使用大面積x射線源的去汙及消毒系統的製作方法

2023-07-02 06:43:36 2

專利名稱：使用大面積x射線源的去汙及消毒系統的製作方法
技術領域：
總體來說，本發明涉及X射線產生及使用，且更具體地說，本發明涉及 一種用於產生X射線輻射的大面積源以及一種使用該大面積源以對目標材料 進行去汙和/或消毒的系統。
背景技術：
現今，x射線形式的高能量電磁輻射用於許多方面。儘管x射線在醫學
成像中的用途對於多數人而言為最熟悉的設備，但也大量存在其他用途。舉
例而言，x射線除用於成像外，也可用於醫學設備中，用於活化例如藥物或 物質的目的。此外，已知x射線輻射在地面及地質探勘中的許多用途，例如
關於石油探勘或地下成像。X射線輻射的一個有效用途為用於物質處理以降
低生物汙染及其他汙染的影響。舉例而言，可照射食物以殺滅微生物，使食 物食用更安全。可以相同方式照射廢水或流出物來降低汙染的影響。
然而，儘管x射線在這些能力中的某些能力上是有用的，但目前，其產 生及引導輻射的效率未達到最佳。典型的x射線源包含點源電子發生器、加
速器及金屬耙。在操作時，由點源所產生的電子經由加速器加速，並衝擊金
屬靶。當高能量電子與耙衝擊時，發射x射線輻射。
通常，所發射的輻射呈圓錐形圖案傳播越過衝擊區，這取決於目標的成 分及構型、衝擊電子的能量及散布等。在該發散輻射圖案的情況下，可發現
在距衝擊區給定距離r處的輻射劑量以大致平方反比(l/r"的方式下降。為在 適當劑量下有效使用該輻射圖案，必須產生強輻射場以解決隨距離的下降， 且有關物體必須適當定位於輻射錐中。儘管某些輻射源使用多個點源或一個 或多個移動點源以補償次最佳發射圖案，但這些系統具有其固有的缺點及復 雜性。具體地說，涉及源定時、定位等的複雜化是常見的。
具體地說，在處理材料以用於去汙或衛生目的時，能夠傳遞均勻且充分 強的輻射圖案是重要的，以便避免使目標材料過度降級，同時確保足夠的輻 射以降低微生物(或更大的有機體)及汙染物的影響。此外，就商業化而言，x
5射線源具有足夠的功率效率以降低使用成本是重要的。當前系統在這些方面 中的一個或多個方面有所不足。因此，對於X射線處理系統需要較現有技術 的系統至少在效率及場均勻性方面有所改善。

發明內容
本發明的實施方案提供一種用於X射線產生及使用的新技術。具體地說， 根據本發明的實施方案，本文所描述的處理系統利用引導至目標區中的一個 或多個大面積平板X射線輻射源。待處理的目標物例如經由輸送帶、管等而 置於該目標區內，且以來自該一個或多個平板源的輻射來照射，從而降低目 標物中的汙染物存在的生物效應。
根據本發明的實施方案的平板源包含電子源、電子加速器及電子目標介 質。電子自該電子源引出或發射且朝著該電子目標介質加速。經加速的電子 沖擊在目標介質上導致X射線輻射的發射。電子源可具有任何適合材料及構 型。舉例而言，電子源可通過場發射過程或通過熱離子發射過程來發射電子。
在本發明的系統中使用大面積平板X射線源允許降低安裝及操作成本以 及增加效率。通過參考附圖所進行的對說明性實施方案的詳細描述，本發明 的額外特徵及優點將顯而易見。


雖然權利要求書說明了本發明的特徵，但具體地，通過參照下列附圖所 進行的詳細描述將使本發明及其目的和優點得以更好地說明。
圖1為現有技術的x射線產生裝置的橫截面側視圖； 圖2為使用點源x射線設備的現有技術材料x射線處理系統的示意性俯 視圖3為可用於本發明實施方案中的具有透射模式大面積平板x射線源的 x射線產生裝置的橫截面側視圖，該x射線源具有場發射電子源；
圖4為可用於本發明實施方案中的具有透射模式大面積平板x射線源的 x射線產生裝置的橫截面側視圖，該x射線源具有熱離子發射電子源；
圖5為可用於本發明實施方案中的具有大面積平板x射線源的x射線產 生裝置的橫截面側視圖，該x射線源具有場發射電子源且以組合的反射及透 射模式操作；圖6為根據本發明實施方案的X射線處理系統的示意性俯視圖，其中輸
送器用於傳輸非液體目標材料；
圖7為根據本發明實施方案的x射線處理系統的示意性俯視圖，其中管 道用於傳輸液體或氣體目標材料；
圖8a為根據本發明的替代實施方案的x射線處理系統的示意性俯視圖， 其中使用一對相對的大面積平板x射線源；及
圖8b為根據本發明的替代實施方案的x射線處理系統的示意性俯視圖， 其中使用兩對相對的大面積平板x射線源。
具體實施例方式
本發明涉及x射線產生及使用，且在本發明的實施方案中涵蓋一種用於 處理諸如食品、水或其他材料的目標物以例如用於去汙或消毒目的的新的系 統及技術。總的來說，根據本發明示例性實施方案的結構包含一個或多個平 板x射線輻射源，該x射線輻射源與目標區(體積)相鄰及/或圍繞目標區(體 積)。目標物置於目標區內，且用來自平板源的輻射來照射，從而降低目標 物中的汙染物的效應。目標物可靜止地駐留於目標區內，或可諸如經由輸送 器傳遞，或諸如經由穿過該區的可透過輻射的管而流動。
根據本發明實施方案的系統可用於使目標物中的生物汙染物及化學汙 染物均無害。舉例而言，若汙染物為細菌、真菌或病毒，則系統可用於殺滅 足以實質(substantially)上降低目標物的消費者的感染風險或實質上降低(延 緩或預防)目標物的腐敗的數量的汙染物。若汙染物為化學製品，則系統可 用於化學改性(例如，破壞或失活)足以實質上降低目標物的消費者的毒性反 應的風險的數量的汙染物。
在論述本發明實施方案的細節之前，為方便讀者，將提供對普遍的現有 技術系統的簡要論述。參看圖1,展示現有技術的x射線源，其與任何應用 隔離。源101包含外殼103。外殼103通常至少部分地抽空以最小化電子與 氣相分子之間的碰撞。源101進一步包含電子源105。電子源105諸如經由 熱拔JF又而產生電子107。電子107的一部分以4爭電方式由加速器糹冊4及109所 施加的場加速且橫貫外殼103，從而衝擊在目標材料111上。電子與目標材 料的衝擊導致x射線輻射的發射，其一部分115朝著窗113或其他出口引導， 且穿過窗113或其他出口。圖2以示意圖說明根據現有技術的物質處理系統。系統201包含X射線
點源203,諸如參看圖1所描述的x射線源。x射線源203發射半球形圖案 的輻射205。系統201經構型以使得所發射的輻射205衝擊含有目標物209 的目標區207,從而照射目標物209。應當理解，所得的照射極不均勻。此 外，由點源203產生的輻射圖案205在系統201中引起相當低的效率。
雖然應了解x射線點源自表面而非實際點處發射輻射，但在距該源任何 可感知的距離處，圖案看似基本上自共同點或小體積發散。來自這些源的輻 射以球形方式發散，與距離平方的反比成比例地衰減。因此，假定源203本 質上為點源且目標區207為lm2,則源203的可用強度為lmV4兀d2。若區207 距源203為2.5米，則其得到1/78的因子。因此，點源輻射的發散性質得到 僅1.3%的效率(即，幾乎99°/。的損失)。該低效率意謂源的功率輸出必須使得 目標區處的剩餘功率為充分的。因此，需要昂貴的功率供應來操作該系統。 除了該支持設備的成本外，歸因於點源的低效率，該系統的操作能量成本也 很高。
本發明實施方案解決現有系統的缺點，且提供一種通過輻射來處理食物 及其他物質以用於衛生、去汙等目的的有效且低成本的系統。現將參考附圖 來更詳細地描述本發明的實施方案。首先將描述根據本發明實施方案的平坦 x射線源，隨後進行用於各種實施方案中的平板x射線源的論述。
可用於本發明實施方案中的平板x射線源描述於Busta等人在2004年3 月31日才是交的題為"Electron source and method for making same"的美國專利 申請第2004/0198892A1號中。儘管由於前述申請第2004/0198892A1號論述 了平板電子源及x射線源而得以在此提及，但其教導並不限於此，且將其所
除該申請案的任何部分(表述或暗示的)。
可用於本發明實施方案中的一個透射模式平板源大致如圖3中所示。就 廣義而言，平板源包含電子源、電子加速器及目標介質，其中經加速的電子 衝擊在目標介質上導致x射線輻射的發射。更具體地，參照圖3中所示平板 的所說明的實施方案，基板301支撐電子源組合物303。電子源組合物303 包含允許由其進行電子的場發射的物質或材料。例示性組合物描述於上述專 利申請中。
為了自電子源組合物303引出電子307,電子引出柵極305定位在電子源組合物303近旁，但實質上與電子源組合物303電絕緣。電子引出柵極305 相對於電子源組合物303維持在電壓V+下，這足以在場效應下自電子源組
的電子307的路徑中。此外，目標材料309維持在電位￥++下，該電位V+十
經引出的電子朝著目標材料309加速。
本領域技術人員應當理解，目標材料309可為若干適合材料中的任一個。 適合材料為由所使用的特定電壓及間距產生的電子能量足以引起自目標材 料309發射x射線的材料。適合材料包括(例如)Cu、 W、 Mo等。該層可通 過氣相沉積、濺射、電鍍等而沉積，或可諸如以箔的形式置放。
在對目標材料309進行衝擊時，電子307的至少一小部分引起自目標材 料309發射x射線輻射。該所產生的輻射的一部分313將向外引導，即，在 大致與電子307加速相同的方向上。在本發明的優選實施方案中，目標材料 309的支撐表面311為x射線可穿透的，且因此該部分313射出設備。
儘管未圖示，但進行電子加速的空間優選至少部分抽空，從而最大化以 彈道學方式行進而不與氣體分子碰撞的電子的比例。與氣體分子碰撞是不期 望的，因為這些碰撞降低有效電子產率且因此降低x射線產生系統的效率。 此外，電子與氣體分子的沖擊可導致產生正離子，然後，該正離子相對於電 子引出柵極305及電子源組合物303反向加速，從而可能導致損壞或過早磨 耗。
圖4中示意性展示了可用於本發明實施方案中的替代性透射模式平板x 射線源。圖4的設備類似於圖3的設備，除了電子源組合物303及引出柵極 305已由諸如材料帶或材料線的熱離子發射元件404替代以外。儘管自側面 展示熱離子發射元件404，但應當理解，元件404是巻繞的或直線延伸(run) 的，以使其與目標材料409的對應基本上均勻。即，儘管元件404可具有對 應於目標材料409的側面積的小分數的側面積(即，在垂直於圖4的平面的 面板的平面尺寸中)，但目標材料409的每一部分(諸如每八分之一)垂直對應 於與目標材料409的每一其他部分大致相同分數的元件404。其在所發射電 子的橫向分布上提供相對均勻性，且促進元件404及目標材料409的有效使 用。通常，元件404以螺旋形圖案巻繞或纏繞，其中在給定距離內的圈數 (number of pass)由所期望的均勻性的等級來判定。舉例而言，4吏用三圈構型將得到非常粗略等級的大致均勻性，而在相同目標材料409面積上使用91
圈構型將得到實質上更大的均勻性。
用於熱離子發射的適合材料對於本領域技術人員是已知的，但典型材料 為塗釷鶴及六硼化鑭。 一般而言，適合的材料包括(但不限於)石墨、金屬或 金屬合金或非金屬合金、或這些的組合。
儘管上文參看圖3及圖4所描述的設備為透射模式設備，但本發明並不 限於此。在本發明的替代實施方案中，使用其他模式。因此，一4殳而言，例 示性操作模式為(l)場發射透射(圖3中所示)；(2)場發射反射；(3)熱離子發 射透射(圖4中所示)；及(4)熱離子發射反射。反射模式利用自目標材料309、 409在與電子衝擊同一側上形成的x射線輻射，該側與相對側(如在透射模式 中)相對。對於反射模式而言，目標材料基本上比透射模式的目標材料厚。
所說明的x射線產生裝置的構型在寬面積上產生電子，且在比點源設備 大得多的面積上提供x射線輻射。舉例而言，所說明的設備可易於自100平 方英寸或更大的面積發射x射線。
歸因於迅速的食物及物質衛生及/或去汙所需的高功率，以及將電子轉換 為x射線輻射的相對低效率，諸如通過圖3及圖4所述的設備產生相當大的 熱量。若該熱未自系統移除，則可導致損壞或加速的磨耗。因此，在本發明 的優選實施方案中，平板x射線產生裝置包括冷卻機制。對於較小的應用， 可使用諸如經由固態式冷卻器的低功率冷卻。然而，通常需要較多冷卻功率， 且在這些情況下使用液體熱移除系統。
在本發明的實施方案中，液體熱移除系統包含置於導熱管道中的盤繞式 流體路徑，該管道諸如經由支撐表面311、 411而與目標材料309、 409熱接 觸。在圖3及圖4中，管道320、 420以橫截面展示，其具有流體入口 315、 415及流體出口 317、 417。
可通過釆用反射及透射模式操作來增加所描述x射線產生系統的效率。 儘管圖5中所示的設備利用場發射來提供電子，但可替代地或另外地使用熱 離子元件來供應電子。所說明的設備類似於圖3中所示的設備，且相同元件 後兩位數字編號相同。
所說明的設備與圖3的設備不同之處在於提供了額外的面向相反方向的 引出柵極531。該第二引出柵極531引出電子533,該電子533在引出柵極 531與第二目標表面535之間所施加的場的影響下朝著第二目標表面535加速。在電子533與目標表面535衝擊時，產生x射線，其一部分朝著柵極反 向引導。視目標表面535的厚度而定，這些x射線的一部分橫貫該設備，且 由該設備的透射部分得到的x射線的部分射出該設備。應當理解，儘管支撐 結構511應為x射線可穿透的，但支撐表面537無需為x射線可穿透的。在 本發明的實施方案中，表面537阻擋及/或反射x射線而不是透射x射線。支 撐體537可類似地配備有冷卻機制539,以移除廢熱並4是高設備4喿作及壽命。
應當注意，每一實施方案對於如上文描述及所併入的申請案中的電子源 (即，鎢、炭黑等)使用較通用的元件。其與利用較為特殊的材料(諸如納米管) 的系統相比提供成本及簡易優點。然而，在本發明的實施方案中，可替代地 或另外地使用這些特殊材料。此外，與某些系統不同，所描述的系統的電子 以彈道學方式行進而不聚焦，以便提供所展示的寬面積操作。
在已描述可用於本發明實施方案中的若千x射線產生裝置後，現將論述 這類系統的某些例示性用途。圖6示意性說明用於固體或半固體(即，非液 體)材料的衛生及/或去汙的照射系統。系統601包含如上文所描述的用於以 x射線輻射606照射目標區605的x射線產生設備603。目標區605可疊加 於輸送帶607或其他傳輸機制上，從而簡化材料608至目標區605中的引入 以進行處理。
垂直於所發射的輻射的目標區605的寬度尺寸及高度尺寸(即，在方向B 上及自頁面維度向夕卜)經優選選擇以在相對均勻(例如，具有小於約20%的變 化)的輻射場606的區域內延伸穿過x射線產生設備603的表面。優選基於 待處理材料608的吸收及所需劑量來選擇目標區605在方向A上(即，平行 於所發射的輻射)的尺寸。舉例而言，高吸收性材料608可能需要較淺的目 標區605以保證輻射606適當穿透。此外，較高的劑量要求可能影響在區605 中的停留時間及區605在方向A上的深度。
任選的輸送帶607可連續移動以使待處理材料608在由x射線產生設備 603發射的場內具有特定的停留時間。或者，輸送器607可以大致等於目標 區605在方向B上的寬度尺寸的增量使材料逐步經過，其中每一步後視需要 進行延遲以允許在目標區605內處理材料608。
或者，在本發明的實施方案中可處理液體或氣體材料。具體地說，圖7 示意性說明用於液體及/或氣體材料的衛生^/或去汙的照射系統。系統701 包含如上文所描述的用於以x射線輻射706照射目標區705的x射線產生設2006
備703。在此情況下，目標區705疊加於由基本上為x射線可穿透的材料形 成的管道707上，以將材料708引入目標區705中以供處理。
圖8A-8B示意性說明用於液體及/或氣體材料的衛生及/或去汙的替代性 照射系統，為便於理解，其省略了除x射線產生設備、輻射及目標區以外的 元件。具體地說，圖8A展示使用如上文所描述的兩個相對的平板輻射源的 系統。具體地說，源801經定向及定位以在方向A上發射輻射802穿過目標 區803。同時，第二源804經定向及定位以在方向B上發射輻射805穿過目 標區803。以此方式，可實現目標區803中的材料的較迅速的輻射處理，且 劑量在目標區803中的全部經照射的材料中變得較為均勻。另外，可調整源 801、 804的功率及間距以調整經處理材料內的劑量分布。
圖8B展示使用如上文所描述的兩對相對的平板輻射源的系統。具體地 說，源821經定向及定位以在方向A上發射輻射831穿過目標區829。同時， 源825經定向及定位以在相對方向上發射輻射833穿過目標區829。一致地， 源823經定向及定位以在方向B上發射輻射835穿過目標區829，同時源827 經定向及定位以在相對方向上發射輻射837穿過目標區829。以此方式，可 實現目標區829中的材料的較迅速的輻射處理。而且，如上文所述，可調整 源821、 823、 825、 827的功率及間距以改變經處理材料內的劑量分布。應 當理解，根據所說明實施方案的所有目標區均為三維的，其具有基本上平行 於x射線產生裝置的面的高度尺寸及寬度尺寸，以及基本上垂直於所發射輻 射的深度尺寸。
在本發明的進一步實施方案中，用於處理的目標物為可聚合化學製品， 且其輻射用於使材料聚合。該技術較使用UV輻射而非較高能量x射線輻射 的現有聚合系統相比有所改善。具體地說，通過x射線聚合，可產生更厚的 片。另外，歸因於x射線輻射的較高能量及較快作用，與片的厚度無關的系 統產量可較現有方法有所改善。
對於數目、定向及構型所說明的x射線源的配置並非排他的，且在本文 所給予的教導的情況下，本領域技術人員將顯而易見許多其他配置。
儘管前述說明描述了材料在輻射處理系統中的單次通過處理，但應當理 解，可替代地或另外地使用其他方案。舉例而言，材料可在整個曝光時間內 在目標區中緩慢旋轉。或者，目標材料可在預定時間以特定增量旋轉。舉例 而言，材料可在輻射周期的一半時旋轉180度。在本發明的特定實施方案中，與現有點源處理系統相比，本文所描述的 平坦源處理系統通過增加劑量率以增加效率及產品產量而改善。然而，即使 在以較低劑量率使用本發明的系統的本發明的實施方案中，與竟爭性系統相 比，其仍可提供減少的安裝及操作成本。
應當理解，本文已描述一種新的且有用的X射線處理系統。鑑於可應用 本發明的原理的許多可能的實施方案，應當認識到，本文參照附圖所描述的 實施方案僅為說明性的，而不應視為限制本發明的範圍。舉例而言，本領域 技術人員將認識到所示的精確構型及形狀為例示性的，且因此可在不脫離本 發明的精神的情況下在配置及細節上修改所說明的實施方案。
因此，如本文所描述的本發明涵蓋可屬於權利要求書的範圍及其等價物 的範圍內的所有實施方案。
權利要求
1. 一種照射目標物以降低該目標物中的汙染物存在的生物效應的方法，該方法包含提供具有寬度尺寸及高度尺寸的至少一個平板x射線輻射源； 將該目標物置於具有寬度尺寸及高度尺寸的目標區內，該寬度尺寸及高 度尺寸與該至少一個平板x射線源的寬度尺寸及高度尺寸對準且基本上相 同，或小於該至少一個平板x射線源的寬度尺寸及高度尺寸；及以來自該至少一個平板源的輻射照射該目標物，從而降低該目標物中的 該汙染物存在的該生物效應。
2. 權利要求l的方法，其中該目標物包含能食用物質。
3. 權利要求1的方法，其中該汙染物為細菌、真菌或病毒，且其中該汙的感染風險的數量的該汙染物。
4. 權利要求l的方法，其中該汙染物為細菌、真菌或病毒，且其中該汙 染物存在的該生物效應的降低包括殺滅足以實質上降低該目標物的腐敗的 悽t量的該汙染物。
5. 權利要求1的方法，其中該汙染物為化學製品，且其中該汙染物存在 的該生物效應的降低包括化學改性足以實質上降低該目標物的消費者的毒 性反應的風險的數量的該汙染物。
6. 權利要求1的方法，其中照射該目標物以降低該目標物中的該汙染物 存在的生物效應包括以預定劑量水平照射該目標物預定的時間。
7. 權利要求1的方法，其中該一個或多個平板x射線輻射源包含柵極場 發射體電子源，且以選自僅反射、僅透射及組合的反射/透射的模式進行操作。
8. 權利要求1的方法，其中該一個或多個平板x射線輻射源包含熱離子 發射體電子源，且以選自僅反射、僅透射及組合的反射/透射的模式進行操作。
9. 權利要求1的方法，其中該至少一個平板x射線輻射源包含經配置以 照射該目標區的多個平板x射線輻射源，且其中該以來自該平板源的輻射照 射該目標物的步驟進一步包含以來自該多個平板x射線輻射源中的每一個的 輻射照射該目標物。
10. 權利要求l的方法，其中該至少一個平板x射線輻射源包含用於提供電子的電子源及目標，其中該電子源所提供的該電子朝著該目標加速並沖 擊該目標，從而引起X射線輻射自該目標的釋放。
11. 權利要求10的方法，其中該目標相對於該電子源為正偏壓。
12. 權利要求10的方法，其中該目標接地，且該電子源相對於該目標為負偏壓。
13. —種處理系統，其用於照射目標物以降低該目標物中的汙染物存在 的生物效應，該處理系統包含一個或多個平板x射線輻射源，每一個源具有寬度尺寸及高度尺寸；及 目標區，其具有寬度尺寸及高度尺寸，該寬度尺寸及高度尺寸與該一個 或多個平板x射線源中的每一個的寬度尺寸及高度尺寸對準且基本上相同， 或小於該一個或多個平板x射線源中的每一個的寬度尺寸及高度尺寸，從而 以來自該一個或多個平板源的輻射對該目標物進行照射用於降低該目標物 中的該汙染物存在的該生物效應。
14. 權利要求13的系統，其中該目標物包含能食用物質。
15. 權利要求13的系統，其中該汙染物為細菌、真菌或病毒，且其中該 汙染物存在的該生物效應的降低包括殺滅足以實質上降低該目標物的';肖費 者的感染風險的數量的該汙染物。
16. 權利要求13的系統，其中該汙染物為細菌、真菌或病毒，且其中該 汙染物存在的該生物效應的降低包括殺滅足以實質上降低該目標物的腐敗 的數量的該汙染物。
17. 權利要求13的系統，其中該汙染物為化學製品，且其中該汙染物存毒性反應的風險的數量的該汙染物。
18. 權利要求13的系統，其中該一個或多個平板x射線輻射源經控制以 預定劑量水平照射該目標物預定的時間。
19. 權利要求13的系統，其中該一個或多個平板x射線輻射源中的至少 一個包含柵極場發射體電子源，且以選自僅反射、僅透射及組合的反射/透射 的模式進行操作。
20. 權利要求13的系統，其中該一個或多個平板x射線輻射源中的至少 一個包含熱離子發射電子源，且以選自僅反射、僅透射及組合的反射/透射的 模式進行操作。
21. 權利要求13的系統，其中該一個或多個平板X射線輻射源包含對多 個平板X射線輻射源進行配置以使每一個平板X射線輻射源照射該目標區。
22. 權利要求13的系統，其中該目標物為液體或氣體，該系統進一步包 含穿過該目標區以將該目標物輸送穿過該目標區的管道，其中該管道在位於 該目標區內的該管道的至少一部分中基本上可透過x射線輻射。
23. —種照射目標物以使該目標物聚合的方法，該方法包括 提供具有寬度尺寸及高度尺寸的至少一個平板x射線輻射源；將該目標物傳輸穿過具有寬度尺寸及高度尺寸的目標區，該寬度尺寸及 高度尺寸與該至少一個平板x射線源的寬度尺寸及高度尺寸對準且基本上相 同，或小於該至少一個平板x射線源的寬度尺寸及高度尺寸；及以來自該至少一個平板源的輻射照射該目標物，從而使該目標物聚合。
全文摘要
本發明涉及一種新的x射線處理系統，其利用引導至目標區(829)中的一個或多個大面積平板x射線輻射源(821，823，825，827)。以來自該一個或多個平板源的x射線輻射(831，833，835，837)來照射該目標區內的目標物，從而降低該目標物中的汙染物存在的生物效應。該平板源包含電子源、電子加速器及電子目標介質。該電子源可經由場發射或熱離子發射來發射電子。該x射線源可以透射、反射或組合的透射/反射模式來操作。在本發明的系統中使用大面積平板x射線源允許降低安裝及操作成本以及提高效率。
文檔編號C08K3/04GK101312749SQ200680043940
公開日2008年11月26日 申請日期2006年9月15日 優先權日2005年9月30日
發明者斯坦利·萊西亞克, 海因茨·巴斯塔 申請人:卡伯特微電子公司