙折射(intrinsicbirefringence)。根據此發表論文的話，螢石的雙折射在結晶軸[111]方向和與此等價的結晶軸[-111]、結晶軸[1-11]、結晶軸[11-1]方向，以及在結晶軸[100]方向和與此等價的結晶軸、結晶軸方向，幾乎為零。但是實質上，在其它方向上，雙折射具有不是零的值。特別是，在結晶軸[110]、[-110]、[101]、[-101]、、的六個方向，相對于波長157nm，雙折射有最大的11.2nm，而相對于波長193nm，雙折射有最大的3.4nm。如上所述，在投影光學系統中使用具有固有雙折射的螢石所形成的透鏡(一般，穿透部材)的情形下，螢石的雙折射對成像性能的影響很大，特別是顯著地表現在表面線寬誤差(ΔCDcriticaldimension)。在此，Burnett在上述的發表中，提出降低雙折射效應的影響，其利用使螢石透鏡對(以螢石所形成的透鏡對)的光軸與結晶軸[111]一致，並且以光軸為中心，使螢石透鏡對相對地旋轉60度。一般而言，讓螢石透鏡的光軸與結晶軸[111]精確地且優良地一致，組裝到投影光學系統中並不容易。此外，要在一對螢石透鏡相對於光軸旋轉預定角度的狀態下，組裝到投影光學系統中也很不容易。但是，在投影光學系統中，為了在實質上不受到雙折射的影響且確保良好的光學性能，將螢石透鏡的光軸與結晶軸[111]的角度偏差以及螢石透鏡對的相對於光軸的旋轉角度偏差控制在預定的容許量之下是非常重要的。此外，在螢石結晶中，具有異端結晶軸方位的偏移的區域明顯地有局部存在的可能性(所謂的粒界(grainboundary))。為確保期望的光學性能，最好是使用存在有結晶軸方位偏移區域的螢石結晶(以下稱為異端螢石結晶)。從生產性或成本的觀點來看，也必須使用異端螢石結晶來實施。在此情形之投影光學系統中，為了在實質上不受到雙折射的影響且確保良好的光學性能，將結晶軸方位的相對角度偏移控制在預定的容許量以下是很重要的。本發明的另一目的是提出一種投影光學系統，其例如將使用於形成螢石透鏡的異端螢石結晶的結晶軸方位的相對角度偏移控制在預定的容許量以下，故可以在實質上不受到螢石雙折射的影響且確保良好的光學性能。本發明的另一目的是提出一種曝光裝置與曝光方法，其使用在實質上不受到螢石雙折射的影響且確保良好的光學性能的投影光學系統，來進行高解析度且高精確度的投影曝光。為達成上述與其它目的，本發明的第一發明為提出一種投影光學系統，用以將第一面的像形成於第二面上。投影光學系統包括以屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，該至少兩個結晶穿透部材之結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，以及該至少兩個結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度的預定值的角度偏移，兩者中的任何一個設定在1度以下。以據上述第一發明的話，該至少兩個結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。在此情形下，更具備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材，此備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，最好設定在1度以下。依據上述第一發明的話，更包括凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，該配置在凹面鏡附近的結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。前述投影光學系統為將前述第一面的中間像形成於前述第一面與前述第二面間的光路的反射折射型再成像光學系統。再者，依據上述第一發明的話，投影光學系統更包括第一成像光學系統，用以形成前述第一面的一第一中間像；第二成像光學系統，至少包括凹反反射鏡與結晶穿透部材，用以依據來自第一中間像的光束，形成第二中間像；第三成像光學系統，用以依據自第二中間像的光束，形成最終像；第一偏向鏡，配置在第一成像光學系統與第二成像光學系統之間的光路；以及第二偏向鏡，配置在第二成像光學系統與第三成像光學系統之間的光路。第一成像光學系統的光軸與第三成像光學系統的光軸設定成大致一致，並且配置在該第二成像光學系統的光路的前述結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。依據上述第一發明的話，該投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中的15％以上的結晶穿透部材中，結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。此外，投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中，結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在2度以下。本發明的第二發明提供一種投影光學系統，用以將第一面的像形成於第二面上。投影光學系統包括以屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，在該至少兩個結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。依據上述第二發明的話，投影光學系統更具備配置在最靠近前述第二面之結晶穿透部材，在該備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。此外，投影光學系統也可更包括凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，在該配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。在此情形，投影光學系統為將前述第一面的中間像形成於前述第一面與前述第二面間的光路的反射折射型再成像光學系統。依據上述第二發明的話，投影光學系統更包括第一成像光學系統，用以形成前述第一面的第一中間像；第二成像光學系統，至少包括凹反反射鏡與結晶穿透部材，用以依據來自第一中間像的光束，形成第二中間像；第三成像光學系統，用以依據自第二中間像的光束，形成最終像；第一偏向鏡，配置在第一成像光學系統與第二成像光學系統之間的光路；以及第二偏向鏡，配置在第二成像光學系統與第三成像光學系統之間的光路。第一成像光學系統的光軸與第三成像光學系統的光軸設定成大致一致，並且配置在第二成像光學系統的光路的前述結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。依據上述第二發明的話，投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。此外，在第一與第二發明中，前述立方晶系所屬的結晶材料為氟化鈣或氟化鋇。本發明的第三發明提供一種曝光裝置，包括照設系統，用以照明設定於前述第一面的光罩；投影光學系統，為前述第一或第二發明所述的投影光學系統，用以將該光罩上所形成的一圖案像，形成於設定在該第二面上的感旋光性基板。本發明的第四發明提供一種曝光方法，包括照明設定於前述第一面的一光罩；經由前述第一或第二發明所述的該投影光學系統，將光罩上所形成的圖案像，形成於設定在第二面上的感旋光性基板。本發明的第五發明提供一種投影光學系統製造方法，具有屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，用以將第一面的像形成於第二面上。投影光學系統的製造方法包括設計工程，將該至少兩個結晶穿透部材的光軸，設計成與結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸的一預定結晶軸一致；以及製造工程，製造該至少兩個結晶穿透部材，使得預定結晶軸的該光軸之間的角度偏移在1度以下。依據上述第五發明的話，前述製造工程更包括調整從單晶的圓盤狀材料的切割的工程，以及調整圓盤狀材料的研磨的工程。此外，前述至少兩個結晶穿透部材包括第一結晶穿透部材與第二結晶穿透部材，並且在製造工程中，第一結晶穿透部材的預定結晶軸與第二結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度，與預定設定值的角度偏差，最好設定在5度以下。本發明的第六發明提供一種曝光裝置，包括照明系統，用以照明設定在第一面的光罩上；以及投影光學系統，以前述第五發明的投影光學系統製造方法來製造，用以透過投影光學系統，將形成在光罩上的圖案像，形成於設定在前述第二面的感旋光性基板上。本發明的第七發明提供一種曝光方法，包括照明設定在第一面的光罩上；以及經前述第五發明的投影光學系統製造方法來製造的投影光學系統，將形成在光罩上的圖案像，形成於設定在前述第二面的感旋光性基板上。圖7繪示第一實施例的投影光學系統的透鏡構成示意圖；圖8繪示第一實施例的橫向像差圖；圖9繪示第一實施例的投影光學系統的透鏡構成示意圖；圖10繪示第二實施例的橫向像差圖；圖11繪示在第一實施例中，當各螢石透鏡的結晶軸與光軸間產生1度的角度偏移時，表面線寬的變化量；圖12繪示在第二實施例中，當各螢石透鏡的結晶軸與光軸間產生1度的角度偏移時，表面線寬的變化量；圖13繪示本發明實施例的投影光學系統的製造方法的流程示意圖；圖14繪示準備對投影光學系統所使用的波長具有光穿透性的等軸晶系的結晶材料的結晶材料準備工程的詳細流程圖；圖15繪示勞厄攝影機的示意圖；圖16繪示雙折射測量機的結構示意圖；圖17繪示微電子元件為半導體元件時的製作流程圖；以及圖18繪示微電子元件為液晶顯示元件時的製作流程圖。100X射線源101X射線101102準直器102103結晶材料104繞射X射線105X射線感光材料110光源111偏光器112光彈性調變器113結晶材料樣本114光檢測器115光檢測器RIF幹涉計RM十字標記移動鏡IL照明光R十字標記RH十字標記保持器RS十字標記載置臺AX基準光軸PL投影光學系統WIF幹涉計WM晶圓移動鏡W晶圓WT晶圓臺WS晶圓載置臺IF影像圈A偏軸量B影像圈的半徑ER有效曝光區域LXX方向長度LYY方向長度G1第一成像光學系統G2第二成像光學系統G3第三成像光學系統L11～L110透鏡L21～L22透鏡L31～L313透鏡M1反射鏡M2反射鏡CM凹面反射鏡AS光圈此外，在XZ平面上，與結晶軸[100]和結晶軸成45度角方向是定義成結晶軸[101]。在XY平面上，與結晶軸[100]和結晶軸成45度角方向是定義成結晶軸[110]。在YZ平面上，與結晶軸和結晶軸成45度角方向是定義成結晶軸。此外，在相對於+X軸、+Y軸與+Z軸為一銳角方向則定義為結晶軸[111]。圖1中，僅僅畫出以+X軸、+Y軸與+z軸所為出來的空間。但是，在其它空間中，也同樣地可以規定出結晶軸。對於螢石，在圖1以實線所示的結晶軸[111]方向以及與此方向等同但沒有繪出的結晶軸[-111]、[1-11]與[11-1]方向的雙折射幾乎為零(最小)。同樣地，在圖1以實線繪示的結晶軸[100]、與方向，雙折射也幾乎為零(最小)。另一方面，在圖1以虛線所示的結晶軸[110]、[101]與方向以及與此些等同但未繪出的結晶軸[-110]、[-101]與方向上，雙折射率為最大。Burnett在前述的發表中，提出了降低雙折射率影響的方法。圖2A至圖2C標用來說明Burnett的方法，並且繪出相對於光線入射角(光線與光軸所成的角度)的雙折射率分布圖。在圖2A至圖2C中，圖中以虛線表示的五個同心圓中，每一刻度表示10度。因此，最內側的圓是表示對光軸的入射角為10度的範圍，而最外側圓則表示對光軸的入射角為50度的範圍。此外，黑圈表示具有較大折射率的無雙折射區域，白圈表示具有較小折射率的無雙折射區域。另一方面，粗線圓圈以及長雙箭符號表示在有雙折射區域中，有較大折射率的方向；細線圓圈以及短雙箭符號表示在有雙折射區域中，有較小折射率的方向。在後續圖3中，也以相同的標示來表示。在Burnett的方法是讓一對螢石透鏡(以螢石所形成的透鏡)的光軸與結晶軸[111](或與此結晶軸[111]光學等價的結晶軸)一致，並且以光軸為中心，使該對螢石透鏡相對地旋轉60度。因此，其中的一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖2A所示一般，而另一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖2B所示一般。最後，整對螢石透鏡的雙折射分布為如圖2C所示。在此情形，參考圖2A與圖2B，與光軸一致的結晶軸[111]所對應的區域為具有較小折射率的無雙折射區域。此外，對應結晶軸[100]、與的區域為具有較大折射率的無雙折射區域。其次，對應結晶軸[110]、[101]與的區域為雙折射區域，其在對周緣方向偏光的折射率較小，而在對徑向偏光的折射率較大。如此，對於每個螢石透鏡，在從光軸到35.26度(結晶軸[111]與結晶軸[110]所成的角度)的區域，受到雙折射的影響是最大的。請參考圖2C，利用將一對螢石透鏡相對地旋轉60度，整體螢石透鏡對受到雙折射最大的結晶軸[110]、[101]與的影響可以降低。在從光軸至35.26度的區域，僅留下對周緣方向偏光的折射率比對徑向偏光的折射率小的雙折射區域。換言之，利用Burnett的方法，僅留下對光軸的旋轉對稱分布，但雙折射影響可以大為降低。此外，在本發明所提出的第一方法中，使螢石透鏡對(一般為螢石所形成的穿透部材)的光軸與結晶軸[100](或與該結晶軸[100]光學等價的結晶軸)一致，並且以光軸為中心，將螢石透鏡對相對地旋轉45度。在此與結晶軸[100]光學等價的結晶軸為結晶軸與圖3A至圖3C用來說明本發明所提的第一方法，其繪示相對於光線入射角(光線與光軸所成的角)的雙折射率分布圖。在本發明所提的第一方法中，其中的一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖3A所示一般，而另一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖3B所示一般。最後，整個螢石透鏡對的雙折射分布為如圖3C所示。參考圖3A與圖3B，在本發明所提的第一方法中，與光軸一致的結晶軸[100]所對應的區域為具有較大折射率的無雙折射區域。此外，對應結晶軸[111]、[1-11]、[-11-1]與[11-1]的區域為具有較大折射率的無雙折射區域。其次，對應結晶軸[101]、[10-1]、[110]與的區域為雙折射區域，其在對周緣方向偏光的折射率較大，而在對徑向偏光的折射率較小。如此，對於每個螢石透鏡，在從光軸到45度(結晶軸[100]與結晶軸[101]所成的角度)的區域，受到雙折射的影響是最大的。請參考圖3C，利用將螢石透鏡對相對地旋轉45度，整體螢石透鏡對受到雙折射最大的結晶軸[101]、[10-1]、[110]與的影響可以降低。在從光軸至45度的區域，僅留下對周緣方向偏光的折射率比對徑向偏光的折射率大的雙折射區域。換言之，利用本發明所提的第一方法，僅留下對光軸的旋轉對稱分布，但雙折射影響可以大為降低。此外，在本發明所提的第一方法中，以光軸為中心將其中一螢石透鏡與另一螢石透鏡相對地旋轉45度的意義是指與其中的一螢石透鏡與另一螢石透鏡的光軸不同方向的預定結晶軸(例如，結晶軸、、或)的光軸為中心，相對的角度為約45度。具體而言，例如其中的一螢石透鏡的結晶軸與另一螢石透鏡結晶軸的光軸為中心的相對角度為約45度。此外，從圖3A與圖3B可以了解，當以結晶軸[100]為光軸時，以光軸為中心的雙折射影響的旋轉非對稱性呈現出90度的周期。因此，在本發明所提的第一方法中，以光軸為中心相對地旋轉45度意指以光軸為中心，相對地旋轉45度+(n×90度)；亦即與相對地旋轉45度、135度、225度或315度…等是相同的意思(在此n為整數)。另一方面，在Burnett的方法中，將一螢石透鏡與另一螢石透鏡，以光軸為中心相對地旋轉約60度係指與其中的一螢石透鏡與另一螢石透鏡的光軸不同方向的預定結晶軸(例如，結晶軸[-111]、[11-1]或[1-11])的光軸為中心，相對的角度為約60度。具體而言，例如其中的一螢石透鏡的結晶軸[-111]與另一螢石透鏡結晶軸[-111]的光軸為中心的相對角度為約60度。此外，從圖2A與第2圖可以明白，當以結晶軸[111]為光軸時，以光軸為中心的雙折射影響的旋轉非對稱性呈現出120度的周期。因此，在Burnett的方法中，以光軸為中心相對地旋轉60度意指以光軸為中心，相對地旋轉60度+(n×120度)；亦即與相對地旋轉60度、180度、或300度…等是相同的意思(在此n為整數)。此外，在本發明所提出的第二方法中，是使螢石透鏡對(一般為螢石所形成的穿透部材)的光軸與結晶軸[110](或與該結晶軸[110]光學等價的結晶軸)一致，並且以光軸為中心，將螢石透鏡對相對地旋轉90度。在此與結晶軸[110]光學等價的結晶軸為結晶軸[-110]、[101]、[-101]、與。圖4A至圖4C用來說明本發明所提的第二方法，其繪示相對於光線入射角(光線與光軸所成的角)的雙折射率分布圖。在本發明所提的第二方法中，其中的一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖4A所示一般，而另一螢石透鏡的雙折射率分布呈現如圖4B所示一般。最後，整個螢石透鏡對的雙折射分布為如圖4C所示。參考圖4A與圖4B，在本發明所提的第2方法中，與光軸一致的結晶軸[110]所對應的區域為一雙折射區域，在對於其中的一方向的偏光具有較大的折射率，而對於另外一方向(與前一方向互相垂直)的偏光有較小的折射率。結晶軸[100]與所對應的區域為為具有較大折射率的無雙折射區域。其次，結晶軸[111]與[11-1]所對應區域為折射率較小的無雙折射區域。請參考圖4C，利用將螢石透鏡對相對地旋轉90度，雙折射最大的結晶軸[110]的影響幾乎為沒有，且光軸附近為具有中間折射率的無雙折射區域。亦即，利用本發明所提的第2方法，在實質上不會受到雙折射效應的影響，並且可以確保良好的成像品質。此外，在本發明所提的第二方法中，以光軸為中心將其中一螢石透鏡與另一螢石透鏡相對地旋轉90度的意義是指與其中的一螢石透鏡與另一螢石透鏡的光軸不同方向的預定結晶軸(例如，結晶軸、[-111]、[-110]或[1-11])的光軸為中心，相對的角度為約90度。具體而言，例如其中的一螢石透鏡的結晶軸與另一螢石透鏡結晶軸的光軸為中心的相對角度為約90度。此外，從圖4A與圖4B可以了解，當以結晶軸[110]為光軸時，以光軸為中心的雙折射影響的旋轉非對稱性呈現出180度的周期。因此，在本發明所提的第二方法中，以光軸為中心相對地旋轉90度意指以光軸為中心，相對地旋轉90度+(n×180度)；亦即與相對地旋轉90度、270度…等是相同的意思(在此n為整數)。如上述的說明，利用使螢石透鏡對光軸與結晶軸[111]一致，且以光軸為中心將螢石透鏡對相對地旋轉60度，或者利用使螢石透鏡對光軸與結晶軸[100]一致，且以光軸為中心將螢石透鏡對相對地旋轉45度，亦或利用使螢石透鏡對光軸與結晶軸[110]一致，且以光軸為中心將螢石透鏡對相對地旋轉90度，雙折射效應的影響可以大為降低。如前所述，在投影光學系統中，在實質上不受到螢石雙折射效應的影響並且可以確保良好的光學性能方面，將螢石透鏡光軸與預定結晶軸(結晶軸[111]、結晶軸[100]或結晶軸[110])的角度偏差抑制在預定的容許量以下是很重要的。依據本發明，在以屬於如螢石般的立方晶系的結晶材料所形成的結晶穿透部材中，如結晶軸[111]、結晶軸[100]或結晶軸[110]等的預定結晶軸與光軸間的角度偏差是設定在1度以下。如在後述的各實施例中的數值檢驗一般，通過將作為結晶穿透部材的螢石透鏡光軸與預定的結晶軸間的角度偏差設定在1度以下，在實質上可以不受螢石的雙折射效應影響，並且可以確保良好的光學性能。此外，對於在實質上可以不受螢石的雙折射效應影響並且可以確保良好的光學性能的這一方面上，必須將包含在投影光學系統中的至少兩種結晶穿透部材的角度偏差設定在1度以下。較佳而言，必須將包含在投影光學系統中的所有結晶穿透部材的角度偏差設定在2度以下。此外，如在後述的各實施例中的數值檢驗一般，在數值孔徑(開口數)較大的投影光學系統中，穿透配置在成像面附近的透鏡成分(元件)的光線的透鏡內角度差較大，即使選擇了應與光軸一致作為預定結晶軸，如雙折射較小的結晶軸[111]或結晶軸[100]，在穿透光束中也有大受雙折射影響的光線存在，因此在配置於成像面附近的透鏡成分(元件)，設計成使特定結晶軸與透鏡光軸一致是非常重要的。換言之，在有效地降低雙折射效應影響方面，特別是在最靠近成像面(第2面)的結晶穿透部材，最好將預定的結晶軸與光軸的角度偏差設定在1度以下。此外，在反射折射型投影光學系統的情形時，為了色差與像面彎曲的補正，通常會在凹面反射鏡附近配置透鏡成分(元件)。但是，穿透此透鏡成分(元件)的光線的透鏡內角度差較大，而且因為在穿透光束中也有大受雙折射影響的光線存在以及這些光線會在凹面反射鏡所形成的往復光路徑中往復行進，故配置在凹面反射鏡所形成的往復光路徑上的透鏡成分中，特別是將預定的結晶軸設計成與光軸一致是非常重要的。換言之，在有效地降低雙折射效應影響方面，特別是對於在凹面反射鏡附近所配置的結晶穿透部材，最好將預定的結晶軸與光軸的角度偏差設定在1度以下。其次，對於在物體面與成像面間形成中間像的反射折射型並且為再成像型的投影光學系統的情形時，因為凹面反射鏡的放大率(power)很強而導致穿透配置在凹面反射鏡附近的透鏡成分(元件)的光線的透鏡內角度差變得很顯著，且由於在穿透光束中也有大受雙折射影響的光線存在，故特別是對於在凹面反射鏡附近所配置的透鏡成分(元件)，最好將預定的結晶軸與透鏡光軸的角度偏差設定在1度以下。此外，對於在物體面與成像面間形成兩個中間像的反射折射型並且為三次成像型的投影光學系統的情形時也是相同的。因為在搭載凹面反射鏡的第二成像光學系統的光路上所配置的結晶穿透部材特別容易受到雙折射效應的影響，最好將預定的結晶軸與光軸間的角度偏差設定在1度以下。此外，假設構成投影光學系統的所有透鏡成分(元件)是例如由螢石所形成的話，約有15％左右的透鏡成分會成為對表面線寬誤差ΔCD有影響的明顯成分。因此，在投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中，對於15％以上的結晶穿透部材，最好將預定的結晶軸與光軸間的角度偏差設定在1度以下。此外如前所述一般，在投影光學系統中，對於實質上不受雙折射效應影響並且可以確保良好的光學性能方面，將螢石透鏡對的光軸旋轉的相對旋轉角度偏差抑制在預定的容許量以下是非常重要的。依據本發明，對於結晶穿透部材對，其從在預定結晶軸(與結晶軸[111]、結晶軸[100]或結晶軸[110]垂直的結晶軸)的光軸旋轉相對旋轉角度預定值(如60度、45度獲90度)的角度偏差系設定在1度以下。因此，通過將螢石透鏡對的光軸旋轉的相對旋轉角度偏差設定在1度以下，實質上便可不受雙折射效應影響並且可以確保良好的光學性能。再者如前所述一般，在螢石結晶中，具有異端結晶軸方位偏差的區域也有可能會局部地存在。因此，在投影光學系統中，為了在實質上不受雙折射效應影響並且可以確保良好的光學性能，在異端螢石結晶中，將結晶軸方位的相對角度偏差抑制在預定的容許量以下是非常重要的。依據本發明，在以屬於如螢石般的立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材中，當有結晶軸方位偏差的區域存在時，將其相對角度偏差設定在2度以下。因此，例如用在形成作為結晶穿透部材的螢石透鏡的異端螢石結晶中，通過將其結晶軸方位的角度偏差抑制在2度以下，在實質上便可不受雙折射效應影響，並且可以確保良好的光學性能。在結晶軸方位的角度偏差情形下，也與預定結晶軸與光軸間的角度偏差相同，為了有效地降低雙折射效應的影響，特別是對於配置在最靠近成像面(第2面)的結晶穿透部材以及配置在凹面反射鏡附近的結晶穿透部材，最好將結晶軸方位的相對角度偏差設定在2度以下。同樣地，在反射折射型且再成像型的投影光學系統的場合中，為了有效地降低雙折射效應的影響，對於配置在凹面反射鏡附近的結晶穿透部材，最好將結晶軸方位的相對角度偏差設定在2度以下。此外，在物體面與成像面間形成兩個中間像的反射折射型並且為三次成像型的投影光學系統的場合中，為了有效地降低雙折射效應的影響，對於搭載凹面反射鏡的第二成像光學系統的光路上所配置的結晶穿透部材，最好將結晶軸方位的相對角度偏差設定在2度以下。其次，為了有效地降低雙折射效應的影響，在投影光學系統中所含的所有結晶穿透部材中，最好將結晶軸方位的相對角度偏差設定在2度以下。此外，在本發明中，當在決定結晶穿透部材的預定結晶軸與光軸間的角度偏差的容許值，結晶穿透部材對的預定結晶軸的相對旋轉角預定值算起的角度偏差的容許值，以及結晶軸方位的相對角度偏差等等時，使用目前雙折射影響最顯著的相移式十字標記(phaseshiftingreticle)，將在投影曝光柵圖案(gatepattern)等細線時的表面線寬誤差ΔCD作為指針。通過滿足本發明上述的容許值，線寬誤差可以抑制在解析度線寬的2％以下。假設超解析度技術更進步以及投影光學系統的大NA值化的話，各容許值希望可以縮小至70％左右。接著依據附加圖式來說明本發明的實施例。圖5繪示具備本發明實施例的投影光學系統的曝光裝置的概略示意圖。此外，在圖5中，將與投影光學系統PL的基準光軸AX平行的軸設定為Z軸，將在與基準光軸AX垂直的平面上且與圖5圖面平行的軸設定為Y軸，與圖5圖面垂直的軸設定成X軸。圖所示之曝光裝置具備光源100，其用來提供紫外線區域照明光，此光源可例如F2雷射源(中心振蕩波長為157.6244nm)。從光源100所發出的光，經過照明光學系統IL，被均勻地照明到已形成預定圖案的十字標記R上。此外，光源100與照明光學系統IL間的光路以機殼(casing)加以密封，從光源100到照明光學系統IL內最靠近十字標記R側的光源元件的空間，可以置換成對曝光光束吸收率低的氣體，例如氦氣或氮氣等惰性氣體，或者是保持在真空狀態。十字標記R經由十字標記保持器RH，被保持在十字標記載置臺RS上並且平行於XY平面。應轉印的圖案則形成在十字標記R上，而在圖案區域整體中，沿著X方向為長邊並且沿著Y方向為短邊的矩形(縫狀)的圖案區域被照明。十字標記載置臺RS可以利用圖式未標出的驅動系統，沿著十字標記面(亦即XY平面)進行二維的移動，並且通過使用十字標記移動鏡RM的幹涉計RIF，其坐標位置可被量測與位置控制。來自形成於十字標記R上的圖案的光，經由反射折射型投影光學系統PL，在感旋光性基板的晶圓W上形成十字標記圖案像。晶圓W經由晶圓臺(wafertable或晶圓保持器)WT，以平行於XY平面方向，被保持在晶圓載置臺WS上。接著，以光學地對應至十字標記R的矩形照明區域的方式，將圖案像形成於在晶圓W上的沿著X方向為長邊且沿著方向為短邊的矩形照明區域上。晶圓載置臺WS利用圖式省略的驅動系統的動作，可以沿著晶圓面上(亦即XY平面)做二維的移動，其坐標位置是使用晶圓移動鏡WM以幹涉計WIF來測量，並且做位置控制。圖6繪示晶圓上所形成的矩形曝光區域(亦即有效曝光區域)與基準光軸間的位置關係。在本發明的各個實施例中，如圖6所示，在以基準光軸AX為中心的半徑B的圓形區域(影像圈)IF內，在從基準光軸AX的-Y方向離開偏軸量A的位置上，設定具有期望大小的矩形有效曝光區域ER。在此，有效曝光區域ER的X方向長度為LX，且Y方向長度為LY。換言之，在各實施例，在從基準光軸AX離開偏軸量A的位置上，設定具有期望大小的矩形有效曝光區域ER，並且定出圓形影像圈的半徑B，使其以基準光軸AX為中心並包含有效曝光區域ER。因此，雖然圖式中省略，但是對應於此，對應於在從基準光軸AX離開偏軸量A的位置上的有效曝光區域ER的大小與形狀的矩形照明區域(亦即有效照明區域)形成在十字標記R上。此外，如圖標的曝光裝置，在構成投影光學系統PL的光學部材中，配置在最靠近十字標記側的光學部材(在各實施例為透鏡L11)與配置在最靠近晶圓側的光學部材(各實施例為透鏡L313)之間的投影光學系統PL內部，被保持在氣密狀態。投影光學系統PL內部的氣體可以置換氦氣或氮氣等的非活性氣體，或者可以大致保持在真空狀態。再者，十字標記R與十字標記載置臺RS等是配置在照明光學系統IL與投影光學系統PL間的狹窄光路上。但是，將十字標記R與十字標記載置臺RS等密封包圍住的機殼(未繪出)之內部可以填入氮氣或氦氣等的非活性氣體，或者可以大致保持在真空狀態。此外，晶圓W與晶圓載置臺WS等是配置投影光學系統PL與晶圓W間的狹窄光路上。但是，將晶圓W與晶圓載置臺WS等密封包圍住的機殼(未繪出)之內部可以填入氮氣或氦氣等的非活性氣體，或者可以大致保持在真空狀態。如此，從光源100到晶圓W的整個光路，可以形成一種環境使得曝光光束可已幾乎不被吸收。如上所述，以投影光學系統PL所規定出的十字標記R上的照明區域以及晶圓W上的曝光區域，是沿著Y方向具有短邊的矩形。因此，一邊使用驅動系統與幹涉計(RIF、WIF)等來進行十字標記R與晶圓之位置控制，一邊沿著矩形曝光區域及照明區域的點邊方向(亦即沿著Y方向)，使十字標記載置臺RS與晶圓載置臺WS在朝向與十字標R與晶圓W相同方向上同步移動(掃描)。藉此，在晶圓上，對於具有與曝光區域長邊相等的寬度並且具有對應晶圓W的掃描量(移動量)的長度的區域，十字標記圖案被掃描曝光於晶圓上。在本發明各實施例中，投影光學系統PL包括折射型第一成像光學系統G1，用以形成配置在第一面之時字標記R的第一中間像；第二成像光學系統G2，由凹面反射鏡CM與兩個負透鏡所構成，用以形成約略與第一中間像等倍率的第二中間像(第一中間像的約略等倍率像，十字標記圖案的二次像)；以及折射型第三成像光學系統G3，依據來自第二中間像的光，將十字標記圖像的最終影像(十字標記圖案的縮小像)形成在配置於第二面的晶圓W上。此外在各實施例，第一成像光學系統G1與第二成像光學系統G2間的光路中，將從第一成像光學系統G1的光束偏向第二成像光學系統G2的第一光路彎曲反射鏡M1系配置在在第一中間像的形成位置附近。此外，第二成像光學系統G2與第三成像光學系統G3間的光路中，將從第二成像光學系統G2的光束偏向第三成像光學系統G3的第二光路彎曲反射鏡M2系配置在在第二中間像的形成位置附近。此外在各實施例，第一成像光學系統G1具有直線延伸的光軸AX1，第三成像光學系統G3具有直線延伸的光軸AX3，光軸AX1與光軸AX3系設定成與共同單一光軸的基準光軸AX一致。此外，基準光軸AX系沿著重力方向(亦即鉛直方向)來做定位。因此，十字標記R與晶圓W會沿著與重力方向垂直之面所構成的水平面，彼此互相平行配置。除此之外，構成第一成像光學系統G1的所有透鏡以及構成第三成像光學系統G3的所有透鏡，也沿著水平面，配置在基準光軸AX上。另一方面，第二成像光學系統G2也具有直線延伸的光軸AX2，此光軸AX2設定成與基準光軸AX垂直。再者，第一光路彎曲反射鏡M1與第二光路彎曲反射鏡均具有平面狀的反射面，並且一體構成具有兩個反射面的光學部材(一個光路彎曲反射鏡)。此兩反射面的交線(嚴格來說是假想延長面的交線)系設定成與第一成像光學系統G1的光軸AX1、第二成像光學系統G2的光軸AX2和第三成像光學系統G3的光軸AX3等相交於一點。在各實施例，第一光路彎曲反射鏡M1與第二光路彎曲反射鏡均構成為表面反射鏡。在各實施例中，構成投影光學系統PL的所有折射光學部材(透鏡成分)為使用螢石(CaF2結晶)。此外，曝光光束的F2雷射的振蕩中心波長為157.6244nm。在157.6244nm附近，每+1pm的波長變化，CaF2結晶的折射率以-2.6×10-6的比例變化。換言之，在157.6244nm附近，CaF2的折射率分散(d/dλ)為-2.6×10-6/pm。因此，在各實施例，相對於中心波長157.6244nm的CaF2的折射率為1.55930666，相對於中心波長157.6244nm+1pm＝157.6254的CaF2的折射率為1.55930406，相對於中心波長157.6244nm-1pm＝157.6243的CaF2的折射率為1.55930926。此外，在各實施例中，當垂直於光軸方向的高度為y，從非球面頂點之切面到高度y的非球面上位置的光軸方向延伸的距離(下垂量(sag))為z，頂點的區率半徑為r，圓錐係數為κ以及n次非球面係數為Cn時，非球面以下面數式(a)來表示。Z＝(y2/r)/[1+{1-(1+κ)·y2/r2}1/2+]+C4·y4+C6·y6+C8·y8+C10·y10+C12·y12+C14·y14(a)[第一實施例]圖7為依據本發明的第一實施例所繪示的投影光學系統的透鏡構成圖。參考圖7，在第一實施例所述的投影光學系統PL，第一成像光學系統G1的構成為從十字標記R側開始依序為雙凸透鏡L11、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡(meniscuslens)L12、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L13、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L14、凹面朝向十字標記側的負凹凸透鏡L15、凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L16、非球面狀的凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L17、凹面朝向十字標記側的正凸透鏡L18、雙凸透鏡L19、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L110。此外，第二成像光學系統G2的構成為從十字標記R側(亦即入射側)開始依序為非球面狀的凸面朝向十字標記R側的負凹凸透鏡L21、凹面朝向十字標記R側的負凹凸透鏡L22與凹面反射鏡CM。第三成像光學系統G3的構成為從十字標記R側開始依序為凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L31、雙凸透鏡L32、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L33、雙凹透鏡L34、非球面狀的凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L35、球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L36、光圈AS、雙凸透鏡L37、凹面朝向十字標記側的負凹凸透鏡L38、雙凸透鏡L39、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L310、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L311、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L312、平面朝向晶圓側的平凸透鏡L313。在下列表1中，面編號為沿著從物體面(第一面)的十字標記面到影像面(第二面)的晶圓面的光線行進方向，從十字標記側開始的面順序。r為各面的曲率半徑(非球面時為頂點的曲率半徑nm)。d為各面的軸上間隔(也就是面間隔mm)。(C·D)為在各螢石中，與其光軸一致的結晶軸C與其它特定結晶軸的角度位置D。ED為各面的有效直徑(mm)。n為相對於中心波長的折射率。此外，面間隔d在被反射之際，其符號會改變。因此，面間隔的符號d在從第一光路彎曲反射鏡M1至凹面反射鏡CM的光路中，以及在從第二光路彎曲反射鏡M2的反射面至影像面為止的光路中為負，但在其它光路中為正。之後，在第一光學系統G1中，面向十字標記側，凸面的曲率半徑為正而凹面的曲率半徑為負。另一方面，在第三光學系統G3中，面向十字標記側，凹面的曲率半徑為正而凸面的曲率半徑為負。其次，在在第二光學系統G2中，沿著光行進方向且面向十字標記側(亦即入射側)，凹面的曲率半徑為正而凸面的曲率半徑為負。當結晶軸C為結晶軸[111]時，角度位置D為例如相對於結晶軸[-111]的基準方位的角度，當結晶軸C為結晶軸[100]時則為例如相對於結晶軸的基準方位的角度。在此，例如在十字標記面上，相對於通過光軸AX1任意設定的方位，且光學地對應的方式來設定基準方位。具體來說，在十字標記面上，當基準方位設定在+Y方向時，第一成像光學系統G1的基準方位為+Y方向，第二成像光學系統G2的基準方位為+Z方向(光學對應於十字標記面的+Y方向的方向)，第三成像光學系統G3的基準方位為-Y方向(光學對應於十字標記面的+Y方向的方向)。因此，例如(C·D)＝(100·0)表示在光軸與結晶軸[100]一致的螢石透鏡中，其結晶軸為沿著基準方位配置。此外，(C·D)＝(100·45)表示在光軸與結晶軸[100]一致的螢石透鏡中，其結晶軸配置成與基準方位成45度角度位置。亦即，(C·D)＝(100·0)的螢石透鏡與(C·D)＝(100·45)的螢石透鏡為構成結晶軸[100]的透鏡對。此外，例如(C·D)＝(111·0)表示在光軸與結晶軸[111]一致的螢石透鏡中，其結晶軸[-111]為沿著基準方位配置。此外，(C·D)＝(111·60)表示在光軸與結晶軸[111]一致的螢石透鏡中，其結晶軸[-111]配置成與基準方位成60度角度位置。亦即，(C·D)＝(111·0)的螢石透鏡與(C·D)＝(111·60)的螢石透鏡為構成結晶軸[111]的透鏡對。此外，在上述角度位置說明中，基準方位的設定並不需要將所有的透鏡均設成共通。例如，在各透鏡對的單位為共通就可以了。此外，作為相對於基準方位的角度測量的對象的特定結晶軸，在結晶軸[100]的透鏡對情形時，並不必限定於結晶軸，而在結晶軸[111]的透鏡對情形時，也不必限定於結晶軸[-111]。例如，可以各透鏡對為單位，做適當的設定。此外，表1中的標記與後述的表2相同。表1主要規格λ＝157.6244nmβ＝-0.25NA＝0.85B＝14.4mmA＝3mmLX＝25mmLY＝4mm光學部材規格(晶圓面)非球面數據4面κ＝0C4＝4.21666×10-8C6＝-1.01888×10-13C8＝5.29072×10-17C10＝-3.39570×10-21C12＝13.2134×10-26C14＝7.93780×10-3013面κ＝0C4＝4.18420×10-8C6＝-4.00795×10-12C8＝-2.47055×10-16C10＝4.90976×10-20C12＝-3.51046×10-24C14＝1.02968×10-2820面κ＝0C4＝6.37212×10-8C6＝-1.22343×10-12C8＝3.90077×10-17C10＝2.04618×10-21C12＝-5.11335×10-25C14＝3.76884×10-2922面以及30面(同一面)κ＝0C4＝-6.69423×10-8C6＝-1.77134×10-14C8＝2.85906×10-17C10＝8.86068×10-21C12＝1.42191×10-26C14＝6.35242×10-2937面κ＝0C4＝-2.34854×10-8C6＝-3.60542×10-13C8＝-1.45752×10-18C10＝-1.33699×10-21C12＝1.94350×10-25C14＝-1.21690×10-2940面κ＝0C4＝5.39302×10-8C6＝-7.58468×10-13C8＝-1.47196×10-18C10＝-1.32017×10-21C12＝0C14＝043面κ＝0C4＝-2.36659×10-8C6＝-4.34705×10-13C8＝2.16318×10-18C10＝9.11326×10-22C12＝-1.95020×10-25C14＝054面κ＝0C4＝-3.78066×10-8C6＝-3.03038×10-13C8＝3.38936×10-18C10＝-6.41494×10-21C12＝4.14101×10-25C14＝-1.40129×10-29圖8繪示第一實施例的橫向像差圖。在像差圖中，Y為像高，實線為中心波長157.6244nm，虛線為157.6244+1pm＝157.6254nm，破折線為157.6244nm-1pm＝157.6234nm。此外，在圖8的標記與後述的圖10中的標記相同從圖8的像差圖可以明白，在第一實施例，不管較大的成像側數值孔徑(NA＝0.85)以及投影視野(有效直徑＝28.8mm)，對于波長寬度157.6244nm±1pm的曝光光，色差也可以有良好的補正。[第二實施例]圖9為依據本發明第二實施例所繪示的投影光學系統的透鏡構成圖。參考圖9，在第二實施例所述的投影光學系統PL，第一成像光學系統G1的構成為從十字標記R側開始依序為雙凸透鏡L11、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L12、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L13、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L14、凹面朝向十字標記側的負凹凸透鏡L15、凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L16、非球面狀的凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L17、凹面朝向十字標記側的正凸透鏡L18、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L19、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L110。此外，第二成像光學系統G2的構成為，延著光行進路線，從十字標記R側(亦即入射側)開始依序為非球面狀的凸面朝向晶圓W側(射出側)的負凹凸透鏡L21、凹面朝向十字標記R側的負凹凸透鏡L22與凹面反射鏡CM。第三成像光學系統G3的構成為延著光行進路線，從十字標記R側開始依序為凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L31、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L32、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L33、雙凹透鏡L34、非球面狀的凹面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L35、球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L36、光圈AS、雙凸透鏡L37、凹面朝向十字標記側的負凹凸透鏡L38、平面朝向十字標記側的平凸透鏡L39、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L310、非球面狀的凹面朝向晶圓側的正凹凸透鏡L311、凸面朝向十字標記側的正凹凸透鏡L312、平面朝向晶圓側的平凸透鏡L313。在下面表2中，記述第二實施例的投影光學系統PL的各個規格值表2主要規格λ＝157.6244nmβ＝-0.25NA＝0.85B＝14.4mmA＝3mmLX＝25mmLY＝4mm光學部材規格(晶圓面)非球面數據4面κ＝0C4＝-5.82127×10-8C6＝7.43324×10-12C8＝1.66683×10-16C10＝-6.92313×10-20C12＝7.59553×10-24C14＝-2.90130×10-2813面κ＝0C4＝4.61119×10-8C6＝-2.94123×10-12C8＝-3.08971×10-16C10＝3.40062×10-20C12＝-7.92879×10-24C14＝-3.73655×10-2920面κ＝0C4＝7.74732×10-8C6＝-1.87264×10-12C8＝5.25870×10-18C10＝7.64495×10-21C12＝-1.54608×10-24C14＝1.16429×10-2823面以及29面(同一面)κ＝0C4＝1.71787×10-8C6＝-1.00831×10-12C8＝6.81668×10-17C10＝-4.54274×10-21C12＝2.14951×10-25C14＝-5.27655×10-3037面κ＝0C4＝-8.55990×10-8C6＝2.03164×10-12C8＝-1.01068×10-16C10＝4.37342×10-21C12＝-5.20851×10-25C14＝3.52294×10-2940面κ＝0C4＝-2.65087×10-8C6＝3.08588×10-12C8＝-1.60002×10-16C10＝4.28442×10-21C12＝-1.49471×10-25C14＝1.52838×10-2943面κ＝0C4＝-8.13827×10-8C6＝2.93566×10-12C8＝-1.87648×10-16C10＝1.16989×10-20C12＝-3.92008×10-25C14＝1.10470×10-2954面κ＝0C4＝-3.31812×10-8C6＝-1.41360×10-12C8＝1.50076×10-16C10＝-1.60509×10-20C12＝8.20119×10-25C14＝-2.18053×10-29圖10繪示第二實施例的橫向像差圖。在第二實施例也與第一實施例相同，不管較大的成像側數值孔徑(NA＝0.85)以及投影視野(有效直徑＝28.8mm)，對于波長寬度157.6244nm±1pm的曝光光，色差也可以有良好的補正。如以上所述，在各實施例中，對於中心波長為157.6244nm的F2雷射，0.85的成像側NA可以確保，並且在晶圓W上的色差，可以確保開始色差的各像差均被足夠補正的有效直徑為28.8m的影像圈。因此，可以確保如25mm×4mm的足夠大的矩形有效曝光區域，並且可以達成0.1μm以下的高解析度。圖11繪示在第一實施例中，各螢石透鏡的結晶軸與光軸間產生1度的角偏移時，表面線寬的變化量。此外，圖12繪示在第二實施例中，各螢石透鏡的結晶軸與光軸間產生1度的角偏移時，表面線寬的變化量。在圖11與圖12中，橫軸表示構成投影光學系統PL的各螢石透鏡的參照符號。此外，縱軸系表示當應與光軸一致的各螢石的結晶軸C與光軸間產生1度角偏移時的表面線寬變化量，並且將整個系統的線寬變化量容許值正規化為1。參考圖11與圖12，在各實施例中，特別是在配置在晶圓W所設置的成像面(第二面)附近的L313與L312，當其結晶軸C與光軸產生角度偏移時，因為受到雙折射率影響，表面線寬很容易產生變化。此外，當結晶軸C與光軸產生角度偏移時，配置在凹面反射鏡CM形成的往返光路中的L21與L22也會受到雙折射率影響，而使表面線寬很容易產生變化。此外，上述仿真結果中，在構成投影光學系統PL的全部螢石透鏡中，若將結晶軸C與光軸間的角度偏移抑止在1度以內，表面線寬的變化量可以抑止在容許值的65％以內，並確定可以獲得良好的成像性能。如以上所述的各實施例，在投影光學系統PL所包含的至少兩個螢石透鏡中，將其光軸與結晶軸C間的角度偏移設定在1度以下，而最好是在投影光學系統PL所包含的所有螢石透鏡中，將其光軸與結晶軸C間的角度偏移設定在2度以下，藉此在實質上，便可以不受到螢石雙折射效應的影響，並且可以確保良好的成像性能。圖13繪示本發明實施例的投影光學系統製造方法的概略流程示意圖。如圖13所示，在本實施方法中，包含設計工程S1、結晶材料準備工程S2、結晶軸測量工程S3、折射部材形成工程S4以及組裝工程S5。在設計工程S1，當使用光跡軟體(lighttracingsoftware)來進行投影光學系統之設計時，使用多個偏光成分的光線，來進行投影光學系統的光線追蹤，並且分別計算出各個偏光成分下的像差，而最好事每一個偏光成分的波面像差。之後，對於各個偏光成分的像差以及多個偏光成分像差的合成純量成分的純量像差，進行投影光學系統的評估，並且將構成投影光學系統的多個光學部材(折射部材、反射部材與繞射部材等)的參數做最佳化，以獲得由該些參數所構成的設計數據。該些參數可以是光學部材的表面形狀、光學部材的表面間距、光學部材的折射率等的公知參數外，當光學部材為結晶材料時，其結晶軸方位也作為參數。在結晶材料準備工程S2，準備對於投影光學系統所使用的波長(在本實施例為曝光光)具有光透性的等軸結晶系(結晶軸的單位長度互相相等，且在各個結晶軸交點的各結晶軸所成的角度均為90度的結晶系)的結晶材料(在本實施例為螢石)。在結晶軸測量工程S3中，對結晶材料準備工程S2中所準備的結晶材料進行結晶軸的測量。此時，例如進行勞厄(Laue)測量，來直接測量結晶軸方位的方法，或者測量結晶材料的雙折射，在依據已知的結晶軸方位與雙折射量的關係，再從測量到的雙折射來訂出結晶軸方位的方法等，均可以適用。在折射部材形成工程S4中，對結晶材料準備工程S2中所準備的結晶材料進行加工(研磨)，使折射部材具備以設計工程所得到的參數(設計數據)。此外，在本實施例，結晶軸測量工程S3與折射部材形成工程S4的順序可以其中任何一個先處理。例如，當先執行折射部材形成工程S4時，可以對加工成折射部材形狀的結晶材料進行結晶軸的測量，而當先執行結晶軸測量工程S3時，以折射部材形成後所測量的結晶軸為已知的方式，可以讓折射部材或者用來保持該折射部材的保持部材持有結晶軸方位的信息。在組裝工程S5中，依據在設計工程所得到的設計數據，將已加工的折射部材組裝到投影光學系統的鏡簡內。此時，以做成設計工程所得的設計數據中的結晶軸方位的方式，來定位由等軸結晶系的結晶材料所構成的折射部材的結晶軸。圖14繪示結晶材料準備工程的詳細流程圖，其用來準備對使用於投影光學系統的波長具有光透性的等軸晶系的結晶材料。此外，該等軸晶系的結晶材料是以螢石(氟化鈣，CaF2)或氟化鋇(BaF2)等作為例子。在以下的說明，等軸晶系的結晶材料是以螢石作為適用材料的情形來說明。參考圖14，在結晶材料準備工程S21的步驟S21中，進行前處理，使粉末原料進行去氧化反應。當以布裡吉曼法(Bridgemanmethod)來成長螢石單晶時，一般是使用人工合成的高純度原料。再者，僅融解原料來結晶化時，會產生白濁化而呈現失去透光性的傾向，因此利用添加清除劑(scavenger)進行加熱，做防止白濁化的處置。在螢石單晶的前處理或成長中所使用的代表清除劑可以例如是氟化鉛(PbF2)。此外，具有與原料中所含的雜質產生化學反應並且將其去除的作用的添加物值，一般稱為清除劑。在本實施例之前處理中，首先，將清除劑添加到高純度粉末原料，並將其好好地混合。之後，加熱升溫至清除劑的融點以上但不到螢石融點的溫度，來進行去氧化反應。之後，可以降溫至室溫做成燒結體，或者也可以再讓溫度上升，在使原料融解後，在降溫到室溫做成燒結體。依據上述方式，去氧化的燒結體或多晶體稱為前處理品。接著，在步驟S22，使用該前處理品，繼續使結晶成長，以獲得單晶鑄塊(ingot)。在廣為知悉的結晶成長方法中，一般區分為融液固化、從溶液中析出、從氣體中析出與固體粒子的成長等。但是，在本實施例則利用垂直布裡吉曼法使結晶成長。首先，將前處理收容在容器中，並設置在垂直布裡吉曼裝置(結晶成長爐)的預定位置。之後，使收容在容器內的前處理品加熱融解。在到達前處理品的融點後，經過預定的時間後便開始結晶化。在所有融液結晶化，慢慢冷卻至室溫，在取出作為鑄塊。在步驟S23，將鑄塊切斷，以獲得與如後述折射部材形成工程S4所得的光學部材的大小與形狀相同的圓盤材料。當折射部材形成工程S4所得的光學部材為透鏡時，圓盤材料的形狀最好是薄的圓柱狀。圓柱狀圓盤材料的口徑與厚度最好配合透鏡的有效直徑(外徑)與光軸方向的厚度來決定。在步驟S24，對從螢石單晶鑄塊所財切出來的圓盤狀材料進行回火處理。通過執行步驟S21～S24，可以獲得由螢石單晶所構成的結晶材料。接著，說明結晶軸測量工程S3。在結晶軸測量工程S3中，測量結晶材料準備工程S2所準備的結晶材料的結晶軸。此時，可以考慮直接測量結晶軸方位的第一測量方法，以及測量結晶材料的雙折射，間接地決定出結晶軸方位的第二測量方法。首先，說明直接測量結晶軸方位的第一測量方法。在第一種方法中，使用X射線結晶分析方法，來直接地測量結晶材料的結晶構造，乃至於結晶軸等。此種測量方法，可以例如是勞厄(Laue)法等。接著，以適合第一測量方法的勞厄法的情形，參考圖15來做簡單說明。圖15勞厄攝影機的示意圖。如圖15所示，為了實施勞厄法的結晶軸測量的勞厄攝影機包括X射線源100、經X射線源100的X射線101導向作為樣本的結晶材料103的準直器102，以及被從結晶材料103繞射的繞射X射線104所曝光的X射線感光材料105。此外，雖然圖15沒有繪出，在貫通X射線感光材料105之準直器102的內部，設置一對相對的狹縫。在第一測量方法中，首先，將X射線101照明到結晶材料準備工程S2所準備的結晶材料103，使從結晶材料103產生繞射X射線104。之後，以此繞射X射線104，使配置在結晶材料103的X射線入射側的X射線底片或影像板等的X射線感光材料105曝光，而在X射線感光材料105上，產生對應結晶結構的圖樣的可見光影像(繞射影像)。當結晶材料為單晶時，此繞射影像(勞厄影像)為斑點狀，此斑點稱為勞厄斑點。因為本實施例所使用的結晶材料營石，其結晶結構為已知，因此通過分析勞厄斑點便可以知道結晶軸方位。此外，作為直接測量結晶軸的第一測量方法並布局限於勞厄法。一邊使結晶旋轉或震動，一邊照明X射線的旋轉法或振動法、Weissenerg法與進動(Precession)法等的其它X射線結晶分析方法；或者是利用結晶材料之劈開性的方法、利用提供結晶材料的塑性變形，以觀察結晶材料表面所呈現出來的特有形狀的壓力像(pressurefigure)或敲擊像(percussionfigure)的方法等的機械性方法。接著，簡單地說明測量結晶材料的雙折射，來間接地決定結晶軸方位的第二測量方法。在第二測量方法中，首先進行結晶材料的結晶軸方位與在此方位之雙折射量的對應關係。此時，以上述第一測量方法來測量結晶材料的樣本的結晶軸方位。之後，測量結晶材料樣本的各個結晶軸的雙折射。圖16繪示雙折射測量機的概略示意圖。在圖16中，將從光源110所放出的光，以偏光器111，改變成線偏極光，具有從水平方向(X方向)傾斜π/4的振動面。之後，此偏極光利用光彈性調變器112做相位調變，在照明到結晶材料樣本113上。換句話說，將相位變化的線偏極光入射至結晶材料樣本113。穿透結晶材料樣本113的光，被導入光檢測器114，只有在水平方(X方向)具有振動面的偏極光會穿過光檢測器114，而被光檢測器115檢測出來。當利用光彈性調變器112產生預定的相位延遲時，哪一個[どれだけ]的光量被光檢測器115所檢測出的，以改變相位延遲的量來測定，可以求得相位延遲軸方向及其折射率以及相位超前軸的折射率。此外雙折射存在於樣本中時，利用折射率差，與通過樣本的振動面(偏光面)垂直的兩個線偏極光的光相位會產生變化。亦即，相對於其中的一偏極光，另外的偏極光的相位會超前延遲。相位超前的一方的偏極光方向稱為相位超前軸，而相位落後的一方的偏極光方向稱為相位延遲軸。在本實施例中，以上述第一測量方法，對結晶軸方位為已知的結晶材料樣本，測量每個結晶軸的雙折射，並且進行結晶材料的結晶軸方位與在該方位的雙折射的對應。此時，作為測量結晶材料的結晶軸，除了代表性的[100]、[110]以及[111]等結晶軸外，也可以使用[112]、[210]與[211]等結晶軸。此外，結晶軸、為與上述結晶軸[100]同等的結晶軸，結晶軸、[101]為與上述結晶軸[110]同等的結晶軸。此外，位在測量的結晶軸的中間的結晶軸，可以使用預定的補插演算式來進行補插。在第二測量方法適用的結晶軸測量工程S3中，使用圖16所示的雙折射率測量機，來測量在結晶材料準備工程S2所準備的結晶材料的雙折射。之後，因為結晶軸方位與雙折射的對應關係已經事先得到，利用此對應關係，從測量到的雙折射計算出結晶軸方位。如上所述，利用地二測量方法的話，不必直接測量結晶軸方位，就可以求得結晶材料的結晶軸方位。接著說明折射部材形成工程S4。在折射部材形成工程S4，將結晶材料準備工程S2所準備的結晶材料加工，以形成預定形狀的光學部材(透鏡等)。此時，結晶軸測量工程S3與折射部材形成工程S4的順序可以任何一個為先。例如，可以考慮下述的順序在結晶軸測量工程S3後進行折射部材形成工程S4的第一部材形成方法，在折射部材形成工程S4後進行結晶軸測量工程S3的第二部材形成方法，以及結晶軸測量工程S3與折射部材形成工程S4同時進行的第二部材形成方法。首先，說明第一部材形成方法。在第一部材形成方法中，對結晶材料準備工程S2所準備的結晶材料進行研磨、切削等的加工，使光學部材具有關於設計工程S1所得的結晶軸方位的參數。此時，在加工的光學部材上，設置預定的標記，以了解光學部材的結晶軸方位。具體來說，在結晶材料準備工程S2中，從結晶軸方位被測量的結晶材料(一般為圓盤狀材料)，依據所需使用研磨切削的材料，來製造構成投影光學系統的折射部材。亦即，在眾知的研磨工程中，以設計數據中的表面形狀與表面間隔為目標，對各透鏡表面進行加工，以製造出具有預定形狀的透鏡面的折射部材。此時，一邊以幹涉計測量各透鏡的表面形狀的誤差，一邊反覆地研磨，來使各透鏡表面形狀接近目標表面形狀(最適的球面形狀)。因此，在各透鏡的表面形狀誤差到達預定範圍內後，利用如一般皆知的精密幹涉計裝置，來測量各透鏡的表面形狀的誤差。以上，關於本實施例的投影光學系統的製造方法，說明基本的事項。在本實施例，在設計工程S1中，作為結晶穿透部材的螢石透鏡的光軸系設計成結晶軸[111]、結晶軸[100]或結晶軸[110]與預定的結晶軸一致。接著，在製造工程S2～S4，製造出螢石透鏡，使得應與光軸一致的預定結晶軸以及光軸之間的角度偏移在1度以下。此外，在製造工程S2～S4中，在從單晶鑄塊切出圓盤狀材料時，最好要將預定光軸與光軸調整為一致，並且在圓盤狀材料的研磨中，也最好要將預定光軸與光軸調整為一致。此外，如在更降低螢石的雙折射的影響方面，在結晶軸[111]的透鏡對、結晶軸[100]的透鏡對或者結晶軸[111]的透鏡對等所構成的螢石透鏡對中，最好將相對於光軸旋轉的相對旋轉角度的預定設計值(60度、45度或90度)的角度偏差設定在1度以下。在上述實施例的曝光裝置中，通過以照明裝置照明光罩(照明工程)，以及使用投影光學系統，將光罩上所形成的轉印圖案曝光到感旋光性基板，便可以製造出微電子元件(半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件與薄膜磁頭等)。接著，參考圖17的流程圖來說明使用本實施例的曝光元件，將預定的電路圖案形成於作為感旋光性基板的晶圓等上，藉以獲得作為微電子元件的半導體元件時的一個範例方法。首先，在圖17的步驟301中，將金屬膜蒸鍍在一批的晶圓上。接著在步驟302中，將光阻塗布在一批的晶圓的金屬膜上。之後，在步驟303，使用本發明的曝光裝置，通過其中的投影光學系統，將光罩上的圖案像依序曝光轉印到該一批的晶圓上的各景域。之後，在步驟304，對該一批的晶圓上的光阻進行顯影后，步驟305以該一批的晶圓上的光阻圖案為罩幕，進行蝕刻。藉此，對應於光罩上圖案的電路圖案變形成於各晶圓上的各景域。之後，利用形成更上層的電路圖案，來製造出半導體元件等的元件。依據上述的半導體元件製造方法的話，具有極細微的電路圖案的半導體元件也可以獲得優良的產率。此外，在步驟301～305中，將金屬蒸鍍於晶圓上，在金屬膜上塗上光阻，接著在進行曝光、顯影與蝕刻等的各項工藝。但在此些工藝前，也可以在晶圓上形成氧化矽層，之後在氧化矽層上塗上光阻，接著在進行曝光、顯影與蝕刻等的各項工藝。此外，在本實施例的曝光裝置中，利用在板材(玻璃基板)，形成預定的圖案(電路圖案、電極圖案等)，可以得到作為微電子元件的液晶顯示元件。以下，參考圖18的流程，來說明此方法的例子。如圖18所示，在圖案形成工程401中，使用本發明的曝光裝置，將光罩的圖案轉印曝光到感旋光性基板(如塗上光阻之玻璃基板等)上，並進行所謂的微影工程(工藝)。利用此微影工藝，將包含多個電極等的預定圖案形成在感旋光性基板上。之後，利用顯影工程、蝕刻工程與光阻剝離工程等各項工程，將預定的圖案形成在曝光的基板上。之後，便進行彩色濾鏡形成工程402。接著，在彩色濾鏡形成工程402中，將對應於R(Red)、G(Green)、B(Blue)的三點一組，以多個排列成矩陣型態，或者將R、G、B三條濾鏡組排列在多個水平掃描線方向，以形成彩色濾鏡。在彩色濾鏡形成工程402後，進行元件(cell)組裝工程403。在元件組裝工程403，使用具有在圖案形成工程401所得的預定圖案的基板以及具有在彩色濾鏡形成工程402所得的彩色濾鏡等，組裝成液晶面板(液晶元件)。在元件組裝工程403，例如將液晶注入到具有在圖案形成工程401所得的預定圖案的基板以及具有在彩色濾鏡形成工程402所得的彩色濾鏡之間，來製造出液晶面板(液晶元件)。之後，在模塊組裝工程404，將使組裝好的液晶面板(液晶元件)進行顯示動作的電路、背光元件等各個部品加以組裝，完成液晶顯示元件。依據上述的液晶元件製造方法的話，具有極細微的電路圖案的液晶顯示元件也可以獲得優良的產率。此外，在上述實施例中，曝光裝置所搭載的投影光學系統為適用本發明，但並不局限於此。其它一般的投影光學系統也可以適用於本發明。此外，在上述實施例中，雖然使用F2雷射源，但並局限於此。例如，也可以使用提供波長200nm以下的其它合適的光源。此外，在本實施例中，本發明是使用一邊使光罩與基板相對於投影光學系統移動，一邊對基板的各曝光區域進行圖案的掃描曝光的步進與掃描方式的曝光裝置。但是並不局限於此。本發明也可以使用在使基板與光罩靜止的狀態下，將光罩的圖案一起轉印到基板上，使基板依序步進移動，將光罩圖案逐次曝光於各曝光區域的步進與重複方式的曝光裝置。再者，在上述實施例中，光圈配置在第三成像光學系統中，但也可以將光圈配置在第一成像光學系統中。此外，第一成像光學系統與第二成像光學系統之間的中間成像位置以及第二成像光學系統與第三成像光學系統之間的中間成像位置兩者中的至少其中之一，可以配置視野光圈。如以上的說明，在本發明的投影光學系統中，例如通過將作為結晶穿透步材的螢石透鏡的光軸與預定的結晶軸之間的角度偏差設定在1度以下，在實質上可以不受到螢石雙折射的影響，並且可以確保良好的光學性能。此外，在本發明的投影光學系統中，例如對於形成結晶穿透步材的螢石透鏡所用的異端螢石結晶，將其結晶軸方位的相對角度偏差抑制在2度以下，在實質上可以不受到螢石雙折射的影響，並且可以確保良好的光學性能。因此，在使用本發明的投影光學系統的曝光裝置與曝光方法中，投影光學系統在實質上可以不受到螢石雙折射的影響並且可以確保良好的光學性能，故而可以進行高解析度且高精確度的投影曝光。此外，使用搭載本發明的投影曝光系統的曝光裝置，通過透過高解析度的投影光學系統，可以製造出良好的微電子元件。權利要求1.一種投影光學系統，用以將第一面的像形成於第二面上，其特徵是，該投影光學系統包括以屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，該至少兩個結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，以及該至少兩個結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度的預定值的角度偏移，兩者中的任何一個設定在1度以下。2.如權利要求1所述的投影光學系統，其特徵是，該至少兩個結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。3.如權利要求2所述的投影光學系統，其特徵是，更具備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材，該備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。4.如權利要求3所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，該配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。5.如權利要求4所述的投影光學系統，其特徵是，該投影光學系統為將前述第一面的中間像形成於前述第一面與前述第二面間的光路的反射折射型再成像光學系統。6.如權利要求2所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，該配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。7.如權利要求2至6中任一所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一第一成像光學系統，用以形成前述第一面的一第一中間像；一第二成像光學系統，至少包括一凹反反射鏡與結晶穿透部材，用以依據來自該第一中間像的光束，形成一第二中間像；一第三成像光學系統，用以依據自該第二中間像的光束，形成一最終像；一第一偏向鏡，配置在該第一成像光學系統與該第二成像光學系統之間的光路；以及一第二偏向鏡，配置在該第二成像光學系統與該第三成像光學系統之間的光路；其中該第一成像光學系統的光軸與該第三成像光學系統的光軸設定成大致一致，其中配置在該第二成像光學系統的光路的前述結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。8.如權利要求2至6中任一所述的投影光學系統，其特徵是，該投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中的15％以上的結晶穿透部材中，結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在1度以下。9.如權利要求2至6中任一所述的投影光學系統，其特徵是，該投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中，結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，設定在2度以下。10.如權利要求至1至6中任一所述的投影光學系統，其特徵是，前述立方晶系所屬的結晶材料為氟化鈣或氟化鋇。11.一種投影光學系統，用以將第一面的像形成於第二面上，其特徵是，該投影光學系統包括以屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，在該至少兩個結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。12.如權利要求11所述的投影光學系統，其特徵是，更具備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材，在該備配置在最靠近前述第二面的結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。13.如權利要求12所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，在該配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。14.如權利要求13所述的投影光學系統，其特徵是，該投影光學系統為將前述第一面的中間像形成於前述第一面與前述第二面間的光路的反射折射型再成像光學系統。15.如權利要求11所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一凹面鏡以及配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材，在該配置在該凹面鏡附近的結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。16.如權利要求11至15中任一所述的投影光學系統，其特徵是，更包括一第一成像光學系統，其形成前述第一面的一第一中間像；一第二成像光學系統，至少包括一凹反反射鏡與結晶穿透部材，用以依據來自該第一中間像的光束，形成一第二中間像；一第三成像光學系統，其依據自該第二中間像的光束，形成一最終像；一第一偏向鏡，配置在該第一成像光學系統與該第二成像光學系統之間的光路；以及一第二偏向鏡，配置在該第二成像光學系統與該第三成像光學系統之間的光路；其中該第一成像光學系統的光軸與該第三成像光學系統的光軸設定成大致一致，其中配置在該第二成像光學系統的光路的前述結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。17.如權利要求11至15中任一所述的投影光學系統，其特徵是，該投影光學系統所包含的所有結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。18.如權利要求11至15中任一所述的投影光學系統，其特徵是，前述立方晶系所屬的結晶材料為氟化鈣或氟化鋇。19.一種曝光裝置，其特徵是，包括一照設系統，用以照明設定於前述第一面的一光罩；一投影光學系統，如權利要求所述的該投影光學系統，用以將該光罩上所形成的一圖案像，形成於設定在該第二面上的感旋光性基板。20.一種曝光方法，其特徵是，包括照明設定於前述第一面的一光罩；經由權利要求1所述的該投影光學系統，將該光罩上所形成的一圖案像，形成於設定在該第二面上的感旋光性基板。21.一種曝光裝置，其特徵是，包括一照設系統，其照明設定於前述第一面發一光罩；一投影光學系統，如權利要求11所述的該投影光學系統，用以將該光罩上所形成的一圖案像，形成於設定在該第二面上的感旋光性基板。22.一種曝光方法，其特徵是，包括照明設定於前述第一面的一光罩；經由權利要求11所述的該投影光學系統，將該光罩上所形成的一圖案像，形成於設定在該第二面上的感旋光性基板。23.一種投影光學系統製造方法，具有屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，用以將第一面的像形成於第二面上，其特徵是，該投影光學系統的製造方法包括一設計工程，將該至少兩個結晶穿透部材的一光軸，設計成與結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸的一預定結晶軸一致；一製造工程，製造該至少兩個結晶穿透部材，使得該預定結晶軸的該光軸之間的角度偏移在1度以下。24.如權利要求23所述的投影光學系統製造方法，其特徵是，該製造工程更包括調整從一單晶的圓盤狀材料的切割的工程，以及調整該圓盤狀材料的研磨的工程。25.如權利要求24所述的投影光學系統製造方法，其特徵是，該至少兩個結晶穿透部材包括一第一結晶穿透部材與一第二結晶穿透部材，並且在該製造工程中，該第一結晶穿透部材的預定結晶軸與該第二結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度，與預定設定值的角度偏差，設定在5度以下。26.如權利要求23所述的投影光學系統製造方法，其特徵是，該至少兩個結晶穿透部材包括一第一結晶穿透部材與一第二結晶穿透部材，並且在該製造工程中，該第一結晶穿透部材的預定結晶軸與該第二結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度，與預定設定值的角度偏差，設定在5度以下。27.一種曝光裝置，其特徵是，包括一照明系統，其照明設定在第一面的一光罩上；一投影光學系統，以權利要求23至26中任一所述的該投影光學系統製造方法來製造，用以透過該投影光學系統，將形成在該光罩上的一圖案像，形成於設定在前述第二面的感旋光性基板上。28.一種曝光方法，其特徵是，包括一照明設定在第一面的一光罩上；經由以權利要求23至26中任一所述的該投影光學系統製造方法來製造的投影光學系統，將形成在該光罩上的一圖案像，形成於設定在前述第二面的感旋光性基板上。29.一種光學系統，其特徵是，包括屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，該至少兩個結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏移，以及該至少兩個結晶穿透部材的預定結晶軸的光軸旋轉的相對旋轉角度的預定值的角度偏移，兩者中的任何一個設定在1度以下。30.一種光學系統，其特徵是，包括屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，在該兩個結晶穿透部材中，當具有結晶軸方位偏移的區域存在時，其相對角度偏移在2度以下。31.一種投影光學系統製造方法，具有屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材，用以將第一面的像形成於第二面上，其特徵是，該投影光學系統的製造方法包括一設計工程，將該至少兩個結晶穿透部材的一光軸，設計成與結晶軸[111]、結晶軸[100]與結晶軸[110]中的任何一個結晶軸的一預定結晶軸一致；一製造工程，製造該至少兩個結晶穿透部材，使得該預定結晶軸的該光軸之間的角度偏移在1度以下。全文摘要一種投影光學系統，將第一面(R)的影像形成在第二面(W)上。投影光學系統具備以屬於立方晶系的結晶材料所形成的至少兩個結晶穿透部材。至少兩個結晶穿透部材的結晶軸[111]、結晶軸[100]以及結晶軸[110]中的任何一個結晶軸與光軸間的角度偏差設定在1度以下。螢石透鏡的光軸與預定結晶軸之間的角度偏差抑止在預定的容許範圍內，投影光學系統在實質上便不會受到螢石雙折射的影響，並且可以確保良好的光學性能。文檔編號G02B13/18GK1453642SQ0312191公開日2003年11月5日申請日期2003年4月14日優先權日2002年4月17日發明者大村泰弘申請人:尼康株式會社