薄膜電晶體及其製造方法，平板顯示器及其製造方法
2023-07-02 05:34:46
專利名稱：薄膜電晶體及其製造方法，平板顯示器及其製造方法
技術領域：
本實施方式涉及一種具有薄膜電晶體(TFT)的襯底的製造方法，一種根據該方法製造的TFT，一種平板顯示器的製造方法，和一種根據該方法製造的平板顯示器，尤其是，一種能應用到具有塑料襯底的柔性裝置上具有TFT的襯底的製造方法，一種根據該方法製造的含有TFT的襯底，一種平板顯示器的製造方法，和一種根據該方法製造的平板顯示器。
現有技術描述可用於平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)、有機發光顯示器(OLED)，或無機發光顯示器中的薄膜電晶體(TFT)被用作控制每一個像素動作的開關裝置，以及驅動每一個像素的驅動裝置。
TFT包括半導體層、柵極、源極、漏極。半導體層包括高濃度摻雜的源區和漏區，以及形成於源極區和漏極區之間的溝道區。柵極與半導體層絕緣並位於與溝道區相應的區域中。源極和漏極分別與源區和漏區相連接。
最近，需要平板顯示器具有纖細和柔性的特點。
為了獲得平板顯示器的柔性，已經試圖用塑料襯底代替常規玻璃襯底。
然而，就塑料襯底而言，必須形成額外的阻擋層，因為塑料襯底與玻璃襯底相比，具有更差的防水能力和抗氧氣滲透的能力。阻擋層覆於塑料襯底的表面之上，以阻擋氧氣和溼氣透過襯底。阻擋層成本高且要求附加的工藝。
為了獲得柔性的平板顯示器，使用有機半導體薄膜電晶體來代替常規的矽薄膜電晶體。當使用有機半導體時，能夠製造低成本的薄膜電晶體，這是因為有機半導體能夠在低溫下形成，且能夠容易地應用於不能在高溫下使用的塑料襯底。
然而，當用有機半導體製造TFT，隨後用常規工藝形成發光器時，有機半導體容易變形。尤其是有在OLED器件的情況下，形成與TFT相連的像素電極並在像素限定膜上形成發光器的孔，都會引起問題。
因此，製造柔性平板顯示器，需要一種新的方法。
發明內容
本實施方式可應用到一種柔性器件並且提供了一種具有包含在塑料襯底之上的薄膜電晶體(TFT)的襯底的製造方法，一種用該方法製造的襯底，一種平板顯示器的製造方法和一種用該方法製造的平板顯示器。
根據本實施方式的一個方面，提供一種具有薄膜電晶體(TFT)的襯底的製造方法，該方法包括在基材(base)上製備包括多個導電圖案的薄膜；粘結該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導電圖案的方式來形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
根據本實施方式的另一個方面，提供一種具有根據上述方法製造的TFT的襯底。
根據本實施方式的另一個方面，提供一種平板顯示器的製造方法，該方法包括在基材上製備包括多個導電圖案的薄膜；粘結該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導電圖案的方式來形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層；為暴露導電圖案的一個區域在絕緣膜上形成開口；通過該開口在暴露的導電圖案上形成顯示器。
根據本發明的一個實施方式，提供了一種平板顯示器，包括粘結到在基材上包括多個導電圖案的襯底的薄膜；電連接到薄膜上的導電圖案的TFT；在薄膜上覆蓋TFT的絕緣層；使導電圖案的一個區域暴露的絕緣膜上的開口。
一方面，TFT包括連接到導電圖案上的源極和漏極中的至少一個，其中源極和漏極形成於薄膜上，連接每一個源極和漏極的半導體層，半導體層上的柵極絕緣膜和柵極絕緣膜上的柵極。
另一方面，至少相應於半導體的區域圖案化柵極絕緣膜。另一方面，該半導體層由有機材料形成。
另一方面，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐(pyromeliticdianhydride)及其衍生物以及均苯四醯二亞胺(pyromelitic diimide)及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
另一方面，TFT包括連接到導電圖案上的至少一個源極和至少一個漏極，其中源極和漏極形成於半導體層上，柵極絕緣膜在半導體層和源極上以及漏極和柵極在柵極絕緣膜上。
另一方面，至少相應於半導體區域圖案化柵極絕緣膜。
另一方面，半導體層由有機材料形成。
另一方面，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中至少的一種。
另一方面，至少薄膜表面中的一面沒有暴露出不使導電圖案，其中，薄膜上導電圖案未被暴露的薄膜的表面朝外。
另一方面，襯底包含塑料。
通過詳細地描述示範性實施方式，本實施方式的上述和其他特點及優點將變得更加明顯，參照的附圖包括圖1至7是截面圖，表示根據一個實施方式在塑料襯底上製造薄膜電晶體的一種方法；圖8是截面圖，表示用根據圖1至7所描述的方法製造的襯底來製造有機發光顯示器的一種方法；和圖9是截面圖，表示根據另一個實施方式製造的有機發光顯示器。
具體實施例方式
通過參照表示示範性實施方式的附圖，能夠更全面地描述本實施方式。
圖1至7是截面圖，表示根據一個實施方式製造具有薄膜電晶體的一種方法的工序，圖8是截面圖，表示用根據圖1至7所描述的方法製造的襯底來製造有機發光顯示器的一種方法。
參照圖1，在襯底10上，使用分層壓輥機(lamination roller)R來層壓粘結薄膜30。製作膜30從而使得導電圖案32包括在由樹脂形成的基材31中部。參照圖2，導電圖案32形成於規則圖案中。
導電圖案32將變為像素電極，且能以單層或多層的導電材料形成，這將在後面描述。
當像素電極用作透明電極時，導電圖案32可以由，例如，ITO、IZO或者ZnO形成；當像素電極用作反射電極時，導電圖案32可以由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的混合物(compound)形成。當像素電極用作透明電極時，像素電極是陽極，當像素電極用作反射電極時，像素電極是陰極。然而，本實施方式並不限制於此，即使像素電極用作反射電極時，在形成由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的合金形成的反射薄膜之後，能在反射膜上形成ITO膜、IZO膜、ZnO膜或者In2O3膜等，且像素電極能是陽極。
在薄膜30的至少一個表面上，導電圖案32沒有暴露到外面。如圖1所示，當在襯底10上層壓薄膜30時，進行層壓以使未被暴露的導電圖案32的表面朝外。在圖1至8中，薄膜30的導電圖案32朝向暴露的襯底10的一面，但本實施方式並不限制於此，在薄膜30的每一面上，導電圖案32可能都不被暴露出。
薄膜30可以用不同的方式粘結。如圖1所示，薄膜30可以被層壓，或者可以用粘合劑粘到襯底10上。
在一個實施方式中，襯底10可以是塑料襯底。該實施方式中，阻擋層20可以覆在粘結薄膜30的相反面上。阻擋層20阻擋溼氣和/或氧氣透過襯底10。阻擋層可以覆在薄膜30所粘結的表面上。
阻擋層20可以是，例如，無機材料層和聚合物層的複合層。
無機材料層可以由例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物或者這些金屬的混合物形成。金屬氧化物可以是例如氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化錫銦或者這些氧化物的混合物。金屬氮化物可以是例如氮化鋁、氮化矽、或者這些氮化物的混合物。金屬碳化物可以是例如碳化矽，金屬氧氮化物可以是例如氧氮化矽。無機材料層可以由能阻擋溼氣或氧氣透過的任何無機材料如矽形成。
無機材料層可以通過沉積或者其他方法形成。當無機材料層通過蒸發形成時，在無機材料層上會產生孔隙。在一些實施方式中，為了阻止孔隙在同一點處連續生長，除了無機材料層以外，還可以包括聚合物層。聚合物層可以由，例如，有機高分子、無機高分子、有機金屬高分子或者雜化有機/無機高分子形成。
阻擋層20不是必須要包含的，也可以省略。
襯底10不限於塑料，也可以由玻璃或金屬形成。
參照圖3，在薄膜30粘結於襯底10之後，通過圖案化薄膜30，形成第一開口31a和第二開口31b。
第一開口31a，隨後將被描述，允許漏極與導電圖案32接觸，第二開口31b，隨後也將被描述，將形成發光器。
參照圖4，當圖案化薄膜30之後，於基材31之上形成源極41和漏極42。
此時，如上所述，漏極42通過第一個開口31a與導電圖案32相連。
如圖5所示，在形成源極41和漏極42之後，形成半導體層43，並覆於源極41和漏極42之上。
半導體層43可以是，例如，有機半導體。
有機半導體可以由半導有機材料，如聚合物或者低分子量的有機化合物形成。半導有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
同時，參照圖5，在形成覆蓋源極41和漏極42的有機半導體層43之後，用雷射刻蝕的方法，如雷射燒蝕的方法，將半導體層43圖案化為如圖5所示的區域。除了這個方法，還可以應用有機半導體圖案化的方法，且圖案化區域不一定如圖5所示的圖案化。
半導體層43可以由無機半導體層，例如CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC或者Si形成。
參照圖6，在形成半導體層43之後，在半導體層43上形成柵極絕緣膜44，在柵極絕緣膜44上形成柵極45。
柵極絕緣膜44可以由有機或者無機材料形成。合適的無機材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合適的有機材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、醯亞胺聚合物、芳基醚聚合物、醯胺聚合物、含氟聚合物、p-亞二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及這些材料的摻混物(blend)。而且，也可以用有機-無機的疊層膜。
可以將柵極絕緣膜44圖案化為如圖6所示的島嶼形，這樣當襯底10彎曲時，它受的應力較小。可以將柵極絕緣膜44圖案化為至少覆蓋相應半導體層43的區域。
然而，本實施方式並不限制於此，形成柵極絕緣膜44可以覆蓋整個區域中的任何一個部分，除了其上形成發光器的區域。
形成柵極45與半導體層43的溝道相對應。
參照圖7，形成柵極45之後，進一步形成絕緣膜46以覆蓋TFT。絕緣膜46保護TFT，如後面所述，具有能使它作為象素限定層的開口。
絕緣膜46可以是單層或多層的無機材料或有機材料。合適的無機材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合適的有機材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、醯亞胺聚合物、芳基醚聚合物、醯胺聚合物、含氟聚合物、p-亞二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及這些材料的摻混物。然而，本實施方式並不限制於此，也可以用不同的絕緣材料。
在形成具有用上述方法形成的TFT的襯底10之後，參照圖8，通過刻蝕絕緣膜46形成了第三開口46a以暴露導電圖案32的一部分。
本實施方式中，上述的第二開口31b可以與第三個開口46a同時形成。
通過形成有機層33形成有機發光二極體(OLED)，有基層33包括發射層(未示出)，和一覆蓋第三個開口46a內的有機層33的面電極34。
有機層33可以是，例如，低分子量有機層或者聚合物有機層。
如果有機層33是低分子量有機層，有機層33可以通過在單個或者複合結構中疊層空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)來形成。可以用來形成有機層33的有機材料的例子包括銅鈦菁(CuPc)、N，N』-二(萘-1-基)-N、N』-二苯基-聯苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉合鋁(Alq3)。低分子量有機層可以通過蒸發的方法形成。
如果有機層33是聚合物有機層，有機層33可以具有含HTL和EML的結構。同時，聚合物HTL由聚2，4-亞乙基二氧噻吩(PEDOT)形成，EML由聚亞苯基亞乙烯基(PPV)或者聚芴基有機聚合物材料用噴墨印刷或者旋塗的方法形成。
面電極34可以用作透明電極或者反射電極。當面電極34用作透明電極時，面電極34可以由，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成，當面電極34用作反射電極時，面電極34可以由例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或者這些金屬的混合物形成。用例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的混合物形成發射電極之後，在反射膜上形成ITO，IZO，ZnO或者In2O3。然而，本實施方式並不限制於此，即使面電極34用作透明電極，在沉積由具有低功函數的金屬，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或者這些金屬的混合物形成的材料層，朝向有機層33之後，能夠在材料層之上包括，輔助電極層或者由形成透明電極材料，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的電極匯流線。
根據本實施方式，通過粘結在其上面形成導電圖案32的薄膜30，能夠製造平板顯示器，允許導電圖案32作為像素電極，尤其是當襯底由塑料形成的情況。
而且，因為導電圖案32用作溼氣和氧氣的阻擋，所以可以進一步地提高器件的空氣密封性。
圖9是根據另外一個實施方式表示平板顯示器的截面圖。參照圖9，在薄膜30上形成半導體層43之後，形成源極41和漏極42以接觸半導體層43。同時，在半導體層43外面形成第一個開口31a，以使漏極42與導電圖案32接觸，但本實施方式並不限制於此。即，在形成通過基材31和薄膜30形成於其上的半導體層43的第一開口之後，能夠形成漏極42。
圖9中，平板顯示器的剩餘部分與參照圖8所描述的內容相同。不再重複敘述。
根據本實施方式的TFT和發光器的結構並不受限制，能夠根據需要而變化。
上述實施方式中，描述了一種有源矩陣型發光器。然而，如上所述，本實施方式還可應用到具有TFT的任何顯示器上，例如，TFT LCD器件。
而且，根據本實施方式，在塑料襯底上形成的TFT能夠被應用到，除了上述的顯示器，任何具有柔性TFT的器件上，例如，電子片(electronic sheet)或智慧卡。
顯然參照示範性實施方式，已特別示出和描述了本實施方式，但本領域普通技術人員將理解在不脫離通過下述要求所確定的本實施方式的精神和範圍內，可以進行形式和細節上的各種改變。
權利要求
1.一種具有薄膜電晶體(TFT)的襯底的製造方法，該方法包括在基材上製備包括多個導電圖案的薄膜；粘結該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導電圖案的方式來形成TFT；以及在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
2.按照權利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中的至少一個到導電圖案上，其中源極和漏極形成於薄膜上；形成與源極和漏極的每一個連接的半導體層；在半導體層上形成柵極絕緣膜；和在柵極絕緣膜上形成柵極。
3.按照權利要求2所述的方法，其中，至少相應於半導體層的區域圖案化柵極絕緣膜。
4.按照權利要求2所述的方法，半導體層由有機材料形成。
5.按照權利要求4所述的方法，其中有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
6.按照權利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括在薄膜上形成半導體層；連接源極和漏極中的至少一個到導電圖案上，其中源極和漏極形成於薄膜上；在半導體層源極和漏極上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成柵極。
7.按照權利要求6所述的方法，其中，至少對應半導體層的區域圖案化柵極絕緣膜。
8.按照權利要求6所述的方法，其中，半導體層由有機材料形成。
9.按照權利要求8所述的方法，其中，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
10.按照權利要求1所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面沒有暴露出導電圖案，且按這樣的方式粘合薄膜，以使位於其上面的未被暴露的導電圖案的薄膜表面朝外。
11.按照權利要求1所述的方法，其中，襯底由塑料形成。
12.一種具有根據權利要求1的方法製造的TFT的襯底。
13.一種平板顯示器的製造方法，該方法包括在基材上製備包括多個導電圖案的薄膜；粘結該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導電圖案的方式來形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層；為暴露導電圖案的一個區域在絕緣膜上形成一開口；以及在通過該開口暴露的導電圖案區上形成顯示器。
14.按照權利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中至少一個到導電圖案上，其中源極和漏極形成於薄膜上；形成與源極和漏極的每一個相連接的半導體層；在半導體層上形成柵極絕緣膜；以及在柵極絕緣膜上形成柵極。
15.按照權利要求14所述的方法，其中，至少相應於半導體的區域圖案化柵極絕緣膜。
16.按照權利要求14所述的方法，其中，半導體層由有機材料形成。
17.按照權利要求16所述的方法，其中，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
18.按照權利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中的至少一個到導電圖案上，其中源極和漏極形成於半導體層上；在半導體層、源極和漏極上形成柵極絕緣膜；以及在柵極絕緣膜上形成柵極。
19.按照權利要求18所述的方法，其中，至少相應於半導體的區域圖案化柵極絕緣膜。
20.按照權利要求18所述的方法，其中，半導體層由有機材料形成。
21.按照權利要求20所述的方法，其中，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中至少的一種。
22.按照權利要求13所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面沒有暴露出導電圖案，且按這樣的方式粘合薄膜，以使位於其上面的未被暴露的導電圖案的薄膜表面朝外。
23.按照權利要求22所述的方法，進一步包括圖案化薄膜以便在形成TFT之前使導電圖案的一部分暴露。
24.按照權利要求13所述的方法，其中，襯底由塑料形成。
25.一種根據權利要求13所述的方法製造的平板顯示器。
26.一種包含根據權利要求12的襯底的平板顯示器。
27.一種包含具有一個或者多個根據權利要求1所述方法製造的TFT的襯底的平板顯示器。
28.一種平板顯示器，包括粘結到襯底上的薄膜，其中包括在基材上的多個導電圖案；電連接到薄膜上導電圖案的TFT；薄膜上覆蓋TFT的絕緣膜；和在絕緣膜上暴露導電圖案的一個區域的開口。
29.按照權利要求28所述的平板顯示器，其中，TFT包括連接到導電圖案上的源極和漏極的至少一個，其中源極和漏極形成於薄膜上；與源極和漏極的每一個相接觸的半導體層；半導體層上的柵極絕緣膜；和柵極絕緣膜上的柵極。
30.按照權利要求29所述的平板顯示器，其中，至少相應於半導體的區域圖案化柵極絕緣膜。
31.按照權利要求29所述的平板顯示器，其中，半導體層由有機材料形成。
32.按照權利要求31所述的平板顯示器，其中，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中至少的一種。
33.按照權利要求28所述的平板顯示器，其中，TFT包括至少連接到導電圖案上的至少一個源極和至少一個漏極，其中源極和漏極形成於薄膜上；在半導體層、源極和漏極上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的柵極。
34.按照權利要求33所述的平板顯示器，其中，至少對相應於半導體的區域圖案化柵極絕緣膜。
35.按照權利要求33所述的平板顯示器，其中，半導體層由有機材料形成。
36.按照權利要求35所述的平板顯示器，其中，有機材料包括由並五苯、並四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯並苯及其衍生物、苝四羧酸二醯亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四醯二亞胺及其衍生物構成的一組材料中的至少一種。
37.按照權利要求28所述的平板顯示器，其中，至少薄膜表面中的一面沒有暴露出導電圖案，且其中，位於其上面的導電圖案未被暴露的膜表面朝外。
38.按照權利要求28所述的平板顯示器，其中，所述襯底包含塑料。
全文摘要
提供了一種具有TFT的塑料襯底的製造方法，一種根據該方法製造的襯底，一種平板顯示器的製造方法以及一種根據該方法製造的平板顯示器，可以被用到柔性平板顯示器上。該方法包括製備包括多個導電圖案的薄膜；粘結該薄膜到襯底上；將TFT電連接到薄膜上的導電圖案；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
文檔編號H01L51/40GK1848391SQ20051011917
公開日2006年10月18日 申請日期2005年11月3日 優先權日2004年11月3日
發明者金民圭, 具在本, 牟然坤, 申鉉秀 申請人:三星Sdi株式會社