一種像素bank結構及製作方法與流程

2023-06-27 00:51:31 2

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種像素bank結構及製作方法。

背景技術：

採用溶液加工製作OLED以及QLED器件，由於其低成本、高產能、易於實現大尺寸等優點，是未來顯示技術發展的重要方向。其中，印刷技術被認為是實現OLED以及QLED低成本和大面積全彩顯示的最有效途徑。

但作為一個新興技術，溶液法印刷技術和印刷工藝一直未能得到很好的解決。雖然研究者們從材料及噴印設備對其進行了改進，但是印刷出的薄膜形貌不均勻等問題一直都未能有效解決。

在常規印刷OLED或QLED器件中，像素界定層(PDL或bank)呈現上窄下寬的結構，以限制墨水在印刷時向四周溢出，其結構如圖1所示，在基板10上製作像素電極11，像素電極11所在區域為像素髮光區13，像素髮光區13兩側為像素bank區12，這種結構是通過曝光掩膜來製作的，曝光掩膜1如圖2所示，分為不透光區3和透光區2，其中不透光區3對應與像素髮光區13，透光區2對應像素bank區12，曝光顯影后，不透光區3下的光阻材料被顯影掉，形成像素髮光區13，而透光區2下方的光阻無法被顯影液去除而形成像素bank區12，像素bank區12的上表面與內側壁均勻光滑表面，具有相同的親疏液特性。為保證墨水成膜的均勻性，bank內部需與墨水呈現親液性質，即小角度接觸角；而同時為避免墨滴鋪展到相連像素，bank上半部分需要與液體呈現疏液性質，及大角度接觸角。為了實現bank上部與下部墨水不同的接觸角區別，bank往往由多種材料組成並經過多次複雜工序製成。通過此方式以保證墨水對bank親疏液性，但這種方式存在多次對位、曝光、顯影和刻蝕工序，導致製程複雜、效率低、成本大幅增加，極大的限制了印刷技術在大尺寸顯示器製造方向上的運用。

因此，現有技術還有待於改進和發展。

技術實現要素：

鑑於上述現有技術的不足，本發明的目的在於提供一種像素bank結構及製作方法，旨在解決現有的bank結構製程複雜、效率低、成本高等問題。

本發明的技術方案如下：

一種像素bank結構，其中，包括像素bank區以及位於相鄰像素bank區之間的像素髮光區，所述像素bank區的上表面具有多個微納結構。

所述的像素bank結構，其中，所述像素bank區的厚度為1~1.5μm。

所述的像素bank結構，其中，所述微納結構的尺寸為50~500nm。

所述的像素bank結構，其中，所述微納結構為半球狀凸起、柱狀凸起或橢球狀凸起。

所述的像素bank結構，其中，所述像素bank區為負性光阻。

一種如上所述的像素bank結構的製作方法，其中，包括步驟：

A、在基板上製作像素電極；

B、再在像素電極上沉積一層光阻；

C、利用曝光掩膜對光阻進行曝光，其中，曝光掩膜具有透光區和不透光區，其中不透光區對應於像素髮光區，透光區對應於像素bank區，所述透光區包括全透光區以及具有微納尺寸的半透光區；

D、對光阻進行顯影；

E、對未被去除的光阻進行烘乾，形成像素bank結構。

所述的像素bank結構的製作方法，其中，所述半透光區的尺寸為50~500nm。

所述的像素bank結構的製作方法，其中，所述步驟C中，曝光後，半透光區下方的光阻形成微納結構。

所述的像素bank結構的製作方法，其中，所述步驟B中沉積的光阻厚度為1~1.5μm。

所述的像素bank結構的製作方法，其中，所述光阻為負性光阻。

有益效果：本發明在像素bank區上表面形成微納結構，使其上表面凹凸不平，從而放大像素bank區上表面的親疏液性，形成像素bank區的內側壁與上表面形成不同程度親疏液性結構，從而形成有利於印刷工藝的像素bank結構，大大簡化了現有適用於印刷工藝的bank製作工藝，提高了製作效率，節約了製作成本。

附圖說明

圖1為現有技術中一種像素bank結構的結構示意圖。

圖2為現有技術中一種曝光掩膜的結構示意圖。

圖3為本發明中一種像素bank結構較佳實施例的結構示意圖。

圖4為一種像素bank結構的製作方法較佳實施例的流程圖。

圖5為本發明中一種曝光掩膜較佳實施例的結構示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種像素bank結構及製作方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。

請參閱圖3，圖3為本發明一種像素bank結構較佳實施例的結構示意圖，如圖所示，其包括像素bank區22以及位於相鄰像素bank區22之間的像素髮光區23，所述像素bank區22的上表面具有多個微納結構221。

本發明實施例中，先在基板20上形成像素電極21，像素電極21所在區域即為像素髮光區23，像素髮光區23兩側即為像素bank區22，而像素bank區22上表面的微納結構221即為微納尺寸的結構，由於在像素bank區的上表面形成微納結構221，使其上表面形成了凹凸不平的表面，從而放大像素bank區22上表面的親疏液性，形成像素bank區22內側壁與像素bank區22上表面不同程度親疏液性結構，這種bank結構有利於印刷工藝的實施，可以大大簡化現有適用於印刷工藝的bank結構的製作，節約了製作成本，提高了製作效率。

所述微納結構221可以是半球狀凸起、柱狀凸起或橢球狀凸起，當然也可以是隨機的無規則凸起等。另外也可以是其他凸起結構，只要能在像素bank區22上表面形成凹凸不平表面即可。所述微納結構221的尺寸優選為50~500nm，即微納結構221的長和寬均限制在50~500nm以內，或者直徑限制在50~500nm以內。

所述像素bank區22的厚度優選為1~1.5μm，例如為1μm。

所述像素bank區22優選為負性光阻。這是因為負性光阻經過曝光後會發生膨脹，且膨脹程度隨曝光量的不同而不同，本發明可通過在負性光阻區形成微納尺寸的不同曝光量區域，由於膨脹程度的區別形成微納尺寸的凹凸不平表面，即具有微納結構221的表面。

請參閱圖4，圖4為本發明一種像素bank結構的製作方法較佳實施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟：

S1、在基板上製作像素電極；

S2、再在像素電極上沉積一層光阻；

S3、利用曝光掩膜對光阻進行曝光，其中，曝光掩膜具有透光區和不透光區，其中不透光區對應於像素髮光區，透光區對應於像素bank區，所述透光區包括全透光區以及具有微納尺寸的半透光區；

S4、對光阻進行顯影；

S5、對未被去除的光阻進行烘乾，形成像素bank結構。

本發明實施例的製作方法相對於傳統的製作方法，其主要不同之處在於步驟S3中，所採用的曝光掩膜與傳統的曝光掩膜有所不同。

具體來說，如圖5所示，本發明實施例中的曝光掩膜4其具有透光區5和不透光區6，不透光區6對應於像素髮光區23，曝光顯影后，不透光區6下的光阻材料由於未被曝光所以會被顯影液去除，形成像素髮光區23。而在透光區5中除了包括傳統的全透光區之外，還包括具有微納尺寸的半透光區，其中的全透光區在曝光顯影后，其下方的光阻無法被顯影液去除而形成像素bank區22，但同時由於具有微納尺寸的半透光區，所以在整個透光碟機會存在不同曝光量的區域，所以在曝光和顯影后形成的像素bank區22上表面會形成凹凸不平的微納結構221，即在半透光區下方的光阻形成微納結構221。

其中，所述半透光區的尺寸為50~500nm，以使形成的微納結構221的尺寸為50~500nm，即微納結構221的長和寬均限制在50~500nm以內，或者直徑限制在50~500nm以內。

所述步驟S2中沉積的光阻厚度優選為1~1.5μm，例如為1μm。

所述光阻為負性光阻。本發明可通過在負性光阻區形成微納尺寸的不同曝光量區域，由於膨脹程度的區別形成微納尺寸的凹凸不平表面，即具有微納結構的表面。

綜上所述，本發明在像素bank區上表面形成微納結構，使其上表面凹凸不平，從而放大像素bank區上表面的親疏液性，形成像素bank區的內側壁與上表面形成不同程度親疏液性結構，從而形成有利於印刷工藝的像素bank結構，大大簡化了現有適用於印刷工藝的bank製作工藝，提高了製作效率，節約了製作成本。

應當理解的是，本發明的應用不限於上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬於本發明所附權利要求的保護範圍。