用於P-SiC歐姆接觸的界面過渡層複合結構及其製備方法

2023-06-10 13:25:01 2

專利名稱：用於P-SiC歐姆接觸的界面過渡層複合結構及其製備方法
技術領域：
本發明涉及P型寬禁帶材料歐姆接觸形成技術和合金技術領域，特別涉及一種用於P-SiC歐姆接觸的界面過渡層複合結構及其製備方法。
背景技術：
寬禁帶碳化矽(SiC)材料的良好歐姆接觸質量的獲得是實現SiC器件高溫、高壓、高頻及大功率應用的關鍵因素。然而，由於空穴的隧穿質量遠大於電子隧穿質量，且在SiC材料中P型雜質的離化能比η型雜質的離化能高，SiC材料P型摻雜濃度難於做到η型SiC的摻雜水平，特別是採用離子注入的方式形成P型摻雜時，即使摻雜濃度達lE20cm_3量級，但受激活退火、不完全離化等因素的影響，一般來說，激活的有效載流子濃度都在lE17-lE18cm_3範圍之間，同時，受高溫激活退火及合金退火等因素的影響，接觸表面形貌及界面微結構的質量對歐姆接觸的質量也造成很大影響，要形成良好的、可重複性高的P型 SiC材料歐姆接觸仍然是一個相當大的挑戰。目前，國內外已有很多關於SiC材料P型歐姆接觸的研究，但主要的研究方法還是實驗法，對工藝優化試驗的依賴性很大，而在P型SiC歐姆接觸機理和形成技術方面的研究比較少；有關這方面的專利，也都集中在多層歐姆接觸金屬結構的選擇、改進，合金退火條件的改良方面(見專利CN201032635.盧嵩嶽等.一種PIN結構4H_SiC紫外光電探測器；專利CN1195883.太田順道等.歐姆電極的形成方法及半導體裝置)。從歐姆接觸形成技術角度出發的也只有有關鎳-矽化物的歐姆接觸方面(見專利CN101124660.國際公布2006-02-09 W02006/014346英.A·沃德三世；J*P·海寧等·用於SiC半導體器件的富矽的鎳-矽化物歐姆接觸)，在採用碳化物或矽化物層形成良好歐姆接觸方面文章有報導過，但採用本發明提供的改良型複合結構形成良好歐姆接觸方面的文章或專利都未見報導。因此，受襯底濃度、界面微結構及表面形貌、合金條件差異大的影響，國內外各文獻中得到的歐姆接觸比接觸電阻率的結果參差不齊，可重複性差。採用本發明提供的界面過渡層複合結構，是一種改良的歐姆接觸形成技術。這種改良的歐姆接觸形成技術可在P型摻雜水平有限的條件下，利用半導體輸運過程與半導體能譜理論作為指導，有效調節接觸勢壘高度，增加遂穿機率，並綜合考慮歐姆接觸的形成機理、界面成分及微結構、界面形態及連接方式、表面形貌、接觸電極的熱穩定性等方面對界面過渡層複合結構的影響，選擇最優化的界面過渡層複合結構的製備條件，提高歐姆接觸比接觸電阻率結果獲得的可重複性。

發明內容
(一 )要解決的技術問題有鑑於此，本發明的主要目的在於提供一種用於P-SiC歐姆接觸的界面過渡層複合結構及其製備方法，以解決在P型摻雜水平有限的條件下，P型SiC材料歐姆接觸難問題，達到可重複性獲得低比接觸電阻率的目的。
( 二)技術方案為達到上述目的，本發明提供了一種界面過渡層複合結構，該界面過渡層複合結構處於SiC襯底與金屬層之間，包括富Al層和特定化學成分配比的碳化物混合層，其中，富Al層形成於SiC襯底之上，特定化學成分配比的碳化物混合層形成於富Al層之上，金屬層形成於特定化學成分配比的碳化物混合層之上。上述方案中，所述富Al層中含有游離態的Si，用於提高SiC襯底表面載流子濃度，增加遂穿機率。所述特定化學成分配比的碳化物混合層是一種或者兩種碳化物的混合層結構，用於調節勢壘高度，使高勢壘變為階梯勢壘，形成良好歐姆接觸。上述方案中，所述特定化學成分配比的碳化物混合層，其C與Si的比值高於SiC中的C與Si的比值。所述特定化學成分配比的碳化物混合層為Ti、Si、C三元化合物和Al、C 二元化合物的混合層結構，用於與SiC襯底表面反應生產界面過渡層。所述Ti、Si、C三元化合物中Ti原子的分數大於等於3小於等於4，Si原子的分數為1，C原子的分數為2。 所述A1、C 二元化合物中Al原子的分數為4，C原子的分數為3。所述特定化學成分配比的碳化物混合層中部分C來源於工藝過程中殘留的C。所述特定化學成分配比的碳化物混合層，其功函數大於等於5eV小於6. 5eV。為達到上述目的，本發明還提供了一種製作界面過渡層複合結構的方法，包括步驟I:清洗SiC襯底；步驟2:乾燥SiC襯底；步驟3 :在SiC襯底上製備用於臺面刻蝕的掩膜；步驟4 :對SiC襯底進行臺面刻蝕；步驟5 :在刻蝕後的SiC襯底上勻膠光刻，形成金屬剝離圖形；步驟6 :對SiC襯底進行表面處理，活化表面性能，有利於形成界面過渡層；步驟7 :在進行了表面處理的SiC襯底上蒸發Ti/Al金屬層；步驟8 :剝離沉積在光刻膠上的Ti/Al金屬層；步驟9 :在蒸發了 Ti/Al金屬層的SiC襯底上濺射Ni/Au蓋層金屬；步驟10:加溫；步驟11 :高溫合金退火，形成界面過渡層複合結構。上述方案中，步驟I中所述清洗SiC襯底，是使用丙酮、乙醇、去離子水依次衝洗SiC襯底表面，並用N2吹乾；其中該SiC襯底從上到下有三個區域，從上到下依次為N+區、N-區和P區。上述方案中，步驟2中所述乾燥SiC襯底是將SiC襯底放入120°C的烘箱中，在N2氛圍下烘10分鐘。上述方案中，步驟3中所述在SiC襯底上製備用於臺面刻蝕的掩膜，是在SiC襯底表面塗敷厚度3 μ m的9920光刻膠作為臺面刻蝕的掩膜，然後對光刻膠進行光刻形成臺面隔離的圖形。上述方案中，步驟4中所述對SiC襯底進行臺面刻蝕，是以形成的臺面隔離的圖形為掩模，對SiC襯底進行ICP幹法刻蝕，刻蝕至SiC襯底的N-區，SiC襯底的P區完全刻透。上述方案中，步驟5中所述在刻蝕後的SiC襯底上勻膠光刻，形成剝離圖形，是使用AZ5214E光刻膠，在刻蝕後的SiC襯底表面塗敷一層厚度為2. 2 μ m的光刻膠，然後進行光刻顯影。上述方案中，步驟6中所述對SiC襯底進行表面處理，活化表面性能，是採用HF H20(體積比為I : 10)的溶液腐蝕30秒，並用N2吹乾。上述方案中，步驟7中所述在進行了表面處理的SiC襯底上蒸發Ti/Al金屬層，是使用蒸發臺，蒸發Ti/Al金屬膜，其中Al原子在Ti/Al金屬膜中的原子百分比為70-80at. %, Ti/Al 金屬膜總厚度為 190nm 至 400nm。上述方案中，步驟8中所述剝離沉積在光刻膠上的Ti/Al金屬層，是將蒸發完Ti/Al金屬膜的SiC襯底浸沒在丙酮溶液中，浸泡20分鐘，然後在超聲容器內超聲3分鐘，再將SiC襯底取出放入無水乙醇溶液中，超聲3分鐘，再用去離子水衝洗6遍，最後吹乾。上述方案中，步驟9中所述在蒸發了 Ti/Al金屬層的SiC襯底上濺射Ni/Au蓋層金屬，是使用濺射臺，濺射Ni/Au蓋層金屬膜，其中Ni金屬膜的厚度範圍為55nm至150nm之間，Au層金屬膜厚度小於Ni層金屬厚度。上述方案中，步驟10中所述加溫，是將具有Ni/Au蓋層金屬和Ti/Al金屬層的SiC襯底放入高溫爐中加熱到一定溫度，此溫度低於Ti或Al元素與碳化矽發生反應的溫度。上述方案中，步驟11中所述高溫合金退火，是使用高溫退火爐，採用高溫合金技術進行退火，其中，退火溫度為800°C -1000°C之間，時間2-10分鐘。(三)有益效果從上述技術方案可以看出，本發明具有以下有益效果I、利用本發明，由於採用了界面過渡層複合結構，而不是金屬與SiC襯底直接接觸，使金屬與SiC直接接觸的高勢壘分解為階梯勢壘，所以有效降低了接觸勢壘高度，是一 種改良的歐姆接觸形成技術；2、利用本發明，由於界面過渡層複合結構中特定化學成分配比的碳化物層，不僅可以調節接觸勢壘高度，還可以有效去除工藝過程中產生的C殘留，所以減小了工藝對器件性能的影響；3、利用本發明，由於在金屬與SiC襯底之間插入了一個界面過渡層複合結構，使之金屬層與SiC襯底隔離開，所以受SiC襯底P型摻雜水平、激活退火、不完全離化等因素的影響小，易於形成良好歐姆接觸。4、利用本發明，由於界面過渡層複合結構中富Al層的存在，一方面可以與碳化物層形成良好接觸，另一方面又可以提高載流子濃度，所以很容易與P型SiC形成良好接觸；5、利用本發明，由於界面過渡層複合結構中靠近SiC襯底的是富Al層，且此層中含有游離態的Si，可以提高SiC襯底表面載流子濃度，所以的有效規避了 SiC材料P型摻雜水平有限對遂穿機制的影響，增加了載流子遂穿機率。6、利用本發明，由於界面過渡層複合結構，製作步驟簡單，可重複性高，所以受襯底濃度、界面微結構及表面形貌的影響小，得到的歐姆接觸比接觸電阻率的結果可重複性聞。


圖I是依照本發明實施例的界面過渡層複合結構的示意圖；圖2是依照本發明實施例的製作界面過渡層複合結構的方法流程圖。
具體實施例方式為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，並參照附圖，對本發明進一步詳細說明。通過能帶和載流子輸運分析，建立界面過渡層複合結構能帶模型，提出勢魚薄而低、載流子濃度高的界面過渡層複合結構。如圖I所示，圖I是依照本發明實施例的界面過渡層複合結構的示意圖；其中，I是SiC襯底；2是富Al層；3是一種或者兩種碳化物的混合層結構，此界面過渡層複合結構的碳化物層為Ti、Si、C三元化合物和Al、C 二元化合物的混合層結構，其中C/Si比高於SiC的C/Si比；4是金屬層，此金屬層為多層金屬結構，包括Ti/Al金屬層層和Ni/Au蓋層。圖I所示的界面過渡層複合結構處於SiC襯底與金屬層之間，包括富Al層和特定化學成分配比的碳化物混合層，其中，富Al層形成於SiC襯底之上，特定化學成分配比的碳化物混合層形成於富Al層之上，金屬層形成於特定化學成分配比的碳化物混合層之上。富 Al層中含有游離態的Si，用於提高SiC襯底表面載流子濃度，增加遂穿機率。特定化學成分配比的碳化物混合層是一種或者兩種碳化物的混合層結構，用於調節勢壘高度，使高勢壘變為階梯勢壘，形成良好歐姆接觸。其中，特定化學成分配比的碳化物混合層，其C與Si的比值高於SiC中的C與Si的比值。特定化學成分配比的碳化物混合層為Ti、Si、C三元化合物和Al、C 二元化合物的混合層結構，用於與SiC襯底表面反應生產界面過渡層。Ti、Si、C三元化合物中Ti原子的分數大於等於3小於等於4，Si原子的分數為1，C原子的分數為2。A1、C 二元化合物中Al原子的分數為4，C原子的分數為3。特定化學成分配比的碳化物混合層中部分C來源於工藝過程中殘留的C。特定化學成分配比的碳化物混合層，其功函數大於等於5eV小於6. 5eV。基於圖I所示的界面過渡層複合結構，圖2示出了製作該界面過渡層複合結構的工藝步驟，該界面過渡層複合結構是通過蒸發Ti/Al基複合金屬化系統，採用澱積膜加溫方法和高溫合金退火方法相結合形成的。富Al層是通過調節Al成分和合金退火條件來實現，碳化物層的成分及微結構、功函數等物理參數、界面形態及連接方式是通過控制複合金屬化系統中各層金屬的種類、成分配比、厚度、合金退火條件來控制。其中，此金屬化系統為多層金屬結構，包括Ti/Al層和Ni/Au蓋層，Ti/Al層為金屬層，Ni/Au蓋層的作用為防止Al濺塌在器件表面，保障合金形貌和器件性能。並嚴格控制Ti/Al膜中Al成分佔比和膜總厚度，並使Ni/Au膜中Ni膜厚度大於Au膜厚度。其具體製作步驟包括步驟I :清洗SiC襯底；使用丙酮、乙醇、去離子水依次衝洗SiC襯底表面，並用N2吹乾；其中該SiC襯底從上到下有三個區域，從上到下依次為N+區、N-區和P區。步驟2 :乾燥SiC襯底；將SiC襯底放入120°C的烘箱中，在N2氛圍下烘10分鐘。步驟3 :在SiC襯底上製備用於臺面刻蝕的掩膜；在31(襯底表面塗敷厚度3μπι的9920光刻膠作為臺面刻蝕的掩膜，然後對光刻膠進行光刻形成臺面隔離的圖形。步驟4 :對SiC襯底進行臺面刻蝕；以形成的臺面隔離的圖形為掩模，對SiC襯底進行ICP幹法刻蝕，刻蝕至SiC襯底的N-區，SiC襯底的P區完全刻透。步驟5 :在刻蝕後的SiC襯底上勻膠光刻，形成剝離圖形；使用ΑΖ5214Ε光刻膠，在刻蝕後的SiC襯底表面塗敷一層厚度為2. 2 μ m的光刻膠，然後進行光刻顯影。
步驟6 :對SiC襯底進行表面處理，活化表面性能，有利於形成界面過渡層；採用HF H20(體積比為I : 10)的溶液腐蝕30秒，並用N2吹乾。步驟7 :在進行了表面處理的SiC襯底上蒸發Ti/Al金屬層；使用蒸發臺，蒸發Ti/Al金屬膜，其中Al原子在Ti/Al金屬膜中的原子百分比為70-80at. %,Ti/Al金屬膜總厚度為 190nm 至 400nm。步驟8 :剝離沉積在光刻膠上的Ti/Al金屬層；將蒸發完Ti/Al金屬膜的SiC襯底浸沒在丙酮溶液中，浸泡20分鐘，然後在超聲容器內超聲3分鐘，再將SiC襯底取出放入無水乙醇溶液中,超聲3分鐘，再用去離子水衝洗6遍，最後吹乾。步驟9 :在蒸發了 Ti/Al金屬層的SiC襯底上濺射Ni/Au蓋層金屬；使用濺射臺，濺射Ni/Au蓋層金屬膜，其中Ni金屬膜的厚度範圍為55nm至150nm之間，Au層金屬膜厚度小於Ni層金屬厚度。
步驟10 :加溫；將具有Ni/Au蓋層金屬和Ti/Al金屬層的SiC襯底放入高溫爐中加熱到一定溫度，此溫度低於Ti或Al元素與碳化矽發生反應的溫度。步驟11 :高溫合金退火，形成界面過渡層複合結構。使用高溫退火爐，採用高溫合金技術進行退火，其中，退火溫度為800°C-100(TC之間，時間2-10分鐘，形成界面過渡層複合結構。實施例I)界面過渡層複合結構。通過對界面過渡層複合結構能帶模型的分析，選定的複合結構為富Al層加上Ti3SiC2碳化物的結構。2)界面過渡層複合結構的製備工藝。其主要步驟包括針對最高能量為550Kev(P型注入層的厚度約為O. 7um)的離子注入高溫激活樣品，進行嚴格清洗步驟，並採用烘箱120°C，10min進行烘乾；使用9920光刻膠，2000rpm，製作出3. Ium厚光刻膠，作為臺面刻蝕的掩膜；採用ICP刻蝕400s，臺面刻蝕深度約O. 8um ;使用AZ5214E光刻膠，製作出厚度約2. 2um的光刻膠剝離層；採用HF H20(1 10)的溶液腐蝕約30sec，N2充分吹乾；使用蒸發臺，蒸發Ti/Al(50/140nm)金屬膜；將做完濺射的晶片浸沒在丙酮溶液中，浸泡20min，然後在超聲容器內超聲3min，將晶片取出馬上放入無水乙醇溶液中，超聲3min，再用去離子水衝洗6遍。最後吹乾晶片；使用濺射臺，濺射Ni/Au(55/45nm)蓋層金屬膜；將此澱積膜放入高溫爐中加熱到650°C，保持IOmin ;採用高溫退火爐，合金條件為1000°C，2min ;器件製備完成，進行TLM圖形測試分析，ι-v特性曲線成線性關係，說明已形成歐姆接觸。綜上所述，本發明提供的界面過渡層複合結構，勢壘薄而低、載流子濃度高，其中，碳化物層功函數處於金屬與P型SiC材料之間，可有效調節接觸勢壘，使接觸高勢壘分解為階梯勢壘，從而有效降低肖特基勢壘高度；且特定化學成分配比的碳化物的形成有利於去除工藝過程中產生的C殘留；富八1層，一方面可以與碳化物層形成良好歐姆接觸，另一方面載流子濃度高，很容易與P型SiC形成良好接觸；因此，當載流子被激發到較高能量，遇到這個界面過渡層複合結構，就導致了隧道穿透機率增加，從而形成良好歐姆接觸的方法。同時，本發明提供的界面過渡層製作方法，簡單、可重複性高，受襯底濃度、界面微結構及表面形貌影響小。採用本發明提供的界面過渡層複合結構，是一種改良的歐姆接觸形成技術。這種改良的歐姆接觸形成技術可在P型摻雜水平有限的條件下，使P型碳化矽材料形成良好歐姆接觸，也可適用於其他寬禁帶材料歐姆接觸形成技術和合金技術領域。以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，並不用於限制本發明，凡 在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種界面過渡層複合結構，其特徵在於，該界面過渡層複合結構處於SiC襯底與金屬層之間，包括富Al層和特定化學成分配比的碳化物混合層，其中，富Al層形成於SiC襯底之上，特定化學成分配比的碳化物混合層形成於富Al層之上，金屬層形成於特定化學成分配比的碳化物混合層之上。
2.根據權利要求I所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述富Al層中含有游離態的Si，用於提高SiC襯底表面載流子濃度，增加遂穿機率。
3.根據權利要求I所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述特定化學成分配比的碳化物混合層是一種或者兩種碳化物的混合層結構，用於調節勢壘高度，使高勢壘變為階梯勢壘，形成良好歐姆接觸。
4.根據權利要求3所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述特定化學成分配比的碳化物混合層，其C與Si的比值高於SiC中的C與Si的比值。
5.根據權利要求3所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述特定化學成分配比的碳化物混合層為Ti、Si、C三元化合物和Al、C 二元化合物的混合層結構，用於與SiC襯底表面反應生產界面過渡層。
6.根據權利要求5所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述Ti、Si、C三元化合物中Ti原子的分數大於等於3小於等於4，Si原子的分數為1，C原子的分數為2。
7.根據權利要求5所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述A1、C二元化合物中Al原子的分數為4，C原子的分數為3。
8.根據權利要求4所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述特定化學成分配比的碳化物混合層中部分C來源於工藝過程中殘留的C。
9.根據權利要求3所述的界面過渡層複合結構，其特徵在於，所述特定化學成分配比的碳化物混合層，其功函數大於等於5eV小於6. 5eV。
10.一種製作權利要求I至9中任一項所述的界面過渡層複合結構的方法，其特徵在於，包括 步驟I:清洗SiC襯底； 步驟2 :乾燥SiC襯底； 步驟3 :在SiC襯底上製備用於臺面刻蝕的掩膜； 步驟4 :對SiC襯底進行臺面刻蝕； 步驟5 :在刻蝕後的SiC襯底上進行勻膠光刻，形成金屬剝離圖形； 步驟6 :對SiC襯底進行表面處理，活化表面性能； 步驟7 :在進行了表面處理的SiC襯底上蒸發Ti/Al金屬層； 步驟8 :剝離沉積在光刻膠上的Ti/Al金屬； 步驟9 :在蒸發了 Ti/Al金屬層的SiC襯底上濺射Ni/Au蓋層金屬； 步驟10 :加溫； 步驟11 :高溫合金退火，形成界面過渡層複合結構。
11.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟I中所述清洗SiC襯底，是使用丙酮、乙醇、去離子水依次衝洗SiC襯底表面，並用N2吹乾；其中該SiC襯底從上到下有三個區域，從上到下依次為N+區、N-區和P區。
12.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟2中所述乾燥SiC襯底是將SiC襯底放入120°C的烘箱中，在N2氛圍下烘10分鐘。
13.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟3中所述在SiC襯底上製備用於臺面刻蝕的掩膜，是在SiC襯底表面塗敷厚度3 μ m的9920光刻膠作為臺面刻蝕的掩膜，然後對光刻膠進行光刻形成臺面隔離的圖形。
14.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟4中所述對SiC襯底進行臺面刻蝕，是以形成的臺面隔離的圖形為掩模，對SiC襯底進行ICP幹法刻蝕，刻蝕至SiC襯底的N-區，SiC襯底的P區完全刻透。
15.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟5中所述在刻蝕後的SiC襯底上勻光刻膠，形成金屬剝離圖形，是使用AZ5214E光刻膠，在刻蝕後的SiC襯底表面塗敷一層厚度為2. 2μπι的光刻膠，然後進行光刻顯影。
16.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟6中所述對SiC襯底進行表面處理，活化表面性能，有利於形成界面過渡層，是採用HF Η20(體積比為I : 10)的溶液腐蝕30秒，並用N2吹乾。
17.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟7中所述在進行了表面處理的SiC襯底上蒸發Ti/Al金屬層，是使用蒸發臺，蒸發Ti/Al金屬膜，其中Al原子在Ti/Al金屬膜中的原子百分比為70-80at. %,Ti/Al金屬膜總厚度為190nm至 400nm。
18.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟8中所述剝離沉積在光刻膠上的Ti/Al金屬層，是將蒸發完Ti/Al金屬膜的SiC襯底浸沒在丙酮溶液中，浸泡20分鐘，然後在超聲容器內超聲3分鐘，再將SiC襯底取出放入無水乙醇溶液中，超聲3分鐘，再用去離子水衝洗6遍，最後吹乾。
19.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟9中所述在蒸發了 Ti/Al金屬層的SiC襯底上濺射Ni/Au蓋層金屬，是使用濺射臺，濺射Ni/Au蓋層金屬膜，其中Ni金屬膜的厚度範圍為55nm至150nm之間，Au層金屬膜厚度小於Ni層金屬厚度。
20.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟10中所述加溫，是將具有Ni/Au蓋層金屬和Ti/Al金屬層的SiC襯底放入高溫爐中加熱到一定溫度，此溫度低於Ti或Al元素與碳化矽發生反應的溫度。
21.根據權利要求10所述的界面過渡層複合結構的製作方法，其特徵在於，步驟11中所述高溫合金退火，是使用高溫退火爐，採用高溫合金技術進行退火，其中，退火溫度為8000C -1000°C之間，時間2-10分鐘。
全文摘要
本發明公開了一種用於P-SiC歐姆接觸的界面過渡層複合結構，該界面過渡層複合結構處於SiC襯底與金屬層之間，包括富Al層和特定化學成分配比的碳化物混合層，其中，富Al層形成於SiC襯底之上，特定化學成分配比的碳化物混合層形成於富Al層之上，金屬層形成於特定化學成分配比的碳化物混合層之上。本發明同時公開了一種製作界面過渡層複合結構的方法。利用本發明提出的界面過渡層複合結構，可有效調節接觸勢壘高度，提高接觸層載流子濃度，增加載流子隧穿機率，有效實現P型SiC材料的良好歐姆接觸，且本發明公開的界面過渡層複合結構製作方法簡單、可重複性高。
文檔編號H01L21/04GK102931224SQ20121029864
公開日2013年2月13日 申請日期2012年8月21日 優先權日2012年8月21日
發明者湯益丹, 劉可安, 申華軍, 白雲, 李博, 王弋宇, 劉新宇, 李誠瞻, 史晶晶 申請人:中國科學院微電子研究所, 株洲南車時代電氣股份有限公司